測定用保持具及び測定装置
【課題】精度の高い検査に対応することができる測定用保持具及び測定装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。
【解決手段】実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、測定用保持具及び測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップを封止する樹脂製のパッケージと、を有する。パッケージの外側には、半導体チップと導通する電極が設けられている。ＢＧＡ（Ball grid array）型の半導体装置では、パッケージの下面に複数のボール型電極が行列状に設けられている。
【０００３】
このような測定用保持具においては、より精度の高い検査を行う場合にも対応できることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６５９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、精度の高い検査可能な測定用保持具及び測定装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。
測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、第１の実施形態に係る測定用保持具の構成を例示する模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、被測定物の一例を表す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、パッケージ内部の一部を例示する模式的平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、半導体装置の保持方法を説明する模式的断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、他の探針部の例を示す模式図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、他の探針部の例を示す模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、第２の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
【図９】深さＤと位相差φ１との関係を示す図である。
【図１０】第３の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
【図１２】第４の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図１３】第５の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図１４】他の適用例について示す模式図である。
【図１５】（ａ）〜（ｂ）は、配線基板の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｂ）は、第１の実施形態に係る測定用保持具の構成を例示する模式図である。
図１（ａ）では、第１の実施形態に係る第１の実施形態に測定用保持具１１０の模式的斜視図を表し、図１（ｂ）では、第１の実施形態に係る測定用保持具１１０の模式的平面図を表している。
図２（ａ）〜（ｂ）は、被測定物の一例を表す模式図である。
図２（ａ）では、被測定物の一例である半導体装置の模式的斜視図を表している。図２（ｂ）では、半導体装置の側面を表している。
【００１０】
図１（ａ）及び（ｂ）に表したように、実施形態に係る測定用保持具１１０において保持する対象（被測定物）は、例えば半導体装置１００である。
図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、被測定物の一例である半導体装置１００は、上面１００ａ、下面１００ｂ及び側面１００ｃを含むパッケージ１００Ｐと、下面１００ｂに設けられた電極ＢＰと、側面１００ｃから露出し電極ＢＰと導通する導通部ＭＬと、を有する。
【００１１】
側面１００ｃから露出する導通部ＭＬは、例えばパッケージ１００Ｐに含まれるチップ（図示せず）のパッドに接続される。
図３（ａ）〜（ｂ）は、パッケージ内部の一部を例示する模式的平面図である。
図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部を拡大したものである。
図４（ａ）〜（ｂ）は、半導体装置の保持方法を説明する模式的断面図である。
図３（ａ）及び（ｂ）に表したように、パッケージ１００Ｐ内には、配線基板ＰＢが設けられている。配線基板ＰＢの上には半導体チップＣＰが実装され、半導体チップＣＰと配線基板ＰＢに設けられたパッドＰＤとはボンディングワイヤＢＷによって接続されている。
配線基板ＰＢの下面には、例えばボール状の電極ＢＰが設けられている。配線基板ＰＢの上に設けられたパッドＰＤと、配線基板ＰＢの下に設けられた電極ＢＰとは、導通部ＭＬを介して電気的に導通している。
【００１２】
導通部ＭＬには、例えば金（Ａｕ）のめっきが施される。導通部ＭＬの一部は、配線基板ＰＢの縁まで延びている。この配線基板ＰＢの縁まで延びる導通部ＭＬの一部は、めっきを施す際の導通を得るために設けられた部分である。
半導体チップＣＰを覆うようにパッケージ１００Ｐを設けた場合、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから、この導通部ＭＬの端面ＭＬａが露出することになる。電極ＢＰの個数は、端面ＭＬａの個数と導通である。複数の電極ＢＰのそれぞれは、端面ＭＬａのそれぞれと１対１に対応している。
【００１３】
実施形態に係る測定用保持具１１０は、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａを利用して半導体チップＣＰのパッドと外部との電気的な導通を得る。
【００１４】
図１（ａ）及び（ｂ）に表したように、測定用保持具１１０は、支持基板１０と、固定部２０と、探針部３０と、を備える。
支持基板１０は、被測定物の一例である半導体装置１００を載置するための部材である。半導体装置１００は、例えばパッケージ１００Ｐの下面１００ｂと支持基板１０の第１主面１０ａとが平行になるように配置される。
【００１５】
支持基板１０において、半導体装置１００を配置する位置には貫通孔１５が設けられていてもよい。貫通孔１５は、支持基板１０を貫通する孔である。貫通孔１５の開口の大きさは、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばパッケージ１００Ｐの外形サイズよりも小さく、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの電極ＢＰが設けられた領域よりもわずかに大きい。これにより、半導体装置１００を支持基板１０に配置すると、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの縁部分が第１主面１０ａに載り、電極ＢＰの設けられた領域が貫通孔１５の内側に配置される状態になる。
【００１６】
このように、貫通孔１５の位置に合わせて半導体装置１００を配置することによって、パッケージ１００Ｐの上面１００ａ側のみならず下面１００ｂ側も遮るものがない状態になる。
【００１７】
固定部２０は、支持基板１０に設けられる。固定部２０は、例えば支持基板１０の第１主面１０ａに沿って移動できる。
固定部２０の一例としては、間にパッケージ１００Ｐを挟持する一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂを有する。
固定部材２０Ａには切り欠き部２０１が設けられ、固定部材２０Ｂには切り欠き部２０２が設けられる。
一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂは、それぞれの切り欠き部２０１及び２０２によって半導体装置１００の位置決めを行う。
【００１８】
例えば、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂは、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂを結ぶ方向に移動可能に設けられている。一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの移動動作によって、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間隔が調整される。
【００１９】
半導体装置１００を支持基板１０の上に配置する際には、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間隔を拡げておき、半導体装置１００を配置したあとで一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間隔を狭くしていく。やがて、パッケージ１００Ｐの対角になる２つの隅部に切り欠き部２０１及び２０２が接触して、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間に半導体装置１００が挟持される。これにより、第１主面１０ａに沿った２軸方向の位置が決まった状態で半導体装置１００が固定される。
【００２０】
なお、固定部２０は一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂには限定されない。すなわち、固定部２０は、半導体装置１００を支持基板１０の所定位置に固定するものであればどのような形態であってもよい。例えば、固定部２０は、支持基板１０の第１主面１０ａに設けられた凹部であってもよい。凹部の大きさをパッケージ１００Ｐの外形サイズに合わせることで、パッケージ１００Ｐを凹部内に嵌め込み、半導体装置１００の位置を固定するようにしてもよい。
【００２１】
探針部３０は、支持基板１０に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられている。探針部３０は、支持基板１０に位置決めされた半導体装置１００のパッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する導通部ＭＬと接触する。例えば、１つの探針部３０の先端は、１つの導通部ＭＬの端面ＭＬａと接触する。
【００２２】
探針部３０は、例えば、支持基板１０に配置した半導体装置１００の側面１００ｃに近づく及び側面１００ｃから離れるように移動可能に設けられている。これにより、支持基板１０に半導体装置１００が位置決めされた状態で、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａに探針部３０を徐々に近づけて、探針部３０の先端を端面ＭＬａに接触させることができる。
【００２３】
支持基板１０には、例えば複数本の探針部３０が設けられている。複数本の探針部３０のうち１本を第１の探針部３０１、他の１本を第２の探針部３０２とする。
第１の探針部３０１と、第２の探針部３０２とは、例えば半導体装置１００を配置する位置を間にして対向して設けられる。このように対向して設けられていると、半導体装置１００を間にして第１の探針部３０１と第２の探針部３０２とで挟むようにそれぞれ端面ＭＬａと接触する。したがって、力のバランスよく半導体装置１００と探針部３０との接触が成されることになる。
【００２４】
探針部３０は、支持基板１０に設けられた駆動部３５によって移動可能に設けられていてもよい。駆動部３５は、歯車、カム、リンク等を用いた伝動機構によって探針部３０を駆動する手段を備えていても、モータや圧電素子等によって探針部３０を駆動する手段を備えていてもよい。
【００２５】
