【課題】純度の高いカーボンナノチューブを製造する方法、および未精製または純度の低いカーボンナノチューブを精製する方法を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、カーボンナノチューブを含む炭素質材料を用意する工程、および前記炭素質材料に、鉄材と過酸化水素とを添加して、カーボンナノチューブを精製する工程を含む。前記鉄材として、鉄粉末を用いることが好ましい。鉄粉末は、炭素質材料の合計１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の割合で用いられることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 チップサイズを大型化しても均一な発光が可能な半導体発光素子およびその作成方法を提供する。
【解決手段】伝導帯端に大きなエネルギーギャップを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造としてバッファ層１３と電子ガス層１４を形成する。バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。この電子ガスは、バッファ層１３と電子ガス層１４の接合界面に沿った２次元領域に分布するため、２次元電子ガス層を形成することができる。電子ガスは極めて高い移動度を有することとなり、発光面に均一に電流が供給されるように２次元電子ガス層において電子を高速に輸送することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを主構成要素とするフィラメントおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】フィラメント製造方法は、気相からカーボンを堆積させて、複数のカーボンナノチューブがネット状に集合してなるナノチューブ集合物を形成する工程を有する。また、そのナノチューブ集合物を延伸する工程を有する。また、そのナノチューブ集合物を重ね合わせる工程を有する。前記延伸工程は、前記重ね合わせ工程を挟んで複数回行うことができる。それら複数回の延伸工程における延伸方向をほぼ同一方向とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】密着性の高いメッキ膜を煩雑な化学的前処理（下地処理）を施すことなく作製し得る方法を提供すること。
【解決手段】本発明によって提供される方法は、金属製基材（２）の表面にメッキ膜（４）を作製する方法であって、表面が粗い硬質の微粒子から成る硬質微粉（Ｐ）を前記基材の表面に投射して該基材表面（２Ａ）に微視的な凹凸（２Ｂ）を形成すること、および、該凹凸の形成された基材表面にメッキ処理を施すことを包含する。本方法では、チタン、アルミニウム等の難メッキ性金属から成る基材表面に高密着性メッキ膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】均質で高品質の高密度単層カーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、５０回〜１００回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径２ｎｍ以下のＣｏ−Ｔｉナノ粒子を堆積させる。その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径２ｎｍで、基板に垂直に、相互に平行性の高い高密度単層カーボンナノチューブ集合体が形成される。この集合体は電気的特性や機械的特性が均質で且つ良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】エンハンスメント動作が可能なトランジスタを実現する。
【解決手段】所定の基板の上方に形成されたチャネル形成層と、このチャネル層の上方に形成されたドレイン電極層と、ソース電極層と、ゲート電極層とを具えたトランジスタにおいて、前記ゲート電極層を、ｐ型ＧａＮ系半導体層と、この半導体層上に形成された金属電極層とを含むように構成し、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の、ホールキャリア密度及び厚さを制御することによって、前記空乏層の領域を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基材上に高配向のカーボンナノチューブが密に形成された領域を有する複合材料であって、良好な耐摩耗性および／または衝撃吸収特性を示すＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料を提供する。
【解決手段】 本発明によると、ＳｉＣ基材上に該基材表面から立ち上がる多数のカーボンナノチューブを有するＣＮＴ領域が形成されているＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料であって、該ＣＮＴ領域には前記カーボンナノチューブが高配向かつ高密度に形成されており、前記ＣＮＴ領域に付与される機械的エネルギー量の変化によって該領域の摩擦係数を異ならせることができる、ＳｉＣ／カーボンナノチューブ複合材料が提供される。例えば、１０ｎＮ〜１００ｎＮの範囲の垂直応力に対して摩擦係数が三段階に変化する複合材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】 炭素源にショウノウを用いる化学気相成長法によってカーボンナノチューブを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法では、反応容器１内に配置されたショウノウ１２から生じるショウノウ蒸気を、ＦｅおよびＣｏを含む触媒金属を有する触媒体１４に供給して熱分解させる。その熱分解は、(1).反応容器１の内容積１ｍＬ当たり１〜５ｍｇのショウノウ１２を反応容器１内に用意する、(2).反応容器１の内容積１ｍＬ当たりの触媒金属の質量が０．０２〜０．１ｍｇとなる量の触媒体１４を反応容器１内に用意する、(3).触媒金属と支持体との合計質量に占める触媒金属の質量割合が２０〜６０％である；および、(4).雰囲気温度が６１０℃〜６９０℃である；を満たすように行われる。 （もっと読む）

【課題】均質で高品質の高密度カーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＴｉＮから成るバッファ層を生成する。そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、１００〜３００回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径４ｎｍ、平均外径５ｎｍで、基板に垂直に、相互に平行性の高い高密度のカーボンナノチューブ集合体が形成される。この集合体は電気的特性や機械的特性が均質で且つ良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のカーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＴｉＮから成るバッファ層を生成する。そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、３〜１５０回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径４ｎｍ、平均外径５ｎｍで、先端が錐形で点状に集合したピラミッド形状のカーボンナノチューブ集合体が形成される。この集合体は電界電子放出効率が高いものとなる。 （もっと読む）