【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターンと基準パターンとが著しく異なる場合であっても、適切なマッチングを行う。
【解決手段】プロセスパラメータの変動に応じてその形状が基準パターンから変化した変化パターン群を作成し、該変化パターン群における形状の変化量を算出し、算出された形状の変化量を基準パターンのエッジ点の情報に付加する。 （もっと読む）

【課題】
CD-SEM画像からパターンのエッジを抽出する際にパターン上における高さ（基板からの距離を表す値）を指定してエッジ点を抽出する。あるいは、それを行って得られるLER値やLERのフーリエスペクトルを得る。
【解決手段】
あらかじめ同じサンプルをAFMとCD-SEMとで観察しておき(601)、AFM観察結果から、高さを指定して得られるLERの大きさやLERの自己相関距離あるいはスペクトルという指標を求め、さらにCD-SEM観察結果からは、エッジ点を検出する画像処理条件を指定して得られるこれらの指標を求め(602)、値が一致するときにその値を与える高さと画像処理条件とが対応していると判断し（603）、以降、AFM観察の代わりにCD-SEM画像からこの画像処理条件を用いてエッジ点を抽出する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによるマスクのホールパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行うことができる実用的に信頼性が高いパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】マスクの各ホールパターン寸法における回折光強度を測定するステップと、前記パターンをＳＥＭで測定し測長値を得るとともに、コーナーラウンディングの見積りを行うステップと、電磁場解析シミュレーションを行い、回折光強度のシミュレーション値を得るステップと、前記回折光強度測定とシミュレーションとから算出されたパターン寸法値と前記ＳＥＭ測長値とのオフセット量を補正値とし、前記コーナーラウンディングの見積もりからのオフセット量を補正値として決定するステップと、前記補正値を前記ＳＥＭで測定した他のパターン寸法値に適用するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
試料上の欠陥を，画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において，第１の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し，第２の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において，画像取得手段を用いて第１の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し，欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し，取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し，該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い，欠陥と識別された部位のみを第２の倍率で撮像するように装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】
パターンの形状や試料特性に応じて，高速・高性能な画質改善処理を行う。
【解決手段】設計データや，設計データ上の各領域に対応する試料特性情報を用いて画質改善処理を行うことにより，画像上の個々の領域に対応する試料特性に応じて適切な画質改善処理を施し，画像上の領域分割を高速に行うといった処理を可能とする。さらに，設計データと対応する画像情報を保存したデータベースを利用することにより，類似した設計データにおいて過去に撮像した画像との差が大きい箇所を自動で強調する等の画質改善処理を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、複数のパターンを含むテンプレートを用いたマッチングの際に、一部のパターンの変形や、テンプレートとＳＥＭ画像間に倍率誤差がある場合であっても、高精度なマッチングが可能な方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】
上記課題を解決するための一手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を選択的に用いてマッチングを行う方法、及びそれを実現するための装置を提案する。また、上記課題を解決するための他の手法として、設計データの所定領域内に配置された複数のパターンに基づく第１のマッチングを行った後、前記所定領域内に配置された複数のパターンのうち、一部を用いて第２のマッチングを行う方法、及びそれを実現する装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、同種画像間の画像認識に用いられるテンプレートと同等の情報を、設計データに基づいて形成されるテンプレートに付加することで、実画像を取得することなく、設計データに基づいてテンプレートを作成することのできる容易性の維持と、テンプレートと実画像の一致度を高めることによる画像認識技術性能向上の両立にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下に設計データに基づいて、画像認識用のテンプレートを作成する際に、当該テンプレートによって特定される領域の材料情報に基づいて、当該テンプレート内の各位置の輝度情報を設定する方法，装置、及びプログラムを提案する。また、その一例として、材料の情報に加えて、上記領域上に配置されたパターンの大きさ，画像取得装置の装置条件，試料の層情報，パターンの線分情報の少なくとも１つの情報に基づいて、輝度レベルを設定する。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）

【課題】
入射電子線により試料上の観察領域内のパターン寸法を計測する方法において、これまで実現困難であった高精度でかつ低ダメージの計測を可能とするパターン寸法計測技術を提供する。
【解決手段】
試料上の観察領域を走査される入射電子線に対して発生する反射電子または二次電子強度の情報から前記観察領域内のパターンの寸法を計測する方法において、前記試料上の複数の観察領域に電子線を照射することで得られる複数の電子顕微鏡像を重ね合わせることにより一つの画像を作成し、重ね合わせた前記一つの画像の強度情報からパターンの寸法を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 位相シフト部を有する回折格子の形状評価を高い精度でおこなうことができる回折格子の形状評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る回折格子の形状評価方法は、位相シフト部を有する回折格子の形状評価方法であって、回折格子の凹凸に対応する干渉縞を検出する干渉縞検出工程と、干渉縞検出工程で検出した干渉縞に基づいて、回折格子の形状評価をおこなう形状評価工程とを含む。この回折格子の形状評価方法においては、回折格子の凹凸に対応する干渉縞を検出して、その干渉縞に基づいて回折格子の形状評価がおこなわれる。この干渉縞は、位相シフト部において変化するため、この回折格子の形状評価方法においては、位相シフト部を有する回折格子の形状評価を高い精度でおこなうことができる。 （もっと読む）

【課題】探索画像中にテンプレートと類似したパターンが存在する場合でも正確なマッチング位置を出力する検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】画像探索部にテンプレート選択画像におけるテンプレートの相対位置と探索画像における現在探索中の場所の相対位置を比較してその位置ずれ量を出力する相対位置比較部を有し、マッチング位置決定部において探索画像類似度分布情報のみならず、前記位置ずれ量をも考慮しマッチング位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）