【課題】極めて短時間の放電光を安価な構成で検出できる放電光検出回路を提供する。
【解決手段】放電光検出回路１４は、端子１０ａに基準値以上の電圧が加えられた時に導通する電子部品１０において発生し得る放電光を検出する。放電光検出回路は、受光素子１４ａと、増幅部１４ｂと、判定部１４ｃと、オフディレイ部１４ｄと、制御部１４ｅとを備える。受光素子は、検査電極１１から端子に基準値以上の検査電圧または所定の検査電流が加えられた時に発生し得る放電光Ｌを受光して、電気信号Ａに変換する。増幅部は電気信号を増幅する。判定部は、増幅された電気信号Ｂが予め定められた判定値Ｘ以上である期間に判定信号Ｃを出力する。オフディレイ部は、判定信号のオフタイミングを遅延させた遅延判定信号Ｄを出力する。制御部は、遅延判定信号が出力されているか否か定期的に判定し、遅延判定信号が出力されている場合に放電光検出信号Ｅを出力する。 （もっと読む）

【課題】丸めによる誤差要因を無くし高精度な寿命予測を行うことができるパワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】IGBTモジュールの銅ベース温度を検知する温度センサ10と、該温度センサ出力を一定のサンプリング周期でA/D変換するA/D変換器20と、A/D変換器出力から温度差を検出し、検出した温度差と予め保持されている変曲点温度差とを比較し、その比較結果から検出した温度差が予めパワーサイクル試験を経て解析されたパワーサイクル寿命カーブを近似する複数の直線のいずれの側にあるかに応じて近似させる直線の傾き及び該直線において予め設定された基準温度差について寿命データレジスタ40に保持された演算パラメータを受領して寿命計算し寿命情報を出力する寿命演算回路30と、寿命演算回路30で寿命計算を行うための演算パラメータを保持する寿命データレジスタ40と、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】帰還回路を用いて負荷回路に供給する電流を制御して、負荷変動による誤差を生じない定電流回路並びにその定電流回路を備えた試験装置を提供する。
【解決手段】
サージ電流発生装置１００は、被検査対象９０に電流を出力する。電流制御回路１０−１〜１０−ｎは、電源部３０が出力する電流を制御して単位電流源として動作する。選択制御回路２０−１〜２０−ｎは、電流制御回路１０−１〜１０−ｎが出力する電流の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子接合部温度の計算を効率よく実施できる半導体素子接合部温度の計算装置を提供すること。
【解決手段】電圧型電力変換装置における半導体素子接合部の温度を計算すべき対象の前記電力変換器の半導体素子の出力電圧指令及び該計算すべき対象の半導体素子の出力電流を入力可能な入力手段１０と、予め記憶された半導体素子の損失―出力電圧指令―出力電流の関係を示すメモリテーブル（損失―電圧―電流３次元テーブル）８と、入力手段２０によって入力されたある時刻における半導体素子の出力電圧指令及び出力電流に基づきメモリテーブル８に記憶された該当するある時刻における半導体素子の損失を読出し出力可能な演算手段（ＣＰＵ）とを備えたもの。 （もっと読む）

【課題】サージ防護素子の信頼性を適切に検査することができ、かつ、サージ防護素子の検査を効率化し、それによってサージ防護素子の生産性の向上に寄与する。
【解決手段】所定の波頭長及び波尾長の電流波形を有する第１衝撃電流の電流波形よりも波頭長及び波尾長が短く、かつ、波高値が高い電流波形を有する第２衝撃電流（第２サージ電流）をすべてのサージ防護素子に与え、前記第２衝撃電流によって当該サージ防護素子が破壊されたか否かを判定し、破壊されなかったサージ防護素子を適合品として選別する第１検査工程と、該第１検査工程によって適合品として選別されたサージ防護素子のうちの所定数のサージ防護素子に前記第１衝撃電流（第１サージ電流）を与え、該第１衝撃電流によって当該サージ防護素子が破壊されたか否かを判定し、破壊されなかったサージ防護素子を適合品として選別する第２検査工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子や電極の微小欠陥を基板組付け工程の前の段階で検出可能な半導体素子およびその半導体素子の検査方法を提供すること。
【解決手段】ダイオード素子１００の単位セル１０は，Ｐ型半導体領域１と，Ｎ型半導体領域２と，アノード電極１１と，カソード電極２１とを備えている。また，アノード電極１１の表面は，ワイヤボンディングあるいははんだ付けに供するアノード電極用パッド１５となる。また，アノード電極１１には，絶縁膜３に被覆された破壊検出電極３１が内蔵されている。絶縁破壊電極３１は，アノード電極用パッド１５のパッド面の下方に位置している。そして，微小欠陥の検査では，アノード電極１１と破壊検出電極３１との間に検査バイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等に定格電圧よりも高い電圧を加えることなく、十分に低い電圧印加によって電気的特性劣化を簡便に、且つ精度良く検出することのできる、新しい電気的特性劣化検出方法およびその装置を提供する。
【解決手段】半導体素子または等価インピーダンスが静電容量と抵抗との並列接続で表される対象物の電気的特性の劣化を検出する方法であって、非導通状態の前記半導体素子または前記対象物に定格電圧以下で交流電圧と直流電圧が合わさった波形の電圧を印加して前記半導体素子または前記対象物に流れるリーク電流を検出し、印加電圧に対して一定の位相角を有するリーク電流の大きさを導出し、導出した一定の位相角を有するリーク電流の大きさに基づいて前記半導体素子または前記対象物の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 デバイスの試験順序決定に関し、より詳細には半導体や磁気ヘッドなどのデバイスの試験が複数の試験項目からなる場合に、製造ロット毎の試験項目に対する不良率変動に起因する試験のスループット低下を防ぐための試験順序最適化に関する。
【解決手順】 試験項目の不良率と試験時間から試験項目毎の個別指標を求め、指定された相関関係にある試験項目をグループ化し、グループ内の試験項目の個別指標からグループに対するグループ指標を求め、グループのグループ指標とグループ化されなかった試験項目の個別指標とを基に、グループと単独の試験項目とを混在して試験順序を決定するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】インパルス試験において半導体素子のゲート回路に流れる電流を容易に測定することのできる半導体電力変換装置及びその試験方法を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する複数個の変換アーム２と、この変換アームを構成する半導体スイッチング素子３と、各々の半導体スイッチング素子３のゲート電極にゲートパルスを供給するためのゲート回路５とを備えた半導体電力変換装置１において、ゲート回路５の出力と半導体スイッチング素子３のゲート電極の間に１個または複数個直列接続した発光素子６を取り付け、変換アーム２の両端にインパルス電圧を印加したとき、発光素子６によりゲート電流の通電量を光信号に変換し、発光素子６に接続された光ファイバー８によってこの光信号を外部に設けられた光量測定器９に導いてゲート電流を測定することによりインパルス試験を行なう。 （もっと読む）

