本発明は、リチウムバナジウム酸化物を製造する方法、及びリチウムバナジウム酸化物と少なくとも１種の導電性材料の混合物を製造する方法に関する。更に、本発明は、リチウムバナジウム酸化物又はリチウムバナジウム酸化物と少なくとも１種の導電性材料の混合物を、電池のために、及び電気化学的電池内に使用する方法に関する。更に、本発明は、リチウムバナジウム酸化物又はリチウムバナジウム酸化物と少なくとも１種の導電性材料の混合物を含む正極に関する。 （もっと読む）

本発明は、式Iで表されるピリジン-4-イルメチルスルホンアミド(式中、Het、R^a、R^c、R^f、m、n、p、R、AおよびYは請求項で定義した通りである)、そのN-オキシド、およびそれらの塩、ならびに有害菌類を防除するためのそれらの使用に関し、また少なくとも1種のかかる化合物を含む組成物および種子に関する。さらに、本発明は、これらの化合物を調製する方法および中間体に関する。
【化１】
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二量化ペリレン化合物から製造される新規の半導体材料を開示する。そのような化合物は、高いｎ型キャリア移動度および／または良好な電流変調特性を示し得る。さらに、本教示の化合物は、特定の加工有利性、例えば、溶液加工性、および／または周囲条件での良好な安定性を有し得る。 （もっと読む）

本発明は、下記の工程によって得られる抗菌組成物：第一段階において、少なくとも１つのポリイソシアネートＡを、少なくとも２個のイソシアネート反応性基を有する少なくとも１つの結合剤成分Ｂ、および少なくとも１つのイソシアネート反応性アルコキシシランＣと反応させて、ポリウレタンを得る工程と、次に、第二段階において、シロキシ部を有する抗菌剤Ｚの存在下に存在下で、ポリウレタン中のシロキシ基を加水分解し、加水分解シロキシ基を縮合して、ポリウレタンおよび抗菌剤Ｚの残りに共有結合したシリカ網目構造を形成する工程と、によって得られる抗菌組成物；および、この組成物の、特に内部用途用の抗菌被覆剤としての使用に関する。 （もっと読む）

芳香族およびヘテロ芳香族カルボン酸、カルボン酸エステルおよびカルボン酸アミドの調製方法であって、芳香族またはヘテロ芳香族ハロゲン化物R-X_n [式中、nは1〜6の整数であり、Rは置換または無置換の芳香族またはヘテロ芳香族基であり、Xは塩素、臭素またはヨウ素原子である]と一酸化炭素および水、アンモニア、アルコールまたはアミンとを、塩基ならびに0価もしくは2価パラジウムおよび二座ジホスファンまたは0価もしくは2価パラジウムと二座ジホスフファンとの錯体の存在下で反応させ、ここで、二座ジホスファン(R¹-)(R²-)P-Y-P(-R³)(-R⁴) [式中、R¹〜R⁴は無置換アリール基、または正の共鳴効果もしくは正の誘起効果を有する少なくとも1個の基により置換されたアリール基、または無置換もしくは置換シクロアルキル基であり；Yは合計で2〜20個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ここで、炭素原子の少なくとも1個は置換基として1個のみの水素原子を有するか、水素原子を有しない]を使用することによる（ただし、4-ブロモ-3-ジフルオロメチル-1-メチルピラゾールと2-(3,4,5-トリフルオロフェニル)アニリンおよび一酸化炭素からN-[2-(3,4,5-トリフルオロフェニル)フェニル]-3-ジフルオロメチル-1-メチルピラゾール-4-カルボン酸アミドを形成する反応を除く）、前記方法。 （もっと読む）

ＣＨＡ骨格構造を有する銅含有ゼオライト材料およびモル比（ｎＹＯ₂）：Ｘ₂Ｏ₃［式中、Ｘは三価元素、好ましくはＡｌであり、Ｙは四価元素、好ましくはＳｉであり、ｎは、好ましくは少なくとも２０である］を含む組成物を製造するための方法であって、少なくとも１つのＸ₂Ｏ₃源および少なくとも１つのＹＯ₂源、ＣＨＡ骨格構造を有するゼオライト材料の製造に好適な少なくとも１つの構造誘導剤、ならびに少なくとも１つのＣｕ源を含む無リン水溶液を製造することを含み、前記水溶液を熱水結晶化して、ＣＨＡ骨格構造を有する銅含有ゼオライト材料を含む懸濁液を得ることをさらに含む方法。 （もっと読む）

