【課題】フィルファクターを高めながら、電荷共有現象が発生しないことと、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例によるイメージセンサーは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と接触しながら前記第１基板上に形成されたフォトダイオードを含みことと、前記第１基板の回路は、前記第１基板に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの一側に形成された電気接合領域と、及び前記配線と繋がりながら前記電気接合領域に接して形成された高濃度の第１導電型領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを高めながら、フォトダイオードの界面のダングリングボンドなどダメージを取除くことができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。また、フィルファクターを高めながら、電荷共有現象を発生させないイメージセンサ及びその製造方法を提供する。また、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、第１基板に形成された配線とリードアウト回路と、第１導電型伝導層と第２導電型伝導層を含んで前記配線と電気的に繋がったイメージ感知部と、及び前記イメージ感知部のピクセル境界に形成された第２導電型界面層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実施例は、フィルファクターを高めながらフォトダイオードと配線間の物理的接触力を高めると共に、オーミックコンタンクトを得ることができるイメージセンサー及びその製造方法と、フィルファクターを高めながら、電荷共有現象を発生させないイメージセンサー及びその製造方法と、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を設けることで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例によるイメージセンサーは、第１基板に形成された配線とリードアウト回路と、前記配線上に形成された金属層と、前記金属層と電気的に接続されたイメージ感知部を含む。 （もっと読む）

【課題】高い逆方向降伏電圧特性を持つ半導体素子のショットキーダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１導電型の埋め込み層１０２Ａを形成する段階と、エピタキシャル成長工程により埋め込み層を取り囲むように半導体基板に第２導電型のエピ層１０４を形成する段階と、半導体基板の表面から埋め込み層まで第１導電型のプラグ１０６，１０８を形成する段階と、第１導電型のプラグと水平方向に離間するようにしつつ半導体基板の表面から埋め込み層まで第１導電型のウェル１３０を形成する段階と、ウェルとプラグに電気的に連結される金属コンタクト１６０をショットキーダイオードの正極と負極としてそれぞれ形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路とフォトダイオードの新たな集積を提供できるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路が形成された第１基板１００と、前記第１基板１００とボンディングされて前記回路と電気的に繋がるように形成されたフォトダイオード２１０と、前記回路と前記フォトダイオード２１０が電気的に繋がるようにピクセル境界に形成されたコンタクトプラグ２４０を含み、前記フォトダイオード２１０は、結晶型半導体層内に選択的に形成された第１導電型イオン注入領域２１４と、前記第１導電型イオン注入領域２１４の一側面に接して形成された第２導電型イオン注入領域２１６を含む。 （もっと読む）

【課題】リセット信号を別途に不要とし、特定の初期値がなくても正常に動作できる１／４周期遅延クロック発生器を提供する。
【解決手段】本発明の１／４周期遅延クロック発生器は、基準クロック信号を発生させる基準クロック発生部と、前記基準クロック信号の立ち上がりエッジで第１入力信号をキャッチして前記基準クロック信号の次の立ち上がりエッジまで第１出力信号として前記第１入力信号を出力し、反転された前記第１出力信号の入力を前記第１入力信号として受ける第１回路部と、第２入力信号をキャッチして第２出力信号として出力し、前記第２入力信号として前記第１回路部から前記第１出力信号の入力を受ける第２回路部とを備える。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ基準電圧発生回路のスタンバイモードから動作モードへの切り替え時にスタートアップ回路の誤動作と工程のミスマッチによる素子の変化にもかかわらず、安定した回路動作を行うことで、一定のバンドギャップ基準電圧を発生させる。
【解決手段】本発明のバンドギャップ基準電圧発生回路は、基準電圧を生成するバイポーラトランジスタと、一定の電圧を出力する演算増幅器と、基準電流を供給する第１ＰＭＯＳトランジスタと、前記第１ＰＭＯＳトランジスタをターンオフさせる第２ＰＭＯＳトランジスタと、ソースが前記上限電圧に連結される第３ＰＭＯＳトランジスタと、スタンバイモードから動作モードへの切り替え時にターンオンされる第４ＰＭＯＳトランジスタと、前記第１設定値にチャージされるようにする第１ＮＭＯＳトランジスタと、前記第１設定値から第２設定値にディスチャージされるようにする第２ＮＭＯＳトランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ回路とフォトダイオードの垂直型集積を提供できるイメージセンサーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のイメージセンサーの製造方法は、ピクセル部及び周辺部を含む半導体基板を形成する段階と、前記半導体基板上に金属配線を含む層間絶縁膜を形成する段階と、前記ピクセル部の前記金属配線と連結されるように前記層間絶縁膜上に形成され、素子分離トレンチによって相互分離されたフォトダイオードパターンを形成する段階と、前記素子分離トレンチ及びフォトダイオードパターンを含む層間絶縁膜上に素子分離絶縁層を形成する段階と、前記フォトダイオードパターンが部分的に露出されるように前記素子分離絶縁層に第１ビアホールを形成する段階と、前記周辺部の金属配線が露出されるように前記素子分離絶縁層に第２ビアホールを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】チャンネル領域のドーピング濃度を調節して、電子伝送効率を向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲートと、前記ゲート下部に配置された第１ｐ型ドーピング領域及び第２ｐ型ドーピング領域と、前記第１ｐ型ドーピング領域の一側に接するように前記半導体基板の浅い領域に形成された第３ｐ型ドーピング領域と、前記第３ｐ型ドーピング領域の一側に接するように前記半導体基板の浅い領域に形成された第４ｐ型ドーピング領域と、前記第１ｐ型ドーピング領域、第３ｐ型ドーピング領域及び第４ｐ型ドーピング領域下部に形成されるように前記半導体基板の深い領域に形成されたｎ型ドーピング領域と、及び前記第２ｐ型ドーピング領域に接するように前記半導体基板の表面に形成されたフローティング拡散領域を含む。 （もっと読む）

【課題】垂直型フォトダイオードを採用して、且つダミーピクセルを形成して漏洩電流を測定することができるイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサは、第１素子分離層によってピクセル部及び周辺部が定義された半導体基板と、ピクセル部に形成された第１読み取り回路及び第２読み取り回路と、半導体基板上に形成された下部配線及びパッドを含む層間絶縁層と、第１及び第２読み取り回路にそれぞれ繋がった下部配線と繋がるように層間絶縁層上に配置されて、ギャップ領域で単位ピクセル毎に分離された第１及び第２フォトダイオードパターンと、第１及び第２フォトダイオードパターンを含む層間絶縁層上に配置された第２素子分離層と、第１フォトダイオードパターン及び周辺部の下部配線と繋がるように第２素子分離層上に形成された上部配線と、第２素子分離層及び層間絶縁層に形成されたパッドホールと、層間絶縁層上に形成された保護層を含む。 （もっと読む）