【課題】適応型電力供給を持つ管理ハイブリッドメモリ技術を提供する。
【解決手段】管理ハイブリッドメモリ１００に用いた電圧コンバータ１４０は昇圧コンバータ、及び降圧コンバータで構成される。電圧コンバータは、任意の数を実装されてもよい。電圧コンバータは、ＤＣ入力電圧信号を受信するとともに（より低いかまたはより高い）ＤＣ出力電圧信号を生成するＤＣ−ＤＣ電圧コンバータから構成されてもよい。入力ＤＣ電圧信号の大きさを増加または減少させる性能に加えて、このような電圧コンバータはまた、入力ＤＣ電圧信号の極性（例えば、陽性／陰性）を反転させてもよい。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリデバイスのリセット状態化またはセット状態化のための書き込みパルスを最適化する。
【解決手段】相変化メモリセルに結合された寄生容量、または明示的に設計されたキャパシタからなる容量素子から融解閾値を超える電流パルスを相変化メモリセルに印加する工程７１０と、相変化メモリセル内において特定の状態（アモルファス状態または結晶状態）を生み出すように、上記相変化メモリセルに結合された容量素子の放電を制御する工程７２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】自己整列リセス・ゲート構造及び形成方法の提供。
【解決手段】最初に，絶縁用のフィールド酸化物領域２０を半導体基板１０内に形成する。半導体基板の上に形成された絶縁層内に複数のコラムを画定し，それに続いて，薄い犠牲酸化物層を半導体基板の露出領域の上に形成するが，フィールド酸化物領域の上には形成しない。次に，各コラムの側壁上，並びに犠牲酸化物層及びフィールド酸化物領域の一部分の上に誘電体を設ける。第１エッチングを行い，それにより，半導体基板内に第１組のトレンチを，またフィールド酸化物領域内に複数のリセスを形成する。第２エッチングを行い，それにより，コラムの側壁上に残っている誘電体残留部を除去し，かつ第２組のトレンチを形成する。次に，第２組のトレンチ内及びリセス内にポリシリコンを堆積させ，それにより，リセス導電性ゲートを形成する。 （もっと読む）

【課題】抵抗可変メモリ・ディバイスのアグロメレーション防止および温度安定性を実現する方法および装置を提供する。
【解決手段】第１の電極１６と、第２の電極２４と、前記第１の電極１６と前記第２の電極２４との間のカルコゲナイド・ガラス層１８と、前記カルコゲナイド・ガラス層１８と前記第２の電極２４との間の錫−カルコゲナイド層２０とを備え、少なくとも１つの錫−カルコゲナイド層２０と少なくとも１つのカルコゲナイド・ガラス層１８とが近接し，前記錫−カルコゲナイド層２０がセレン化錫を含む抵抗可変メモリ・ディバイス１００、および、抵抗可変メモリ・ディバイス１００の形成方法。 （もっと読む）

【課題】メインメモリまたはキャッシュメモリのどちらかの一部が、ビット可変機能を持つＰＣＭ等の不揮発性メモリから構成されるプロセッサシステムにおける不揮発性メモリの書き換え回数を削減する。
【解決手段】処理システム１００は、ＣＰＵ１１０、メインメモリ１２０、及び、キャッシュ１３０から構成される。メモリコントローラは、前記キャッシュ１３０を初期化するように、前記メインメモリ１２０から情報を取り出す。前記メインメモリの少なくとも一部は、持続性メモリを備える。 （もっと読む）

【課題】メインメモリの少なくとも一部に持続性メモリを含むプロセッサシステムのキャッシュコヒーレンスプロトコルを実現する。
【解決手段】処理システム１００は、メインメモリ１２０に対する少なくとも１つの第１のインターフェースと、２つ以上の処理エンティティ１１０に対する少なくとも１つの第２のインターフェースとを持つメモリコントローラ１１５を具備し、前記メモリコントローラ１１５は、前記処理エンティティ１１０がキャッシュコヒーレンシプロトコルに従って前記メインメモリ１２０にアクセスすることを可能にすることができ、かつ、前記メインメモリ１２０の少なくとも一部は持続性メモリを備える。キャッシュコヒーレンスプロトコル１４０には、インプロセス状態１４２が持続性メモリに適応するために含まれる。 （もっと読む）

【課題】比較的高周波数のクロックドメインに実装されたレジスタに関連する可能性がある少なくとも幾つかの問題を回避するもしくは軽減しながら、メモリデバイスにより多くのレジスタを組み込む。
【解決手段】不揮発性メモリデバイスは、メモリデバイスの一つ以上の入力端子においてインデックス値を受信するステップと、メモリデバイスの第一のレジスタにインデックス値を格納するステップとを含む可能性がある。第一のレジスタは第一のクロックドメインに実装され、インデックス値は、第二のクロックドメインに実装されたメモリデバイスの第二のレジスタを識別する可能性がある。 （もっと読む）

【課題】十分な及び／または安定な量の電流を、メモリデバイスのプログラミング中に供給または保持するメモリデバイス及びメモリデバイスのプログラム方法を提供する。
【解決手段】二以上の情報チャンクに情報を区分するステップと、後続する前記情報チャンクの一つをプログラムするように、メモリアレイの特定のセルをセットするかリセットするかについて同時に決定する間に、前記情報チャンクの一つをメモリアレイにプログラムするステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】メモリデバイスのメモリアレイに情報を書き出す処理、及び／またはメモリアレイから情報を読み取る処理のエラーに対応する安全機能を余剰コストをかけずに備える。
【解決手段】メモリデバイス及びメモリデバイスの操作方法に関するものであり、エラー修正、及び／または、読み取り処理及び／または書き出し処理を再開始する機能を実現するために、メモリアレイ１８０，１９５に情報をプログラムすることにフェイルした後に利用可能な情報を保持するメモリバッファ１７０，１８５を具備する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ電極において、カルコゲニド含有半導体デバイス用電極とカルコゲニド間の良好な接着性と低めの反応性を共に実現するデバイスの提供。
【解決手段】相変化メモリ電極は金属と非金属の混合物によって形成することができ、電極は金属原子よりも少ない窒素原子を持つ。それゆえ、いくつかの実施形態において、少なくとも電極の一部は金属窒化物における場合よりも少ない窒素を持つ。混合物は、２つの例として、金属と窒素、または金属とケイ素を含有することができる。このような物質は、金属窒化物の場合よりも低い活性を持つカルコゲニドに対して良好な接着性を持つことができる。 （もっと読む）