【課題】トレンチトランジスタ及びその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する段階と、半導体基板の内部にトレンチを形成する段階と、前記トレンチの内壁にゲート酸化膜を形成する段階と、前記ゲート酸化膜の形成されたトレンチにポリシリコンを埋め立て、前記半導体基板表面よりも突出した突出部を含み、第１導電型を有するゲートを形成する段階と、前記突出部に第２導電型イオンを注入して障壁層を形成する段階と、前記半導体基板の表面に第２導電型のソース領域を形成する段階とを含むトレンチトランジスタ形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリー半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成されたＰＮ接合ダイオードと、前記ＰＮ接合ダイオード上に形成され、ビアホールを有する絶縁膜と、前記ビアホール内に形成され、前記ＰＮ接合ダイオードの一領域と接触する第１金属パターン、前記第１金属パターン上に形成された酸化膜パターン、及び前記酸化膜パターン上に形成された第２金属パターンからなる抵抗性メモリー素子と、を含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】高い降伏電圧を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、半導体基板１００に形成された第１導電型ウェル領域に相互離隔して形成される第２導電型ドリフト領域、ドリフト領域３１０上に突起されるバーティカル領域３２０、及びバーティカル領域上に形成される第２導電型ソース／ドレイン領域６００を含む。 （もっと読む）

【課題】充てん比を高めることと、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、リセット雑音や暗電流の防止と、電荷共有現象が発生せず、暗電流ソースを最小化して、サチュレーション及び感度の低下を防止することのできるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線とリードアウト回路が形成された第１基板と、前記リードアウト回路上側に形成されたイメージ感知部を含み、前記フォトダイオード上側にリバースバイアス（reverse bias）が加えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】充てん比を高め、且つ電荷共有現象が発生しないイメージセンサーと、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサーを提供する。
【解決手段】第１基板１００に形成されたリードアウト回路１２０と、前記第１基板１００に前記リードアウト回路１２０と電気的に接続して形成された電気接合領域１４０と、前記電気接合領域１４０上に形成された配線１５０と、前記配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０を含む。 （もっと読む）

【課題】垂直型のフォトダイオードを採用し、かつフォトダイオードピクセル間のクロストークを防止できるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、配線とリードアウト回路（readout circuitry）が形成された第１基板と、上記配線上に形成されたイメージ感知部（Image Sensing Device）と、上記イメージ感知部のピクセル境界に形成された光遮断層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成されたデバイスパターンと、前記デバイスパターンの一側に互いに異なる大きさの垂直断面積を有して複数個形成されたダミーパターンとを含んで半導体素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】暗電流特性を改善することができるイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、読み出し回路を含む第１基板１００上に形成される層間絶縁層１６０と、前記層間絶縁層１６０を貫通して前記読み出し回路と連結されるように単位ピクセル毎に形成される配線１５０と、前記配線１５０を含む層間絶縁層上に形成される結晶半導体層２００と、前記結晶半導体層２００の内部に形成され前記配線と電気的に連結されるフォトダイオード２３０と、前記フォトダイオード２３０が単位ピクセル毎に分離されるように前記結晶半導体層２００の内部に形成され導電型不純物からなる素子分離領域２４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）とフォトダイオードの新しい集積を提供することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、下部配線１１０と回路が形成された第１基板１００と、前記下部配線１１０と接触しながら前記第１基板１００とボンディングされた結晶半導体層と、前記結晶半導体層内に前記下部配線１１０と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオード２１０と、前記フォトダイオード２１０内に形成された素子分離膜２２２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さいながら高い電流性能をもつ、ＬＣＤ駆動チップとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された第１導電型ウェルと、前記第１導電型ウェルに形成された第２導電型ドリフト領域と、前記第２導電型ドリフト領域内に形成された第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の一側に形成されたゲートと、前記第１素子分離膜と前記ゲートの間の第２導電型ドリフト領域内に形成された第２導電型第１イオン注入領域を含む。 （もっと読む）