【課題】ＬＳＩ素子や、ＬＥＤ素子およびレーザ素子などの発光素子などの検査および処理対象のデバイスに対して検査するＥＳＤ耐性試験の結果や通常動作試験の結果、不良デバイスを正常な絶縁状態に回復させるリペア装置およびリペア方法を提供する。
【解決手段】高電圧電源２により充電される複数の高圧コンデンサ７からの各電荷ストレスを複数のデバイス６にそれぞれ一括して同時に印加する電圧印加手段および電流供給手段としての電圧印加および電流供給回路２０と、高電圧電源２から電流を電圧印加および電流供給回路２０により電荷ストレス印加後の複数のデバイス６に供給した状態で、当該複数のデバイス６がリーク欠陥デバイスであるかどうかを自動判定する判定手段とを有し不良と判定された場合、規定回数に達するまで、ＥＳＤ耐性試験のフローを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域でダイオードの電流コラプス特性を評価することができるダイオード装置およびダイオード装置の評価方法を提供する。
【解決手段】ダイオード装置１００において、第１の回路と、第１の回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７を有する測定回路と、第１の回路および測定回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７のカソード側の電位を所定の電位にクランプするクランプ回路１１１と、第１の回路、測定回路およびクランプ回路と並列に接続された第２の回路とを備え、被測定ダイオード１０７のカソード電位は、被測定ダイオード１０７のカソード電位が所定値未満の場合に、クランプ回路１１１の出力端子の電位にクランプされる。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの静特性及び動特性（スイッチング特性）をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台１２と、載置台１２の上方に配置されたプローブカード１３と、少なくとも載置台１２の上面に形成された導体膜と半導体ウエハＷの裏面に形成された導体層とが導通する状態で半導体ウエハＷにプローブ１３Ａを電気的に接触させてパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するテスタ１５と、を備え、プローブカード１３の外周縁部に導通ピン１４を設け、パワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定時に、導通ピン１４を介して載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）とテスタ１５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】直流電源装置の逆流防止用素子の検査を容易に行うこと。
【解決手段】容量素子ＣＤと抵抗素子ＲＤと整流素子Ｄとを並列接続した等価回路として表され、正弦波電圧に対する容量素子ＣＤによる虚数分電流と抵抗素子ＲＤによる実数分電流とが電流ベクトルの位相差をもって検出されるダイオード等の電流逆流防止用素子を複数並列接続した直流電源装置の逆流防止用素子オープンモード故障及びショートモード故障を検査するものであって、所定値の直流電圧と断続した正弦波交流電圧を重畳させた検査電流を電源装置１７の正負端子に供給し、検査電流の抵抗素子による実数分電流を除去することにより、電源装置１７の物理的インタフェースを変更することなく、並列接続された逆流防止用素子の故障を容易に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】地球環境への負荷を低減し、かつ、試験装置や試験のための設備を複雑にすることなく、高電圧試験を実現する。
【解決手段】この試験装置１は、圧力容器１０と、圧力容器１０の内部空間１３に配置され、被試験体１２が載置される載置台３０と、圧力容器１０の内部空間１３に配置され、載置台３０に載置された被試験体１２に試験電圧を供給する試験電極２６，２７と、圧力容器１０の内部空間１３の気圧を上昇させる加圧手段と、を有し、加圧手段により圧力容器１０の内部空間１３の気圧を上昇させた状態で、載置台３０に載置された被試験体１２に試験電極２６，２７から試験電圧を供給して、被試験体１２の試験を行う。 （もっと読む）

【課題】小容量チップを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】複数のＳｉＣ半導体チップを実装基板上に実装し（Ｓ１）、実装基板上のＳｉＣ半導体チップに電圧を印加する（Ｓ２）。電圧を印加した状態で、サーモグラフィ、赤外線顕微鏡等の熱映像装置を用いて実装基板表面の温度分布画像を取得し（Ｓ３）、画像解析を行うことによって不良チップの有無を判定する（Ｓ５）。実装基板に不良チップが含まれる場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、当該不良チップの配線を切断することにより、不良チップを排除する（Ｓ７）。 （もっと読む）

