本発明は、Ａ、Ｂは其々異なる３価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ｋａ、Ｋｂとしたとき、Ａ_ＸＢ_ＹＯ_{（ＫａＸ＋ＫｂＹ）／２}（ＺｎＯ）_ｍ、１＜ｍ、Ｘ≦ｍ、０＜Ｙ≦０．９、Ｘ＋Ｙ＝２を満たす酸化亜鉛を主成分とした化合物を含有し、かつ相対密度が８０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。ＺｎＳとＳｉＯ_２を含まないＺｎＯベースのスパッタリングターゲットであり、スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、膜厚を薄く調整でき、またスパッタ特に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり８０％以上、特に９０％以上の高密度を備えたスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

本発明は、構成元素の単体、酸化物又はカルコゲン化物から選択した１種以上の粉末を原料とし焼結するものであり、焼結工程中に８５０℃以下の温度で１時間以上保持する反応工程を含み、この反応工程後に反応工程温度以上の温度で加圧焼結することを特徴とするＬａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするスパッタリングターゲットの製造方法に関する。Ｌａ及びＣｕを含有するオキシカルコゲナイドを主成分とするＰ型透明導電材料用ターゲットの密度を向上させ、ターゲットを大型化しかつ低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲット中の未反応物の存在を無くし、ターゲットの割れの発生を抑制することにより製品歩留りを上げ、さらにこのようなターゲットを用いてスパッタリングすることによって形成される成膜の品質を向上させることを目的とする。 （もっと読む）

【課題】高価で資源枯渇の懸念のあるＩｎ原料を有しない又は極力減少せしめる透明導電体の開発において、母材透明導電体に対して、適切ドーパント量が一義的に決まってしまう単一ドーピングによる材料開発手法の限界を超えると共に、制御困難なドーパントに頼ることなく、濃度制御容易なドーパントによって、従来方法では実現できなかった低抵抗率等の透明導電体として必要な特性を有する新規透明導電体を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化亜鉛、酸化インジウム及び酸化ガリウムからなる透明導電体であり、酸素を除き、インジウムの元素濃度が０．５〜１．５原子％、ガリウムの元素濃度が０．５〜３．５原子％であり、残余が亜鉛であることを特徴とする低抵抗率透明導電体。 （もっと読む）

本発明は１、Ｈｆに、Ｚｒ若しくはＴｉのいずれか、又は双方を総計で１００ｗｔｐｐｍ−１０ｗｔ％含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が１−１００μｍ、不純物であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、さらに｛００２｝とこの面から３５°以内にある｛１０３｝、｛０１４｝、｛０１５｝の４つの面の晶癖面配同率が５５％以上で、かつ場所による４つの面の強度比の総和のばらつきが２０％以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、ＨｆＯ又はＨｆＯＮ膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。 （もっと読む）

【要約書】
【課題】 ターゲットの材料である粉末の改善を図り、これによって形成したターゲットを用いてＤＣスパッタリングを可能とすることにより成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得ることを目的とする。
【解決手段】 酸化物、窒化物、炭化物、ほう化物、硫化物、けい化物から選択した少なくも１以上のセラミックス粉末に金属又は合金をコーティング又は混合した粉末を主成分とする焼結体からなることを特徴とする光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

本発明は、焼結性や組成安定性に優れ、十分な電池性能を発揮することが可能なリチウム二次電池正極用材料の安定供給を目的とする。この目的は、リチウム二次電池正極材料を製造するための前駆体材料である炭酸塩やリチウム二次電池正極材料である複合酸化物における不純物元素であるＮａ及びＳの含有量をいずれも１００ｐｐｍ以下とすることにより達成される。 （もっと読む）

陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得ること、特にファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温における伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得る。 ジアルキルアミノ基を有するアクリル系化合物の窒素を四級化した化合物を単独重合又は他の不飽和結合を有する化合物と共重合することにより得られる四級アミン化合物重合体と有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液及び該電解液を用いて製造される電解銅箔である。
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本発明は、陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得るための銅電解液を提供すること、特に高周波における電送損失特性に優れ、ファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温における伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得るための銅電解液を提供することを目的とする。本発明の銅電解液は、（Ａ）（ａ）エピクロルヒドリンと、二級アミン化合物及び三級アミン化合物からなるアミン化合物混合物との反応物である四級アミン塩、及び（ｂ）ポリエピクロルヒドリン四級アミン塩、の中から選択された少なくとも１つの四級アミン塩と、（Ｂ）有機硫黄化合物とを添加剤として含む銅電解液である。
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【課題】 半導体ウエハーなどに均一にめっきを施すために行う、洗浄および濡れ性向上のためのアルカリ性洗浄に使用する洗浄剤であって、アルカリ金属を含まないアルカリ性洗浄剤を提供すること。
【解決手段】 リン酸またはその塩を含み、水酸化テトラアルキルアンモニウム塩によりｐＨ１１．５以上の強アルカリ性にしたアルカリ金属フリーめっき前洗浄剤。
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成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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