また、駆動部３５は、探針部３０を２軸以上可動する手段を備えていてもよい。例えば、駆動部３５は、探針部３０を第１主面１０ａに沿って互いに直交する２軸と、第１主面１０ａと直交する１軸と、の合計３軸に沿って可動できる手段を備えていてもよい。さらに、駆動部３５は、探針部３０を第１主面１０ａに沿って回転させたり、第１主面１０ａに対する角度を変化させたりする手段を備えていてもよい。また、駆動部３５は、探針部３０を円軌道に沿って可動できる手段を備えていてもよい。
探針部３０の移動は、上記の伝動機構を手動で動作させることで行われてもよい。
【００２６】
支持基板１０には、第１の配線Ｐ１及び第２の配線Ｐ２が設けられていてもよい。
第１の配線Ｐ１は、第１の探針部３０１または第２の探針部３０２と導通し、第１の電位Ｖ１が与えられる。第１の配線Ｐ１は第１の端子Ｔ１と導通しており、第１の端子Ｔ１を介して外部から第１の電位Ｖ１が与えられる。
第２の配線Ｐ２は、第２の探針部３０２または第１の探針部３０１と導通し、第１の電位Ｖ１とは異なる第２の電位Ｖ２が与えられる。第１の配線Ｐ２は第２の端子Ｔ２と導通しており、第２の端子Ｔ２を介して外部から第２の電位Ｖ２が与えられる。
【００２７】
実施形態に係る測定用保持具１１０においては、支持基板１０に切り替え部４０が設けられていてもよい。
切り替え部４０は、第１の探針部３０１と第１の配線Ｐ１または第２の配線Ｐ２との接続、及び第２の探針部３０２と第２の配線Ｐ２または第１の配線Ｐ１との接続の切り替えを行う。すなわち、切り替え部４０は、第１の配線Ｐ１を、第１の探針部３０１に接続するか、第２の探針部３０２に接続するか、の切り替えを行う。また、切り替え部４０は、第２の配線Ｐ２を、第２の探針部３０２に接続するか、第１の探針部３０１に接続するか、の切り替えを行う。切り替え部４０の切り替え動作によって、第１の探針部３０１に与える電位（第１の電位Ｖ１または第２の電位Ｖ２）及び第２の探針部３０２に与える電位（第２の電位Ｖ２または第１の電位Ｖ１）の切り替えが行われる。
【００２８】
ここで、第１の電位Ｖ１は、例えば接地電位である。第２の電位Ｖ２は、例えば半導体装置１００の動作電位である。
第１の探針部３０１及び第２の探針部３０２を、それぞれ半導体装置１００の導通部ＭＬの端面ＭＬａに接触させることで、パッケージ１００Ｐ内の半導体チップＣＰの所定の配線には、第１の電位Ｖ１及び第２の電位Ｖ２が与えられることになる。
【００２９】
なお、測定用保持具１１０が３本以上の探針部３０を備える場合には、第１の電位Ｖ１、第２の電位Ｖ２のいずれかであっても、また、これら以外の電位を与えるものであってもよい。また、探針部３０は、半導体装置１００に電位を与えるものでなく、半導体装置１００の信号出力を得るものであってもよい。
【００３０】
次に、実施形態に係る測定用保持具１１０による半導体装置１００の保持方法を説明する。
先ず、図４（ａ）に表したように、第１の探針部３０１及び第２の探針部３０２が対向して配置されている場合には、第１の探針部３０１及び第２の探針部３０２の間隔を拡げておく。
【００３１】
次に、支持基板１０の貫通孔１５の位置に被測定物である半導体装置１００を配置する。半導体装置１００を支持基板１０に配置する場合、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂに設けられた電極ＢＰは貫通孔１５の内側に配置され、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの縁部分は、支持基板１０の第１主面１０ａに接触する状態になる。
この状態で、図１（ａ）及び（ｂ）に表した固定部２０（例えば、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂ）によって半導体装置１００を固定する。これにより、半導体装置１００は主面１０ａ上の所定位置に正確に固定される。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に表したように、例えば駆動部３５によって探針部３０を半導体装置１００へ近づける。探針部３０を半導体装置１００へ近づけることにより、やがてパッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出した導通部ＭＬの端面ＭＬａに探針部３０の先端は接触する。
【００３３】
探針部３０は、その先端部分を可動式にしておき、可動する先端部分をバネによって付勢した状態に設けられていてもよい。これにより、探針部３０が端面ＭＬａと接触した際に、探針部３０から端面ＭＬａに与える接触力を緩衝しつつ確実な接触を得る。
【００３４】
このような方法によって、半導体装置１００は測定用保持具１１０に固定されるとともに、探針部３０とパッケージ１００Ｐの側面１００ｃに露出した端面ＭＬａとの電気的な導通が行われることになる。
実施形態に係る測定用保持具１１０では、探針部３０をパッケージ１００Ｐの側面１００ｃに接触しているため、パッケージ１００Ｐの上面１００ａ側及び下面１００ｂ側はそれぞれ開放している状態になる。
【００３５】
測定用保持具１１０に半導体装置１００を保持した後は、切り替え部４０によって所定の切り替えを行い、第１の端子Ｔ１に第１の電位Ｖ１、第２の端子Ｔ２に第２の電位Ｖ２を与える。これにより、第１の配線Ｐ１及び切り替え部４０を介して第１の探針部３０１または第２の探針部３０２に第１の電位Ｖ１が与えられ、第２の配線Ｐ２及び切り替え部４０を介して第２の探針部３０２または第１の探針部３０１に第２の電位Ｖ２が与えられる。この状態で半導体装置１００の動作が検査される。
【００３６】
実施形態に係る測定用保持部１１０を用いることで、より精度の高い検査を行う場合にも対応することができるようになる。
一般に、半導体装置１００の動作を検査するには、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂに設けられた複数の電極ＢＰとの導通を得るために、これらの電極ＢＰと接触する端子を備えたソケット（測定用保持具）を利用している。例えば、ソケットには複数の端子が設けられており、ソケットに半導体装置１００を搭載することで、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの電極ＢＰとソケットの端子とを接触させている。そして、ソケットの端子から半導体装置１００の電極ＢＰを介して半導体装置１００へ所定の電圧を印加し、動作の検査を行う。
この場合、半導体装置１００の下方にソケットがあるため、半導体装置１００の下面１００ｂ側の映像を取り込む際の邪魔になる。
実施形態に係る測定用保持部１１０では、保持した半導体装置１００の上面１００ａ側及び下面１００ｂ側の両方とも開放されているため、上面１００ａ側及び下面１００ｂ側の両方の映像を確実に取り込むことができる。これにより、高精度な検査に対応することが可能になる。
【００３７】
（他の探針部の例）
次に、他の探針部の例について説明する。
図５（ａ）〜図６（ｂ）は、他の探針部の例を示す模式図である。
図５（ａ）では、半導体装置１００のパッケージ１００Ｐにおける４つの側面１００ｃ（１）〜１００ｃ（４）に向けてそれぞれ探針部３０が設けられた例を表している。複数の探針部３０は、４つのグループＧｒ１〜Ｇｒ４に分けられる。複数の探針部３０は、グループＧｒ１〜Ｇｒ４ごとにパッケージ１００Ｐの４つの側面１００ｃ（１）〜１００ｃ（４）側に対応して配置される。
【００３８】
各探針部３０は、支持基板１０に対して移動可能に設けられている。
【００３９】
これにより、パッケージ１００Ｐの４つの側面１００ｃ（１）〜１００ｃ（４）から露出する端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）に、各探針部３０を接触させることができるようになる。
【００４０】
図５（ｂ）では、複数の探針部３０のピッチを変化させた例を表している。例えば、パッケージ１００Ｐの１つの側面１００ｃに対向して複数の探針部３０が設けられている場合、この複数の探針部３０の半導体装置１００に近い側のピッチｐｔ１は、半導体装置１００から離れた側のピッチｐｔ２よりも狭くなっている。
【００４１】
例えば、複数の探針部３０の半導体装置１００に近い側のピッチｐｔ１は、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する複数の端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）のピッチと同じなっている。
【００４２】
一方、複数の探針部３０の半導体装置１００から離れた側のピッチｐｔ２は、ピッチｐｔ１よりも拡げられている。これにより、複数の端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）のピッチが狭い場合であっても、探針部３０の引き出しが容易になる。
【００４３】
図６（ａ）〜（ｂ）では、探針部３０の先端部３０ａが湾曲している例を表している。複数の探針部３０は、貫通孔１５を間にして対向して配置されている。図６（ａ）に表したように、探針部３０の先端部３０ａは湾曲した形状を成しており、この湾曲した形状によって弾性変形によるバネ性を有している。図６（ｂ）に表したように、支持基板１０に半導体装置１００を位置決めした状態で探針部３０の先端部３０ａを側面１００ｃに接触させると、先端部３０ａのバネ性によって探針部３０と側面１００ｃから露出する端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）との接触力を緩衝しつつ確実な接触を行うことができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る測定装置について説明する。
図７（ａ）〜（ｂ）は、第２の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図７（ａ）は全体構成図、図７（ｂ）は表示部の表示例を示す図である。
図７（ａ）に表したように、第２の実施形態に係る測定装置５００は、被測定物の一例である半導体装置１００の導通特性（例えば、短絡位置の検出）を測定する装置である。
測定装置５００は、測定用保持具１１０、熱検知カメラ５１０、制御部５２０、電圧発生部５５０を備える。また、測定装置５００は、記憶部５３０及び表示部５４０を備える。
【００４５】
測定用保持具１１０は、先に説明したように、支持基板１０と、固定部２０（図１（ａ）及び（ｂ）参照）と、探針部３０と、を備える。測定用保持具１１０は、例えば基台Ｓの上に設けられている。測定用保持具１１０は、基台Ｓの上面に沿った回転角度や、上面に対する傾斜角度を調整できるように設けられていてもよい。
【００４６】
電圧発生部５５０は、探針部３０から導通部ＭＬ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）を介して被測定物である半導体装置１００に印加する電圧を発生する部分である。電圧発生部５５０は、例えば第１の探針部３０１に与える第１の電位Ｖ１及び第２の探針部３０２に与える第２の電位Ｖ２の電圧を発生する。
【００４７】
熱検知カメラ５１０は、半導体装置１００に電圧を印加した際に半導体装置１００から発生する熱に応じた信号を取り込むカメラである。熱検知カメラ５１０は、例えば赤外線カメラである。熱検知カメラ５１０は、半導体装置１００の動作状態において半導体装置１００から放出される赤外線等を検知する。
【００４８】
制御部５２０は、熱検知カメラ５１０で取り込んだ信号に基づいて半導体装置１００の発熱源の位置を演算する。演算した結果は、例えば表示部５４０に表示される。
図７（ｂ）では、表示部５４０の表示例を表している。表示部５４０は、熱検知カメラ５１０で取り込んだ映像５４０Ｇを表示する。映像５４０Ｇには、例えば複数のチップが積層された像１００Ｇが表示される。像１００Ｇには、制御部５２０で演算した発熱源の位置を示す画像ＤＦＧが半導体装置１００の像１００Ｇに重ね合わせた状態で表示される。
【００４９】
記憶部５３０は、例えば、熱検知カメラ５１０で取り込んだ信号を記憶する部分である。制御部５２０は、記憶部５３０に記憶された信号を読み出して所定の信号処理を施すことにより、半導体装置１００の発熱源の位置を求め、表示部５４０に表示させる。
