【課題】 半導体ウェハにチップ単位毎にセンシング部を形成した後、半導体ウェハをダイシングカットしてチップに分断するようにした圧力センサの製造方法において、応力の影響を防止して適切にチップの特性調整および特性検査を行う。
【解決手段】 半導体ウェハ３０にチップ単位毎にセンシング部としてのダイアフラム１１１を形成した後、半導体ウェハ３０をダイシングカットしてチップ１００に分断するようにした圧力センサ１００の製造方法において、半導体ウェハ３０の一面に半導体ウェハ３０を支持する固定板４０を貼り合わせ、半導体ウェハ３０側から固定板４０に到達するフルダイシングを行い、半導体ウェハ３０を複数個のチップ１００に分断し、複数個のチップ１００を固定板４０に固定した状態で特性調整および特性検査を行い、しかる後、チップ１００から固定板４０を取り外す。 （もっと読む）

【課題】 センサチップの裏面側をゲル部材で封止してなる相対圧型の圧力センサにおいて、ゲル部材によるセンサ特性への影響およびゲル部材のたれを極力抑制しつつ、センサの小型化に適した構成を実現する。
【解決手段】 表面２０ａおよび裏面２０ｂに圧力が印加されるセンサチップ２０がその裏面２０ｂをケース１０に対向させた状態でケース１０に固定され、ケース１０に、センサチップ２０の裏面２０ｂへ圧力を導入するための圧力導入穴１３が設けられ、圧力導入穴１３に、センサチップ２０の裏面２０ｂを封止するチップ裏面側ゲル部材５２が充填されている相対圧型の圧力センサ１００において、チップ裏面側ゲル部材５２は、センサチップ２０側から、第１のゲル部材５２ａ、第１のゲル部材５２ａよりも硬く第１のゲル部材５２ａを覆うように設けられた第２のゲル部材５２ｂが積層された２層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板と支持体基板との接合部や接合部周辺に生ずる応力集中を低減することができる半導体圧力センサを実現することにある。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に形成されたダイアフラムが圧力によってたわみ、その歪みをダイアフラム上に形成された圧力検出素子が検出する半導体圧力センサに改良を加えたものである。本センサは、一方の面に圧力検出素子を有し、他方の面に凹部を形成してダイアフラム及び支持部が設けられる半導体基板と、この半導体基板の他方の面の支持部に接合され、この接合される接合部の外周の形状が円形である支持体基板とを有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図った圧力検出装置用のパッケージを提供すること。
【解決手段】 半導体素子３が搭載される搭載部１ａを有し、表面に第１の電極７が形成された絶縁基体１と、第１の電極７に対向する第２の電極９を有し、絶縁基体１の表面に対向する位置に配置されたダイアフラム２と、絶縁基体１の表面とダイアフラム２との間に形成されたスペーサと、絶縁基体１の表面の第１の電極７の周囲に形成され、ダイアフラム２が配置される領域を規定する突起部１２とを備えている。第１の電極７および第２の電極９は、表面が研磨されたメタライズ層、または薄膜金属層である。 （もっと読む）

【課題】 高感度で遠心力等に伴う加速度の影響が少ない静電容量型圧力センサを提供する。
【解決手段】 ダイヤフラム３と、ダイヤフラム３との間にギャップを介して対向配置された固定電極とが備えられてなり、ダイヤフラム３上に少なくとも１以上の線状の梁部８ａ、８ｂが設けられていることを特徴とする静電容量型圧力センサ１を採用する。 （もっと読む）

