本発明は、耐熱性、樹脂密着性、はんだ濡れ性が向上した表面処理剤を提供することを課題とする。
下記の一般式で表されるテトラゾール誘導体及び／又はその塩を含有することを特徴とする金属の表面処理剤により上記課題が解決される。
【化１】


（式中、Ｒ₁，Ｒ₂はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１０以下のアルキル基、アリール基等またはこれらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基が付加した基、または、アミノ基、メルカプト基、水酸基、カルボキシル基を示し、Ｒ₃は、結合、または炭素数１０以下のアルキレン基等、または、これらにハロゲン原子、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アゾ基（−Ｎ＝Ｎ−）、スルフィド基（−Ｓ−）、ジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）が付加した基、または、アゾ基、スルフィド基、ジスルフィド基を示す。）
更に金属又は金属化合物を含有することもできる。 （もっと読む）

環境汚染性に問題がなく、処理することにより、従来と同等以上の耐食性能を有し、更に、はんだ濡れ性を劣化させることの無い封孔処理剤、封孔処理方法、及びその封孔処理剤で処理されたプリント基板を提供する。
メルカプト基を含有する複素環式化合物またはその塩の１種もしくは２種以上を合計で０．００１〜０．１ｗｔ％と、界面活性剤を０．０１〜１ｗｔ％含有し、溶液のｐＨを１０以下の範囲に調整した封孔処理剤、及びそれを用いた封孔処理方法、並びにその処理剤で処理されたプリント基板。 （もっと読む）

【課題】 銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率３５〜６０％（ＩＡＣＳ）、０．２％耐力４００〜８５０ＭＰａを備えている銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。 （もっと読む）

基板上に均一に、かつ優れた密着性をもって配線パターンを形成するためのインクジェット用インク組成物を提供し、またそのインク組成物を使用して配線パターンを形成する方法を提供することを目的とする。前記インク組成物は、基板上に配線パターンを描画するためのインクジェット用インク組成物において、活性化剤カップリング剤としてアゾール系シランカップリング剤を含むことを特徴とするインク組成物である。 （もっと読む）

タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を１とした時に、（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が０．５を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲットを得ることを課題とする。 （もっと読む）

ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、該ターゲットの空間部を覆う大きさの蓋を設置し、該蓋に１又は複数の貫通孔を設け、これらの上に樹脂の袋を被せて、内部を真空吸引することを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び方法。ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、樹脂製の袋で覆った中空部の内部までも真空吸引できるホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法を提供することを課題とする。 （もっと読む）

Ｚｎ含有スクラップ等の原料を酸浸出あるいは電解抽出し、これを溶媒抽出した後、さらに活性炭処理して不純物を除去し、次にこの不純物を除去した溶液をアルカリ溶液で中和して水酸化亜鉛を得、さらにこの水酸化亜鉛を焼成して酸化亜鉛とすることを特徴とする高純度酸化亜鉛粉末の製造方法。低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 （もっと読む）

本発明は、表面粗さＲａ≦１．０μｍ、より好ましくはＲａ≦０．５μｍの内側底面を備えていることを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットに関する。このホローカソード型スパッタリングターゲットは、スパッタ膜の均一性（ユニフォーミティー）に優れ、アーキングやパーティクルの発生が少なく、さらに底面の再デポ膜の剥がれを抑制でき、成膜特性に優れている。 （もっと読む）

不純物であるＡｇの含有量が１ｗｔｐｐｍ以下であり、９９．９９ｗｔ％以上の純度を備えていることを特徴とする高純度硫酸銅及び粗硫酸銅結晶又は銅メタルを溶解し、これを活性炭処理又は溶媒抽出と活性炭処理を行って再結晶化することを特徴とする高純度硫酸銅の製造方法。 市販の硫酸銅結晶を純水又は酸による溶解と、その後の精製工程により、低コストで不純物を効率的に除去できる高純度硫酸銅の製造方法及びこれによって得られる高純度硫酸銅を提供することを目的とする。 （もっと読む）

ＩＴＯスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径１００ｎｍ以上の粒子の個数が１個／μｍ^２以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット及び密度が７．１２ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するＩＴＯ膜の欠陥の発生を抑え、ＩＴＯ膜の品質低下を効果的に抑制する。 （もっと読む）