パターン認識プロセッサのための多重階層ルーティングマトリクスが提供される。一つのこのようなルーティングマトリクスは、マトリクスのレベルにおけるまたはレベル間における一つ以上のプログラマブル及び／または非プログラマブル接続を含んでもよい。接続は、フィーチャセル、グループ、行、ブロック、または、パターン認識プロセッサのコンポーネントの任意の他の配列にルーティングラインを結合してもよい。 （もっと読む）

相変化メモリアレイを操作する方法を開示する。方法は、相変化メモリアレイに書き込まれるパターンを決定することと、パターンに従って、２つまたはそれ以上の適切なリセットシーケンスを相変化メモリアレイ上で実行し、相変化メモリアレイにパターンを書き込むことと、を含む。別の方法は、相変化メモリアレイ上でセットシーケンスを実行することと、相変化メモリアレイの適切な読み出しを実施し、セットシーケンスの実行から得られるパターンを取得することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の調節可能な遅延回路と用いることにより、異なるクロック領域のクロック信号のうちの１つが出力される調節可能な遅延回路の時間遅延が変更されても、それらのクロック信号間の同期位相関係を維持することが可能なクロックジェネレータを提供する。
【解決手段】クロックが入力される遅延回路の入力と出力を切り離した後に、遅延回路の遅延時間を変更して遅延回路の入出力を再び接続させる。同期回路は、遅延回路の入力と出力が切り離された状態においても、クロックの位相関係を追跡し、適切なタイミングで遅延回路を再接続させるための指示を与える。 （もっと読む）

相変化メモリなどの不揮発性メモリ素子をリフレッシュするための方法およびシステムを開示する。一実施形態では、メモリ素子はシステム状態に応じて、マージン読み出し基準レベルを利用したメモリセルの第１のリフレッシュ、または非マージン読み出し基準レベルを利用したエラー訂正メモリセルの第２のリフレッシュを実行する。 （もっと読む）

本開示は、ストライプベースのメモリ動作のための方法および装置を含む。一方法実施形態は、複数のメモリ装置の記憶ボリュームに渡る第１ストライプにデータを書き込むことを含む。第１ストライプの一部は、複数のメモリ装置の記憶ボリュームに渡る第２ストライプの一部に更新データを書き込むことによって更新される。第１ストライプの一部は無効にされる。第１ストライプの無効な部分および第１ストライプの残りは、第１ストライプがリクレイムされるまで保持される。他の方法および装置も開示される。 （もっと読む）

本開示は、メモリシステムを運用するための方法、およびメモリシステムを含む。１つのそのような方法は、書き込み先読み情報を使用して、トランザクションログ内のトランザクションログ情報を更新することと、そのトランザクションログを使用して、論理アドレス（ＬＡ）テーブルを更新することとを含む。 （もっと読む）

【課題】安価なメモリデバイスを提供する。
【解決手段】１Ｆ^２当り少なくとも１ビットを記憶するよう構成されたメモリセルのアレイは、アレイの最小ピッチの半分に等しい距離で離間した電子メモリ機能を与える実質的に縦型の構造を含む。電子メモリ機能を与える構造は、ゲート当り１ビットを超えて記憶するよう構成されている。また、アレイは、実質的に縦型の構造を含むメモリセルに対する電気接点も含む。セルは、第１のソース／ドレイン領域に隣接したゲート絶縁物にトラップされた多数の電荷レベルの１つを有するようプログラムすることができる。これにより、チャネル領域は第１のしきい値電圧領域と第２のしきい値電圧領域とを有し、プログラムされたセルが低減されたドレインソース電流で動作する。 （もっと読む）

本開示は、メモリキンク検査に関する。一実施形態は、第１メモリセルのプログラミング状態に従って、第１データ線に複数の電圧のうちの１つを選択的に印加することを含み、第１メモリセルは、第１データ線及び選択されたアクセス線に結合されている。第２データ線への影響は、少なくとも部分的に、第１データ線に印加される電圧、及び、少なくとも第１データ線と第２データ線との間の容量性結合により判定され、第２データ線は、第２メモリセルに結合され、第２メモリセルは、第１メモリセルに隣接しており、第２メモリセルは、選択されたアクセス線に結合されている。その判定された影響に応じて、後続のプログラミングパルスが第２メモリセルに印加される間に、キンク補正が第２データ線に加えられる。 （もっと読む）

【課題】カラー撮像装置のフォトダイオードへの光の透過を最適化するカラーフィルタエレメントの形成処理方法を提供する。
【解決手段】最適化されたカラーフィルタアレイが、一つまたはそれ以上のダマシン層の、内部、上、または下に形成される。カラーフィルタアレイは、その下にあるそれぞれのフォトダイオードに入射する光の特定の波長の強度を最大化するために、装置の層の組合せられた光学特性を最適化するように構成されるフィルタ領域を含んでいる。 （もっと読む）

本開示は、メモリ装置におけるしきい値電圧の変化に対応するための方法、装置、およびシステムを含む。いくつかの実施形態は、メモリセルの配列と、その配列に連結された感知回路を有する制御回路とを含む。制御回路は、メモリセルと関連付けられたしきい値電圧（Ｖｔ）の変化を、基準セルを使用せずに判断し、判断した変化に基づき、基準セルを使用せずに感知回路を調整するように構成されている。 （もっと読む）