【課題】 熱抵抗測定の際の半導体の温度ができるだけ均一となるような発熱手段を用いる半導体の熱抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置における熱抵抗の測定方法は、複数の回路ブロックを有し、該回路ブロックは複数のｐｎ接合の並列する構造が存在している半導体装置にて、該半導体装置の温度を変化させるとともに、前記複数のｐｎ接合のうち、所定の第１のｐｎ接合に発熱に影響しない順方向の微小な電流を流して発生する発生電圧を測定し、該発生電圧から半導体装置の熱抵抗を算出する、半導体装置における熱抵抗の測定方法において、前記半導体装置の温度を変化させる方法は、前記複数のｐｎ接合のうち、前記第１のｐｎ接合以外の第２のｐｎ接合が降伏状態になるように電流を流して発熱させる方法であることを特徴とする。そのため、半導体装置の熱抵抗を精度よく測定できる。 （もっと読む）

【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源１と、電流計２と、電圧計３と、電流制御部４と、電圧読出部５と、判定部６とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してＰＮ接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】逆バイアス安全動作領域を正確に測定することができる逆バイアス安全動作領域測定装置を得る。
【解決手段】逆バイアス安全動作領域測定装置１は、被測定ＩＧＢＴ２の逆バイアス安全動作領域を測定するための装置である。逆バイアス安全動作領域測定装置１は、パワーＭＯＳＦＥＴ７と、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーＭＯＳＦＥＴ７のゲートに印加する制御電圧生成回路８とを備える。被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を超えると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＮして、コレクタ電圧が下がる。一方、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を下回ると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＦＦして、コレクタ電圧が上がる。 （もっと読む）

【課題】検査対象の複数個のデバイスに対して一括して、規格に適合した電流波形（または電圧波形）で明確かつ正確に高電圧印加試験を行うことにより、高電圧検査を大幅に効率よく行う。
【解決手段】ＥＳＤ試験装置１は、所定の高電圧を出力する高電圧電源２と、高電圧電源２からの所定の高電圧を蓄積する高電圧容量手段としての高圧コンデンサ４と、高圧コンデンサ４からの所定の高電圧を印加抵抗５を通して出力する高電圧出力部と、この高電圧電源２からの所定の高電圧を高圧コンデンサ４側に接続するかまたは高圧コンデンサ４からの所定の高電圧を高電圧出力部側に接続するように切り替える切替手段としての高耐圧リレー３とを有し、同一回路構成として、高圧コンデンサ４から高耐圧リレー３さらに印加抵抗５を通して高電圧出力部に至る回路を独立に、一括印加処理すべき複数の検査対象デバイス６の個数分だけ並列に有している。 （もっと読む）

【課題】低い耐圧特性、及び大きな電流が流れる被検査半導体装置を、破壊することなく実際の使用環境と略一致の条件にて耐圧検査する。
【解決手段】
被検査半導体装置に電圧を印加するための電源を二つ設ける。片方の電源は、被検査半導体装置の破壊電圧以下の電圧を常に印加する。もう片方の電源は、所望の検査条件の電流を流すために必要な電圧を、被検査半導体装置の制御信号と同期させて印加する。この結果、被検査半導体装置には実際の使用環境と同様に、常に一定のストレスが印加された状態となり、実用的な耐圧検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイのソース・ドレイン間のWeak-SD欠陥と呼ばれる抵抗を介して導通状態にある欠陥を、保持時間を長くすることなく短時間で検出する。
【解決手段】ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。特性パラメータの設定において電圧値および／又は印加時期を設定することによってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させ、増加させたリーク電流によってＴＦＴの内部欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】ダイオードへの逆方向電圧の印加後順方向電圧を印加した直後の早い時間領域でダイオードの電流コラプス特性を評価することができるダイオード装置およびダイオード装置の評価方法を提供する。
【解決手段】ダイオード装置１００において、第１の回路と、第１の回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７を有する測定回路と、第１の回路および測定回路と並列に接続され被測定ダイオード１０７のカソード側の電位を所定の電位にクランプするクランプ回路１１１と、第１の回路、測定回路およびクランプ回路と並列に接続された第２の回路とを備え、被測定ダイオード１０７のカソード電位は、被測定ダイオード１０７のカソード電位が所定値未満の場合に、クランプ回路１１１の出力端子の電位にクランプされる。 （もっと読む）

