【課題】本発明は、上部のイメージ感知部とリードアウト回路の接続のためにウェハアラインメントを必要とせず、リードアウト回路の配線とイメージ感知部のオーミックコンタクトを得ることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記リードアウト回路１２０と電気的に接続されて前記第１基板１００上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０と、前記イメージ感知部２１０と前記配線１５０が電気的に接続されるようにピクセル境界に形成されたビアプラグ２５０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３-Ｄイメージセンサを用いてフィルファクターを高めると共に、高感度のセンサはウェハの上部に配置し、低感度のセンサはウェハに形成する方法によって、広域逆光補正機能を持つイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記第１基板１００の前記リードアウト回路１２０の一側に形成された第１イメージ感知部１１０と、前記リードアウト回路１２０と電気的に接続されるように前記第１基板１００上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成された第２イメージ感知部２１０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクター（ＦＦ）を高め、かつチャージシェアリングの発生を防ぐことのできるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板に形成されたリードアウト回路と、前記第１基板に前記リードアウト回路と電気的に連結されて形成された電気接合領域と、前記第１基板上に形成された層間絶縁層に前記電気接合領域と電気的に連結されて形成された配線と、前記配線上に第１導電型伝導層と第２導電型伝導層を含んで形成されたイメージ感知部と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リードアウト回路とイメージ感知部を連結するコンタクトプラグにおいて、電気的ショートを防止できるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは第１基板に形成されたリードアウト回路と、前記第１基板上に形成された層間絶縁層と、前記リードアウト回路と電気的に連結されて前記層間絶縁層に形成された配線と、第１導電型伝導層と第２導電型伝導層を含んで前記配線上に形成されたイメージ感知部と、前記イメージ感知部の第１導電型伝導層と前記配線を電気的に連結するコンタクト領域と、前記イメージ感知部のピクセル境界に形成されたピクセル間分離層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】球面収差を防止できるイメージセンサ及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは基板１００に形成されたイメージ感知部１１０と、前記イメージ感知部１１０上に形成された層間絶縁層１２０と、前記層間絶縁層１２０上に形成された非球面マイクロレンズ１４０を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを高め、かつチャージシェアリングが発生しないイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記第１基板１００上に形成された層間絶縁層１６０と、前記層間絶縁層１６０上に前記リードアウト回路１２０と電気的に連結されて形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０とを含み、前記配線１５０は下部バリアー層１５３ｐ，１５３ｑの下に形成された窒化膜バリアー層１５３ｎを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複合高電圧素子工程を用いたポリエミッタ型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、ＢＣＤ（複合高圧）素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係るポリエミッタ型バイポーラトランジスタは、半導体基板１００の上側の一部に形成された埋込層１１０と、上記半導体基板の上に形成されたエピ層１２０と、上記エピ層に形成され、上記埋込層と連結されるコレクタ領域１３０と、上記エピ層の上側の一部に形成されたベース領域１４０と、上記ベース領域の基板の表面に形成され、ポリシリコン材質からなるポリエミッタ領域１７０と、を含む。実施の形態に係るＢＣＤ素子は、ポリシリコン材質からなるポリエミッタ領域を含むポリエミッタ型バイポーラトランジスタを含み、上記バイポーラトランジスタと同一な単一ウエハ上に形成されたＣＭＯＳとＤＭＯＳのうちの１つ以上のＭＯＳを含む。 （もっと読む）

【課題】ＵＴＭ反応性イオンエッチングで発生するポリマーを除去するのに好適なインダクタの金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子製造において、特にＲＦ（Radio Frequency）素子に用いられるインダクタの金属配線を形成する方法に関するもので、ポリマーとの反応性に優れたラジカルを用いて、トレンチ形成のためのエッチング時に発生したポリマーを効果的に除去する目的として、トレンチを形成するための第１のメインエッチング段階と、該第１のメインエッチングで発生したポリマーを除去するアッシュ段階と、トレンチの底面にビアを形成するための第２のメインエッチング段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１ウエハの上部に第２ウエハを結合させる段階と、第２ウエハの背面にハードマスク層を形成する段階と、ハードマスク層の上部に、ビアホール領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、感光膜パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングすることでハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１及び第２ウエハを一定深さまでエッチングすることでビアホールを形成する段階と、を含む。これによると、両ウエハを非常に効果的に接合させることができ、高いアスペクト比を持つビアホールに残留する残渣をきれいに除去でき、素子特性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】背面受光イメージセンサにおいて、基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができ、製造コストを大いに低減することのできる背面受光イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）