【課題】背面受光イメージセンサにおいて、基板の背面を安定的かつ効率的に取り除くことができ、製造コストを大いに低減することのできる背面受光イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】実施例による背面受光イメージセンサの製造方法は、第１基板の前面に全体的にイオン注入層を形成する段階と、前記第１基板の前面に素子分離領域を形成してピクセル領域を定義する段階と、前記ピクセル領域に光感知部と読み取り回路を形成する段階と、前記第１基板の上に層間絶縁層と配線を形成する段階と、第２基板を前記配線が形成された第１基板の前面とボンディングする段階と、前記イオン注入層を基準にして前記第１基板の下側を取り除く段階と、前記第１基板の背面の前記光感知部の上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、互いに対向する第１面及び第２面を持つ半導体基板と、活性領域を定義し、第１面から第２面に向けて拡張されて形成される素子分離膜と、活性領域の内に、第１面から第２面に向けて拡張されて形成されるフォトダイオードと、第１面に隣接して配置され、フォトダイオードに対応して形成される反射部と、第２面に隣接して形成されるレンズ部と、を含む。イメージセンサは反射部により受信感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記イメージセンサは、読み出し回路を含む半導体基板と、前記読み出し回路と接続されるように、前記半導体基板上に形成された配線及び層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、第１ドーピング層及び第２ドーピング層が積層されたイメージ感知部と、前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第１ビアホールと、前記配線と前記第１ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第１ビアホール内部に形成された第４メタルコンタクトと、前記第４メタルコンタクト上に形成されて、前記第４メタルコンタクトとは電気的に絶縁され前記第２ドーピング層とは電気的に接続される第５メタルコンタクトと、を含む。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記イメージセンサは、第１基板に形成された読み出し回路と、前記読み出し回路と電気的に接続され、前記第１基板上に形成された配線と、上側の一部に絶縁層を備え、前記配線上に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ上に形成されたイメージ感知部と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係るイメージセンサは、第１基板１００に形成された読み出し回路１２０と、読み出し回路１２０と電気的に連結されて第１基板１００に形成された電気接合領域１４０と、電気接合領域１４０と電気的に連結されて形成された配線１５０と、配線１５０上に形成されたイメージ感知部２１０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを高めながら、電荷共有現象が発生しないことと、フォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例によるイメージセンサーは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と接触しながら前記第１基板上に形成されたフォトダイオードを含み、前記第１基板の回路は、前記第１基板に形成された電気接合領域と、及び前記電気接合領域上部に前記配線と繋がって形成された高濃度の第１導電型領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実施例は、回路とフォトダイオードの新しい集積を提供することができ、解像度と感度を共に改善することができ、垂直型のフォトダイオードを採用しながら、フォトダイオードと回路の間の物理的、電気的接触力が優れ、フォトダイオード内の欠陥（ディフェクト）を防止することができるイメージセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施例によるイメージセンサーは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と接触するように前記第１基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層と接触しながら前記第１基板とボンディングされて、前記配線と電気的に接続されるように結晶型半導体層に形成されたフォトダイオードと、前記配線の上側が露出するようにフォトダイオードと絶縁層を一部除去して形成したビアホールに、伝導性金属が充填されて形成されたビアプラグと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路とフォトダイオードの新しい集積を提供することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と選択的に接触するように前記第１基板上に形成された非晶質層と、及び前記非晶質層と接触しながら前記第１基板とボンディングされて、前記配線と電気的に繋がるように結晶型半導体層に形成されたフォトダイオードを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
フィルファクターを高めながら、電荷共有現象が発生しないことと、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
実施例によるイメージセンサーは、配線を含む回路が形成された第１基板と、前記配線と接触しながら前記第１基板上に形成されたフォトダイオードを含み、前記第１基板の回路は、前記第１基板に形成された第１トランジスタと第２トランジスタと、前記第１トランジスタと前記第２トランジスタの間に形成された電気接合領域と、前記第２トランジスタの一側に前記配線と繋がるように形成された第１導電型領域を含む。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを高めながらフォトダイオードと配線間の物理的、電気的接触力が優れたイメージセンサー及びその製造方法と、フィルファクターを高めながら、電荷共有現象を発生させないイメージセンサー及びその製造方法と、及びフォトダイオードとリードアウト回路の間にフォトチャージの円滑な移動通路を提供することで、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサーは、第１基板１００に形成された配線１５０とリードアウト回路１２０と、配線１５０上に形成された金属層１６０と、第１導電型伝導層と第２導電型伝導層を含んで金属層１６０と電気的に繋がったイメージ感知部を含む。 （もっと読む）