【課題】直径及び厚さの大きな単結晶窒化アルミニウムを製造する方法を提供。
【解決手段】［Ａ］希土類及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物、並びに窒化アルミニウムを含んでなる原料、或いは該複合酸化物又は該複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）、並びに窒化アルミニウムを含む原料の近傍に無機単結晶基板を配置する工程；［Ｂ］０．９×１０⁵Ｐａ以上の非酸化性ガス雰囲気中で、前記原料温度を１６００〜２０００℃とすると共に前記無機単結晶基板の温度を１５８０℃以上で当該原料より低い温度とする工程；［Ｃ］０．９×１０⁵Ｐａ以上の非酸化性ガス雰囲気中で、前記原料温度を１６００〜２０００℃に維持すると共に、前記無機単結晶基板の温度を１５８０℃以上で該原料より低温度に維持し、前記無機単結晶基板上に単結晶窒化アルミニウムを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】優れた抗腫瘍性と抗変異原性を示す新規なセレノスルフィド化合物を提供する。
【解決手段】「Ｒ_ｘ−（Ｓｅ）_ｎ−Ｒ_ｙ」の一般式で表され、前記一般式において（Ｓｅ）_ｎはｎ個のセレン原子の直鎖状の結合体を示し、ｎは２〜４の整数であり、Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは同一の又は異なる有機基であっていずれもチオール基（−ＳＨ）を有すると共にそのチオール基が前記セレン原子の直鎖状の結合体の各一端に結合しているセレノジスルフィド化合物。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層をクラックが生じる臨界膜厚よりも薄く形成しつつ、転位密度の低い窒化物半導体層を得ることのできる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】ＬＥＤチップ１００において、平坦部１０２ｂ及び当該平坦部１０２ｂに周期的に形成された複数の錐状の凹部１０２ｃを成長面１０２ａに有するサファイア基板１０２と、サファイア基板１０２の成長面１０２ａにて横方向成長が可能であり各凹部１０２ｃに沿って周期的に形成される複数の錘状の凸部を成長面１０２ａ側に有し、ｎ型ＧａＮ層１１２、多重量子井戸活性層１１４及びｐ型ＧａＮ層１１８を含む半導体層と、を備え、半導体層とサファイア基板１０２の界面にて光の反射を抑制するようにした。 （もっと読む）

【課題】高反射率と低接触抵抗を両立させることのできる半導体発光素子用電極及びこれを用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１００におけるＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、かつ０≦ｘ＋ｙ≦１）の一般式で表される半導体層と接触するｐ側電極１２０が、当該半導体上に形成されＡｇを主成分としＰｄ及びＣｕが添加されているＡｇ合金層１２０ａを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を適用してＣＮＴを効率よく製造する装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明により提供されるＣＮＴ製造装置１は、下流側１０ｂが低くなるように傾斜させて回転可能に配置された筒体１０と、筒体１０の内側に形成されたチャンバ１１に触媒粉末Ｐを供給する触媒供給部３０および炭素源蒸気Ｖを供給する炭素源供給部４０と、チャンバ１１の少なくとも一部範囲に設定された反応ゾーン１２をＣＮＴ生成温度に加熱可能なヒータ７とを備える。筒体１０の内周壁には凸部が設けられており、筒体１０を回転させることにより触媒粉末Ｐが上記凸部に引っ掛かって持ち上げられては落下することを繰り返しながら上流側から下流側へと移動するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】装置の使用時に発光効率が低下することがなく、ＬＥＤ素子へ大きな電流を流して光量を増大させることができ、かつ、良好な演色性の白色光を得ることのできる発光装置及びその製造方法を提供する。また、ＬＥＤ素子にて生じた熱をスムースに基板へ伝えることのできる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】紫外、青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子が柱状結晶を有するＡｕＳｎ系合金層を介して搭載され、ＢとＡｌの少なくとも一方及びＮがドープされたＳｉＣ蛍光基板１０を備え、発光装置１の各部材を無機材料とすることにより耐熱性を向上させるとともに、ＳｉＣ蛍光基板１０のブロードな発光と青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子の発光の組合せにより良好な演色性の白色光を得ることができ、ＡｕＳｎ系合金層によりスムースな熱伝達が実現された。 （もっと読む）

【課題】装置の使用時に発光効率が低下することがなく、ＬＥＤ素子へ大きな電流を流して光量を増大させることができ、かつ、良好な演色性の白色光を得ることのできる発光装置を提供する。
【解決手段】紫外、青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子が搭載され無機材料からなる搭載基板１０と、この搭載基板１０を収容し無機材料からなる筐体２と、紫外ＬＥＤ素子から発せられる光により励起されるＳｉＣ蛍光板３と、を備え、発光装置１の各部材を無機材料とすることにより耐熱性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】装置の使用時に発光効率が低下することがなく、ＬＥＤ素子へ大きな電流を流して光量を増大させることができ、かつ、良好な演色性の白色光を得ることのできる発光装置を提供する。
【解決手段】紫外、青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子が搭載され、ＢとＡｌの少なくとも一方及びＮがドープされたＳｉＣ蛍光基板１０と、この搭載基板１０を収容し無機材料からなる筐体２と、を備え、発光装置１の各部材を無機材料とすることにより耐熱性を向上させるとともに、ＳｉＣ蛍光基板１０のブロードな発光と青色、緑色及び赤色の各ＬＥＤ素子の発光の組合せにより良好な演色性の白色光を得ることができる。 （もっと読む）