【課題】テスト対象のパワーデバイスの電極の損傷を抑制できかつメインテナンスが容易な、パワーデバイスのテスト装置を提供する。
【解決手段】プローブ２０は、複数のピン２４が取り付けられた取付部２２を有している。ピン２４は、細いワイヤ状のものである。複数のピン２４は、取付部２２を介して、プローブ２０の先端にいわば枝分かれ状の端子を形成している。ピン２４は、パワーデバイスの電極に自身の延出方向へ向かって先端が押付けられたときに、自身がしなる程度の可撓性を有している。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードに一定の電流を流したときに生じる電圧と、ダイオードの温度とが線型近似できない場合でも、高精度に熱抵抗を測定することができる測定方法を提供する。
【解決手段】 ダイオードの温度が異なる複数の温度条件で、ダイオードに与えられる電流及び電圧の一方を第１の物理量として固定して供給し、他方を第２の物理量として測定し、温度と第２の物理量との関係を曲線で近似した近似式を求める。ダイオードの温度を、熱抵抗算出の基準温度に設定する。ダイオードをパッケージに搭載した状態で、ダイオードに第１の物理量を与えて第２の物理量を測定し、近似式を適用してダイオードの温度を算出する。ダイオードに電力を投入して温度上昇を生じさせる。電力を投入した後、ダイオードに第１の物理量を与えて第２の物理量を測定し、近似式を適用してダイオードの温度を算出する。電力投入前の温度、電力投入後の温度、及び投入した電力に基づいて、熱抵抗を算出する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の誤実装を回避し、生産性を高める。
【解決手段】ヘッド１０６の各吸着ノズルに搭載する電子部品Ｃの順番とその電気的特性とが含まれた実装データを記憶する記憶部１２７と、移動機構の移送エリア内に、電子部品の二つの電極を電気的に接続可能な一対のプローブ２１，２２が各吸着ノズルに対応する配置で複数設けられた接触部２０と、各対をなすプローブに接続された電子部品の電気的特性を計測する計測装置３０とを備え、動作制御手段１２０は、計測装置による計測結果を搭載データと照合して電気的特性の整合性を判定すると共に整合しない場合に報知処理を行うと共に、プローブの各対を間隔ピッチを各吸着ノズルの中心間距離に一致させて一列に配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電流試験の測定時間を短縮することができる半導体試験装置及び半導体試験方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体試験装置１は、電流検出回路１１と、電流引込回路１２と、判定装置１３を備えている。電流引込回路１２は、半導体素子１０に接続され、所定の電圧が印加された半導体素子１０に流れた測定電流から、当該測定電流から分岐される分岐電流を引き込む。電流検出回路１１は、半導体素子１０に接続され、半導体素子１０に流れた測定電流から電流引込回路１２に流れた分岐電流を減じた検出電流を検出する。判定装置１３は、検出電流に基づいて、半導体素子１０の良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】被試験対象の特性に応じたサージ試験を行うサージ試験装置を提供する。
【解決手段】サージ試験装置１００は、印加波形を発生する印加波形発生器１１から入力される入力信号に応じて被試験対象のサージ試験を行う。
サージ試験装置１００は、被試験対象２に印加するサージ電力を、被試験対象２に印加されたサージ電流の値及び入力信号に基づいて制御する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の熱抵抗試験、サージ試験、スイッチング特性試験、連続動作試験について統合して、これらを同一試験装置で行う。
【解決手段】電源部１は、負荷部２を介してＤＵＴ（被試験デバイス）３が接続されたＤＵＴ接続部４に電源供給するものである。負荷部２には、誘導負荷、抵抗負荷、容量負荷、あるいは整流部品等の受動負荷や、トランジスタ等のスイッチングデバイス（能動負荷）が用いられ、それぞれＤＵＴ３に対して必要な責務を付与している。ＤＵＴ接続部４には、ＤＵＴ制御・駆動部６とＤＵＴ特性測定部７が接続されている。ＤＵＴ制御・駆動部６は、ＤＵＴ３に所定の電圧信号、電流信号、あるいは周波数信号を供給して、それを駆動するものであり、ＤＵＴ特性測定部７では、ＤＵＴ３に流れる電流値、あるいは電圧値によってその電気的特性および熱的特性を測定している。 （もっと読む）

【課題】短時間で精度のよいプローブ検査を実施できる技術を提供する。
【解決手段】一括してプローブ検査が行われるチップ領域群において、実際にプローブ針の接触により特性が測定されるチップ領域１ＣＪは、１つのチップ領域おきに離間して配置し、プローブ針が接触しないチップ領域１ＣＨの特性については、そのチップ領域１ＣＨに最も近いチップ領域１ＣＪの実測値を基に補間計算を行うことで特性を求める。たとえば、実測値が計測されたチップ領域１ＣＪの対角線上にチップ領域１ＣＨが存在する場合には、そのチップ領域１ＣＨに最も近い補間領域ＨＫ４内の４つのチップ領域１ＣＪの実測値を基に補間計算を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の不良箇所解析方法としては、発熱解析法、ホット・エレクトロン発光解析法、液晶法、ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ法などがあるが、金属層下方の不良箇所を発熱により特定する方法としては液晶法が知られているが、精度が低いため不良解析に有効活用できていない。
【解決手段】脈流状態の波形の電圧を印加しながら、半導体素子を動作させ、半導体素子を流れる電流によって生じた発熱を発熱解析装置により検出し、発熱後の半導体素子の赤外線画像より、不良箇所を特定する。脈流状態の波形の電圧であるので、間欠的に発熱させることができ、発熱の特異箇所をピンポイントで特定することができる。 （もっと読む）

