【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ（ラフネス）を伴うことに着目し，従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で，レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。また，予め作成しておいた膜減り指標値とレジストパターンの膜減り量を関連づけるデータベースに当てはめることによって，レジストパターンの膜減り量を推定する。 （もっと読む）

【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ノイズがあるパターン画像から算出されるパターンの寸法やエッジの凹凸（エッジラフネス）を算出する際に、より真の値に近い値を得る。
【解決手段】画像内のエッジ近傍を表す帯状領域のうち、幅が狭い部分・広い部分でのエッジ位置の画像処理パラメータ依存性、あるいは、エッジ点がラインの外側にある部分・内側にある部分でのエッジ点位置の画像処理パラメータ依存性を算出し、計測値が真の値に十分近くなる画像処理条件を算出するか、あるいは、真の値を推定する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】ライン・スペース判定方法およびライン・スペース判定装置に関し、ラインとスペースの幅がほぼ同一でしかも明るさ・コントラストが同じような場合であっても画像上でいずれかラインでありいずれがスペースであるかを自動判定し、測長対象のラインあるいはスペースを間違いなく判定して測長する。
【解決手段】ラインとスペースとが混在する領域の画像を取得するステップと、ラインとスペースとが混在する領域を一方向に走査してラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルのラインとスペースの境界を表す部分のピークを検出し、ピークと隣接する他のピークとの間の領域のラインプロファイルの傾きを算出するステップと、算出したピークとピークとの間の領域の傾きの大小をもとに、スペースおよびラインを判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】
荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】
電子線を用いて欠陥を検出する検査装置において、電子線を用いた場合の、試料内のチップ内の回路パターンの種類や密度の差異によって生じる検査画像のコントラストの差異を原因とした検査性能の低下を防止する。
【解決手段】
試料に荷電粒子線を走査して得られる少なくとも２つの画像を比較して試料の回路パターンの欠陥を抽出する荷電粒子線を用いた検査方法または装置であって、あらかじめ定められた幅で荷電粒子線を走査しながら試料を連続的に移動し、回路パターンの種類または密度が異なる領域では、検査条件を変えて画像を取得する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、面積測定方法および面積測定プログラムに関し、走査型電子顕微鏡を用いて測定対象の任意形状の図形の全方位のエッジ位置をラインプロファイルでそれぞれ検出して当該図形の各エッジ位置を正確に決定してその面積を極めて高精度に測定する目的とする。
【構成】電子線ビームを測定対象の任意形状の図形に面走査してパターン画像を取得するステップと、パターン画像の輪郭線を抽出するステップと、輪郭線の所定各点において、直交する直交角度θを算出するステップと、算出した直交角度θの方向に、細く絞った電子線ビームでライン走査してラインプロファイルを生成するステップと、ラインプロファイルからエッジの位置を検出し、エッジの位置を図形の輪郭線の位置と決定するステップと、生成した図形の輪郭線で囲まれた内部の面積を算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】ラフネスを考慮したサンプリングによる異種計測装置間のキャリブレーション方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】ＣＤ−ＳＥＭ装置を用いて被計測対象のＣＤ平均寸法及びラフネスを計測するＣＤ−ＳＥＭ計測過程と、該ＣＤ−ＳＥＭ計測過程において計測されるラフネスを統計処理してキャリブレーションに必要な断面計測点数を算出する断面計測点数算出過程と、該断面計測点数算出過程で算出された断面計測点数を満たすように前記被計測対象に対して断面計測装置を用いて断面計測を実施し、該実施された断面計測結果において指定された断面計測高さのＣＤ平均寸法を算出する断面計測過程と、前記ＣＤ−ＳＥＭ計測過程で計測された前記被計測対象のＣＤ平均寸法と前記断面計測過程において算出された被計測対象の断面計測高さのＣＤ平均寸法との差であるキャリブレーション補正値を算出する補正値算出過程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プローブや試料を破損させるおそれがなく、すばやくプローブ先端を試料に接触させることができるプローブ付き顕微鏡を提供する。
【解決手段】プローブが試料方向に接近している最中に、顕微鏡から得られる画像を認識して、認識領域内のプローブ面積を計算することによってプローブから試料までの距離を計算する。 （もっと読む）

