本開示は、メモリ装置におけるしきい値電圧の変化に対応するための方法、装置、およびシステムを含む。いくつかの実施形態は、メモリセルの配列と、その配列に連結された感知回路を有する制御回路とを含む。制御回路は、メモリセルと関連付けられたしきい値電圧（Ｖｔ）の変化を、基準セルを使用せずに判断し、判断した変化に基づき、基準セルを使用せずに感知回路を調整するように構成されている。 （もっと読む）

本開示は、パケット処理のための方法、デバイス、およびシステムを含む。パケットフロー制御のための一方法実施形態は、トランスポート層パケットをある数のリンク制御層パケットに分解することであって、リンク制御層パケットはそれぞれ、関連付けられたシーケンス番号を有する、分解することと、複数の周辺デバイスのための共通物理接続を経由して、ある数のリンク制御層パケットを通信することと、通信の間、ある数の未処理リンク制御層パケットを制限することと、を含む。 （もっと読む）

ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）におけるような、データ転送を管理するための方法、コントローラ、およびシステムについて説明する。いくつかの実施形態では、ホストとメモリとの間でのデータ転送がモニタリングされ、その後、評価されて、評価結果を提供する。別のデータ転送を処理するために割り当てられるメモリの記憶装置数が、その評価結果に基づき調整される。追加の方法およびシステムも説明される。 （もっと読む）

相変化セル構造に関する方法およびデバイスを本明細書に記述する。１つまたは複数の実施形態において、相変化セル構造を形成する方法は、底部電極を含む、基板突起を形成することと、相変化材料を該基板突起の上に形成することと、導電材料を該相変化材料の上に形成することと、該導電材料の一部分および該相変化材料の一部分を除去して、封入スタック構造を形成することとを含む。
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書き込み操作をサスペンドすることにより、メモリアレイにおける読み出し待ち時間を短縮し得る。一実施例では、処理は第１のデータセットをメモリに書き込むことと、第２のメモリ書き込み操作をインタラプトすることと、第２のメモリ書き込み操作のインタラプト後に、メモリから第１のデータセットを読み込むこととを含む。 （もっと読む）

いくつかの実施形態はキャパシタを成形する方法を含む。金属酸化物混合体は第１のキャパシタ電極を覆って形成されてよい。その金属酸化物混合体は第１の成分に相対する第２の成分の連続的な濃度勾配を成してよい。その連続的な濃度勾配は第１のキャパシタ電極からの距離が増加すると第２の成分の濃度が減少することに対応してよい。第１の成分は酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、およびそれらの混合物からなるグループから選択されてよい。そして、第２の成分は酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ストロンチウム、およびそれらの混合物からなるグループから選択されてよい。第２のキャパシタ電極は第１のキャパシタ電極を覆って形成される。いくつかの実施形態は上述の第１の成分に相対する上述の第２の成分の連続的な濃度勾配を有する少なくとも一つの金属酸化物混合体を包含するキャパシタを含む。
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本開示は、メモリデバイスによるホストメモリアクセスを制御するための方法、システム、ホストコントローラ、およびメモリデバイスを含む。メモリデバイスによりホストメモリアクセスを制御するための一実施形態は、ホストから少なくとも１つのコマンドを受信することと、メモリデバイスにより少なくとも１つのコマンドの実行を制御することとを含む。 （もっと読む）

消去電圧をメモリブロックから放電しながら、一方で、放電する間、ストリング選択ゲートトランジスタをターンオン状態に維持することで、低電圧ストリング選択ゲートトランジスタを保護するように作られた、メモリ装置及びメモリ用の消去方法を開示する。 （もっと読む）

本開示は、ソリッドステートデバイス内のオブジェクト指向メモリの方法、デバイス、およびシステムを含む。ソリッドステートデバイス内のオブジェクト指向メモリのための方法の一実施形態は、原子動作様式で単一オブジェクトとして定義されたデータの組にアクセスすることを含み、前記アクセスは、ホスト以外のソースからである。本実施形態はまた、いくつかのソリッドステートメモリブロックを含むソリッドステートデバイスの制御構成要素によってフォーマットされるように、いくつかのソリッドステートメモリブロック内に単一オブジェクトとして定義されたデータの組を記憶することを含む。 （もっと読む）

集積回路及び形成方法は、少なくとも１つの直線的に延在する導電配線の斜端に形成されたコンタクト領域を提供する。実施形態では、コンタクトランディングパッドを有する導電配線は、マスク材料に配線をパターン化することと、材料配線の延在方向に対して角度を形成するために少なくとも１つの材料配線を切断することと、マスク材料の斜端面から拡張部を形成することと、前記材料配線及び拡張部をマスクとして用いてエッチングすることによって基本的な半導体をパターン化することとによって形成される。他の実施形態では、少なくとも１つの導電配線は、斜端面を作るように導電配線の延在方向に対して角度を付けて切断されるとともに、電気的コンタクトランディングパッドは、斜端面にコンタクトして形成される。 （もっと読む）