【課題】産業廃棄物を焼却した後の焼却灰をより高リサイクル率で処理することのできるシステムを提供する。
【解決手段】焼却灰を破砕するための破砕機と、破砕機によって破砕された焼却灰から鉄等の磁性物を分別するための磁選機と、磁選機によって磁性物を分別した後の焼却灰を更に粉砕するための乾式ボールミルとを備えた産業廃棄物の焼却灰処理システムであって、該ボールミルの排出口には内側篩と外側篩が重ねて設けられており、内側篩は粉砕媒体から被粉砕物を分離することのできる形状及び大きさの篩目を有し、外側篩は内側篩の篩目よりも小さく、且つ所定の大きさ以下の被粉砕物のみを排出することができる寸法の目開きを有し、更に前記所定の大きさ以下の被粉砕物を排出した後には外側篩は通過できないが内側篩は通過できる被粉砕物を排出することができるように外側篩が着脱可能となっている焼却灰処理システム。 （もっと読む）

【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 アスベストを十分に溶融処理できるような広く深いスラグ浴を確保してアスベストの大量処理を可能とすると共にアスベストの溶融状態を離れた場所からでも確認可能で、しかもアスベストを安全に処理することが可能なアスベストの処理装置を提供する。
【解決手段】溶融炉１０の天井部に袋詰めされたアスベスト３を投入する投入シュート２０が設けられ、投入シュート２０は、アスベストを収容した袋の最大幅サイズの１．５倍以上の内径を有する筒状体とされると共にその途中には傾斜部２１を備え、傾斜部２１には監視カメラ３０が設けられ、さらに、一方が開くと他方が閉じて投入経路を交互に開閉するようにされた冷却機構２２ｚを有する一対の自動開閉ダンパ２２とを備えていると共に、投入シュート２０と溶融炉１０の天井部との接合部分に耐熱性金属２８を配置して構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高純度の材料を、迅速にかつ正確に測定することが要求されている最近の分析技術に鑑み、純度の高い坩堝を使用して坩堝からの不純物の混入を抑制すると共に、高価な坩堝材料である高純度ジルコニウムの耐久性を高め、ジルコニウム坩堝の使用回数を増加させることができる分析試料の融解用ジルコニウム坩堝を提供することを課題とする。
【解決手段】分析試料の前処理に用いる融解用ジルコニウム坩堝であって、ガス成分を除く純度が３Ｎ以上であり、かつガス成分である炭素が１００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする前記ジルコニウム坩堝。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への銅拡散バリア性を保持しつつ、銅配線部を無電解めっきすることが可能であるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット、及び十分な密度の焼結体とすることができる同スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルとパラジウムとからなる半導体素子配線部の銅拡散防止バリア膜形成用スパッタリングターゲットであって、パラジウムが15原子％以上、70原子％以下であり、残部がタンタル及び不可避不純物からなるタンタルパラジウムスパッタリングターゲット。タンタルとパラジウムからなる焼結体の製造方法であって、タンタルとパラジウムとの金属間化合物を予め作製し、該金属間化合物を混合して焼結することを特徴とするタンタルパラジウムスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高純度の材料を、迅速にかつ正確に測定することが要求されている最近の分析技術に鑑み、純度の高いるつぼを使用してるつぼからの不純物の混入を抑制すると共に、高価なるつぼ材料である高純度ニッケルの耐久性を高め、ニッケルるつぼの使用回数を増加させることができる分析試料の融解用ニッケルるつぼを提供することを課題とする。
【解決手段】分析試料の前処理に用いる融解用ニッケルるつぼであって、ガス成分を除く純度が４Ｎ以上であり、かつガス成分である炭素が１００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする前記ニッケルるつぼ。 （もっと読む）

【課題】 引火点の低い第一石油類に属する石油類の廃油やスラッジを大量に安全且つ簡便に焼却炉まで搬送することが可能な装置及び方法を提供する。
【解決手段】 廃油とスラッジが充填された廃油缶３を収容し且つ密閉可能な開缶室１０と、廃油缶３の上部をプレス板によって押圧しつつ底部を開缶刃１３ｂによって穿孔する開缶装置１３と、開缶装置１３によって抜き出されたスラッジを含む廃油を貯留するホッパ２０と、開缶室１０内及びホッパ２０内の酸素濃度を少なくとも爆発限界酸素濃度以下となるように窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置４０と、ホッパ２０内に貯留されたスラッジを含む廃油を焼却炉５０に搬送する圧送装置３０とを含み構成され、少なくとも廃油缶３と接触する開缶刃１３ｂ、プレス板１４及び開缶室内の底板１２を防爆機能を有する銅合金によって形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価で資源枯渇の懸念のある原料Inを有しない透明導電体の開発において、単一ドーピング法という従来の開発手法の限界を超えるとともに、Co-doping理論を実現させる窒素添加を、雰囲気からのガス供給では膜面内に窒素濃度の偏析が生じてしまう問題を解決して、ITOと同等レベルの低抵抗率な透明導電膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛、酸化亜鉛に対してn型ドーパントとなる元素、および金属窒化物からなる焼結体であって、酸化亜鉛中の亜鉛の原子数をZn、酸化亜鉛に対してn型ドーパントとなる元素の原子数をA、および金属窒化物中の金属元素の原子数をB、窒素の原子数をCとするときに、(A+B)/(Zn+A+B)の値が0.02以上0.08以下であり、かつ、C/(A+B)の値が0.3以上0.７以下である焼結体を作製することで、ドーパントの適切濃度範囲をターゲットの組成の段階で実現させ、当該焼結体をスパッタすることで、低抵抗率透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】チタン基材表面にＡｕ層又はＡｕを含む層を強固かつ均一に形成可能な含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材２の表面に、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔからなる群より選択される少なくとも１種類以上のＡｕより易酸化性の貴金属からなる第１成分とＡｕとの合金層６が形成され、合金層とＴｉ基材との間に、Ti、Oがそれぞれ10wt％以上でかつ前記第１成分が20 wt.%以上含まれる１ｎｍ以上の中間層２ａが存在する。 （もっと読む）