【課題】 試料表面へ電子ビームを直接照射することなく、試料表面の凹凸を観察する。
【解決手段】 電子ビームを試料に照射し、試料から放出される二次電子を検出することによって試料表面の状態を観察する電子線装置を用いた試料観察方法において、試料の上に誘電体材料を載せ、試料と誘電体材料とを接触させることにより接触帯電を起こさせ、接触帯電に起因して誘電体材料表面に誘起される表面電位のコントラストを二次電子を用いた像によって観察することにより、試料表面の凹凸を観察する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１次光学系にプレチャージの機能も持たせてプレチャージユニットの設置を省略できるとともに、試料に対するプレチャージの領域と量を制御し、試料に応じた最適なプレチャージを行うことができる電子線装置を提供することを目的とする。
【解決手段】試料Ｓを載置するステージ３０と、
所定の照射領域１５を有する電子ビーム生成し、該電子ビームを前記試料に向けて照射する１次光学系１０と、
前記電子ビームの前記試料への照射により発生した、前記試料の構造情報を得た電子を検出し、所定の視野領域２５について前記試料の像を取得する２次光学系２０と、
前記所定の照射領域の位置を、前記所定の視野領域に対して変更可能な照射領域変更手段１３、１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術では極めて困難であった、感光体の表面に生じている電荷分布あるいは電位分布をミクロンオーダーで高分解能の計測を可能にする方法及び装置を提供する。
【解決手段】感光体試料１７に対して、荷電粒子ビームを照射する照射手段２と、該照射によって得られる荷電粒子の信号を検出する検出手段５と、感光体試料１７の電荷分布の状態を測定する測定手段としての画像処理手段５１と、感光体試料１７に複数の潜像パターンを形成するための露光手段３と、露光手段３の光源の発光を制御する発光制御手段としてのＬＤ駆動部２１及び制御手段２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡で、試料の測長により得られた寸法をより精密に校正する。
【解決手段】 互いの間隔を空けて並んだ複数の校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…を備え、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…は、並んでいる方向の幅寸法が互いに異なり、各寸法が予め定められた寸法になっている校正用標準材４０を用いる。走査電子顕微鏡の画像処理装置には、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅寸法の公証値を記憶しておき、各校正マーク部材４２ａ，４２ｂ，…の幅を実測し、各実測値と対応公証値との差を求め、各差と実測値との関係を校正関数として記憶し、これを用いて試料の実測値を補正する。 （もっと読む）

【課題】
電子線照射に対する耐性が低い材料では，Ｓ／Ｎの良好な電子顕微鏡画像を得ることが難しい。これに対し，従来の画像平滑化処理を行うと，計測の安定性は向上するが，絶対値に対する計測誤差や感度が低下したり，立体形状情報の質が劣化したりという問題が生じる。
【解決手段】
計測対象パターンの寸法ばらつきを考慮して，信号波形が持つ立体形状情報を劣化させない画像平均化処理を行うことにより，計測安定性と精度および感度の向上を両立する。本発明により，高精度なパターン寸法および形状の計測と，それを用いた高感度な半導体製造プロセスの管理が実現できる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子線ビームを高磁場によって細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査し、放出された２次電子を検出して試料の寸法の測長を行う寸法測長装置に関し、試料のパターンなどを高精度に測長することを目的とする。
【構成】電子線ビームを高磁場で細く絞って低真空の試料室内に配置した試料に照射しつつ平面走査する磁界型対物レンズおよび偏向系と、磁界型対物レンズの高磁場による、試料から放出された２次電子の２次電子軌道の絞り込みが行われる場所に配置し、かつ２次電子を遮断しない可及的に小さな直径を持つ２段以上のオリフィスと、２段以上のオリフィスを、回転しながら通過した２次電子を加速する正の電圧を印加あるいは正の電圧を印加した電極を設けると共に加速された２次電子を衝突させて検出・増幅する２次電子検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査対象パターン画像を検査する検査手段は、検査対象パターンごとの変形量を使用して検査する。 （もっと読む）

【課題】試料の構成や膜種等によって測長誤差の生じることのない走査形電子顕微鏡の測長方法を提供する。
【解決手段】本発明の走査形電子顕微鏡による測長方法は、対物レンズから試料までの距離を検出するセンサの出力を用いて走査形電子顕微鏡を測定ポイントにオートフォーカスさせ、対物レンズの励磁電流を変化させながら試料から放出された試料信号の変化をモニターしてフォーカスずれに相当する対物レンズの励磁電流ΔIobjを検出する。そして、対物レンズの励磁電流ΔIobjを試料に入射する電子ビームの加速電圧ΔＶに換算し、試料に入射する電子ビームの加速電圧をΔＶだけ変更する。その後、測定ポイントの測長を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像レシピ又は／及び計測レシピを自動かつ高速に生成できるようにして検査効率及び自動化率を向上させたＳＥＭ装置又はＳＥＭシステム並びにその方法を提供することにある。
【解決手段】ＳＥＭ装置又はＳＥＭシステムにおける撮像レシピ及び計測レシピ生成方法であって、レシピ演算部において、評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値を評価する評価ステップと、回路パターンの設計データ上の任意の領域をアドレッシングポイントとした場合における前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値を評価する評価ステップと、前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の許容値と前記評価ポイントにおける撮像位置ずれ量の予想値との関係に基づいて、撮像レシピ及び計測レシピを決定する決定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）