【００５０】
測定装置５００においては、１つの制御部５２０によって熱検知カメラ５１０、記憶部５３０、表示部５４０及び電圧発生部５５０を制御しているが、複数の制御部によって各部を制御してもよい。また、制御部５２０は、コンピュータのプログラム処理によって実現してもよい。
【００５１】
測定装置５００を用いて半導体装置１００の測定を行うには、先ず、測定用保持具１１０に半導体装置１００を固定し、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する端面ＭＬａに探針部３０を接触させる。
次に、電圧発生部５５０から発生した電圧を探針部３０から半導体装置１００へ与える。
【００５２】
次に、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の映像（信号）を取り込む。一定時間取り込んだ映像（信号）は、例えば記憶部５３０に記憶される。
【００５３】
次に、制御部５２０は、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号を例えば記憶部５３０から読み出し、所定の演算を行う。そして、演算結果を表示部５４０に表示させる。これにより、表示部５４０には、半導体装置１００の発熱源の位置を示す画像ＤＦＧが表示される。
【００５４】
例えば、半導体装置１００の半導体チップＣＰ内にショート（短絡）箇所がある場合、通常の配線パターンの電気抵抗値よりもショート箇所の電気抵抗値のほうが大きいことから、ショート箇所での発熱量が多くなる。この性質を利用して、熱検知カメラ５１０で取り込んだ信号から半導体装置１００の異常発熱箇所を求める。異常発熱箇所は、不良が発生している可能性の高い場所である。
【００５５】
実施形態に係る測定装置５００では、測定用保持具１１０によって半導体装置１００の側面１００ｃに露出する端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）に探針部３０を接触させているため、半導体装置１００の上面１００ａ側を開放することができる。これにより、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の上面１００ａ側の映像を的確に取り込むことができる。
【００５６】
また、半導体装置１００を固定した測定用保持具１１０を、基台Ｓの上に上下反転して配置すれば、貫通孔１５を介して半導体装置１００の下面１００ｂの映像を的確に取り込むこともできる。すなわち、測定用保持具１１０では、探針部３０を半導体装置１００の側面１００ｃに接触させること、また、半導体装置１００の下面１００ｂ側に貫通孔１５が設けられていること、によって、貫通孔１５を介して遮るものなく半導体装置１００の下面１００ｂ側の映像を取り込むことができる。
【００５７】
図８（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
図８（ａ）には、半導体装置１００に与える電圧の時間変化の例が示されている。図８（ａ）に示すグラフの横軸は時間、縦軸は入力電圧Ｖｉｎである。半導体装置１００には、例えば所定の周波数のパルス電圧が与えられる。
図８（ｂ）には、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号の出力の時間変化の例が示されている。図８（ｂ）に示すグラフの横軸は時間ｔ、縦軸は出力値Ｓｏｕｔである。図８（ｂ）において横軸（時間ｔ）は、図８（ａ）における横軸（時間ｔ）と対応している。
【００５８】
半導体装置１００に例えばパルス電圧を印加して、その際の発熱の状態を熱検知カメラ５１０によって取り込むことで、異常発熱箇所がパルス電圧のパルスに呼応して、発熱源が点灯する。これによって、精度良く発熱源の位置が特定される。
【００５９】
また、図８（ａ）及び（ｂ）に表したように、半導体装置１００に与える電圧の位相（第１の位相）と、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号の位相（第２の位相）との間には、φ１の位相差が生じている。
【００６０】
この位相差φ１は、例えば半導体装置１００の上面１００ａを基準にした場合、上面１００ａと発熱源との距離（上面１００ａからの深さ）に関係している。
制御部５２０は、この関係に基づき位相差φ１から発熱源の上面１００ａからの深さを演算する。
【００６１】
図８（ｃ）は、発熱源からの熱の伝達を例示する模式図である。半導体装置１００の内部に発熱源になる不良箇所ＤＦがあった場合、不良箇所ＤＦで発生した熱は周囲に拡がっていく。ここで、半導体装置１００へ電圧を印加したタイミングで熱が発生した場合、その熱が半導体装置１００の上面１００ａに伝わるまで所定の時間を要する。この電圧を印加した時刻と、発熱源の熱に応じた信号を熱検知カメラ５１０で検知した時刻との時間差が、位相差φ１として現れることになる。
【００６２】
この位相差φ１は、例えば次のようなモデル式（式１）で表される。
φ１＝（Ａ・ｔａ＋Ｂ・ｔｂ）・Ｎ＋Ｃ …（式１）
式１において、Ａはチップの熱伝導係数、Ｂはダイアタッチフィルムの熱伝導係数、Ｎはチップの重ね合わせ段数、ｔａはチップの厚さ、ｔｂはダイアタッチフィルムの厚さ、Ｃはその他の要因である。ダイアタッチフィルムは、重なり合う複数のチップの間に設けられたフィルムである。
【００６３】
制御部５２０は、例えば上記モデル式（式１）を用いてφ１から不良箇所ＤＦの上面１００ａからの深さＤを演算する。
図９は、深さＤと位相差φ１との関係を示す図である。
図９に示すグラフの横軸は深さＤ、縦軸は位相差φ１を表している。図９では、８段のチップが重ねられた半導体装置１００について、不良箇所の上面１００ａからの深さＤと、位相差φ１との関係を表している。
【００６４】
ここで、図９に表したＬ１〜Ｌ８はチップの段数である。すなわち、Ｌ１〜Ｌ８は、深さＤの値が大きい側（深い側）を第１段Ｌ１、小さい側（浅い側）を第８段Ｌ８として表している。それぞれ段数Ｌ１〜Ｌ８には位相差φ１の範囲がある。位相差φ１がどの範囲に含まれるかによって不良箇所がどの段数Ｌ１〜Ｌ８に含まれるかを判別することができる。
制御部５２０は、例えば図９に表したようなグラフに基づくテーブルデータを参照して、位相差φ１から不良箇所のある段数Ｌ１〜Ｌ８を求めている。
なお、モデル式（式１）や図９のグラフは一例であり、これに限定されるものではない。
【００６５】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図１０に表した測定装置５０１は、測定用保持具１１０、制御部５２０、記憶部５３０、表示部５４０及び電圧発生部５５０を備える点で測定装置５００と同様であるが、２つの熱検知カメラ（第１の熱検知カメラ５１０Ａ及び第２の熱検知カメラ５１０Ｂ）を備える点で測定装置５００と相違する。
【００６６】
第１の熱検知カメラ５１０Ａは、測定用保持具１１０に固定される半導体装置１００の上面１００ａ側に配置される。第２の熱検知カメラ５１０Ｂは、測定用保持具１１０に固定される半導体装置１００の下面１００ｂ側に配置される。測定装置５０１では、半導体装置１００の上面１００ａ側及び下面１００ｂ側の両側から熱検知カメラによって映像を取り込む。
【００６７】
測定用保持具１１０では、支持基板１０に貫通孔１５が設けられている。このため、第２の熱検知カメラ５１０Ｂは、貫通孔１５を介して半導体装置１００の下面１００ｂ側の映像（信号）を取り込むことができる。
【００６８】
第１の熱検知カメラ５１０Ａ及び第２の熱検知カメラ５１０Ｂでそれぞれ取り込んだ信号は制御部５２０へ送られる。制御部５２０は、第１の熱検知カメラ５１０Ａ及び第２の熱検知カメラ５１０Ｂからそれぞれ送られた信号に基づいて半導体装置１００の不良箇所ＤＦの位置、上面１００ａからの深さを演算し、表示部５４０に表示させる。
【００６９】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
図１１（ａ）には、半導体装置１００に与える電圧の時間変化の例が示されている。図１１（ａ）に示すグラフの横軸は時間、縦軸は入力電圧Ｖｉｎである。半導体装置１００には、例えば所定の周波数のパルス電圧が与えられる。
図１１（ｂ）には、第１の熱検知カメラ５１０Ａによって取り込んだ信号の出力の時間変化の例が示されている。図１１（ｂ）に示すグラフの横軸は時間ｔ、縦軸は出力値Ｓ１ｏｕｔである。図１１（ｂ）において横軸（時間ｔ）は、図１１（ａ）における横軸（時間ｔ）と対応している。
図１１（ｃ）には、第２の熱検知カメラ５１０Ｂによって取り込んだ信号の出力の時間変化の例が示されている。図１１（ｃ）に示すグラフの横軸は時間ｔ、縦軸は出力値Ｓ２ｏｕｔである。図１１（ｃ）において横軸（時間ｔ）は、図１１（ａ）及び（ｂ）における横軸（時間ｔ）と対応している。
【００７０】
図１１（ａ）及び（ｂ）に表したように、半導体装置１００に与える電圧の位相（第１の位相）と、第１の熱検知カメラ５１０Ａによって取り込んだ信号の位相（第２の位相）との間には、φ１の位相差が生じている。この位相差φ１は、上面１００ａから発熱源（不良箇所ＤＦ）までの距離に関係している。
図１１（ａ）及び（ｃ）に表したように、半導体装置１００に与える電圧の位相（第１の位相）と、第２の熱検知カメラ５１０Ｂによって取り込んだ信号の位相（第３の位相）との間には、φ２の位相差が生じている。この位相差φ２は、下面１００ｂから発熱源（不良箇所ＤＦ）までの距離に関係している。
【００７１】
制御部５２０は、これらの位相差φ１及びφ２に基づき、上面１００ａからの不良箇所ＤＦの距離及び下面１００ｂからの不良箇所ＤＦまでの距離を演算する。例えば、制御部５２０は、図９に表したような上面１００ａから不良箇所ＤＦまでの距離と位相差φ１との関係（例えば、第１のテーブルデータとする。）、及び下面１００ｂから不良箇所ＤＦまでの距離と位相差φ２との関係（例えば、第２のテーブルデータとする。）を、それぞれ用いることで、高精度に不良箇所ＤＦの位置を求める。
【００７２】
例えば、図９に表したように、８段のチップが重ねられた半導体装置１００について、制御部５２０により第１のテーブルデータから求めた不良箇所ＤＦの段数が４段または５段であると判断され、第２のテーブルデータから求めた不良箇所ＤＦの段数が３段または４段であると判断された場合、これらの共通の段数である４段を最終的な不良箇所ＤＦの段数であると判断する。
【００７３】
第２実施形態では、モデル式（式１）で不良箇所ＤＦの段数を特定する。モデル式（式１）は、例えば係数Ｃのようにレンジをもった係数を有する。このため、モデル式（式１）用いて算出するとき、不良箇所ＤＦの段数が数多く存在する場合がある。
しかし、第３実施形態では、測定装置５００は、熱検知カメラ５１０Ａ、５１０Ｂを用いてパッケージ１００の上面１００ａ及び下面１００ｃの両方から、不良箇所ＤＦを測定する。したがって、１つのテーブルデータからは不良箇所ＤＦの段数を限定できない場合であっても、２つのテーブルデータを用いることで不良箇所ＤＦの段数をより限定することができるようになり、精度の高い検出が可能になる。
【００７４】
（第４の実施形態）
図１２は、第４の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図１２に表したように、第４の実施形態に係る測定装置５０２は、測定用保持具１１０、熱検知カメラ５１０、制御部５２０、記憶部５３０、表示部５４０及び電圧発生部５５０を備える点で測定装置５００と同様であるが、側面撮影カメラ５６０及び駆動制御部５７０を備える点で測定装置５００と相違する。
【００７５】
側面撮影カメラ５６０は、半導体装置１００の側面１００ｃの映像を取り込む。側面撮影カメラ５６０は、探針部３０の接触する側面１００ｃに対応して設けられている。図１２に表した例では、対向する２つの側面１００ｃに対応して２つの側面撮影カメラ５６０が設けられている。側面撮影カメラ５６０で取り込んだ信号は制御部５２０に送られる。
【００７６】
