【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】高AlNモル分率かつ高キャリア密度p型AlGaNを実現し、それを用いることによって高性能に紫外域の光を発光することのできるAlGaN系半導体発光素子などのAlGaN系半導体光素子を実現する。
【解決手段】 (0002)回折のX線ロッキングカーブの半値幅を800秒以下、(10-10)回折のX線ロッキングカーブの半値幅を1000秒以下、転位密度を5×10⁹cm^-2以下のいずれかを満足し、AlNモル分率が0.3よりも大きく、キャリア密度が5×10¹⁷cm^-3よりも大きなp型AlGaN層を得、このｐ型AlGaN層をp型ブロッキング層及びｐ型クラッド層の少なくとも一方に用いてAlGaN系半導体光素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】
Ｇｅ元素を用いることなく、プロセス信頼性や結晶品質が高く、応力管理が容易な、歪みＳｉを利用した高移動度チャネルを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板の表面に、３００ｎｍ以下の段差ｄがついた絶縁膜１２，１４を形成し、絶縁膜１４の窓あけ部から横方向に延びて該絶縁膜１４を覆うように、８００℃以上の高温でＳｉ単結晶のエピタキシャル成長を行う。次に、ＣＭＰ研磨により絶縁膜１２をストッパとしてエピタキシャル層２２を研磨し、段差ｄと同じ厚みに制御されたＳｉ層を有するＳＯＩ領域を得る。該ＳＯＩ領域では、Ｓｉと絶縁膜の熱膨張率差と、成膜温度及び室温との温度差により残留応力２６が発生し、Ｓｉに引っ張り応力がかかって格子歪みが発生する。前記ＳＯＩ領域にＭＯＳ構造を形成することで、高移動度チャネルを有する歪みＳｉ−ＭＯＳＦＥＴが得られる。 （もっと読む）

【課題】低コストで単純且つ家庭等小規模レベルで海水を淡水化し得る海水の淡水化装置を提供する。
【解決手段】赤玉土，無機化合物系吸着剤としてのアルミ・シリカ系吸着剤，酸化マグネシウム及び活性アルミナを３：１：１：１で混合した混合吸着剤を充填したカラムを直列に複数連結して淡水化装置を構成し、これに海水を通過させることによって海水中のイオンを吸着し、浄化を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】４Ｈ型または６Ｈ型ＳｉＣ基板上に、高品質の厚膜ＳｉＣ結晶層と窒化物半導体層とを同時に形成することが困難であり、また高効率と高演色性を併せ持つ白色発光ダイオードを実現することができなかった。
【解決手段】 １度から６度の範囲の傾斜角の４Ｈ型または６Ｈ型ｃ面ＳｉＣ基板上に、ステップフロー成長の傾向が大きい近接昇華法を用いてＳｉＣ結晶層のエピタキシャル成長を行う工程と、さらにその上に複数の窒化物半導体層を成長する工程とを含む半導体基板の製造方法を用いる。また、上記半導体基板を用いて、高効率で演色性の高い白色発光ダイオードの構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】 炭素源にショウノウを用いる化学気相成長法によってカーボンナノチューブを製造する好適な方法を提供する。
【解決手段】 触媒金属（例えば鉄及びコバルト）が支持体（例えばゼオライト粉末）に担持された触媒体を用意し、その触媒体の存在下でショウノウを熱分解させる。かかる製造方法は、例えば、気化ゾーン２及び反応ゾーン３を有するリアクター１０と、それらのゾーン２，３の温度をそれぞれ調節可能な温度制御手段２０とを有する装置１を用いて実施することができる。気化ゾーン２に配置したショウノウ１２を気化させてキャリアガスとともに反応ゾーン３に供給し、反応ゾーン３に配置された触媒体１４の存在下で熱分解させることによってカーボンナノチューブが生成する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程が簡易で、ホウ素を含むカーボンナノチューブその他のカーボンナノ構造物を高純度で製造することができる方法を提供する。
【解決手段】 本カーボンナノ構造物製造方法は、ホウ素成分を含む炭素質原料を用意すること、および、水素ガス雰囲気中において該炭素質原料の炭素及びホウ素からカーボンナノチューブその他のカーボンナノ構造物を合成すること、を包含する。好ましくは、ホウ素成分が均一に分布する炭素質原料を使用する。 （もっと読む）

【課題】 従来の化学的な抗菌活性剤に代えて、天然由来の抗菌活性剤であって、且つＭＲＳＡに対する抗菌活性を有している抗ＭＲＳＡの物質を得ること。
【解決手段】 本発明に係る抗ＭＲＳＡ組成物は、ハプト藻類イソクリシス目のプリュウロクリシス属に属する微細藻の抽出物を有効成分として含有していることを特徴とするものであって、抗ＭＲＳＡ組成物は、天然物由来の微細藻から抽出された抗菌活性剤であるため、人体に対する安全性が高く、この抗ＭＲＳＡ組成物をＭＲＳＡの侵入経路である喉等の粘膜や手指に直接噴霧してＭＲＳＡの体内への侵入を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板中に、カイラリティ及びサイズが制御されたカーボンナノチューブの配列を作製し、電流制御特性の向上を図る。
【解決手段】
ＳｉＣからなる半導体基板４０上のマスク４２に、リソグラフィによって微細な小孔４４のパターンを形成した後、半導体基板４０を真空化で加熱すると、前記小孔４４内に露出した基板表面が分解して珪素原子が失われ、カーボンのキャップ構造４６が生成する。更に、加熱を続けると、前記キャップ構造４６から、前記半導体基板４０を厚み方向に貫くように、カーボンナノチューブ１８が成長する。得られたカーボンナノチューブ１８は、ジグザグ型構造にカイラリティが制御されるとともに、チューブ径（サイズ）及び配列も制御されている。このようなカーボンナノチューブ１８を導電部として利用することにより、電流制御素子の特性が大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】 直径の小さな（例えば、１ｎｍ未満の）単層カーボンナノチューブを高い割合で含む単層カーボンナノチューブ集合体、及び直径の小さな単層カーボンナノチューブを選択的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 本カーボンナノチューブ製造方法は、アーク放電法に基づく製造方法であって、単層カーボンナノチューブを生成する雰囲気ガスとして、ネオン及び水素を含み、そのうちのネオンの含有割合が３５〜６５モル％である混合ガスを使用する。好ましくは、アーク放電の発生に使用する陽極が、鉄触媒を含有する。得られた単層カーボンナノチューブ集合体に含まれる単層カーボンナノチューブは、８０質量％以上が１ｎｍ未満の直径である。好ましくは、前記単層カーボンナノチューブは、直径分布のピークが０．７〜０．９ｎｍの範囲内にある。 （もっと読む）