【課題】 熱処理によって、高強度かつ曲げ加工性に優れた準安定オーステナイト系ステンレス鋼帯としてＳＵＳ３０１ステンレス鋼帯を提供することにある。
【解決手段】 Ｗ曲げ試験における最小曲げ半径（ＭＢＲ）を板厚（ｔ）で除した値を「ＭＢＲ／ｔ」、０．２％耐力を「ＹＳ」としたとき、以下の関係を満たす、強度と曲げ加工性のバランスに優れた、ＳＵＳ３０１ステンレス鋼帯、
ＹＳ≧２０×（ＭＢＲ／ｔ）＋1５１０ かつ （ＭＢＲ／ｔ）≦２。 （もっと読む）

平均結晶子サイズが１ｎｍ〜５０ｎｍの組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。結晶組機が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを得る。
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【課題】本発明の目的は、平坦な銅箔と絶縁基板との接着強度を向上させる、即ち銅箔に粗化処理を施さずとも銅箔と絶縁基板との接着強度を向上させるための銅箔の表面処理方法を提供することである。
【解決手段】銅若しくは銅合金箔と高分子絶縁材料とを接着する前に、銅もしくは銅合金箔の接着表面をＵＶ照射処理することを特徴とするプリント配線板の製造方法で、特にUV照射処理前の時点で銅若しくは銅合金箔表面に有機防錆剤が塗布されている場合に有効である。 （もっと読む）

【課題】第３元素を添加して高強度化したチタン銅において、プレス打抜き性を改良することであり、さらに優れた曲げ加工性を実現することで、プレス加工性に優れたチタン銅を提供する。
【解決手段】Ｔｉを２．０〜４．０重量％及びＦｅを０．０５〜０．５０重量％含有する銅基合金において、他の不純物元素が合計で０．０１重量％以下であり、Ｘ線回折強度比：Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）≧０．５を満たすことを特徴とする銅合金。 （もっと読む）

【課題】 銅箔と絶縁基板との接着強度を向上させるための汎用性の高い銅箔の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 銅箔の表面に１種又は複数種の加水分解性金属化合物を銅箔表面に付着させて乾燥させた後に、該表面に対してコロナ放電処理、プラズマ処理又はＵＶ照射処理を施すことを含むことを特徴とするプリント配線板用の銅箔の表面処理方法。 （もっと読む）

陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得ること、特にファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温におる伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得る。ジアルキルアミノ基を有するアクリル系化合物を単独重合又は他の不飽和結合を有する化合物と共重合することにより得られるジアルキルアミノ基含有重合体と有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液及び該電解液を用いて製造される電解銅箔である。
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【課題】 ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 銅張積層板の製造に適した程度に硬い銅箔を使用した場合であっても、熱処理過程を経ることで、該銅箔が再結晶化し、屈曲特性に著しく優れたフレキシブル銅張積層板を得る。
【解決手段】 表面処理された銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、次いで、乾燥、硬化させる熱処理工程からなる銅張積層板の製造において、銅箔がＡｇを含有した圧延銅箔であって、熱処理前の銅箔の（200）面のＸ線回折強度（I）と微粉末銅の（200）面のＸ線回折強度（I₀）との強度比I/I₀の値が10未満であり、塗工、乾燥、硬化の熱処理工程での再結晶化により銅箔の立方体集合組織が発達し、上記Ｘ線回折強度比I/I₀の値が100以上となるように（200）面を優先配向させる。 （もっと読む）

ハフニウムの塩化物を水溶液にし、これを溶媒抽出によりジルコニウムを除去した後、中和処理により酸化ハフニウムを得、さらにこれを塩素化して塩化ハフニウムとし、これを還元してハフニウムスポンジを得、さらにハフニウムスポンジをさらに電子ビーム溶解し、ハフニウムインゴットを得る高純度ハフニウムの製造方法及びこれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜。ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜及びその製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び高純度ハフニウム薄膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】より多量の高純度の金を、既存設備の大幅な改造を必要
とせずに、簡便でかつ操作時間を長くすることなく回収する。
【解決手段】金含有塩化浸出後液をジブチルカルビトール（ＤＢ
Ｃ）を用いて溶媒抽出し、得られた金含有有機相を塩酸でスクラ
ビングした後、それに還元剤の水溶液を添加して金を還元する各
工程を含む、金含有塩化浸出後液からの金の回収方法において、
スクラビングに０．２５〜３Ｎの濃度の塩酸を使用する場合に、
有機相中の金濃度を所定の濃度に調整することで、上部に水相、
下部に有機相を形成させることにより、金の増処理を実現する金
の回収方法。 （もっと読む）