【課題】水を還元する能力の大きな低下なしに大気中で容易に扱われ得るアルカリ金属シリサイド組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ金属とケイ素とを混合する工程、および、生じる混合物を温度約４７５℃以下に加熱する工程を包含する、アルカリ金属シリサイド組成物の製造方法、およびこの方法により得られる組成物。組成物は乾燥Ｏ_２と反応しない。約１８．２、２８．５、２９．５、３３．７、４１．２、４７．４、および５６．２から選択される２θ角を有する少なくとも三つのピークを含有する粉末Ｘ線回折パターンおよび約１８ｐｐｍにおいて固体状態^２３Ｎａ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルピークを有する。組成物は水と反応して水素ガスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】良好な加工適性及び機械的性質を有する新規のデンプンベースの材料の提供。
【解決手段】熱開始剤又はフリーラジカル開始剤を用いて、植物油をデンプン骨格上に反応させた新規なデンプン−植物油グラフトコポリマーは、二軸同方向回転押出機中で製造される。このデンプン−植物油グラフトコポリマーは、反応性押出加工により、無水マレイン酸などの任意選択の改質剤の存在下、生物繊維でさらに強化されて、生分解性物品に射出成形するのに適した複合材料を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的効率的なバルク熱電材料、さらに、これらの熱電材料の調製方法、さらに、人工的に蒸着された超格子薄膜熱電材料と比較して相対的に経済的に調製できる熱電材料を提供することである。
【解決手段】本発明は、マトリックスを提供する第１のカルコゲニドの均質な固溶体又は化合物を、異なる組成を有する第２の相のナノスケール内包物と共に含み、組成物の性能指数（ＺＴ）が内包物を含まない組成物の性能指数よりも大きい熱電組成物に関する。好ましくは、内包物は、組成物を、均質な固溶体の相図に基づいた融点よりも低い、ある適切な温度においてアニーリングした結果としてのスピノーダル分解によって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】慣用のアルミン珪酸塩組成物の好ましくない大規模な脱アルミナ及び水蒸気不安定性がない六角形、立方体、虫孔又は泡沫の骨格構造を有する超安定な多孔性アルミン珪酸塩の組み立て物（assembly）を提供する。
【解決手段】イオン性の構造誘導剤を用いてプロトゼオライト的な種から導かれるメソ多孔性の六角形、立方体、層状、虫孔、又はセル状泡沫のアルミノ珪酸塩、ガロ珪酸塩及びチタノ珪酸塩について記載される。 （もっと読む）

イオン性液体中の金属前駆体及びマイクロウェーブ加熱を用いて基板上にナノ粒子を産生させる方法を記載する。複合体組成物は、化学反応、燃料電池、超キャパシタ及び電池部品に対する触媒として有用である。 （もっと読む）

【課題】ヒドロキシル基が保護された新規な中間体からの、ヘキソース糖の１,５−ジデオキシ−１,５−イミノヘキシトールの調製方法。この方法には、そのヘキシトールまで還元されるラクタムの形成が含まれる。このヘキシトールは薬剤として有用である。
【解決手段】（ａ）アルキルイミン又は５−ヘキスロソン酸オキシムのヒドラジド又は酸性エステルを、酸性溶媒中、水素及び水素化触媒と反応させて、５−イミノ−５−デオキシアルドン酸ラクタムを形成し；（ｂ）前記ラクタムを還元剤で還元して、１,５−ジデオキシ−１,５−イミノヘキシトールを形成する；諸工程を含む方法。 （もっと読む）

【課題】Ｄ−リボフラノシドのアザ糖類似体であり、ヌクレオシド及び核酸合成を調節する薬剤への中間体として有用な化合物の製造方法の提供。
【解決手段】トリ−Ｏ−アセチル−Ｄ−エリスロ−４−ペンツロソン酸エステル類を出発物質として、オキシム化、ラクタム化等により３，４−ジアセトキシ−５−アセトキシメチル−２−ピロリドン等のピロリドン類を得、さらに該ピロリドン類を還元して１，４−ジデオキシ−１，４−イミノ−Ｄ−リビトール等のピロリジン類を製造する。 （もっと読む）

ナノスケールの内包物を含有するバルク熱電組成物を製造する方法が記載されている。本熱電組成物は、内包物を含まないものよりも高い性能指数（ＺＴ）を有する。本組成物は、たとえば発電のため及びヒートポンプにおいて有用である。
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【課題】新規なデンプングラフトコポリマー生成物により、良好な加工適正及び機械的性質を達成する。また、生分解性である加工可能な生成物を提供する。
【解決手段】熱開始剤又はフリーラジカル開始剤を用いて、植物油をデンプン骨格上に反応させた新規なデンプン−植物油グラフトコポリマーは、二軸同方向回転押出機中で製造される。このデンプン−植物油グラフトコポリマーは、反応性押出加工により、無水マレイン酸などの任意選択の改質剤の存在下、生物繊維でさらに強化されて、生分解性物品に射出成形するのに適した複合材料を形成することができる。 （もっと読む）

一般式（Ｉ）で表される三成分化合物、
【化１】


（ｘの値が０．１６〜０．５である）
により構成される、熱電気的に活性なｐ−又はｎ−伝導性の半導体材料であって、
前記三成分の０〜１０質量％が他の金属又は金属化合物に置き換えられても良く、
ゼーベック係数が、２５℃の温度において少なくとも±２００μＶ／Ｋである半導体材料。 （もっと読む）