【課題】 特に、ダイアフラムの保護に加え、高精度な圧力測定を行うことが出来るとともにパッケージ強度を向上させることが可能な圧力センサのパッケージ構造を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１のキャビティ８上にダイアフラム９が配置され、前記ダイアフラム９の上面にピエゾ素子Ｂ〜Ｅが設けられたセンサ部３と、前記センサ部３上に配置され、前記ダイアフラム９との間に第２のキャビティ１６を形成し且つ通気口１７を備える剛性カバー４と、前記通気口１７を覆うことなく前記センサ部３の側面から前記剛性カバー４の側面、さらには剛性カバー４の上面４ｃに設けられたモールド樹脂部５とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】外部からの機械的ストレスの影響に左右されず、安定した動作が可能な構造を有する小型の圧力センサ、および低コスト化を図るとともに、簡便な工程で安定して製造可能な圧力センサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧力センサ１Ａは、半導体基板からなる基体１３の一面において、その中央域αの内部に該一面と略平行して広がる第一空隙部１４、該第一空隙部１４上に位置する薄板化された領域からなるダイアフラム部１５、該ダイアフラム部１５に配された感圧素子１６、及び、前記基体１３の一面において、該ダイアフラム部１５を除いた外周域βに配され、該感圧素子１６と電気的に接続された導電部１７、を少なくとも備えた圧力センサであって、前記ダイアフラム部１５が配された前記一面とは反対側の前記基体１３の他面が、少なくとも一組以上の凹部１８と凸部１９を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

スパークプラグアセンブリは、上側ショルダと下側ショルダと、外側表面を有する金属製の環状外側シェルと、内側表面で囲まれるキャビティとを含む。内側表面は、絶縁体の下側ショルダに対向するように内方に延在するフランジを有する。外側シェルは近傍端部および対向固定端部を有する。固定端部は雄ねじ部および、フランジに隣接して外方に延在する環状封止座部を有する。外側シェルは封止座部および近傍端部の間に、径方向に延在する環状ショルダを有する。近傍端部は絶縁体の上側ショルダと軸方向に対向する折返し部を有する。センサアセンブリはシェルのショルダと折返し部との間の外側シェルの近傍に設置される。センサアセンブリは絶縁体と外側シェルとの間の相対的な軸方向の移動に応じて信号を送る。
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スパークプラグアセンブリはセラミック絶縁体を有し、当該セラミック絶縁体には当該絶縁体の少なくとも一部を囲む金属製の外側シェルを有する。接地電極は外側シェルに作動可能に取付けられ、また細長い本体を有する中央電極は絶縁体を貫通するように延在する。中央電極および接地電極はスパークギャップを設ける。力センサが絶縁体の近傍に設置される。環状の内側シェルが外側シェルと絶縁体との間に設置され、当該内側シェルは軸方向に沿う絶縁体と対向するよう構成される表面を有する。
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【課題】配管を流れる蒸気が止まり、導圧管に溜まった水の自重を原因とした負圧が発生し、差圧ΔＰが生じたとしても、流量の計測結果や差圧の検出結果に誤認が生じないようにする。
【解決手段】差圧発信器３は、静圧ΔＰと飽和蒸気表ＪＨとから蒸気の密度ρを求め、差圧ΔＰと密度ρから蒸気の質量流量ｑｍを演算し、出力する。配管を流れる蒸気が止まると、静圧Ｐが低下する。この静圧Ｐの低下に着目し、静圧Ｐが閾値Ｐｔｈを下回った場合、差圧ΔＰと密度ρから算出される質量流量ｑｍの出力をカットし、質量流量ｑｍ＝０を出力する。 （もっと読む）

【課題】センサチップの支持強度を高めるとともにセンサチップへのノイズの影響を抑制し得る圧力センサを提供する。
【解決手段】各歪みゲージ抵抗４５ａ〜４５ｄが形成される第１のシリコン基板４１における第１の板面５１の面方位が（１１０）面であり、当該各歪みゲージ抵抗４５ａ〜４５ｄはその長手方向が＜１１０＞結晶軸方向に沿うように配置されている。そして、第２のシリコン基板４２における第２の板面５２には、＜１１０＞結晶軸方向に沿うセンサチップ側溝５２ａが所定の間隔にて複数形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とキャップ部材との接合面に印加される応力により半導体装置の特性の精度が低下することを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１０のうちキャップ部材４０と接合される領域に形成された凹部１７、もしくはキャップ部材４０のうち半導体基板１０と接合される領域に形成された凹部４６、４７、もしくはキャップ部材４０のうち半導体基板１０と接合される領域と反対側の領域に形成された凹部４８の少なくとも一つの凹部１７、４６〜４８を備えて半導体装置を構成する。このような半導体装置では、凹部１７、４６〜４８が膨張・収縮が可能となり、応力を緩和することができるため、半導体装置の特性の精度が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ケースにおける受圧用ダイアフラムとの接続箇所の熱歪みにより被測定圧力の大きさに対するセンサ出力の関係にズレが発生することを抑制でき、精度良い圧力検出が行えるようにする。
【解決手段】ケース１の内側にハウジング３０を配置し、受圧用ダイアフラム１０をハウジング３０にも固定した構造とする。そして、ハウジング３０がケース１によって完全に覆われ、ハウジング３０が被測定圧力が伝えられる雰囲気から遮断された状態にする。つまり、受圧用ダイアフラム１０、ハウジング３０、金属ステム４０および圧力伝達部材６０によってカプセル部が構成され、カプセル部のうち受圧用ダイアフラム１０の受圧面以外の部分が燃焼室側に露出させられていない構造とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する応力を緩和できる物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２，３と、シリコン基板３に形成されたダイアフラムと、ピエゾ素子Ｂ〜Ｅと、シリコン基板３と接合されるインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、支持基板１７の上面から下面にかけて形成される導通部１８と、を有する。インターポーザ１５とシリコン基板３間の接続領域４７には、第１有機絶縁膜４８と接続経路５０が設けられる。接続経路５０は平面方向に延びる延出部４３と、延出部４３と配線層１０間を高さ方向に繋ぐ第１接続端部５２と、延出部４３と導通部１８間を高さ方向に繋ぐ第２接続端部４６とを有する。延出部４３の導通部側接続位置αと、第１接続端部５２の素子側接続位置βとが、平面方向にずらされている。 （もっと読む）