制御部５２０は、側面撮影カメラ５６０で取り込んだ信号に基づいて、側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａの位置（例えば、３次元での位置）を演算する。制御部５２０は、演算によって得た位置の情報を駆動制御部５７０へ送る。
【００７７】
駆動制御部５７０は、駆動部３５に駆動信号を与えて探針部３０の位置（先端の位置）を制御する部分である。駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られる位置の情報によって駆動部３５に駆動信号を与える。探針部３０の位置は、駆動制御部５７０によって制御される。なお、駆動制御部５７０は、制御部５２０に組み込まれていてもよい。
【００７８】
実施形態に係る測定装置５０２において半導体装置１００の測定を行うには、先ず、探針部３０を退けた状態で、支持基板１０に半導体装置１００を配置して、固定部２０（図１（ａ）及び（ｂ）参照）によって半導体装置１００を固定する。
【００７９】
次に、側面撮影カメラ５６０を用いて半導体装置１００の側面１００ｃの映像（信号）を取り込み、制御部５２０へ送る。制御部５２０は、側面撮影カメラ５６０で取り込んだ信号に基づいて、側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａの位置を演算する。制御部５２０は、演算によって得た位置の情報を駆動制御部５７０へ送る。
【００８０】
駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られた位置の情報に基づき、駆動部３５に駆動信号を与える。この駆動信号によって駆動部３５の例えばモータが所定量動作して、探針部３０が端面ＭＬａの位置に正確に接触する状態になる。
【００８１】
探針部３０が端面ＭＬａに接触した後は、電圧発生部５５０から発生した電圧を探針部３０から半導体装置１００へ与える。そして、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の映像（信号）を取り込む。一定時間取り込んだ映像（信号）は、例えば記憶部５３０に記憶される。
【００８２】
その後、制御部５２０は、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号を例えば記憶部５３０から読み出し、所定の演算を行う。そして、演算結果を表示部５４０に表示させる。これにより、表示部５４０には、半導体装置１００の発熱源の位置を示す画像ＤＦＧ（図７（ｂ）参照）が表示される。
【００８３】
実施形態に係る測定装置５０２では、探針部３０を自動的に側面１００ｃの端面ＭＬａに接触させることができ、探針部３０を端面ＭＬａに迅速かつ正確に接触させて測定を行うことができるようになる。
【００８４】
（第５の実施形態）
図１３は、第５の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図１３に表したように、第５の実施形態に係る測定装置５０３は、測定用保持具１１０、熱検知カメラ５１０、制御部５２０、記憶部５３０、表示部５４０、電圧発生部５５０及び駆動制御部５７０を備える点で測定装置５０２と同様であるが、側面撮影カメラ５６０が設けられていない点で測定装置５０２と相違する。
【００８５】
実施形態に係る測定装置５０３において、制御部５２０は、半導体装置１００の設計情報が記憶されるデータベースＤＢから設計情報を取得する処理を行う。例えば、設計情報に端面ＭＬａの位置情報が含まれる場合には、制御部５２０はその位置情報を参照する。
【００８６】
一方、設計情報に端面ＭＬａの位置情報が含まれない場合、制御部５２０は、半導体装置１００の設計情報のうち半導体装置１００の基準位置に対する端面ＭＬａの位置情報を算出する。
【００８７】
制御部５２０は、半導体装置１００の基準位置に対する端面ＭＬａの位置情報から、半導体装置１００が測定用保持具１１０に固定された際の支持基板１０に対する端面ＭＬａの位置を算出する。制御部５２０は、算出した位置の情報を駆動制御部５７０に送る。
【００８８】
駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られる位置の情報によって駆動部３５に駆動信号を与える。探針部３０の位置は、駆動制御部５７０によって制御される。なお、駆動制御部５７０は、制御部５２０に組み込まれていてもよい。
【００８９】
実施形態に係る測定装置５０３において半導体装置１００の測定を行うには、先ず、探針部３０を退けた状態で、支持基板１０に半導体装置１００を配置して、固定部２０（図１（ａ）及び（ｂ）参照）によって半導体装置１００を固定する。
【００９０】
次に、制御部５２０は、データベースＤＢから読み込んだ半導体装置１００の設計情報を用いて、側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａの支持基板１０に対する位置を算出する。制御部５２０は、算出した位置の情報を駆動制御部５７０に送る。
【００９１】
駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られた位置の情報に基づき、駆動部３５に駆動信号を与える。この駆動信号によって駆動部３５の例えばモータが所定量動作して、探針部３０が端面ＭＬａの位置に正確に接触する状態になる。
【００９２】
探針部３０が端面ＭＬａに接触した後は、電圧発生部５５０から発生した電圧を探針部３０から半導体装置１００へ与える。そして、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の映像（信号）を取り込む。一定時間取り込んだ映像（信号）は、例えば記憶部５３０に記憶される。
【００９３】
その後、制御部５２０は、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号を例えば記憶部５３０から読み出し、所定の演算を行う。そして、演算結果を表示部５４０に表示させる。これにより、表示部５４０には、半導体装置１００の発熱源の位置を示す画像ＤＦＧ（図７（ｂ）参照）が表示される。
【００９４】
実施形態に係る測定装置５０３では、半導体装置１００の設計情報に基づき探針部３０を自動的に側面１００ｃの端面ＭＬａに接触させることができる。これにより、側面の映像を取り込むことなく探針部３０を端面ＭＬａに迅速かつ正確に接触させて測定を行うことができるようになる。
【００９５】
次に、他の適用例について説明する。
図１４は、他の適用例について示す模式図である。
図１４では、被測定物である半導体装置１００が実装用基板６００Ａに実装された状態で測定用保持具１１０に固定されている状態を表している。
図１５（ａ）〜（ｂ）は、実装用基板の例を示す模式図である。
図１５（ａ）に表したように、半導体装置１００は、例えば実装用基板６００の所定位置に、はんだ付けによって実装されている。実装用基板６００には、半導体装置１００以外の部品が実装されている場合もある。
図１５（ｂ）には、図１５（ａ）に表した破線に沿って実装用基板６００を分割した状態が表されている。分割した実装用基板６００Ａには半導体装置１００が実装されている。
【００９６】
図１４に表したように、実施形態に係る測定用保持具１１０は、実装用基板６００Ａに実装された状態であっても半導体装置１００を固定することができる。この場合、図１（ａ）及び（ｂ）に表した固定部２０の例えば一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂによって、半導体装置１００のパッケージ１００Ｐの対角となる２つの隅部を挟持するか、または分割した実装用基板６００Ａの対角となる２つの隅部を挟持することによって半導体装置１００の固定を行う。
【００９７】
固定部２０によって半導体装置１００を固定した後は、半導体装置１００の側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａに探針部３０を接触させる。これにより、探針部３０から半導体装置１００に所定の電圧を印加できるようになる。
【００９８】
実施形態に係る測定用保持具１１０においては、実装用基板６００Ａに半導体装置１００が実装された状態でも半導体装置１００の固定を行うことができるため、半導体装置１００を実装用基板６００（６００Ａ）から取り外すことなく、実装したまま測定を行うことができる。
【００９９】
一般に、図１５（ａ）に表したように、半導体装置１００が実装用基板６００に実装されたあと、半導体装置１００の不良箇所を検査したい場合には、半導体装置１００を実装用基板６００から取り外している。例えば、半導体装置１００を加熱してはんだを溶融し、実装用基板６００から半導体装置１００を取り外す。半導体装置１００を取り外した後は、半導体装置１００の電極ＢＰを再度形成して、再形成した電極ＢＰを介して電圧を印加している。
しかし、半導体装置１００を実装用基板６００から取り外す際の加熱によって半導体装置１００は少なからず熱の影響を受ける。このような熱の影響を受けた半導体装置１００を検査した場合、不良原因の切り分けが困難になる。
【０１００】
実施形態に係る測定用保持具１１０を用いる場合には、図１５（ａ）及び（ｂ）に表したように、半導体装置１００の周囲で実装用基板６００を分割し、分割した実装用基板６００Ａに実装されている半導体装置１００を取り外すことなく、そのまま測定用保持具１１０に固定している。
そして、半導体装置１００の側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａと探針部３０とを接触させて、この探針部３０から端面ＭＬａを介して半導体装置１００に電圧を印加することができる。
したがって、半導体装置１００に熱によるストレスを与えることなく、実装後の不良箇所を正確に検査できるようになる。
【０１０１】
以上説明したように、実施形態に係る測定用保持具及び測定装置によれば、精度の高い検査を行うことができるようになる。
【０１０２】
なお、上記に実施形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
例えば、実施形態においては熱検知カメラ５１０と被測定物との相対的な位置を固定しているが、必要に応じて変化させてもよい。例えば、熱検知カメラ５１０を、被測定物を配置する位置を中心として回転可能に設けてもよい。熱検知カメラ５１０によって種々の角度から被測定物の映像を取り込むことで、不良箇所の３次元的な位置が検出される。
また、第２の実施形態に係る測定装置において、被測定物の映像を複数の角度から取り込むことで不良箇所を精度良く検出することができる。すなわち、１つのテーブルデータからは不良箇所ＤＦの段数を限定できない場合であっても、複数のテーブルデータを用いることで不良箇所ＤＦの段数をより限定することができるようになり、精度の高い検出が可能になる。
また、前述の各実施形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【０１０３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…支持基板、１５…貫通孔、２０…固定部、３０…探針部、３５…駆動部、４０…切り替え部、１００…半導体装置、１００Ｐ…パッケージ、１００ａ…上面、１００ｂ…下面、１００ｃ…側面、１１０…測定用保持具、３０１…第１の探針部、３０２…第２の探針部、５００〜５０３…測定装置、５１０…熱検知カメラ、５１０Ａ…第１の熱検知カメラ、５１０Ｂ…第２の熱検知カメラ、５２０…制御部、５３０…記憶部、５４０…表示部、５５０…電圧発生部、５６０…側面撮影カメラ、５７０…駆動制御部、ＢＰ…電極、ＭＬ…導通部、ＭＬａ…端面、Ｐ１…第１の配線、Ｐ２…第２の配線、Ｔ１…第１の端子、Ｔ２…第２の端子
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、測定用保持具及び測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体チップと、この半導体チップを封止する樹脂製のパッケージと、を有する。パッケージの外側には、半導体チップと導通する電極が設けられている。ＢＧＡ（Ball grid array）型の半導体装置では、パッケージの下面に複数のボール型電極が行列状に設けられている。
