高真空下で汚染ガスの存在する中で使用されるのに適する冷陰極イオン真空計が提供されている。放電電流を少なくすることにより、そして、より正確には、真空計の電極により受け取られた電荷電流密度を減らすことにより、また、真空計の電極にある種の材料を用いることにより、絶縁物の薄膜が電極表面上に堆積されるメカニズムが弱くなり、真空計の寿命が明らかに延長される。真空計の放電電流は、陽極に対して直列に大きな抵抗を設けることによって、減らされる。一方、電荷電流密度は、電極に溝又はファンを設けることによって達成される大きな表面積を有する電極を用いると共に炭素のような低電子後方散乱及び低二次電子放出の材料を用いることによって減らされる。不都合を生じさせるガスを含む真空のために使用されるＣＣＩＧの寿命を延ばすための他の定電流モードの概念も本発明では提案されている。

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【課題】
【解決手段】密封チャンバを画成する部分と通じて取り付けられた第一のダイヤフラムと、好ましくは、スペーサにより、第一のダイヤフラムから電気的に絶縁された第二のダイヤフラムとを有するチャンバを画成する部分を含む、圧力を検知する装置である。ダイヤフラムは、可撓性であり且つ導電性表面を有している。センサチャンバが第二のダイヤフラムの両側部に取り付けられている。該センサチャンバは、検知する雰囲気と通じた開口部を有している。ダイヤフラムの一方は、流体が貫通して流れるのを許容する開口部をその表面に有し、他方のダイヤフラムは、無孔であり、センサチャンバ内の圧力変化に応答して一方のダイヤフラムから又は該一方のダイヤフラムに向けて動く。電気的接続部は、センサチャンバ内の圧力の関数としてダイヤフラムの間の静電容量を測定する。
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本発明は管路内部に流れる液体を検査する測定装置用コネクタに関し、前記コネクタは円板状取り付けリング（１１）を有し、前記リングは２つの実質的に平坦な平面（１２，１２′）、外側表面（１３）および軸方向に貫通する開口（１５）を決定する内側表面（１４）を有する。取り付けリング（１１）は少なくとも１個の放射状ドリルホール（１６）を有し、ドリルホールは外側表面に通じ、測定装置に接続できる。本発明は更にこの種の測定装置を備えた測定プローブおよび（メタ）アクリル酸とアルカノールの反応による（メタ）アクリル酸アルキルエステルの製造方法へのこの測定プローブの使用に関する。
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【課題】システムの漏れ個所の低減と、取り付けボルトの締め付けによる機械的ストレスが測定誤差を大きくするのを防止する。
【解決手段】圧力モジュール（２００）は圧力センサ（２０４）から流体隔離部材（２０６，２０８）へ延長されている管（２１０，２１２）を有するセンサアッセンブリ（２０２）を含む。圧力センサはモジュールハウジング（２１４）内の空洞（２１６）内に収容される。モジュールハウジングは接合部によって流体隔離部材に接合されて空洞内へのプロセス流体の漏れに対する障壁を提供する支持部材（２１８，２２０）を含む。モジュールハウジングの底面外側のねじ付きプロセス入口部（２３０，２３２）はモジュールハウジング内のプロセス通路（２３６，２３８）を通じてプロセス流体を流体隔離部材に接続する。 （もっと読む）

【課題】圧力が比較的低い場合に圧力センサ測定値の精度を向上させる。
【解決手段】プロセス装置（５２）の圧力センサ（６０）はプロセスセンサに複数の圧力を印加することによって特性設定される。複数の圧力の出力が受信される。圧力センサ出力に基づいて補償関係が決定される。特性設定データは圧力範囲に亘って非一定である分布において収集される。 （もっと読む）

