説明

日鉱金属株式会社により出願された特許

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分子線エピタキシャル成長法によりIII−V族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のIII族元素の分子線と第1のV族元素の分子線とを照射して第1の化合物半導体層を形成する第1の工程と、前記III族元素の分子線と前記第1のV族元素の分子線の照射を停止し、前記第1のV族元素の供給量が前記第1の工程における供給量の1/10以下となるまで成長を中断する第2の工程と、少なくとも一種類以上のIII族元素の分子線と第2のV族元素の分子線とを照射して前記第1の化合物半導体層上に前記第1の化合物半導体とは異なる第2の化合物半導体層を形成する第3の工程と、を備えるようにした。
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【課題】強度と導電性に共に優れた高強度高導電性銅合金の製造方法を提供する。
【解決手段】質量%でFe,Cr,Ta,V,Nb,Mo及びWの群から選ばれる1種の添加元素を7%以上50%以下含有し残部Cu及び不可避的不純物からなる銅合金の圧延素材を2枚以上積層する第1工程と、積層された圧延素材をその積層方向に圧延する第2工程とをこの順序で1回以上繰り返し、圧延直角断面から見たとき、最終圧延材における添加元素を含む第二相4の平均アスペクト比At(t2/t1)を10以上とする。 (もっと読む)


【課題】膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜(特に保護膜としての使用)及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。
【解決手段】SnO2を主成分とするIn2O3-ZnO-ZrO2-SnO2系複合酸化物に、Ta、Yの何れか1種又は2種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。該スパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 充放電時負極の膨張・収縮の際に発生する応力を吸収緩和することにより、集電体からSn−CuあるいはSn−Cuの金属間化合物を含む被覆の脱離を防止し得て、充放電サイクル特性を向上したリチウム二次電池用負極材料を提供すること。
【解決手段】 集電体に被覆層を有するリチウム二次電池用負極材料であって、該被覆層が集電体上に形成されたCuの粒状粗化めっき被膜および更にその上に形成された少なくとも曲面部分を含む微小凸状部を有するSn合金めっき膜であることを特徴とするリチウム2次電池用負極材料。 (もっと読む)


【課題】 強度と加工性に共に優れた電子機器用銅合金を提供する。
【解決手段】 質量%でFe,Nb,V,Ta及びCrの群から選ばれる1種又は2種以上の添加元素を合計で7%以上20%以下含有し、Co,Ni,Mg,Sn,Ag,Zr,Cd,P,In,Ti及びSiの群から選ばれる1種又は2種以上の微量元素を合計で0.05%以上1%以下含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる二相合金であって、添加元素を含む第二相における微量元素の含有割合が0.5%以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、疲労特性についての加工履歴を考慮した指標によって疲労特性に優れた準安定オーステナイト系ステンレス鋼を提供することにある。
【解決手段】マルテンサイト量(=Ms量),強度(=TS),および以下の式で与えられるMdにおいて,TS/Msを40以下,かつMd/Msを0.16以上とすることを特徴とする,疲労特性に優れた準安定オーステナイト系ステンレス鋼帯、
ただし,Md=551−462(C+N)−9.2Si−8.1Mn−29(Ni+Cu)−13.7Cr−18.5Mo。 (もっと読む)


【課題】安価に効率よく、溶融飛灰に含まれている重金属を分離回収し、非鉄金属資源として活用することのできる、溶融飛灰からの有価物回収方法を提供する。
【解決手段】高温溶融炉から発生する溶融飛灰に水を添加してpH3〜6で浸出を行い、その後固液分離して、鉛を含む浸出残渣と、亜鉛と塩類を含むろ液に分離する第一工程と、得られたろ液にアルカリを添加してpH7〜12に調整して固液分離し、亜鉛を主成分とする中和殿物と塩類を含むろ液に分離する第二工程とによって溶融飛灰から有価物を回収する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を得ることを課題とし、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化することを目的とする。
【解決手段】 ZnSを主成分とし、ZrO2とY2O3を含み、ZnS:50〜95mol%、ZrO2:4〜49mol%、Y2O3:0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット及びZnSを主成分とし、ZrO2とMgO及び又はCaOを含み、ZnS:50〜95mol%、ZrO2:4〜49mol%、MgO及び又はCaO:0.1〜10mol%であることを特徴とするZnSを主成分とするスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】本発明はシュレッダーダスト、電気部品屑等産業廃棄物の焼却および又は溶融処理によって発生する飛灰から鉛、亜鉛、銅を分離回収し、原料化する方法であって、資源循環型社会構築に寄与することを目的とする。
【解決手段】産業廃棄物の焼却および又は溶融処理によって発生する飛灰の処理方法であって、該飛灰を硫酸酸性液によりpH4.5未満に調整しながら浸出を行い、その後固液分離して、鉛を含む浸出残渣(鉛残渣)と、銅と亜鉛および随伴する金属類と塩類を含むろ液に分離する第一工程と、得られたろ液に硫化剤を添加して浸出された銅と随伴する金属類を硫化物として析出させ固液分離する第二工程と、残液にアルカリ剤を添加してpH7〜12に調整して固液分離し、亜鉛を水酸化物として析出させ塩類を含むろ液とに分離する第三工程とからなることを特徴とする飛灰からの有価物回収方法。 (もっと読む)


毒性が低く、中性付近で使用でき、はんだ密着性及び被膜密着性が良好な非シアン系置換型無電解金めっき液を提供する。 非シアン系水溶性金化合物、及びピロ亜硫酸化合物を含有することを特徴とする無電解金めっき液。該めっき液は、さらに亜硫酸化合物、アミノカルボン酸化合物を含有していてもよい。ピロ亜硫酸化合物としては、ピロ亜硫酸、又はそのアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム塩等を用いることができる。
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