【課題】 無電解金めっき液の経時安定性を確保するために、その金めっき液中のシアンイオンの存在量を簡便に、かつ迅速に把握して、必要なシアンイオンの補給時期、補給量を決定する方法を提供し、また、その方法を利用して無電解金めっき液を安定化する方法を提供する。
【解決手段】 めっき液中の遊離シアンイオンの濃度低下により分解性の無電解金めっき液の安定化方法であって、無電解金めっき液の安定度を該めっき液の酸化還元電位をＯＲＰ計により検出することにより評価し、その安定度に基づきシアンイオンの補給時期、および補給量を決定し、無電解金めっき液にシアンイオンを補給することを特徴とする無電解金めっき液の安定化方法。
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【要約書】
【課題】 半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕであることを特徴とする自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 （もっと読む）

従来めっきができない樹脂などに簡易な方法で金属めっきする方法を提供することを目的とする。一分子中にアゾールを有するシランカップリング剤、例えばイミダゾールとγグリシドキシプロピルトリアルコキシシランとの等モル反応生成物であるカップリング剤の有機酸塩と貴金属化合物をあらかじめ混合もしくは反応させた液で被めっき物を表面処理した後、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法。 （もっと読む）

鉄系焼結体の表面に０．０１〜５ａｔ％のインジウムを含有する層を備えている防錆機能を有する鉄系焼結体、又は焼結体全体に０．０１〜５ａｔ％のインジウムを含有する防錆機能を有する鉄系焼結体に関するものであり、インジウム蒸気又はインジウムを含有するガス雰囲気中で焼結することによって鉄を主成分とする鉄系焼結体を製造する。従来の工程を殆ど変更せずに、簡単に防錆効果を高めることができる鉄系焼結体及びその製造方法を得ることを課題とする。 （もっと読む）

【課題】 電池特性に悪影響を及ぼす不純物を極力含まず、組成安定性に優れ良好な電池特性を発揮するリチウムイオン二次電池正極用材料の簡易な提供手段を確立する。
【解決手段】 炭酸リチウム懸濁液に、Ni，Mn又はCoの硝酸塩の水溶液、あるいはこれとMg，Al，Ti，Cr，Fe，Cu又はZrの硝酸塩の水溶液との混合液を投入することにより、これら金属の炭酸塩と炭酸リチウムが混合した（Mg等の水酸化物が混入していても良い）ところの、全金属に対するLi量のモル比が 0.5〜 1.3でＳやリチウム塩化物による汚染のないLi含有複合金属炭酸塩を得、これを電池正極材料用前駆体とする。この前駆体は、そのまま酸化処理するという簡便な方法で正極材料（活物質）とする。 （もっと読む）

タリウム等の重金属イオンを含まなくても実用上十分な析出速度を有し、まためっき液の安定性にも優れた無電解金めっき液を提供することを目的とする。 金塩として非シアン系金塩、金の錯化剤として亜硫酸およびチオ硫酸のアルカリ金属塩又はアンモニウム塩、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。 【化１】（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、トリル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
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Ｐｔ含有量が０．１〜２０ｗｔ％であるＮｉ−Ｐｔ合金であって、ビッカース硬度が４０〜９０である加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金及び同ターゲット。３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる加工性に優れたＮｉ−Ｐｔ合金の製造方法。Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供することを目的とする。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）

ＦｅドープＩｎＰ等の半導体基板上にＩｎＡｌＡｓ等の化合物半導体からなるエピタキシャル層を再現性よく成長させることのできる気相成長方法を提供する。
半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め室温における半導体基板の抵抗率を測定し、該半導体基板の抵抗率に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温における抵抗率に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 （もっと読む）

SnO₂を主成分とするIn₂O₃-ZnO-SnO₂系複合酸化物に、SiO₂、B₂O₃の何れか１種又は２種の酸化物を添加した材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。膜の非晶質性が安定であり、成膜速度が速く、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成することにより、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法並びにこれらに適用できるパッタリングターゲットに関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。 （もっと読む）