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Fターム[2G003AB18]の内容

個々の半導体装置の試験 (15,871) | 測定項目 (910) | オープン、ショート検出(断線、短絡検出) (103)

Fターム[2G003AB18]に分類される特許

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【課題】太陽電池の欠陥検出の精度を改善する。
【解決手段】本発明の実施形態の欠陥検出装置は、検査対象である太陽電池セル9を保持する保持部10と、複数の点光源3を備える面光源4と、駆動制御信号を生成するピッチ制御部(5,7)と、駆動制御信号に基づいて、面光源4を移動させる移動機構(6,8)と、面光源4の発光パターンを制御する発光制御信号を生成する光源制御部13と、面光源4が発光した光に応じて太陽電池セル9に発生した電流の電流値を計測し、電流値を示す計測情報を生成する計測部11と、を備える。ピッチ制御部(5,7)は、複数の点光源3の間隔より小さいピッチで面光源4が移動するように、駆動制御信号を生成する。計測部11は、太陽電池セル9に対する面光源4の位置毎に、複数の計測情報を生成する。 (もっと読む)


【課題】精度の高い検査に対応することができる測定用保持具及び測定装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも1軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で、かつ小型で精密な電気特性検査が可能なパワー半導体測定用コンタクトプローブを提供する。
【解決手段】パワー半導体測定用コンタクトプローブ1は、円筒状のスリーブ2と、スリーブ2内を摺動自在に嵌合するプランジャーコンタクト3と、プランジャーコンタクト3をパワー半導体の外部接続用端子へ向けて付勢するコイルスプリング4とを備え、プランジャーコンタクト4のコンタクト側を可動軸受け5に圧入して固定し、非コンタクト側を固定軸受け6に摺動自在に挿通し、可動軸受け5と、固定軸受け6とで、スリーブ2内にプランジャーコンタクト3を摺動自在とし、可動軸受け5と、固定軸受け6との間にコイルスプリング4をプランジャーコンタクト3に装着して配置し、コイルスプリング4を、スリーブ2、プランジャーコンタクト3、可動軸受け5、固定軸受け6に対して電気的に絶縁した。 (もっと読む)


【課題】太陽電池パネルが備えるバイパスダイオードについて容易に診断することができる太陽光発電システムを提供する。
【解決手段】太陽光発電システム1は、バイパスダイオードを有し、太陽光を受けて発電する太陽電池ストリング3a,3bと、太陽電池ストリング3a,3bに診断電圧を印加することによって、発電時と同じ方向の電流を流す診断用電源12a,12bと、太陽電池ストリング3a,3bに診断電圧を印加するか否かを切り替えるスイッチ部14a,14bと、太陽電池ストリングに流れる電流を測定する電流検出部15a,15bとを備える。太陽光発電システム1はさらに、診断電圧が印加された場合に電流検出部15a,15bによって測定される電流の大きさと予め定められた診断閾値とを比較し、比較の結果に基づいてバイパスダイオードに不具合があるか否かを判断する制御部17を備える。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体素子が積層された半導体装置を、非破壊で適正に検査する。
【解決手段】半導体装置100Aは、積層された半導体素子111〜113を含む。各半導体素子111〜113は、対応して配設されたTSV129a〜129c、及び各TSV129a〜129c上に配設されたパッド125a〜125cを備える。半導体素子113側から見て、パッド125bはその上層のパッド125cからはみ出し、パッド125aはその上層のパッド125b,125cからはみ出す。各パッド125a〜125cに対する半導体素子113側からのエネルギービーム照射が可能になり、半導体装置100Aのエネルギービーム照射工程を含む検査が非破壊で実施可能になる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板上にはんだ接合により半導体素子6を実装した半導体装置2の検査装置1において、半導体素子6にON電圧を印加する電源供給部12と、半導体素子6にON電圧を印加したときに、半導体素子6に短絡電流を通電させる短絡回路15と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ半導体素子6に短絡電流を通電する制御手段11と、を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】長尺状のフレキシブル基材に透明導電膜が配されてなる透明導電性基板、および長尺状のフレキシブル基材上に光電変換体などが形成されてなる太陽電池の評価装置を提供する。
【解決手段】長尺状のフレキシブル基材111に、第一スクライブ線125によって所定のサイズごとに区画された、透明導電膜からなる第一電極113が、前もって形成されてなる透明導電性基板127の評価装置100であって、ロールツーロール法を用いて、フレキシブル基材111を搬送しつつ、隣接する第一電極113間に電圧を印加し、かつ第一電極113間を流れる電流の特性を求める第一手段として、電気的な接点として機能するロール形状のプローブ123を少なくとも一組備えている、ことを特徴とする透明導電性基板127の評価装置100。 (もっと読む)


