表面に孔食がない金めっき被膜が得られ、はんだ付けを行った際に十分なはんだ付け強度が確保できる無電解金めっき液を提供することを目的とする。
金の水溶性化合物を含有し、還元剤としての下記一般式で表されるヒドロキシアルキルスルホン酸又はその塩と、アミン化合物とを含有することを特徴とする無電解金めっき液。


（上記式中、Ｒは水素、カルボキシ基、又は置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、飽和または不飽和アルキル基、アセチル基、アセトニル基、ピリジル基、及びフリル基のいずれかを表わし、Ｘは水素、Ｎａ、Ｋ、及びＮＨ_４のいずれかを表わし、ｎは０〜４の整数である。）
（もっと読む）

難めっき材へ密着力よく金属めっきする方法を提供することを目的とする。 本発明は、一分子中に金属補足能を持つ官能基を有するシランカップリング剤で被めっき材を表面処理し、１５０℃以上の高温で熱処理し、貴金属化合物を含む溶液で表面処理をし、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法である。又は、一分子中に金属補足能を持つ官能基を有するシランカップリング剤と貴金属化合物をあらかじめ混合もしくは反応させた液で被めっき材を表面処理し、１５０℃以上の高温で熱処理し、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法である。
（もっと読む）

本発明は、溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延等の加工を行うことによって製造されたスパッタリング用ターゲットであって、タンタルターゲットの組織が未再結晶組織を備えていることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲットに関する。鍛造・圧延等の塑性加工工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを安定して製造できる方法を得る。
（もっと読む）

【課題】 1GHzを超える高周波数下での使用が可能であり、低製造コストの高周波回路用圧延銅箔を得る。
【解決手段】 圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I₍₂₀₀₎）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた(200)面の積分強度（I_o(200)）に対し、I₍₂₀₀₎／I_o(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ（以下、Raとする）が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ（以下、Rzとする）が0.1μm〜1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。 （もっと読む）

非シアン系の銀剥離剤において、長寿命であり、側面剥離能力が高く、かつ銀剥離後の必要部分の銀面のムラ発生や光沢度上昇を抑制する銀電解剥離剤を提供することを目的とする。 ヒダントイン化合物とアミノカルボン酸又はその塩を主成分とする銀電解剥離剤。ヒダントイン化合物としてヒダントイン、５，５−ジメチルヒダントイン、５，５−ジメチルヒダントイン−３−ヒドロキシメチル、アラントイン、またはそれらの塩が、アミノカルボン酸又はその塩としてアスパラギン酸、グルタミン酸、又はそれらの塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 毒性が懸念されているホウ素を含有する化合物、さらに有機コバルト化合物、ニッケル化合物を用いなくても、接着性が有機コバルト化合物、ニッケル化合物に匹敵するもしくはそれ以上であり、かつ配合したゴムの貯蔵安定性を改善した接着促進剤およびそれを配合したゴム組成物を提供する。
【解決手段】 長周期型周期表において、１族、８族、９族、１０族、１８族を除く金属から選択されるいずれかの金属のカルボン酸塩とアルコキシ基を有する金属化合物とを反応させて得られた反応生成物を含むことを特徴とするゴムと金属との接着促進剤。長周期型周期表において、１族、８族、９族、１０族、１８族を除く金属から選択されるいずれかの金属のカルボン酸塩のカルボン酸の炭素数は２〜２０が好ましい。 （もっと読む）

Ａｌ又はＳｎから選んだ少なくとも１元素を０．０１〜０．５（未満）ｗｔ％含有し、Ｍｎ又はＳｉが総量で０．２５ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に、シート抵抗が小さく、また凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、また膜厚を薄く調整でき、さらにスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに、特に保護膜としての使用に最適である光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法を得る。
【解決手段】Ａ、Ｂは其々異なる３価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ｋａ、Ｋｂとしたとき、Ａ_ＸＢ_ＹＯ_{（ＫａＸ＋ＫｂＹ）/2}(ＺｎＯ)_ｍ、０＜Ｘ＜２、Ｙ＝２−Ｘ、１≦ｍを満たす酸化亜鉛を主成分とする化合物を含有し、さらにカルコゲン化亜鉛を含む、相対密度９０％以上、バルク抵抗値０．１Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ電磁波検出器に用いられ、第１結晶基板（入射側）と第２結晶基板（出射側）を接合してなる電気光学結晶素子であって、第２結晶基板の厚さを厚くすることなく該第２結晶基板のバックサイドにおけるテラヘルツ電磁波の反射の影響を低減できる電気光学結晶素子を提供する。
【解決手段】 テラヘルツ電磁波検出器用の電気光学結晶素子を、電気光学効果を有するＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶からなる第１結晶基板（テラヘルツ電磁波入射側）と、前記第１結晶基板よりも低抵抗でかつ電気光学効果が小さく、前記第１結晶基板と同じ成分組成を有する第２結晶基板とを接合して構成するようにした。 （もっと読む）

本発明は１、Ｈｆに、Ｚｒ若しくはＴｉのいずれか、又は双方を総計で１００ｗｔｐｐｍ−１０ｗｔ％含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が１−１００μｍ、不純物であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、さらに｛００２｝とこの面から３５°以内にある｛１０３｝、｛０１４｝、｛０１５｝の４つの面の晶癖面配同率が５５％以上で、かつ場所による４つの面の強度比の総和のばらつきが２０％以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、ＨｆＯ又はＨｆＯＮ膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。 （もっと読む）