【課題】逆接続時における過電圧の印加による破壊を回避しつつ、一定の順方向電流を発光ダイオードに供給して順方向電圧を測定する。
【解決手段】定電流出力部４は、発光ダイオード１１の最大逆方向電圧のうちの最小電圧未満で、かつ最小順方向電圧のうちの最大電圧を超える電圧に規定された第１電圧Ｖ１、および発光ダイオード１１の順方向電圧のうちの最大電圧を超える電圧に規定された第２電圧Ｖ２のうちから選択される一方の電圧を最大出力電圧に設定可能に構成され、処理部５は、定電流出力部４に対して第１電圧Ｖ１を最大出力電圧として測定用定電流Ｉ１を出力させた状態で測定処理を実行して端子電圧Ｖ３を測定して、端子電圧Ｖ３が第１電圧Ｖ１と一致しているか否かを判別し、一致と判別したときには、定電流出力部４に第２電圧Ｖ２を出力させることなく、発光ダイオード１１が逆接続状態で接続されている旨を出力部６に出力する。 （もっと読む）

【課題】直流電源装置の逆流防止用素子の検査を容易に行うこと。
【解決手段】容量素子ＣＤと抵抗素子ＲＤと整流素子Ｄとを並列接続した等価回路として表され、正弦波電圧に対する容量素子ＣＤによる虚数分電流と抵抗素子ＲＤによる実数分電流とが電流ベクトルの位相差をもって検出されるダイオード等の電流逆流防止用素子を複数並列接続した直流電源装置の逆流防止用素子オープンモード故障及びショートモード故障を検査するものであって、所定値の直流電圧と断続した正弦波交流電圧を重畳させた検査電流を電源装置１７の正負端子に供給し、検査電流の抵抗素子による実数分電流を除去することにより、電源装置１７の物理的インタフェースを変更することなく、並列接続された逆流防止用素子の故障を容易に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】１台のハンドリング装置により１回で検査することができ、且つ再現性のある高精度な検査を行うことが可能な半導体装置の検査方法及び検査装置を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体装置が所定温度となるまで前記半導体装置を加熱する第一の工程と、前記半導体装置の前記過熱保護機能以外の機能の検査を行う第二の工程と、前記半導体装置を自己発熱させ、前記半導体装置の過熱保護機能が作動したときに前記半導体装置の有するダイオードの順方向電圧を検出し、前記順方向電圧を用いて前記半導体装置の温度を算出する第三の工程と、前記第二の工程において算出された前記半導体装置の温度が前記過熱保護作動温度範囲にあるか否かを判定する第四の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実使用環境下により近い状態で発光装置の信頼性を検査し、より確実に不具合品を早く検出し易くする試験装置および試験方法を提供する。
【解決手段】試験装置１は、恒温恒湿槽１０内に設置された発光装置７０外の雰囲気の温度及び湿度を制御する第１の制御手段（制御部４０）と、この雰囲気に晒された発光装置７０を断続的な通電により発熱させるために、発光装置７０に通電させる電流の電流値及び時間を制御する第２の制御手段（制御部２０）と、を備えている。そして、試験装置１を用いて、恒温恒湿槽１０内に設置された発光装置７０の雰囲気の温度及び湿度を制御しながら、発光装置７０を断続的な通電により発熱させるために、発光装置７０に通電させる電流の電流値及び時間を制御しながら、発光装置７０の加速寿命試験を行う。 （もっと読む）

【課題】被測定素子の逆バイアス安全動作領域を、被測定素子または測定回路の構成要素の破壊を伴うことなく安定に測定する。
【解決手段】被測定素子（１）のコレクタ−エミッタ間に逆方向にダイオード（８）を接続する。このダイオード（８）は、被測定素子の耐圧よりも大きな耐圧を有する。この被測定素子のコレクタ電圧は、クランプ回路（１０）によりクランプされる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の熱抵抗試験、サージ試験、スイッチング特性試験、連続動作試験について統合して、これらを同一試験装置で行う。
【解決手段】電源部１は、負荷部２を介してＤＵＴ（被試験デバイス）３が接続されたＤＵＴ接続部４に電源供給するものである。負荷部２には、誘導負荷、抵抗負荷、容量負荷、あるいは整流部品等の受動負荷や、トランジスタ等のスイッチングデバイス（能動負荷）が用いられ、それぞれＤＵＴ３に対して必要な責務を付与している。ＤＵＴ接続部４には、ＤＵＴ制御・駆動部６とＤＵＴ特性測定部７が接続されている。ＤＵＴ制御・駆動部６は、ＤＵＴ３に所定の電圧信号、電流信号、あるいは周波数信号を供給して、それを駆動するものであり、ＤＵＴ特性測定部７では、ＤＵＴ３に流れる電流値、あるいは電圧値によってその電気的特性および熱的特性を測定している。 （もっと読む）

【課題】短時間で精度のよいプローブ検査を実施できる技術を提供する。
【解決手段】一括してプローブ検査が行われるチップ領域群において、実際にプローブ針の接触により特性が測定されるチップ領域１ＣＪは、１つのチップ領域おきに離間して配置し、プローブ針が接触しないチップ領域１ＣＨの特性については、そのチップ領域１ＣＨに最も近いチップ領域１ＣＪの実測値を基に補間計算を行うことで特性を求める。たとえば、実測値が計測されたチップ領域１ＣＪの対角線上にチップ領域１ＣＨが存在する場合には、そのチップ領域１ＣＨに最も近い補間領域ＨＫ４内の４つのチップ領域１ＣＪの実測値を基に補間計算を行う。 （もっと読む）