【課題】従来の故障箇所、不良箇所の解析方法では、高温バイアス試験中にデバイスに発生していた現象をとらえることができない。不良、あるいは故障の発生メカニズムが明確にならないと、それらに対する対策を決めにくい問題があった。
【解決手段】ディスクリート半導体素子をＯＢＩＲＣＨ法を用いた解析装置の２端子に接続する。ディスクリート半導体素子には解析装置により最大２５０Ｖの電圧を印加し、さらに４００ｍＷ以下の高出力の赤外線レーザを照射する。これによりディスクリート半導体素子の表面を高温で光加熱させ、高温バイアス試験のシミュレーションを可能にする。これにより高温バイアス試験において半導体素子が破壊する様子を可視化でき、故障・不良発生のメカニズムの推定が容易になるとともに故障・不良発生のメカニズムの再現が実現する。 （もっと読む）

【課題】
熱センサを用いることなく半導体電力変換器の電力半導体スイッチング素子の劣化状態を推定し、推定結果を表示する。
【解決手段】
本発明の電力変換器は、電力変換器の入力電流もしくは出力電流から電力半導体スイッチング素子の温度変動分を推定する温度変動幅推定器と、該温度変動幅推定器出力値から基準温度差の熱疲労サイクル回数に換算する熱疲労サイクル回数換算器と、熱サイクル回数から電力半導体スイッチング素子の劣化度を算出し、電力変換器の保守管理者もしくは所有者に通知する通知システムとを有する。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ素子を構成している半導体素子の特徴に着目し、各素子における周波数特性を測定することにより、劣化による特性変動を的確に検知するサイリスタ素子の劣化診断方法を提供することを目的とする。
【解決手段】診断対象であるサイリスタ素子における３つの端子であるアノード、カソードおよびゲートのうちのいずれか２つの端子間に周波数を変化させた交流電圧を印加し、前記端子間のインピーダンス周波数特性曲線を採取して、採取したインピーダンス周波数特性曲線と、正常状態にあるサイリスタ素子における前記端子間のインピーダンス周波数特性曲線との比較により診断対象であるサイリスタ素子の劣化状態を診断する。 （もっと読む）

【課題】通電プローブ針の接触抵抗の影響を受けずに安定した電気特性の測定を可能とする半導体チップの電気特性測定方法及び装置の提供にある。
【解決手段】表面に複数の第１電極７ａ、７ｂ、７ｃを有し、裏面に第２電極７ｄを有する半導体チップ７を導電性の通電ステージ８に前記第２電極７ｄが前記通電ステージ８に通電可能に載置し、少なくとも２個以上の通電プローブ針１、２、３を前記第１電極７ａ、７ｂ、７ｃに当接し、前記通電プローブ針１、２、３をそれぞれ個別の電源４、５、６に接続するとともに各電源４、５、６を通電ステージ８に接続し、前記各電源４、５、６から互いに等しい電流を出力して前記半導体チップ７に通電し、前記通電プローブ針１、２、３の全てが通電状態にある時前記第１電極７ａ、７ｂ、７ｃと前記第２電極１０との間のオン電圧を電圧計１１にて測定する。
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【課題】チャタリングの発生を防止でき、供試体に印加される電圧を収束させる逆方向特性を検査する検査装置を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ１，Ｑ２を有するカレントミラー回路１０と一端が供試体２の一端に接続され且つ他端がＱ２に接続された充電部Ｃ２とを有し電源１の電圧によりＣ２を充電して供試体に印加される電圧を緩やかに上昇させるソフトスタート回路と、Ｑ１に直列に接続され且つ供試体に所定の電圧を印加するために所定の電位を設定する電位設定部Ｒ２と、トランジスタＱ２と充電部Ｃ２との接続点の電位を制御することにより供試体の他端の電位を電位設定部Ｒ２の電位に収束させる電位収束部１１，Ｑ３とを備え、電圧計４は供試体の他端の電位が電位設定部の電位に収束したとき供試体の逆方向特性を検査する。 （もっと読む）