【課題】メモリを操作するテクニックに関連する技術を提供する。
【解決手段】メモリセルのアレイを備えるメモリデバイスを備え、前記メモリデバイスは、メモリセルのアレイに対して読み出しまたは書き込みを行い、メモリセルのアレイ内の位置において動作するコマンドを含む命令を受信し、命令とともに含まれる少なくとも一つの動作パラメータを受信し、前記少なくとも一つの動作パラメータに少なくとも一部が基づいて前記メモリデバイス内の周辺回路機構の物理動作条件に作用する、ためのメモリコントローラをさらに備え、一つ以上のアプリケーションを提供し、そして前記メモリコントローラへの前記命令を創始して前記メモリセルのアレイにアクセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】特定のデータパーティションに書き込む動作が、同じデータパーティションから読み出す動作の完了まで一時停止（サスペンド）される必要はないメモリデバイスを提供する。
【解決手段】メモリデバイス３００のデータパーティション３１０においてリード・ホワイル・ライト方式の動作を同時に実行する技術は、メモリの個々のデータパーティションのコンテンツに少なくとも部分的に基づいてＥＣＣを計算することを含み、メモリのメモリアレイの個々のメモリパーティションの特定の１つの第１の部分の特定のコンテンツを、前記個々のメモリパーティションの前記特定の１つの第２の部分に書き込む間に、読み出すことを具備し、前記読み出すことは、前記個々のメモリパーティションのコンテンツに少なくとも部分的に基づいた誤り訂正符号（ＥＣＣ）に少なくとも部分的に基づいた前記第１の部分の前記特定の部分を決定する。 （もっと読む）

【課題】パーティション等のメモリセルグループに区分されたメモリセルアレイにおける読み出し動作のパフォーマンスを向上させる。
【解決手段】読み出しコマンドをシリアルに受信する動作において、内部マイクロコントローラはアドレスのＭＳＢから読み出しコメンドのアドレスを含むパーティションに対し、書き込み動作が同じパーティションに生じているかどうかを判断する。書き込み動作が、標的位置のパーティションと同じパーティションに生じている場合、マイクロコントローラは書き込み動作を割り込み、書き込み動作が割り込まれる間に、該当パーティションのコンテンツを読み出す。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。
【解決手段】カルコゲナイド含有半導体デバイス１０は、第１の組成層１２と、第２の組成層１６と、薄膜１２及び１６の組成の混合物で形成された中間勾配薄膜１４とを含んでもよい。勾配薄膜１４は、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ、カルコゲナイド濃度が減少してもよく、その一方で、他の薄膜材料の濃度は、勾配薄膜厚にわたって、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ増加する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリのリセット状態の閾値エッジ現象を伴うメモリセルを読み出す技術を提供する。
【解決手段】読み出しコマンドに応答して相変化メモリ（ＰＣＭ）セルに適用されたバイアス信号の大きさを増加させるステップと、前記ＰＣＭセルのセル電流及び／又はセル電圧の計測に少なくとも部分的に基づいて、前記ＰＣＭセルの抵抗値を推定するステップと、前記大きさが増加される間に生じる前記抵抗の変化に少なくとも部分的に基づいて、前記ＰＣＭセルの状態を判定するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】読み出し／書き込み性能を向上した相変化メモリを提供する。
【解決手段】シングルレベルセル（ＳＬＣ）又はマルチレベル（ＭＬＣ）相変化メモリ（ＰＣＭ）デバイスの読み出し分布を管理することを伴う処理及び／又は電子アーキテクチャを含む。ＰＣＭセルの読み出し分布を管理することは、時間にわたって生じ得るＰＣＭセルの状態分布におけるシフトに応じて読み出しエラーを避けるように用いられる。メモリセルの状態分布は、メモリセルによって記憶された多数の状態又は論理レベルに対応する１つ又は複数の閾値電圧に対応する。このような状態又は論理レベルは、閾値電圧によって分けられた電圧範囲に対応する。メモリセルを読み出す方法は、特定の電流における変化を補償することを含む。このような変化は、ＰＣＭ材料の抵抗ドリフト、温度変化、保持等の様々な物理的現象における変化の結果である。 （もっと読む）

【課題】メモリコンテンツが署名確認（ｖａｌｉｄａｔｉｏｎ）処理を通過することなく改変され、及び／又は読み出されることを防ぐために、メモリデバイスの動作を認証する技術を含んだメモリデバイスを提供する。
【解決手段】メモリデバイス２２０はメモリセルアレイ２６０と、メモリセルアレイ内に設置された第１のコントローラ２１５とを備え、第１のコントローラは、メモリセルアレイにアクセスする書き込みコマンドを第２のメモリコントローラ２１２から受信し、書き込みコマンドの認証を決定し、かつ、前記決定された認証に少なくとも一部分的に基づいて、メモリセルアレイのコンテンツを改変するかどうかを決定する。 （もっと読む）

【課題】画像のエッジをぼやけさせることのない効率的な画像ノイズ除去の方法および装置を提供する。
【解決手段】最初に、画像のノイズ除去をしてスプリアスノイズを除去した後に、画像上で、各画素ごとにノイズ除去動作を行なう。このノイズ除去動作は、ターゲット画素の第１の値を得ることと、ターゲット画素を取り囲みかつターゲット画素と同じ色を有する近接画素ごとにそれぞれの第２の値を得ることと、それぞれの近接画素ごとに、第１及び第２の値の差を、画像中の画素信号を増幅するために与えられる利得の関数として設定された閾値と比較することと、上記比較の結果に基づいて、第１の値と、上記閾値以下の関連する差を有する近接画素からのすべての第２の値とから得られた平均値で、第１の値を置き換えることと、を含む。このように、まず最初に、ノイズ除去された値が画像中の各画素ごとに決定され、その後、上記ノイズ除去動作が、上記ノイズ除去された値を用いて各画素ごとに行なわれるよう、完全に再帰的に行なわれる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリが揮発性メモリに競争し得るように、不揮発性メモリデバイスのメモリアクセス時間を削減する。
【解決手段】読み出しアクセス１００の特定部分が実行される順番を変更することによって、読み出しアクセスを変更する。プレアクティブコマンドは、ロウアドレス書き込み動作１３０から構成される。アクティベートコマンドは、読み出しコマンドを導出する多数の動作から構成される。矢印１５０は、ビット線プレチャージ及びカラム選択動作１３６が、アクティベートコマンドからプレアクティブコマンドに移動されることを示す。このような移動は、プレアクティブコマンドの持続期間を延長するが、アクティベートコマンドの持続期間を短縮する。実行されたアクティベートコマンドの数が実行されたプレアクティブコマンドの数よりも大きい場合、読み出しアクセスの持続期間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。
【解決手段】ランダムアクセスメモリとヒューズアレイは同一の有効材料を使用する。例えば、ヒューズアレイとメモリアレイは、有効スイッチング材料としてカルコゲニド材料を使用する。主アレイはトレンチ分離８２，８４の直交する組のパターンを使用し、ヒューズアレイは平行なトレンチ分離８２，８４の一つの組のみを使用する。結果として、ヒューズアレイは、隣接するトレンチ分離８２，８４の間で連続して延伸する導電線を有する。いくつかの実施形態では、この連続する線はヒューズを通る導電性パスの抵抗を低減する。 （もっと読む）