【０００３】
このような測定用保持具においては、より精度の高い検査を行う場合にも対応できることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６５９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、精度の高い検査可能な測定用保持具及び測定装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る測定用保持具は、複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具である。
測定用保持具は、前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、第１の実施形態に係る測定用保持具の構成を例示する模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、被測定物の一例を表す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、パッケージ内部の一部を例示する模式的平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、半導体装置の保持方法を説明する模式的断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、他の探針部の例を示す模式図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、他の探針部の例を示す模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、第２の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
【図９】深さＤと位相差φ１との関係を示す図である。
【図１０】第３の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
【図１２】第４の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図１３】第５の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
【図１４】他の適用例について示す模式図である。
【図１５】（ａ）〜（ｂ）は、配線基板の例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｂ）は、第１の実施形態に係る測定用保持具の構成を例示する模式図である。
図１（ａ）では、第１の実施形態に係る第１の実施形態に測定用保持具１１０の模式的斜視図を表し、図１（ｂ）では、第１の実施形態に係る測定用保持具１１０の模式的平面図を表している。
図２（ａ）〜（ｂ）は、被測定物の一例を表す模式図である。
図２（ａ）では、被測定物の一例である半導体装置の模式的斜視図を表している。図２（ｂ）では、半導体装置の側面を表している。
【００１０】
図１（ａ）及び（ｂ）に表したように、実施形態に係る測定用保持具１１０において保持する対象（被測定物）は、例えば半導体装置１００である。
図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、被測定物の一例である半導体装置１００は、上面１００ａ、下面１００ｂ及び側面１００ｃを含むパッケージ１００Ｐと、下面１００ｂに設けられた電極ＢＰと、側面１００ｃから露出し電極ＢＰと導通する導通部ＭＬと、を有する。
【００１１】
側面１００ｃから露出する導通部ＭＬは、例えばパッケージ１００Ｐに含まれるチップ（図示せず）のパッドに接続される。
図３（ａ）〜（ｂ）は、パッケージ内部の一部を例示する模式的平面図である。
図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部を拡大したものである。
図４（ａ）〜（ｂ）は、半導体装置の保持方法を説明する模式的断面図である。
図３（ａ）及び（ｂ）に表したように、パッケージ１００Ｐ内には、配線基板ＰＢが設けられている。配線基板ＰＢの上には半導体チップＣＰが実装され、半導体チップＣＰと配線基板ＰＢに設けられたパッドＰＤとはボンディングワイヤＢＷによって接続されている。
配線基板ＰＢの下面には、例えばボール状の電極ＢＰが設けられている。配線基板ＰＢの上に設けられたパッドＰＤと、配線基板ＰＢの下に設けられた電極ＢＰとは、導通部ＭＬを介して電気的に導通している。
【００１２】
導通部ＭＬには、例えば金（Ａｕ）のめっきが施される。導通部ＭＬの一部は、配線基板ＰＢの縁まで延びている。この配線基板ＰＢの縁まで延びる導通部ＭＬの一部は、めっきを施す際の導通を得るために設けられた部分である。
半導体チップＣＰを覆うようにパッケージ１００Ｐを設けた場合、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから、この導通部ＭＬの端面ＭＬａが露出することになる。電極ＢＰの個数は、端面ＭＬａの個数と導通である。複数の電極ＢＰのそれぞれは、端面ＭＬａのそれぞれと１対１に対応している。
【００１３】
実施形態に係る測定用保持具１１０は、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａを利用して半導体チップＣＰのパッドと外部との電気的な導通を得る。
【００１４】
図１（ａ）及び（ｂ）に表したように、測定用保持具１１０は、支持基板１０と、固定部２０と、探針部３０と、を備える。
支持基板１０は、被測定物の一例である半導体装置１００を載置するための部材である。半導体装置１００は、例えばパッケージ１００Ｐの下面１００ｂと支持基板１０の第１主面１０ａとが平行になるように配置される。
【００１５】
支持基板１０において、半導体装置１００を配置する位置には貫通孔１５が設けられていてもよい。貫通孔１５は、支持基板１０を貫通する孔である。貫通孔１５の開口の大きさは、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばパッケージ１００Ｐの外形サイズよりも小さく、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの電極ＢＰが設けられた領域よりもわずかに大きい。これにより、半導体装置１００を支持基板１０に配置すると、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの縁部分が第１主面１０ａに載り、電極ＢＰの設けられた領域が貫通孔１５の内側に配置される状態になる。
【００１６】
このように、貫通孔１５の位置に合わせて半導体装置１００を配置することによって、パッケージ１００Ｐの上面１００ａ側のみならず下面１００ｂ側も遮るものがない状態になる。
【００１７】
固定部２０は、支持基板１０に設けられる。固定部２０は、例えば支持基板１０の第１主面１０ａに沿って移動できる。
固定部２０の一例としては、間にパッケージ１００Ｐを挟持する一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂを有する。
固定部材２０Ａには切り欠き部２０１が設けられ、固定部材２０Ｂには切り欠き部２０２が設けられる。
一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂは、それぞれの切り欠き部２０１及び２０２によって半導体装置１００の位置決めを行う。
【００１８】
例えば、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂは、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂを結ぶ方向に移動可能に設けられている。一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの移動動作によって、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間隔が調整される。
【００１９】
半導体装置１００を支持基板１０の上に配置する際には、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間隔を拡げておき、半導体装置１００を配置したあとで一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間隔を狭くしていく。やがて、パッケージ１００Ｐの対角になる２つの隅部に切り欠き部２０１及び２０２が接触して、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂの間に半導体装置１００が挟持される。これにより、第１主面１０ａに沿った２軸方向の位置が決まった状態で半導体装置１００が固定される。
【００２０】
なお、固定部２０は一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂには限定されない。すなわち、固定部２０は、半導体装置１００を支持基板１０の所定位置に固定するものであればどのような形態であってもよい。例えば、固定部２０は、支持基板１０の第１主面１０ａに設けられた凹部であってもよい。凹部の大きさをパッケージ１００Ｐの外形サイズに合わせることで、パッケージ１００Ｐを凹部内に嵌め込み、半導体装置１００の位置を固定するようにしてもよい。
【００２１】
探針部３０は、支持基板１０に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられている。探針部３０は、支持基板１０に位置決めされた半導体装置１００のパッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する導通部ＭＬと接触する。例えば、１つの探針部３０の先端は、１つの導通部ＭＬの端面ＭＬａと接触する。
【００２２】
探針部３０は、例えば、支持基板１０に配置した半導体装置１００の側面１００ｃに近づく及び側面１００ｃから離れるように移動可能に設けられている。これにより、支持基板１０に半導体装置１００が位置決めされた状態で、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａに探針部３０を徐々に近づけて、探針部３０の先端を端面ＭＬａに接触させることができる。
【００２３】
支持基板１０には、例えば複数本の探針部３０が設けられている。複数本の探針部３０のうち１本を第１の探針部３０１、他の１本を第２の探針部３０２とする。
第１の探針部３０１と、第２の探針部３０２とは、例えば半導体装置１００を配置する位置を間にして対向して設けられる。このように対向して設けられていると、半導体装置１００を間にして第１の探針部３０１と第２の探針部３０２とで挟むようにそれぞれ端面ＭＬａと接触する。したがって、力のバランスよく半導体装置１００と探針部３０との接触が成されることになる。
【００２４】
探針部３０は、支持基板１０に設けられた駆動部３５によって移動可能に設けられていてもよい。駆動部３５は、歯車、カム、リンク等を用いた伝動機構によって探針部３０を駆動する手段を備えていても、モータや圧電素子等によって探針部３０を駆動する手段を備えていてもよい。
【００２５】
また、駆動部３５は、探針部３０を２軸以上可動する手段を備えていてもよい。例えば、駆動部３５は、探針部３０を第１主面１０ａに沿って互いに直交する２軸と、第１主面１０ａと直交する１軸と、の合計３軸に沿って可動できる手段を備えていてもよい。さらに、駆動部３５は、探針部３０を第１主面１０ａに沿って回転させたり、第１主面１０ａに対する角度を変化させたりする手段を備えていてもよい。また、駆動部３５は、探針部３０を円軌道に沿って可動できる手段を備えていてもよい。