【課題】３端子光センサのヒステリシス特性を容易に測定できるヒステリシス特性検査方法を提供する。
【解決手段】このヒステリシス特性検査方法では、まず、図５に示すように、３端子光センサの発光素子１０２と、受光回路１０８の受光素子１０１との間に、グラデーション減光フィルタ１１を配置する。減光フィルタ１１が発光素子１０２から受光素子１０１へ入射する入射光量を減少させるから、減光フィルタが存在しない場合に比べて、出力電圧ＶｏがＬレベルからＨレベルへ変わるときの供給電圧Ｖccを大きくできる。したがって、供給電圧Ｖccにより定電圧回路１０６が駆動される３端子光センサにおいてオフ時供給電流Ｉcc(off)を測定する前に定電圧回路１０６が動作しなくなることを回避できる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に電流を印加して絶縁破壊を評価する方法において、電流の向きが順方向と逆方向の測定を短時間で実施する方法を提供する。
【解決手段】 ２組のＭＯＳダイオードにおいて、一つのＭＯＳダイオードの電極と他のＭＯＳダイオードの基板とをそれぞれ短絡させ、電流を印加する回路を作ることにより、それぞれの絶縁膜に流れる電流の向きが逆となり、順逆両方向の印加ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】最終製品での電気特性検査において半導体装置の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置の品質評価方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置（安定化電源用ＩＣ）の品質評価方法は、ｎ型エピタキシャル層１３およびアノードショットキー電極層２７からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、アノードショットキー電極層２７と同時に形成され、半導体層（ｎ⁺型エミッタ拡散層１７、ｐ⁺型ベース拡散層１５ｂ、ｎ⁺型コレクタ補償拡散層１８およびｐ⁺型ベース拡散層１９ａ〜１９ｄ）にそれぞれオーミック接触されるオーミック電極層（エミッタオーミック電極層２３、ベースオーミック電極層２４、コレクタオーミック電極層２５および抵抗オーミック電極層２６ａ〜２６ｄ）の品質を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ダイオード製品の正確な微少電流を測定することのできる技術を提供する。
【解決手段】１つのセラミックホルダを２分割した２つのセラミックホルダ２を備え、それぞれのセラミックホルダ２ａ、２ｂに１つの接点端子１を貫通させるガイド穴３が形成された測定ユニットを用いて、ダイオード製品の片側表面に露出した第１電極及び第２電極にそれぞれ接点端子１を接触させてダイオード製品の電気的特性を測定する検査工程であって、接点端子１を下降させた状態で、ダイオード製品を所定の測定場所に設置した後、２つの接点端子１を上昇させて第１電極及び第２電極にそれぞれ接触させてダイオード製品の電気的特性を測定し、その後、接点端子１を下降させる。 （もっと読む）

【課題】簡単に精度よく半導体装置の半田接合部に生じるボイドを検査可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の電流電圧特性のうち、半田のボイドに起因して生じる部分的な温度上昇による電圧低下を示す領域の電圧を測定するための測定電流Ｉｍ（Ｉｍ１）と、その領域以外の電圧領域にある電圧を測定する測定電流Ｉｍ（Ｉｍ２）を設定して、Ｉｍ１の測定電流Ｉｍ及びＩｍ２の測定電流Ｉｍにより発熱前後で電圧測定を行い、電圧測定結果をもとに、Ｉｍ１の測定電流Ｉｍを用いた場合の発熱前後の電圧変化分ΔＶＦ２１及びＩｍ２の測定電流Ｉｍを用いた場合の発熱前後の電圧変化分ΔＶＦ２２を算出し、電圧変化分ΔＶＦ２２を基準とした電圧変化分ΔＶＦ２１の大きさにより、ボイドの大きさを評価する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体レーザ素子のそれぞれの試験時の温度を均一に保持し且つ試験時間を短くすることができる集積型半導体レーザ装置のバーンイン方法を提供すること。
【解決手段】複数の半導体レーザのうち１つおきに配置される半導体レーザの第１グループを所定の温度下で同時に駆動するとともに複数の半導体レーザのうち残りの第２グループを非駆動とする第１の駆動ステップと、複数の半導体レーザのうち第２グループを所定の温度下で同時に駆動するとともに第１グループを非駆動とする第２の駆動ステップと、複数の半導体レーザの特性を測定する測定ステップと、特性の測定結果に基づいて合否を判定する合否判定ステップとを有する。 （もっと読む）