【課題】 電磁弁を駆動するソレノイド制御回路を保護する電流誘導回路の異常を検出可能な制御装置を提供する。
【解決手段】 インダクタンスを有するソレノイド３を制御するＥＣＵ３０であって、ソレノイド方向に電流を流すことによりソレノイドを駆動し、ソレノイド方向に電流を流さないことによりソレノイド３を停止するＩＰＤ（ソレノイド制御回路）２と、ソレノイド３とＩＰＤ２との間に設けられ、ＩＰＤ２がソレノイド３を駆動してから停止する際に、ソレノイド方向へ電流を誘導するクランプ回路（電流誘導回路）６と、クランプ回路６付近に発生する負電圧を正電圧に変換する変換回路１１と、ＩＰＤ２によりソレノイド３を駆動させてから停止させる際に、変換回路１１により変換された正電圧の値が所定値以上の場合に、クランプ回路６が異常であると判定するマイコン３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に設けられた複数の半導体素子のそれぞれについてリーク電流の発生の有無を判定することが可能であるとともにリーク電流の発生箇所を特定することが可能なリーク電流検査装置およびリーク電流検査方法を提供する。
【解決手段】インバータ１の第一入力端子４１と第二入力端子４２との間に所定のバイアス電圧Ｖ_０を印加し、かつインバータ１の第一アーム１０・第二アーム２０・第三アーム３０のいずれか一つに対応する出力端子と第一入力端子４１・第二入力端子４２のいずれか一方との間に所定の測定電圧Ｖ_１を印加した状態で、当該出力端子の電流値を検出する。 （もっと読む）

【課題】効率的で浮遊容量の影響を軽減させたプロービング方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に形成され、互いに１個以上の同じ数だけ離れた複数の半導体素子に対して同時に電気的接触する複数組のプローブ針を有するマルチプローブカードを用いる。上記ウェハをマルチプローブカードに対して第１工程では、上記半導体素子１個分ずつ移動させて一定のエリアの複数の半導体素子の測定を順次に行う。第２工程では、上記一定のエリアの半導体素子の測定終了後に上記測定済の一定のエリア分だけ上記ウェハを移動させる。上記第１工程と第２工程とを交互に繰り返して上記ウェハ上に形成された半導体素子の測定を行う。 （もっと読む）

【課題】被測定デバイスに正確なバイアスの印加が行われたかを検出可能にして試験の精度を向上することを目的とする。
【解決手段】電子部品1に印加するバイアスを出力するバイアス電源31と、バイアスが印加された電子部品の出力する信号を検出する検出器14と、検出器の出力するアナログ検出信号をデジタル検出信号に変換するアナログ／デジタル変換器15と、を備え、電子部品の電気特性を検査する半導体試験装置であって、バイアス電源の出力するバイアスを検出するモニタ回路33と、モニタ回路の出力するバイアスアナログ検出信号をデジタル検出信号に変換するバイアス電源用アナログ／デジタル変換器34と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子や電極の微小欠陥を基板組付け工程の前の段階で検出可能な半導体素子およびその半導体素子の検査方法を提供すること。
【解決手段】ダイオード素子１００の単位セル１０は，Ｐ型半導体領域１と，Ｎ型半導体領域２と，アノード電極１１と，カソード電極２１とを備えている。また，アノード電極１１の表面は，ワイヤボンディングあるいははんだ付けに供するアノード電極用パッド１５となる。また，アノード電極１１には，絶縁膜３に被覆された破壊検出電極３１が内蔵されている。絶縁破壊電極３１は，アノード電極用パッド１５のパッド面の下方に位置している。そして，微小欠陥の検査では，アノード電極１１と破壊検出電極３１との間に検査バイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】ダイオード製品の正確な微少電流を測定することのできる技術を提供する。
【解決手段】１つのセラミックホルダを２分割した２つのセラミックホルダ２を備え、それぞれのセラミックホルダ２ａ、２ｂに１つの接点端子１を貫通させるガイド穴３が形成された測定ユニットを用いて、ダイオード製品の片側表面に露出した第１電極及び第２電極にそれぞれ接点端子１を接触させてダイオード製品の電気的特性を測定する検査工程であって、接点端子１を下降させた状態で、ダイオード製品を所定の測定場所に設置した後、２つの接点端子１を上昇させて第１電極及び第２電極にそれぞれ接触させてダイオード製品の電気的特性を測定し、その後、接点端子１を下降させる。 （もっと読む）