コアメモリ装置を全て同じに製造して、次に、異なる外観および／または触覚特性を有するように形成した外殻で覆うことにより、不揮発性データメモリカード、フラッシュドライブおよび他のメモリデバイスをカスタマイズする。外殻を、一方の端部から手で、コアメモリ装置にスライドする。次に、このようなメモリデバイスのエンドユーザは、別々にカバーを購入することにより、外見および感触を選択することができる。それらの製品の外見および感触について、このようなメモリデバイスの販売を、より簡単に制御することができる。
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ＵＳＢ規格のような公表された規格による外部コンタクト構造を備えるフラッシュメモリカード構造が、ワイヤレスのような第２のデータ送信経路を含む。外部コンタクトがメモリデータ経路として使用されないとき、取り外し可能なキャップがカードによって嵌めこまれて、外部コンタクトに接続する。２個またはそれより多い事前に設定される距離の一つからワイヤレス送信の距離を選択するように、第２のデータ送信経路の動作を制御するために、２個またはそれより多いキャップの一つが選択されてカードに設置されてもよい。ホストに接続されないときに、第２のデータ経路を通してメモリカードを動作させる電力が、キャップに電池を備えることによって、外部コンタクトを通して供給されてもよい。
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メモリカード、フラッシュドライブおよび類似の装置の表面光学特性、英数字のマークおよび他の設計特徴を組み合わせて、装置に特有の外観を設ける。一例では、表面から反射したマークが、マークと隣り合って見ることができるように、マークを反射表面から離しておく。別の例では、拡散して反射するレインボーホログラムを、このようなマークまたは他の設計特徴と組み合わせる。
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メモリユニットは、コントローラによって書き込まれ得るビジー制御レジスタを含むビジー制御システムを有する。ビジー制御レジスタの内容は、メモリユニットからコントローラに信号が送られるか否かを決定し、送られるのならば複数の信号のうちのどれが送られるかを決定する。信号は、選択されたメモリユニットから自動的に送られ、選択されていないユニットからはマスクされる。
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アレイ配置されたメモリセル群のための動作電圧が、ワードラインおよびビットラインのようなアクセスラインを介して供給される。メモリセルの関連するノードの静電容量によって、これらの電圧のいくらかがラッチされる。アクセスラインが切断された場合でも、ラッチされた電圧を使用してメモリ操作を続けることができる。ＮＡＮＤ形チェーンのアレイを有するメモリにおいて、それぞれのＮＡＮＤ形チェーンのチャネルの静電容量は、電圧をプログラム可能またはプログラム禁止のいずれかにラッチすることができる。次に、メモリセル群のプログラミングの間にビットラインが切断され、別のメモリ操作に使用される。一実施形態では、ビットラインは、同じメモリセル群の次のベリファイステップに備えてプレチャージされる。別の実施形態では、２つのメモリセル群が同時にプログラムされる。これにより、一方のメモリセル群がプログラムされている間に、他方のメモリセル群を、ビットラインを使用してベリファイすることが可能になる。
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２以上のシーケンシャルなプログラミングパス時にメモリセルのプログラミングが行われる不揮発性メモリのプログラミング方式において、このメモリセルのうちの少なくともいくつかのメモリセルを第２のパス中にプログラムするのに不十分なホストデータしか存在しないとき、このメモリセルのうちのいくつかを誤ったしきい値電圧に合わせてプログラミングを行ってしまう場合がある。このような誤ったプログラミングが生じないようにするために、このプログラミング方式を変更することによって、この誤ったプログラミングの防止が可能となる。１つの実施構成では、この第２のプログラミングパス中、誤ったしきい値電圧に合わせたプログラミングをこのメモリセルに行わせないようにするコード構成を選択することにより、すなわち、エラーを含む状態に合わせたプログラミングをこのセルに行わせないようにする代替データに基づいてこのメモリセルのプログラミングを行うことにより、この防止は達成される。
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密閉形再プログラム可能な不揮発メモリカードは、内部メモリが接続されている少なくとも２セットの電気接点を含む。この２セットの接点は、異なるパターンを有し、好ましくは、例えばメモリカード規格とユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）規格というように２つの異なる接点規格に準拠している。準拠可能なメモリカード規格の１つとしてセキュアデジタル（ＳＤ）カード規格がある。かくしてこのカードを、片方の接点とは互換性があるが、他方の接点とは互換性のない異なるホストに使用することができる。使用する接点セットを露出するのに、手で移動が可能なスリーブが含まれてもよい。
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密閉形の再プログラム可能な不揮発性メモリカードは、内部メモリが接続される少なくとも２セットの電気接点を含む。その２セットの接点は、異なるパターンを有し、好ましくは、メモリカード規格とユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）の規格などの２つの異なる接点規格に準拠している。従うことのできる１つのメモリカード規格はセキュアデジタル（ＳＤ）カードの規格である。従って、接点の１つのセットとは互換性があるけれども他方とは互換性のないいろいろなホストにこのカードを用いることができる。通常は接点の１つのセットを覆うようにこのカードにヒンジ付けされたカバーは、その接点セットが使用されるときには邪魔にならないように手によって回転させることができる。
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不揮発性メモリとホストとの間に置かれるバッファキャッシュは、異なる処理について動作するセグメントに区分されてもよい。キャッシュポリシーは、ライトスルー、書き込み、および先読みを含む。ライトスルーとライトバックポリシーは、速度を改善する。先読みキャッシュは、バッファキャッシュと不揮発性メモリとの間におけるバスのより効率的な使用を可能とする。動作（セッション）コマンドは、電力損失に対して保証することにより揮発性メモリにおけるデータ保持を可能とする。
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中間のＶ_PASS電圧（例えば、５ボルトから１０ボルトのオーダー）の代わりに１ボルトから３ボルトのオーダーの低い電圧がＮＡＮＤフラッシュデバイスのソース側またはドレイン側の選択ゲートに直近したワードライン０に印加されて、ＮＡＮＤストリングの異なったセルのプログラミングサイクル中にワードライン０に結合されたメモリセルのしきい値電圧のシフトを減らしたり、または防止する。このことは、消去された領域の自己昇圧と局部的な自己昇圧方式を含む色々な異なった自己昇圧方式のいずれかで実施される。改造され消去された領域の自己昇圧方式では、低い電圧が選択されたワードラインのソース側の２本以上のワードラインに印加され、帯域から帯域へのトンネル通過を低減すると共に２つの昇圧されたチャネル領域間の絶縁を改善する。改造された局部的な自己昇圧方式では、０ボルトまたは低い電圧が選択されたワードラインのソース側の２本以上のワードラインとドレイン側の２本以上のワードラインに印加されて、帯域から帯域へのトンネル通過を低減すると共に選択されたワードラインに結合されたチャネル領域の絶縁を改善する。
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