【課題】太陽電池セルにおける一部の箇所の電気特性を簡易な構成で評価できる評価装置及び評価方法を得ること。
【解決手段】評価装置は、太陽電池セルの電気特性を評価するための評価装置であって、互いに絶縁されており、前記太陽電池セルにおける異なる接続箇所と電流計測回路とをそれぞれ接続する複数の第1の接続端子と、前記太陽電池セルと電圧計測回路とを接続する第2の接続端子と、前記太陽電池セルにおける接続箇所を切り替えるように、前記複数の第1の接続端子から少なくとも2つの第1の接続端子を選択し、前記少なくとも2つの第1の接続端子を介して前記電流計測回路を前記太陽電池セルに直列に接続させる切替機構とを備えている。 (もっと読む)


【課題】低い耐圧特性、及び大きな電流が流れる被検査半導体装置を、破壊することなく実際の使用環境と略一致の条件にて耐圧検査する。
【解決手段】
被検査半導体装置に電圧を印加するための電源を二つ設ける。片方の電源は、被検査半導体装置の破壊電圧以下の電圧を常に印加する。もう片方の電源は、所望の検査条件の電流を流すために必要な電圧を、被検査半導体装置の制御信号と同期させて印加する。この結果、被検査半導体装置には実際の使用環境と同様に、常に一定のストレスが印加された状態となり、実用的な耐圧検査が可能となる。 (もっと読む)


【課題】安全性が高いB/Iテスト工程を含んだ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】B/Iテスト工程の際に、B/Iテスト装置からB/IボードBIBDに供給する最大電流リミットIlmt(max)を被テストデバイスDUTの最大動作電流Icc(max)とBIBD上のDUTの搭載数Nとばらつきを加味した余裕度αに基づいて設定する。B/Iテスト装置は、BIBDに供給している電源電流値を監視し、この値が最大電流リミットIlmt(max)を超えた場合に、アラームの発生や当該電源供給の遮断等を行う。 (もっと読む)


【課題】時間的に連続した負荷を被試験体に印加して、被試験体の試験を行うことを可能とする、評価試験装置および評価試験方法を提供する。
【解決手段】評価試験装置は、複数の外付端子を有するデバイス(被試験体)の前記複数の外付端子それぞれに、試験負荷信号を印加する複数の第1のバッファアンプを備えている。また、前記複数の外付端子の負荷状態をそれぞれ測定して測定結果信号として出力する複数の第2のバッファアンプを備えている。さらに、前記複数の第1のバッファアンプから前記試験負荷信号を印加させながら、前記複数の第2のバッファアンプを順次駆動して前記測定結果信号を出力させるよう制御する制御手段を備えている。 (もっと読む)


【課題】 発光素子が実装される素子電極パターンと独立した検査用のダミー電極パターンを同一のパッケージ内に備えることで、前記発光素子に影響を及ぼすことなく、簡易に複数の電気的及び光学的な検査を実施することが可能なLEDパッケージを提供することである。
【解決手段】 基板12と、この基板12上に形成される素子電極パターン16a,16bと、この素子電極パターンと電気的に接続される発光素子15と、この発光素子15を封止する封止体23とを備えるLEDパッケージ11において、前記基板12上には、素子電極パターン16a,16bと電気的に独立して設けられる第1ダミー電極パターン17a,17b及び第2ダミー電極パターン18a,18bと、各ダミー電極パターン間に配線され、試験電流を流したときに断線する第1金属細線21及び第2金属細線22とを設けた。 (もっと読む)


【課題】検査用電極を備えるCMOS論理ICパッケージおよびその検査方法の提供。
【解決手段】パッケージ内の各接続用電極パッドに近接する位置に設けられた検査用電極とバッファゲートを備えるCMOS論理ICパッケージを提供し、プリント配線基板に実装されたCMOS論理ICパッケージの検査用電極に低電圧の検査信号を印加したときの電源電流を測定することによりパッケージ内の接続用電極パッドとプリント配線基板の電極ランド間の開放故障(断線故障および半断線故障を含む)を検査するCMOS論理ICパッケージの検査方法およびそのCMOS論理ICパッケージ。 (もっと読む)