本発明は、スペーサによって相互に一定の距離をおいて配置される第１の担体フィルムと第２の担体フィルムから成る、フィルムという形態の圧力センサーに関する。距離ホルダーは、双方の担体フィルムが相互に対向して配置されている圧力センサーの作用領域を画定する少なくとも１つの切り欠きと、さらに、第１の電極および第２の電極と、感圧材料から成る層とを含む。これら第１の電極と、第２の電極と、感圧材料から成る層とは第１の担体フィルムおよび／または第２の担体フィルム上の作動領域中に配置されており、これにより、これら担体フィルムを感圧層を介して一緒に圧迫すると、第1の電極と第２の電極間に電気的接触が発生する。本発明によれば、圧力センサーは少なくとも１つの第３の電極を備えるが、この電極は第１と第２の担体フィルム上の圧力センサーの作動領域中に配置され、これにより、これら担体フィルムを感圧層を介して一緒に圧迫すると、第３の電極と第１の電極との間および／または第３の電極と第２の電極との間に電気的接触が発生するようになっている。
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堆積制御バッフル（２５０）は、（付加的に）設けられる。その複数の孔が、汚染物質を内側キャパシタ（１２７ａ）および外側キャパシタ（１２７ｂ）の膜（１６０）の領域へと導き、その差が汚染物質を無効とするようにする。可能な限り多くの汚染物質がダイヤフラム（１６０）に到達するのを防止する代わりに、上述したバッフルは、このような汚染物質が変換器の性能に与え得る影響を最小に抑えるように、所定のパターンで汚染物質をダイヤフラムへと導く。
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センサーチップは、ピエゾ抵抗ブリッジ、温度抵抗ブリッジ、及び定電流モードでピエゾ抵抗ブリッジを動作させるときにスパン補正を提供するのに使用可能な多機能抵抗ネットワークを有する。定電流モードでは、多機能抵抗ネットワークはまた、センサーチップのエピタキシャル層にバイアス電位を供給するのに使用することができる。定電圧モードでは、多機能抵抗ネットワークは、特定の動作温度範囲において温度チャンネルの出力をカスタマイズするために温度抵抗ブリッジを含む温度チャンネルに対して３つの異なるゲインを提供するのに使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの変位量が少ない場合であっても、圧力を確実に検出することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム５には複数の支柱８が立設されており、それらの支柱８がコア６を囲繞している。支柱８には検出コイル９が巻装されている。コア６に巻装された励磁コイル７に励磁信号を出力すると、コア６に交流磁界が発生して検出コイル９に鎖交する。ダイヤフラム５に圧力が印加して湾曲すると、支柱８が拡開し、検出コイル９に鎖交する交流磁界が増大する。これにより、検出コイル９から出力され交流信号のピークレベルが変化するので、そのピークレベルに基づいて印加圧力を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の静電容量型圧力センサは、圧力に応じて変形する上部電極が形成された第１の基板と、下部電極が形成された第２の基板とが誘電体膜を介して対向配置され、ダイアフラムの押圧により変化する第１の基板と第２の基板とで形成される静電容量の変化に応じて圧力を検出する静電容量型圧力センサであって、下部電極が、第２の基板に形成された溝を導電性材料で埋めて形成され、かつ形成された下部電極の表面が第２の基板の表面と同じ高さを有することで第１の基板と第２の基板の接合性を高めることができるので、測定精度の長期安定性を保証することができる静電容量型圧力センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】小型の圧力センサを提供すること。
【解決手段】感圧素子２０を有するコネクタハウジング３０と，シールダイヤフラム４３を有するセンサハウジング４０とを有している。そして，センサハウジング４０に対してコネクタハウジング３０を一定の挿入軸線に沿って挿入することにより感圧素子２０とシールダイヤフラム４３との間には圧力室４２が形成されている。コネクタハウジング３０には，該コネクタハウジング３０に作用する上記挿入軸線に略平行な荷重を受けるためのコネクタ側荷重面３８を圧力室４２に露出させて設けてある。また，センサハウジング４０には，該センサハウジング４０に作用する上記挿入軸線に略平行な荷重を受けるためのセンサ側荷重面４３８を圧力室４２に露出させて設けてある。さらに，圧力室４２には，一方の面がコネクタ側荷重面３８に当接すると共に，他方の面がセンサ側荷重面４３８に当接するスペーサ６０が配設されている。 （もっと読む）

【課題】 センサ特性の圧力非直線性ＮＬＰを小さくするための効率的な半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の一面側に形成された圧力検出用のダイヤフラム３と、このダイヤフラム３上に配置されピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する複数のゲージ抵抗４１〜４４とを備える半導体圧力センサＳ１において複数のゲージ抵抗４１〜４４の位置を設定する方法であって、有限要素法解析によって、個々のゲージ抵抗における位置と抵抗値変化率との関係を求めることにより、抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ同士の抵抗値変化率がほぼ等しい位置となるように、複数のゲージ抵抗の位置を設定するものであり、有限要素法解析の際、圧力に対する抵抗値の非直線性誤差を加味して複数のゲージ抵抗の位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】接合強度がさらに向上し、充分な歩留まりが得られるようになる力学的物理量変換器の製造方法およびその変換器の提供。
【解決手段】陽極接合においては、シリコン酸化膜11に含まれる酸素イオンの数と接合強度とが密接な関係にあるので、上ガラス30の表面に非晶質のシリコン酸化膜11を成膜するにあたり、モノシランガスに対して適度な量の亜酸化窒素ガスを加えてシリコン酸化膜11の成膜を行えば、陽極接合時に移動する酸素イオンの数が増え、シリコン酸化膜11が形成された上ガラス30とシリコン基板２との接合強度が向上し、これにより変換器の歩留まりが改善される。 （もっと読む）