探針部３０の移動は、上記の伝動機構を手動で動作させることで行われてもよい。
【００２６】
支持基板１０には、第１の配線Ｐ１及び第２の配線Ｐ２が設けられていてもよい。
第１の配線Ｐ１は、第１の探針部３０１または第２の探針部３０２と導通し、第１の電位Ｖ１が与えられる。第１の配線Ｐ１は第１の端子Ｔ１と導通しており、第１の端子Ｔ１を介して外部から第１の電位Ｖ１が与えられる。
第２の配線Ｐ２は、第２の探針部３０２または第１の探針部３０１と導通し、第１の電位Ｖ１とは異なる第２の電位Ｖ２が与えられる。第１の配線Ｐ２は第２の端子Ｔ２と導通しており、第２の端子Ｔ２を介して外部から第２の電位Ｖ２が与えられる。
【００２７】
実施形態に係る測定用保持具１１０においては、支持基板１０に切り替え部４０が設けられていてもよい。
切り替え部４０は、第１の探針部３０１と第１の配線Ｐ１または第２の配線Ｐ２との接続、及び第２の探針部３０２と第２の配線Ｐ２または第１の配線Ｐ１との接続の切り替えを行う。すなわち、切り替え部４０は、第１の配線Ｐ１を、第１の探針部３０１に接続するか、第２の探針部３０２に接続するか、の切り替えを行う。また、切り替え部４０は、第２の配線Ｐ２を、第２の探針部３０２に接続するか、第１の探針部３０１に接続するか、の切り替えを行う。切り替え部４０の切り替え動作によって、第１の探針部３０１に与える電位（第１の電位Ｖ１または第２の電位Ｖ２）及び第２の探針部３０２に与える電位（第２の電位Ｖ２または第１の電位Ｖ１）の切り替えが行われる。
【００２８】
ここで、第１の電位Ｖ１は、例えば接地電位である。第２の電位Ｖ２は、例えば半導体装置１００の動作電位である。
第１の探針部３０１及び第２の探針部３０２を、それぞれ半導体装置１００の導通部ＭＬの端面ＭＬａに接触させることで、パッケージ１００Ｐ内の半導体チップＣＰの所定の配線には、第１の電位Ｖ１及び第２の電位Ｖ２が与えられることになる。
【００２９】
なお、測定用保持具１１０が３本以上の探針部３０を備える場合には、第１の電位Ｖ１、第２の電位Ｖ２のいずれかであっても、また、これら以外の電位を与えるものであってもよい。また、探針部３０は、半導体装置１００に電位を与えるものでなく、半導体装置１００の信号出力を得るものであってもよい。
【００３０】
次に、実施形態に係る測定用保持具１１０による半導体装置１００の保持方法を説明する。
先ず、図４（ａ）に表したように、第１の探針部３０１及び第２の探針部３０２が対向して配置されている場合には、第１の探針部３０１及び第２の探針部３０２の間隔を拡げておく。
【００３１】
次に、支持基板１０の貫通孔１５の位置に被測定物である半導体装置１００を配置する。半導体装置１００を支持基板１０に配置する場合、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂに設けられた電極ＢＰは貫通孔１５の内側に配置され、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの縁部分は、支持基板１０の第１主面１０ａに接触する状態になる。
この状態で、図１（ａ）及び（ｂ）に表した固定部２０（例えば、一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂ）によって半導体装置１００を固定する。これにより、半導体装置１００は主面１０ａ上の所定位置に正確に固定される。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に表したように、例えば駆動部３５によって探針部３０を半導体装置１００へ近づける。探針部３０を半導体装置１００へ近づけることにより、やがてパッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出した導通部ＭＬの端面ＭＬａに探針部３０の先端は接触する。
【００３３】
探針部３０は、その先端部分を可動式にしておき、可動する先端部分をバネによって付勢した状態に設けられていてもよい。これにより、探針部３０が端面ＭＬａと接触した際に、探針部３０から端面ＭＬａに与える接触力を緩衝しつつ確実な接触を得る。
【００３４】
このような方法によって、半導体装置１００は測定用保持具１１０に固定されるとともに、探針部３０とパッケージ１００Ｐの側面１００ｃに露出した端面ＭＬａとの電気的な導通が行われることになる。
実施形態に係る測定用保持具１１０では、探針部３０をパッケージ１００Ｐの側面１００ｃに接触しているため、パッケージ１００Ｐの上面１００ａ側及び下面１００ｂ側はそれぞれ開放している状態になる。
【００３５】
測定用保持具１１０に半導体装置１００を保持した後は、切り替え部４０によって所定の切り替えを行い、第１の端子Ｔ１に第１の電位Ｖ１、第２の端子Ｔ２に第２の電位Ｖ２を与える。これにより、第１の配線Ｐ１及び切り替え部４０を介して第１の探針部３０１または第２の探針部３０２に第１の電位Ｖ１が与えられ、第２の配線Ｐ２及び切り替え部４０を介して第２の探針部３０２または第１の探針部３０１に第２の電位Ｖ２が与えられる。この状態で半導体装置１００の動作が検査される。
【００３６】
実施形態に係る測定用保持部１１０を用いることで、より精度の高い検査を行う場合にも対応することができるようになる。
一般に、半導体装置１００の動作を検査するには、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂに設けられた複数の電極ＢＰとの導通を得るために、これらの電極ＢＰと接触する端子を備えたソケット（測定用保持具）を利用している。例えば、ソケットには複数の端子が設けられており、ソケットに半導体装置１００を搭載することで、パッケージ１００Ｐの下面１００ｂの電極ＢＰとソケットの端子とを接触させている。そして、ソケットの端子から半導体装置１００の電極ＢＰを介して半導体装置１００へ所定の電圧を印加し、動作の検査を行う。
この場合、半導体装置１００の下方にソケットがあるため、半導体装置１００の下面１００ｂ側の映像を取り込む際の邪魔になる。
実施形態に係る測定用保持部１１０では、保持した半導体装置１００の上面１００ａ側及び下面１００ｂ側の両方とも開放されているため、上面１００ａ側及び下面１００ｂ側の両方の映像を確実に取り込むことができる。これにより、高精度な検査に対応することが可能になる。
【００３７】
（他の探針部の例）
次に、他の探針部の例について説明する。
図５（ａ）〜図６（ｂ）は、他の探針部の例を示す模式図である。
図５（ａ）では、半導体装置１００のパッケージ１００Ｐにおける４つの側面１００ｃ（１）〜１００ｃ（４）に向けてそれぞれ探針部３０が設けられた例を表している。複数の探針部３０は、４つのグループＧｒ１〜Ｇｒ４に分けられる。複数の探針部３０は、グループＧｒ１〜Ｇｒ４ごとにパッケージ１００Ｐの４つの側面１００ｃ（１）〜１００ｃ（４）側に対応して配置される。
【００３８】
各探針部３０は、支持基板１０に対して移動可能に設けられている。
【００３９】
これにより、パッケージ１００Ｐの４つの側面１００ｃ（１）〜１００ｃ（４）から露出する端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）に、各探針部３０を接触させることができるようになる。
【００４０】
図５（ｂ）では、複数の探針部３０のピッチを変化させた例を表している。例えば、パッケージ１００Ｐの１つの側面１００ｃに対向して複数の探針部３０が設けられている場合、この複数の探針部３０の半導体装置１００に近い側のピッチｐｔ１は、半導体装置１００から離れた側のピッチｐｔ２よりも狭くなっている。
【００４１】
例えば、複数の探針部３０の半導体装置１００に近い側のピッチｐｔ１は、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する複数の端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）のピッチと同じなっている。
【００４２】
一方、複数の探針部３０の半導体装置１００から離れた側のピッチｐｔ２は、ピッチｐｔ１よりも拡げられている。これにより、複数の端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）のピッチが狭い場合であっても、探針部３０の引き出しが容易になる。
【００４３】
図６（ａ）〜（ｂ）では、探針部３０の先端部３０ａが湾曲している例を表している。複数の探針部３０は、貫通孔１５を間にして対向して配置されている。図６（ａ）に表したように、探針部３０の先端部３０ａは湾曲した形状を成しており、この湾曲した形状によって弾性変形によるバネ性を有している。図６（ｂ）に表したように、支持基板１０に半導体装置１００を位置決めした状態で探針部３０の先端部３０ａを側面１００ｃに接触させると、先端部３０ａのバネ性によって探針部３０と側面１００ｃから露出する端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）との接触力を緩衝しつつ確実な接触を行うことができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る測定装置について説明する。
図７（ａ）〜（ｂ）は、第２の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図７（ａ）は全体構成図、図７（ｂ）は表示部の表示例を示す図である。
図７（ａ）に表したように、第２の実施形態に係る測定装置５００は、被測定物の一例である半導体装置１００の導通特性（例えば、短絡位置の検出）を測定する装置である。
測定装置５００は、測定用保持具１１０、熱検知カメラ５１０、制御部５２０、電圧発生部５５０を備える。また、測定装置５００は、記憶部５３０及び表示部５４０を備える。
【００４５】
測定用保持具１１０は、先に説明したように、支持基板１０と、固定部２０（図１（ａ）及び（ｂ）参照）と、探針部３０と、を備える。測定用保持具１１０は、例えば基台Ｓの上に設けられている。測定用保持具１１０は、基台Ｓの上面に沿った回転角度や、上面に対する傾斜角度を調整できるように設けられていてもよい。
【００４６】
電圧発生部５５０は、探針部３０から導通部ＭＬ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）を介して被測定物である半導体装置１００に印加する電圧を発生する部分である。電圧発生部５５０は、例えば第１の探針部３０１に与える第１の電位Ｖ１及び第２の探針部３０２に与える第２の電位Ｖ２の電圧を発生する。
【００４７】
熱検知カメラ５１０は、半導体装置１００に電圧を印加した際に半導体装置１００から発生する熱に応じた信号を取り込むカメラである。熱検知カメラ５１０は、例えば赤外線カメラである。熱検知カメラ５１０は、半導体装置１００の動作状態において半導体装置１００から放出される赤外線等を検知する。
【００４８】
制御部５２０は、熱検知カメラ５１０で取り込んだ信号に基づいて半導体装置１００の発熱源の位置を演算する。演算した結果は、例えば表示部５４０に表示される。
図７（ｂ）では、表示部５４０の表示例を表している。表示部５４０は、熱検知カメラ５１０で取り込んだ映像５４０Ｇを表示する。映像５４０Ｇには、例えば複数のチップが積層された像１００Ｇが表示される。像１００Ｇには、制御部５２０で演算した発熱源の位置を示す画像ＤＦＧが半導体装置１００の像１００Ｇに重ね合わせた状態で表示される。
【００４９】
記憶部５３０は、例えば、熱検知カメラ５１０で取り込んだ信号を記憶する部分である。制御部５２０は、記憶部５３０に記憶された信号を読み出して所定の信号処理を施すことにより、半導体装置１００の発熱源の位置を求め、表示部５４０に表示させる。
【００５０】
測定装置５００においては、１つの制御部５２０によって熱検知カメラ５１０、記憶部５３０、表示部５４０及び電圧発生部５５０を制御しているが、複数の制御部によって各部を制御してもよい。また、制御部５２０は、コンピュータのプログラム処理によって実現してもよい。
【００５１】