【課題】被検査体を電気的接続装置に配置する作業を容易にすることにある。
【解決手段】
電気的接続装置は、板状部材と、該板状部材に配置された多数の端子とを含む。前記多数の端子は、同一面内に位置する上端面を備え、前記電気的接続装置に被検査体が配置されると、前記端子のうち少なくとも2つの端子を含む一組の端子が、それぞれ、複数の電極を備える被検査体の各電極に接触する。この接触した前記端子が特定され、特定された前記端子を介して被検査体とテスタとの間で電気信号が送受信される。これにより、被検査体の電気的試験が可能となる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で任意の被試験デバイスを試験対象から除外する。
【解決手段】複数の被試験デバイスが装着されたバーンインボードが挿入され、前記複数の被試験デバイスにバーンイン試験を行うバーンイン装置は、前記複数の被試験デバイスの中から機能試験が行われる被試験デバイスを選択するデバイスセレクト信号を、前記バーンインボードに出力するデバイスセレクト信号出力回路と、前記機能試験が行われる被試験デバイスに供給される試験パターンデータを、前記バーンインボードに出力する試験パターン出力回路と、を備えて構成されている。前記デバイスセレクト信号出力回路は、マスク設定データを格納しているマスク設定メモリを有し、前記マスク設定データで特定された被試験デバイスが、前記機能試験が行われる被試験デバイスとして選択されないように、前記デバイスセレクト信号をマスクする。 (もっと読む)


【課題】TSVを備える半導体デバイスを試験可能な試験装置、試験方法を提供する。
【解決手段】DUT1は、第1半導体チップ10および第2半導体チップ12を有する3次元実装パッケージ構造を有する。コントローラ34は、検査対象のTSV14を順に切りかえながら、検査対象のTSV14に接続される第1出力バッファBUF1に第1レベルの電圧を出力させるとともに、そのTSV14に接続される第2出力バッファBUF2に、第1レベルと異なる第2レベルの電圧を出力させる。電源装置30は、電源端子P1に電源電圧VDDを供給する。電流測定部32は、電源端子P1に流れる電流IDDを測定する。判定部36は、TSV14ごとに電流測定部32により測定された電流IDDにもとづき、TSV14ごとの不良を判定する。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤの断線や剥離が生じた発光ダイオードを発見することができる搬送検査装置、テーピング装置、および搬送検査方法を提供する。
【解決手段】 発光ダイオードを搬送する搬送部200と、該搬送部200によって搬送されてきた発光ダイオードを検査する検査部300とを備えるテーピング装置1000において、搬送部200には、搬送中の発光ダイオードの封止樹脂材12を外部より加熱膨張させる電熱ヒータ222を設け、検査部300には、発光ダイオードに順方向の電流を一定時間印加することで、該発光ダイオードの自己発熱と電熱ヒータ222による外部加熱との相乗効果により、該発光ダイオードのジャンクション温度を瞬時に上昇させる機能を有する電流電圧印加部320を設ける。 (もっと読む)


【課題】はんだボールのピッチや形状は同じであるが、ピンアサインの異なる多品種のLSIに対し、容易にTDR検査を実施することを可能にする。
【解決手段】本願に関わる検査装置は、TDR信号を発生するTDR装置と、TDR装置で発生したTDR信号の接続先を選定する分岐路が形成されている信号分岐基板と、第1の太さを有する第1のプローブと、第1の太さよりも細い第2の太さを有する第2のプローブと、第1の太さに対応する貫通穴がグリッド状に複数個開口しているプローブソケットと、第2の太さに対応する係止穴がグリッド状に複数個開口していて信号分岐基板で接続先を分岐されたTDR信号が入力する係止ソケット基板とを備えている。係止ソケット基板は表層にGND配線が形成され、係止穴の側面部分に形成された電極と信号分岐基板の分岐路は対応つけて繋がっている。 (もっと読む)


【課題】直流電源装置の逆流防止用素子の検査を容易に行うこと。
【解決手段】容量素子CDと抵抗素子RDと整流素子Dとを並列接続した等価回路として表され、正弦波電圧に対する容量素子CDによる虚数分電流と抵抗素子RDによる実数分電流とが電流ベクトルの位相差をもって検出されるダイオード等の電流逆流防止用素子を複数並列接続した直流電源装置の逆流防止用素子オープンモード故障及びショートモード故障を検査するものであって、所定値の直流電圧と断続した正弦波交流電圧を重畳させた検査電流を電源装置17の正負端子に供給し、検査電流の抵抗素子による実数分電流を除去することにより、電源装置17の物理的インタフェースを変更することなく、並列接続された逆流防止用素子の故障を容易に検査することができる。 (もっと読む)


【課題】チップ間の接続を検査可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第1電源ラインLVDD1と第2電源ラインLVDD2には、独立に電源電圧を供給可能となっている。バッファBUF1は、第1パッドP1ごとに設けられ、それぞれの出力端子が対応する第1パッドP1に接続され、信号を出力するイネーブル状態と、出力がハイインピーダンスとなるディスイネーブル状態が切りかえ可能となっている。試験時には、検査対象のワイヤと接続される第1パッドP1および第2パッドP2がハイインピーダンスとされ、第1電源ラインLVDD1に電源電圧VDD1を、第2電源ラインLVDD2に接地電圧が供給される。テスト用パッドPTESTに対して試験電流ITESTが供給され、テスト用パッドPTESTの電圧が測定される。 (もっと読む)


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