センサデバイスパッケーシ及びその形成方法は、ＭＥＭＳデバイスなどのセンサデバイスを受けるダイパッドを備えている。ＭＥＭＳデバイスは、第１の熱膨張率（ＣＴＥ）を有している。ダイパッドは、第１のＣＴＥに応じた第２のＣＴＥを有する材料から作られている。ダイパッドは、ベースと、第１及び第２のＣＴＥに適合したＣＴＥを有する支持構造体とを備えている。ダイパッドは、ベースから突出する支持構造体を有している。支持構造体は、ベースがヘッダから熱膨張力又は熱収縮力を受ける際に、ダイパッド及びＭＥＭＳデバイスによって感じられる力を最小化する高さと壁厚を有している。 （もっと読む）

【課題】 特に、シリコン基板に作用する回路基板との熱膨張差に起因した応力を低減でき、さらに、簡単且つ適切に、圧力センサが回路基板上に半田付けされていることを確認できる物理量センサ及びその製造方法、ならびに、物理量センサ実装構造を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコン基板２、３と、シリコン基板２，３に形成された変位部（ダイアフラム）８と、変位部の変位量を検出するための検出素子と、検出素子に電気的に接続され、前記シリコン基板に形成された電極パッド１１と、前記電極パッド１１に接合されたインターポーザ１５と、を有する。インターポーザ１５は、支持基板１７と、電極パッド１１との接合面（第１面）から第２面にかけて形成される導通部１８と、前記導通部１８の第２面側と電気的に接続され、側面に露出して形成された半田フィレット形成部２２と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】通電時に抵抗体にジュール熱が発生した際に、半導体基板と保護層との線膨張係数の違いによりダイアフラム部が受ける応力を抑制することで、センサ出力のドリフト現象を低減し、測定制度を向上させて安定した計測が可能な半導体センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体センサは、半導体基板２と、前記半導体基板の一部が薄板化されてなるダイアフラム部３と、前記ダイアフラム部の一面側に配された抵抗体Ｒ_１ 〜Ｒ_４ と、を少なくとも備えた半導体センサ１Ａ（１）であって、前記ダイアフラム部の一面上には、少なくとも前記抵抗体を覆うように第一保護層７と第二保護層８が順に積層され、前記第一保護層の線膨張係数は、前記第二保護層の線膨張係数と比べて、前記半導体基板の線膨張係数により近い値を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶接後の受圧面に及ぶ残留応力を抑制し、経年劣化を改善した圧力センサー用のダイアフラム、およびこれを搭載した圧力センサーを提供する。
【解決手段】外面が外部圧力を受けて変形し、内面がハウジング１２内部の感圧素子３８に力を伝達する中央部（ダイアフラム本体）４０と、前記中央部（ダイアフラム本体）４０の外側であって、ハウジング１２に形成された口金２２の外周と溶接される周縁部（フランジ）４４と、を一体として同心円状に有し、前記口金２２を封止する圧力センサー１０用のダイアフラム３２であって、前記中央部（ダイアフラム本体）４０と前記周縁部（フランジ）４４との間に段差を形成する緩衝部４２を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】支持構造体４とダイアフラム３との溶接時における熱応力による歪みを可及的に小さくするとともに、支持構造体４とダイアフラム３間の剛性を大きくして、固定電極２及びダイアフラム３間の距離の変化を可及的に小さくして、圧力センサ１の出力を安定させる。
【解決手段】圧力により変位するダイアフラム３と固定電極２との間の静電容量の変化を検出して圧力を測定する静電容量型圧力センサ１であって、前記固定電極２と前記ダイアフラム３との対向面の距離を規定する凹部４１を有し、前記固定電極２の電極面が、前記凹部４１の底面４１１と略同一平面上に設けられ、前記ダイアフラム３が、前記凹部４１を覆うように前記凹部４１の開口周縁部４０１に設けられる一体成型された支持構造体４を具備する。 （もっと読む）