測定装置５００を用いて半導体装置１００の測定を行うには、先ず、測定用保持具１１０に半導体装置１００を固定し、パッケージ１００Ｐの側面１００ｃから露出する端面ＭＬａに探針部３０を接触させる。
次に、電圧発生部５５０から発生した電圧を探針部３０から半導体装置１００へ与える。
【００５２】
次に、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の映像（信号）を取り込む。一定時間取り込んだ映像（信号）は、例えば記憶部５３０に記憶される。
【００５３】
次に、制御部５２０は、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号を例えば記憶部５３０から読み出し、所定の演算を行う。そして、演算結果を表示部５４０に表示させる。これにより、表示部５４０には、半導体装置１００の発熱源の位置を示す画像ＤＦＧが表示される。
【００５４】
例えば、半導体装置１００の半導体チップＣＰ内にショート（短絡）箇所がある場合、通常の配線パターンの電気抵抗値よりもショート箇所の電気抵抗値のほうが大きいことから、ショート箇所での発熱量が多くなる。この性質を利用して、熱検知カメラ５１０で取り込んだ信号から半導体装置１００の異常発熱箇所を求める。異常発熱箇所は、不良が発生している可能性の高い場所である。
【００５５】
実施形態に係る測定装置５００では、測定用保持具１１０によって半導体装置１００の側面１００ｃに露出する端面ＭＬａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）に探針部３０を接触させているため、半導体装置１００の上面１００ａ側を開放することができる。これにより、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の上面１００ａ側の映像を的確に取り込むことができる。
【００５６】
また、半導体装置１００を固定した測定用保持具１１０を、基台Ｓの上に上下反転して配置すれば、貫通孔１５を介して半導体装置１００の下面１００ｂの映像を的確に取り込むこともできる。すなわち、測定用保持具１１０では、探針部３０を半導体装置１００の側面１００ｃに接触させること、また、半導体装置１００の下面１００ｂ側に貫通孔１５が設けられていること、によって、貫通孔１５を介して遮るものなく半導体装置１００の下面１００ｂ側の映像を取り込むことができる。
【００５７】
図８（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
図８（ａ）には、半導体装置１００に与える電圧の時間変化の例が示されている。図８（ａ）に示すグラフの横軸は時間、縦軸は入力電圧Ｖｉｎである。半導体装置１００には、例えば所定の周波数のパルス電圧が与えられる。
図８（ｂ）には、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号の出力の時間変化の例が示されている。図８（ｂ）に示すグラフの横軸は時間ｔ、縦軸は出力値Ｓｏｕｔである。図８（ｂ）において横軸（時間ｔ）は、図８（ａ）における横軸（時間ｔ）と対応している。
【００５８】
半導体装置１００に例えばパルス電圧を印加して、その際の発熱の状態を熱検知カメラ５１０によって取り込むことで、異常発熱箇所がパルス電圧のパルスに呼応して、発熱源が点灯する。これによって、精度良く発熱源の位置が特定される。
【００５９】
また、図８（ａ）及び（ｂ）に表したように、半導体装置１００に与える電圧の位相（第１の位相）と、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号の位相（第２の位相）との間には、φ１の位相差が生じている。
【００６０】
この位相差φ１は、例えば半導体装置１００の上面１００ａを基準にした場合、上面１００ａと発熱源との距離（上面１００ａからの深さ）に関係している。
制御部５２０は、この関係に基づき位相差φ１から発熱源の上面１００ａからの深さを演算する。
【００６１】
図８（ｃ）は、発熱源からの熱の伝達を例示する模式図である。半導体装置１００の内部に発熱源になる不良箇所ＤＦがあった場合、不良箇所ＤＦで発生した熱は周囲に拡がっていく。ここで、半導体装置１００へ電圧を印加したタイミングで熱が発生した場合、その熱が半導体装置１００の上面１００ａに伝わるまで所定の時間を要する。この電圧を印加した時刻と、発熱源の熱に応じた信号を熱検知カメラ５１０で検知した時刻との時間差が、位相差φ１として現れることになる。
【００６２】
この位相差φ１は、例えば次のようなモデル式（式１）で表される。
φ１＝（Ａ・ｔａ＋Ｂ・ｔｂ）・Ｎ＋Ｃ …（式１）
式１において、Ａはチップの熱伝導係数、Ｂはダイアタッチフィルムの熱伝導係数、Ｎはチップの重ね合わせ段数、ｔａはチップの厚さ、ｔｂはダイアタッチフィルムの厚さ、Ｃはその他の要因である。ダイアタッチフィルムは、重なり合う複数のチップの間に設けられたフィルムである。
【００６３】
制御部５２０は、例えば上記モデル式（式１）を用いてφ１から不良箇所ＤＦの上面１００ａからの深さＤを演算する。
図９は、深さＤと位相差φ１との関係を示す図である。
図９に示すグラフの横軸は深さＤ、縦軸は位相差φ１を表している。図９では、８段のチップが重ねられた半導体装置１００について、不良箇所の上面１００ａからの深さＤと、位相差φ１との関係を表している。
【００６４】
ここで、図９に表したＬ１〜Ｌ８はチップの段数である。すなわち、Ｌ１〜Ｌ８は、深さＤの値が大きい側（深い側）を第１段Ｌ１、小さい側（浅い側）を第８段Ｌ８として表している。それぞれ段数Ｌ１〜Ｌ８には位相差φ１の範囲がある。位相差φ１がどの範囲に含まれるかによって不良箇所がどの段数Ｌ１〜Ｌ８に含まれるかを判別することができる。
制御部５２０は、例えば図９に表したようなグラフに基づくテーブルデータを参照して、位相差φ１から不良箇所のある段数Ｌ１〜Ｌ８を求めている。
なお、モデル式（式１）や図９のグラフは一例であり、これに限定されるものではない。
【００６５】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図１０に表した測定装置５０１は、測定用保持具１１０、制御部５２０、記憶部５３０、表示部５４０及び電圧発生部５５０を備える点で測定装置５００と同様であるが、２つの熱検知カメラ（第１の熱検知カメラ５１０Ａ及び第２の熱検知カメラ５１０Ｂ）を備える点で測定装置５００と相違する。
【００６６】
第１の熱検知カメラ５１０Ａは、測定用保持具１１０に固定される半導体装置１００の上面１００ａ側に配置される。第２の熱検知カメラ５１０Ｂは、測定用保持具１１０に固定される半導体装置１００の下面１００ｂ側に配置される。測定装置５０１では、半導体装置１００の上面１００ａ側及び下面１００ｂ側の両側から熱検知カメラによって映像を取り込む。
【００６７】
測定用保持具１１０では、支持基板１０に貫通孔１５が設けられている。このため、第２の熱検知カメラ５１０Ｂは、貫通孔１５を介して半導体装置１００の下面１００ｂ側の映像（信号）を取り込むことができる。
【００６８】
第１の熱検知カメラ５１０Ａ及び第２の熱検知カメラ５１０Ｂでそれぞれ取り込んだ信号は制御部５２０へ送られる。制御部５２０は、第１の熱検知カメラ５１０Ａ及び第２の熱検知カメラ５１０Ｂからそれぞれ送られた信号に基づいて半導体装置１００の不良箇所ＤＦの位置、上面１００ａからの深さを演算し、表示部５４０に表示させる。
【００６９】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、発熱源の位置の検出例を示す図である。
図１１（ａ）には、半導体装置１００に与える電圧の時間変化の例が示されている。図１１（ａ）に示すグラフの横軸は時間、縦軸は入力電圧Ｖｉｎである。半導体装置１００には、例えば所定の周波数のパルス電圧が与えられる。
図１１（ｂ）には、第１の熱検知カメラ５１０Ａによって取り込んだ信号の出力の時間変化の例が示されている。図１１（ｂ）に示すグラフの横軸は時間ｔ、縦軸は出力値Ｓ１ｏｕｔである。図１１（ｂ）において横軸（時間ｔ）は、図１１（ａ）における横軸（時間ｔ）と対応している。
図１１（ｃ）には、第２の熱検知カメラ５１０Ｂによって取り込んだ信号の出力の時間変化の例が示されている。図１１（ｃ）に示すグラフの横軸は時間ｔ、縦軸は出力値Ｓ２ｏｕｔである。図１１（ｃ）において横軸（時間ｔ）は、図１１（ａ）及び（ｂ）における横軸（時間ｔ）と対応している。
【００７０】
図１１（ａ）及び（ｂ）に表したように、半導体装置１００に与える電圧の位相（第１の位相）と、第１の熱検知カメラ５１０Ａによって取り込んだ信号の位相（第２の位相）との間には、φ１の位相差が生じている。この位相差φ１は、上面１００ａから発熱源（不良箇所ＤＦ）までの距離に関係している。
図１１（ａ）及び（ｃ）に表したように、半導体装置１００に与える電圧の位相（第１の位相）と、第２の熱検知カメラ５１０Ｂによって取り込んだ信号の位相（第３の位相）との間には、φ２の位相差が生じている。この位相差φ２は、下面１００ｂから発熱源（不良箇所ＤＦ）までの距離に関係している。
【００７１】
制御部５２０は、これらの位相差φ１及びφ２に基づき、上面１００ａからの不良箇所ＤＦの距離及び下面１００ｂからの不良箇所ＤＦまでの距離を演算する。例えば、制御部５２０は、図９に表したような上面１００ａから不良箇所ＤＦまでの距離と位相差φ１との関係（例えば、第１のテーブルデータとする。）、及び下面１００ｂから不良箇所ＤＦまでの距離と位相差φ２との関係（例えば、第２のテーブルデータとする。）を、それぞれ用いることで、高精度に不良箇所ＤＦの位置を求める。
【００７２】
例えば、図９に表したように、８段のチップが重ねられた半導体装置１００について、制御部５２０により第１のテーブルデータから求めた不良箇所ＤＦの段数が４段または５段であると判断され、第２のテーブルデータから求めた不良箇所ＤＦの段数が３段または４段であると判断された場合、これらの共通の段数である４段を最終的な不良箇所ＤＦの段数であると判断する。
【００７３】
第２実施形態では、モデル式（式１）で不良箇所ＤＦの段数を特定する。モデル式（式１）は、例えば係数Ｃのようにレンジをもった係数を有する。このため、モデル式（式１）用いて算出するとき、不良箇所ＤＦの段数が数多く存在する場合がある。
しかし、第３実施形態では、測定装置５００は、熱検知カメラ５１０Ａ、５１０Ｂを用いてパッケージ１００の上面１００ａ及び下面１００ｃの両方から、不良箇所ＤＦを測定する。したがって、１つのテーブルデータからは不良箇所ＤＦの段数を限定できない場合であっても、２つのテーブルデータを用いることで不良箇所ＤＦの段数をより限定することができるようになり、精度の高い検出が可能になる。
【００７４】
（第４の実施形態）
図１２は、第４の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図１２に表したように、第４の実施形態に係る測定装置５０２は、測定用保持具１１０、熱検知カメラ５１０、制御部５２０、記憶部５３０、表示部５４０及び電圧発生部５５０を備える点で測定装置５００と同様であるが、側面撮影カメラ５６０及び駆動制御部５７０を備える点で測定装置５００と相違する。
【００７５】
側面撮影カメラ５６０は、半導体装置１００の側面１００ｃの映像を取り込む。側面撮影カメラ５６０は、探針部３０の接触する側面１００ｃに対応して設けられている。図１２に表した例では、対向する２つの側面１００ｃに対応して２つの側面撮影カメラ５６０が設けられている。側面撮影カメラ５６０で取り込んだ信号は制御部５２０に送られる。
【００７６】
制御部５２０は、側面撮影カメラ５６０で取り込んだ信号に基づいて、側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａの位置（例えば、３次元での位置）を演算する。制御部５２０は、演算によって得た位置の情報を駆動制御部５７０へ送る。
【００７７】