この発明は、シリコン単結晶からなるダイアフラムの表面にピエゾ抵抗感圧ゲージが形成された感圧チップの裏面側にガラス基板を張り合わせ、ダイアフラムの裏面とガラス基板との間に空間を形成し、この空間とダイアフラムの表面側に形成された空間との圧力差から被測定圧力を測定する半導体圧力センサにおいて、圧力測定精度と接続の信頼性を損なうことなく小型化を図ることを目的とする。この目的を達成するため、この半導体圧力センサは、感圧チップ表面に配設された感圧ゲージ電極または感圧ゲージ電極からの配線上に形成された樹脂製突部と、樹脂製突部の一部または全体を覆うように形成されたバンプとを有する。
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【課題】 半導体圧力センサの感度温度特性を極力抑える。
【解決手段】 圧力検出用のダイアフラム１２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０が接合されているガラスからなる台座１５と、ダイアフラム１２に形成され、ダイアフラム１２の歪みに伴うピエゾ抵抗効果に基づいて抵抗値が変化するゲージ抵抗１３とを備え、ゲージ抵抗１３の抵抗値変化に基づいてダイアフラム１２に印加された圧力に対応する圧力検出値を出力する圧力センサにおいて、温度変化によるゲージ抵抗１３の抵抗値の変化と、温度変化によるピエゾ抵抗効果に基づくゲージ抵抗１３の抵抗値変化割合の変化とに起因する圧力検出値の第１の変化と、温度変化による半導体基板１０と台座１５との間に生じる熱歪みに起因する圧力検出値の第２の変化との差が小さくなるように、台座１０の厚さおよび線膨張係数を調整して、圧力検出値の第２の変化を調整する。 （もっと読む）

【課題】支持体に接合されたダイヤフラムの受圧面と支持体とステムとの接合面とが平行となっているために、ステムと支持体との熱膨張係数の違いによって生じる歪みがダイヤフラムに加わり、ダイヤフラム型圧力センサの温度特性を劣化させる。
【解決手段】ダイヤフラム１１を有する圧電基板１２と圧力導入路１６を備えたステム１７とを、Ｌ字型の貫通路１４を有する支持体１５を介して、圧力導入路１６、貫通路１４及びダイヤフラム１１受圧部とが連通するように接合することによって、圧電基板１２と支持体１５、支持体１５とステム１７との接合面がそれぞれ直交するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 既存のタイヤへも自由に取り付け可能なタイヤ装着用トランスポンダの取り付け方法及びトランスポンダ装着タイヤを提供する。
【解決手段】 トランスポンダ１を金属板からなる装着部１Ｃに取り付け、該装着部１Ｃをリム３２に溶接したため、既存のタイヤに容易にトランスポンダ１を装着することができると共に、トランスポンダ１の電気的接地状態が良好になる。さらに従来のようなタイヤの剥離故障等の発生の恐れがないと共に、タイヤ製造時の環境条件をトランスポンダの耐久条件に含める必要が無く、トランスポンダ自体の故障発生を従来に比べて大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【目的】接着剤の熱変化に伴なう体積変化に拘わらず常に安定した圧力の検出を行なう。
【構成】第１筐体１に、
圧力センサＳの上方突部Ｓａを収納する第１収納凹部１ｃと圧力センサＳの外周に臨む第２収納凹部１ｇとを設け、第２収納凹部１ｇと第１筐体１の外側筒部１ｂとの間に、第２収納凹部１ｇの下端１ｇａから段部１ｅ側に向かう応力吸収溝１ｐが形成される。
圧力センサＳの上方突部Ｓａを、第１収納凹部１ｃ内に間隙ａ，ｂをもって配置するとともに圧力センサＳのターミナルＳｃが第１筐体側のターミナル２の一端２ａと電気接続され、第２収納凹部１ｇ内に配置される圧力センサＳの外周及びターミナル２，Ｓｃに向けて接着剤Ｇが充填される。 （もっと読む）

【課題】 外部からの熱による熱応力の影響を受けることなく、常に高精度の圧力検出を行うことのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】 圧力を検出するセンサチップ３０と、センサチップ３０を支持する台座プレート２０（２１，２２）と、台座プレート２０（２１，２２）に接合され、当該台座プレート２０（２１，２２）を支持する支持ダイアフラム５０とを有し、支持ダイアフラム５０がパッケージ１０に接合され、当該支持ダイアフラム５０のみを介してセンサチップ３０、台座プレート２０（２１，２２）をパッケージ内に支持する構成を圧力センサ１が有している。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】センサ装置及び方法が開示されている。基部は、全体としてカバーに近接する位置に配置されている。センサ要素（例えば、石英、シリコン、セラミック及び同様のもの）を基部の上に配置し、カバー及び基部は該カバーと基部との間に隙間を形成するようにすることができる。隙間は、カバーがその許容公差範囲内でその最小寸法にあり、基部がその許容公差範囲内でその最大寸法にあるとき、これらの間に隙間が存在するような形態とすることができる。更に、センサ隔膜及び凹部をカバー内に組み込み、全ての圧力レベル及びその温度にて該凹部がセンサ要素と密着するようにする。
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