【課題】被測定圧力以外の圧力変動をもたらす応力を抑制することができ、圧力センサの出力特性変化が生じがたい圧力センサを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１、半導体基板１１の一面１１ａにおいて、その中央域αの内部に一面１１ａと略平行して広がる第一空隙部１２、第一空隙部１２の一方の側に位置する薄板化されたダイアフラム部１３、ダイアフラム１３上に配された感圧素子１４、及び半導体基板１１の一面１１ａにおいて、ダイアフラム部１３を除いた外縁域βに配され、感圧素子１４と電気的に接続されたバンプ１５を少なくとも備えた圧力センサであって、半導体基板１１の内部において外縁域βの少なくとも一部に配され、半導体基板１１の一面１１ａに対して閉じた第二空隙部１６が配されている。 （もっと読む）

【課題】 静電容量型隔膜真空計が設置される測定環境、すなわち大気圧及び温度変動に対する静電容量型隔膜真空計の出力変動を低減させ、より高精度で再現性よく圧力を測定すること。
【解決手段】 圧力が測定される内部領域に面して配置されるダイヤフラムと、このダイヤフラムと対向して配置される検出電極とを有し、ダイヤフラムと検出電極との間に生じる静電容量の変化量を測定することで内部領域の圧力を測定する静電容量型隔膜真空計は、静電容量型隔膜真空計が設置されている外部の温度を測定する温度測定部と気圧を測定する気圧測定部とを備え、この測定結果に基づき、ダイヤフラムと検出電極との間に生じる静電容量の変化量を補正して、内部領域の圧力として出力する。 （もっと読む）

【課題】温度外乱歪みを軽減させることにより高感度かつ小型で安価な物理量センサ、および、その製造方法を提供すること。
【解決手段】二つの基板３０，４０と、二つの基板３０，４０の間に設けられ二つの基板３０，４０と接合された可動電極２０と、を備え、可動電極２０は、弾性変形可能なダイアフラム部２３を有し、二つの基板３０，４０うち一枚は、ダイアフラム部２３に対向する検出面３０Ａに検出電極３１を有する電極基板であり、ダイアフラム部２３と検出電極３１との間の静電容量変化を検出する物理量センサであって、二つの基板３０，４０と可動電極２０とを接合する際の接合温度と室温との間における、二つの基板３０，４０の熱膨張係数は、可動電極２０より小さく、物理量センサを使用する温度範囲内において、可動電極２０の熱膨張係数は、第一基板３０と第二基板４０との間の値である。 （もっと読む）

【課題】 ＭＥＭＳ組立体が受けるモールド樹脂で発生する応力を少なくし半導体センサ
ー装置の特性を安定化させ、キャップクラックや樹脂クラックが入り難く、また、孔付キ
ャップチップの孔詰まりが起こり難い、小型軽量な半導体センサー装置およびその製造方
法を提供する。
【解決手段】 ＭＥＭＳ組立体の上キャップチップ上面を露出させて樹脂面と同一にする
か凹ませることで、ＭＥＭＳ組立体が受けるモールド樹脂で発生する応力を少なくし半導
体センサー装置の特性を安定化させ、キャップクラックや樹脂クラックが入り難く、また
、孔付キャップチップの孔詰まりが起こり難い、小型軽量な半導体センサー装置を提供す
ることができた。 （もっと読む）

【課題】グランドをハウジング部品に溶接する際のハンドリング性を向上する。
【解決手段】センサアセンブリは、圧力センサキャップの側とは反対側のその一端にシーリングエッジを一体として形成した管状グランドに溶接された金属圧力センサキャップと、グランドが貫通することができるように形成された開口を有するハウジング部品と、グランドの突出部分上に回転可能に支持された、シーリングエッジをプロセスポートに取り付けるためのグランドナットとからなる。センサキャップの段差部分がグランドの段差部分に溶接され、ハウジング部品は、センサキャップとシーリングエッジとの間の位置でグランドの外面に固定される。ここで、センサキャップは、事前にグランドに溶接されたセンサキャップをハウジング部品の開口にはめ込むことができるように、グランドの外径よりも小さいかまたはそれに等しい外径を有する。 （もっと読む）

【課題】継ぎ手フランジの変形が抑えられるとともに、ケースフランジの位置決めの精度が向上した圧力センサを提供する
【解決手段】継ぎ手フランジ１４の厚肉部１５は、ねじ孔の端縁に対応する位置で薄肉部１４Ａよりも回路部３０側に突出して形成されているので、継ぎ手１０を配管１Ｂに取付ける際、継ぎ手フランジ１４が変形するという不都合を防止できる。また、継ぎ手フランジ１４には、薄肉部１４Ａが設けられるので、圧力センサ１Ａの高さ寸法を小さくすることができ、小型化が図れる。また、厚肉部１５の位置決め面１５Ａは、径方向寸法が大きい状態でケースフランジ４２を位置決めすることができるので、位置決め精度が向上する。 （もっと読む）