一般式（Ｉ）の化合物及び一般式（ＩＩ）の化合物、可視可能な又は可視不可能な標識物質としての、材料の着色のための、材料のレーザー溶接での、塩基、酸又はｐＨ値変化の検出のための、分散助剤、有機顔料のための顔料添加剤及び顔料添加剤の製造のための中間生成物としての、熱マネージメント又はエネルギーマネージメントにおける、光起電体における又は光学的データ記録体における化合物（Ｉ）又は（ＩＩ）の使用。
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本発明は、式Iのピリジン-4-イルメチルスルホンアミド(式中、R^a、n、R、AおよびHetは特許請求の範囲で定義したとおりである)ならびにそのN-オキシドおよび塩、ならびに有害菌類を防除するためのそれらの使用、また、少なくとも1種のかかる化合物を含む組成物および種子に関する。さらに本発明は、これらの化合物を調製するための方法および中間体に関する。
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本発明は、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）の１つ以上の化合物により電磁線の吸収度を変化させる方法であって、前記化合物を波長３００〜７５０ｎｍの電磁線で照射する方法に関する。さらに本発明は、紙または鉱油などの材料を標識するための一般式（Ｉ）または（ＩＩ）の化合物の使用および変色させるための一般式（Ｉ）または（ＩＩ）の化合物の使用に関する。また、本発明は、レーザー溶接、熱管理における光開始剤、ラジカル捕捉剤としての、または酸素を検出するための一般式（Ｉ）または（ＩＩ）の化合物の使用に関する。本発明は、ある材料の電磁線の吸収または透過を制御する方法に関し、一般式（Ｉ）または（ＩＩ）の１つ以上の化合物を前記材料と接触させ、前記化合物を波長３００〜７５０ｎｍの電磁線で照射する。最後に、本発明は、一般式（Ｉ）の特定の化合物に関する。
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本発明は、ａ） グリホセート、グルホシネート及びそれらの塩から選択される少なくとも１種の除草剤Ａと、ｂ） ３−［５−（ジフルオロメトキシ）−１−メチル−３−（トリフルオロメチル）ピラゾール−４−イルメチルスルホニル］−４，５−ジヒドロ−５，５−ジメチル−１，２−オキサゾール［一般名：ピロキサスルホン］である除草剤Ｂと、を含む除草性組成物に関する。本発明は、特定的には、ａ） グリホセート、グルホシネート及びそれらの塩から選択される少なくとも１種の除草剤Ａと、ｂ） ３−［５−（ジフルオロメトキシ）−１−メチル−３−（トリフルオロメチル）ピラゾール−４−イルメチルスルホニル］−４，５−ジヒドロ−５，５−ジメチル−１，２−オキサゾール［一般名：ピロキサスルホン］である除草剤Ｂと、ｃ） 除草剤Ｃ．１群〜Ｃ．８群、すなわち、Ｃ．１ アセト乳酸シンターゼ阻害剤（ＡＬＳ阻害剤）の群に属する除草剤、Ｃ．２ プロトポルフィリノーゲンオキシダーゼ阻害剤（ＰＰＯ阻害剤）の群に属する除草剤、Ｃ．３ オーキシンの群に属する除草剤、Ｃ．４ ４−ヒドロキシフェニルピルビン酸ジオキシゲナーゼ阻害剤（ＨＰＰＤ阻害剤）の群に属する除草剤、Ｃ．５ フィトエンデサチュラーゼ阻害剤（ＰＤＳ阻害剤）の群に属する除草剤、Ｃ．６ 光化学系ＩＩ阻害剤（ＰＳＩＩ阻害剤）の群に属する除草剤、Ｃ．７ マイクロチューブリン阻害剤の群に属する除草剤、及びＣ．８ 極長鎖脂肪酸の合成の阻害剤（ＶＬＣＦＡ阻害剤）の群に属する除草剤から選択される少なくとも１種のさらなる除草剤Ｃと、を含む除草性組成物に関する。 （もっと読む）