駆動制御部５７０は、駆動部３５に駆動信号を与えて探針部３０の位置（先端の位置）を制御する部分である。駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られる位置の情報によって駆動部３５に駆動信号を与える。探針部３０の位置は、駆動制御部５７０によって制御される。なお、駆動制御部５７０は、制御部５２０に組み込まれていてもよい。
【００７８】
実施形態に係る測定装置５０２において半導体装置１００の測定を行うには、先ず、探針部３０を退けた状態で、支持基板１０に半導体装置１００を配置して、固定部２０（図１（ａ）及び（ｂ）参照）によって半導体装置１００を固定する。
【００７９】
次に、側面撮影カメラ５６０を用いて半導体装置１００の側面１００ｃの映像（信号）を取り込み、制御部５２０へ送る。制御部５２０は、側面撮影カメラ５６０で取り込んだ信号に基づいて、側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａの位置を演算する。制御部５２０は、演算によって得た位置の情報を駆動制御部５７０へ送る。
【００８０】
駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られた位置の情報に基づき、駆動部３５に駆動信号を与える。この駆動信号によって駆動部３５の例えばモータが所定量動作して、探針部３０が端面ＭＬａの位置に正確に接触する状態になる。
【００８１】
探針部３０が端面ＭＬａに接触した後は、電圧発生部５５０から発生した電圧を探針部３０から半導体装置１００へ与える。そして、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の映像（信号）を取り込む。一定時間取り込んだ映像（信号）は、例えば記憶部５３０に記憶される。
【００８２】
その後、制御部５２０は、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号を例えば記憶部５３０から読み出し、所定の演算を行う。そして、演算結果を表示部５４０に表示させる。これにより、表示部５４０には、半導体装置１００の発熱源の位置を示す画像ＤＦＧ（図７（ｂ）参照）が表示される。
【００８３】
実施形態に係る測定装置５０２では、探針部３０を自動的に側面１００ｃの端面ＭＬａに接触させることができ、探針部３０を端面ＭＬａに迅速かつ正確に接触させて測定を行うことができるようになる。
【００８４】
（第５の実施形態）
図１３は、第５の実施形態に係る測定装置を例示する模式図である。
図１３に表したように、第５の実施形態に係る測定装置５０３は、測定用保持具１１０、熱検知カメラ５１０、制御部５２０、記憶部５３０、表示部５４０、電圧発生部５５０及び駆動制御部５７０を備える点で測定装置５０２と同様であるが、側面撮影カメラ５６０が設けられていない点で測定装置５０２と相違する。
【００８５】
実施形態に係る測定装置５０３において、制御部５２０は、半導体装置１００の設計情報が記憶されるデータベースＤＢから設計情報を取得する処理を行う。例えば、設計情報に端面ＭＬａの位置情報が含まれる場合には、制御部５２０はその位置情報を参照する。
【００８６】
一方、設計情報に端面ＭＬａの位置情報が含まれない場合、制御部５２０は、半導体装置１００の設計情報のうち半導体装置１００の基準位置に対する端面ＭＬａの位置情報を算出する。
【００８７】
制御部５２０は、半導体装置１００の基準位置に対する端面ＭＬａの位置情報から、半導体装置１００が測定用保持具１１０に固定された際の支持基板１０に対する端面ＭＬａの位置を算出する。制御部５２０は、算出した位置の情報を駆動制御部５７０に送る。
【００８８】
駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られる位置の情報によって駆動部３５に駆動信号を与える。探針部３０の位置は、駆動制御部５７０によって制御される。なお、駆動制御部５７０は、制御部５２０に組み込まれていてもよい。
【００８９】
実施形態に係る測定装置５０３において半導体装置１００の測定を行うには、先ず、探針部３０を退けた状態で、支持基板１０に半導体装置１００を配置して、固定部２０（図１（ａ）及び（ｂ）参照）によって半導体装置１００を固定する。
【００９０】
次に、制御部５２０は、データベースＤＢから読み込んだ半導体装置１００の設計情報を用いて、側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａの支持基板１０に対する位置を算出する。制御部５２０は、算出した位置の情報を駆動制御部５７０に送る。
【００９１】
駆動制御部５７０は、制御部５２０から送られた位置の情報に基づき、駆動部３５に駆動信号を与える。この駆動信号によって駆動部３５の例えばモータが所定量動作して、探針部３０が端面ＭＬａの位置に正確に接触する状態になる。
【００９２】
探針部３０が端面ＭＬａに接触した後は、電圧発生部５５０から発生した電圧を探針部３０から半導体装置１００へ与える。そして、熱検知カメラ５１０によって半導体装置１００の映像（信号）を取り込む。一定時間取り込んだ映像（信号）は、例えば記憶部５３０に記憶される。
【００９３】
その後、制御部５２０は、熱検知カメラ５１０によって取り込んだ信号を例えば記憶部５３０から読み出し、所定の演算を行う。そして、演算結果を表示部５４０に表示させる。これにより、表示部５４０には、半導体装置１００の発熱源の位置を示す画像ＤＦＧ（図７（ｂ）参照）が表示される。
【００９４】
実施形態に係る測定装置５０３では、半導体装置１００の設計情報に基づき探針部３０を自動的に側面１００ｃの端面ＭＬａに接触させることができる。これにより、側面の映像を取り込むことなく探針部３０を端面ＭＬａに迅速かつ正確に接触させて測定を行うことができるようになる。
【００９５】
次に、他の適用例について説明する。
図１４は、他の適用例について示す模式図である。
図１４では、被測定物である半導体装置１００が実装用基板６００Ａに実装された状態で測定用保持具１１０に固定されている状態を表している。
図１５（ａ）〜（ｂ）は、実装用基板の例を示す模式図である。
図１５（ａ）に表したように、半導体装置１００は、例えば実装用基板６００の所定位置に、はんだ付けによって実装されている。実装用基板６００には、半導体装置１００以外の部品が実装されている場合もある。
図１５（ｂ）には、図１５（ａ）に表した破線に沿って実装用基板６００を分割した状態が表されている。分割した実装用基板６００Ａには半導体装置１００が実装されている。
【００９６】
図１４に表したように、実施形態に係る測定用保持具１１０は、実装用基板６００Ａに実装された状態であっても半導体装置１００を固定することができる。この場合、図１（ａ）及び（ｂ）に表した固定部２０の例えば一対の固定部材２０Ａ及び２０Ｂによって、半導体装置１００のパッケージ１００Ｐの対角となる２つの隅部を挟持するか、または分割した実装用基板６００Ａの対角となる２つの隅部を挟持することによって半導体装置１００の固定を行う。
【００９７】
固定部２０によって半導体装置１００を固定した後は、半導体装置１００の側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａに探針部３０を接触させる。これにより、探針部３０から半導体装置１００に所定の電圧を印加できるようになる。
【００９８】
実施形態に係る測定用保持具１１０においては、実装用基板６００Ａに半導体装置１００が実装された状態でも半導体装置１００の固定を行うことができるため、半導体装置１００を実装用基板６００（６００Ａ）から取り外すことなく、実装したまま測定を行うことができる。
【００９９】
一般に、図１５（ａ）に表したように、半導体装置１００が実装用基板６００に実装されたあと、半導体装置１００の不良箇所を検査したい場合には、半導体装置１００を実装用基板６００から取り外している。例えば、半導体装置１００を加熱してはんだを溶融し、実装用基板６００から半導体装置１００を取り外す。半導体装置１００を取り外した後は、半導体装置１００の電極ＢＰを再度形成して、再形成した電極ＢＰを介して電圧を印加している。
しかし、半導体装置１００を実装用基板６００から取り外す際の加熱によって半導体装置１００は少なからず熱の影響を受ける。このような熱の影響を受けた半導体装置１００を検査した場合、不良原因の切り分けが困難になる。
【０１００】
実施形態に係る測定用保持具１１０を用いる場合には、図１５（ａ）及び（ｂ）に表したように、半導体装置１００の周囲で実装用基板６００を分割し、分割した実装用基板６００Ａに実装されている半導体装置１００を取り外すことなく、そのまま測定用保持具１１０に固定している。
そして、半導体装置１００の側面１００ｃから露出する導通部ＭＬの端面ＭＬａと探針部３０とを接触させて、この探針部３０から端面ＭＬａを介して半導体装置１００に電圧を印加することができる。
したがって、半導体装置１００に熱によるストレスを与えることなく、実装後の不良箇所を正確に検査できるようになる。
【０１０１】
以上説明したように、実施形態に係る測定用保持具及び測定装置によれば、精度の高い検査を行うことができるようになる。
【０１０２】
なお、上記に実施形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
例えば、実施形態においては熱検知カメラ５１０と被測定物との相対的な位置を固定しているが、必要に応じて変化させてもよい。例えば、熱検知カメラ５１０を、被測定物を配置する位置を中心として回転可能に設けてもよい。熱検知カメラ５１０によって種々の角度から被測定物の映像を取り込むことで、不良箇所の３次元的な位置が検出される。
また、第２の実施形態に係る測定装置において、被測定物の映像を複数の角度から取り込むことで不良箇所を精度良く検出することができる。すなわち、１つのテーブルデータからは不良箇所ＤＦの段数を限定できない場合であっても、複数のテーブルデータを用いることで不良箇所ＤＦの段数をより限定することができるようになり、精度の高い検出が可能になる。
また、前述の各実施形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【０１０３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…支持基板、１５…貫通孔、２０…固定部、３０…探針部、３５…駆動部、４０…切り替え部、１００…半導体装置、１００Ｐ…パッケージ、１００ａ…上面、１００ｂ…下面、１００ｃ…側面、１１０…測定用保持具、３０１…第１の探針部、３０２…第２の探針部、５００〜５０３…測定装置、５１０…熱検知カメラ、５１０Ａ…第１の熱検知カメラ、５１０Ｂ…第２の熱検知カメラ、５２０…制御部、５３０…記憶部、５４０…表示部、５５０…電圧発生部、５６０…側面撮影カメラ、５７０…駆動制御部、ＢＰ…電極、ＭＬ…導通部、ＭＬａ…端面、Ｐ１…第１の配線、Ｐ２…第２の配線、Ｔ１…第１の端子、Ｔ２…第２の端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具であって、
前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、
前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、
前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動可能な前記導通部と接触する探針部と、
を備え、
前記固定部は、
前記支持基板に設けられ、前記パッケージを挟持する一対の固定部材を有する測定用保持具。
【請求項２】
複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具であって、
前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、
前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、
前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動可能な前記導通部と接触する探針部と、
を備えた測定用保持具。
【請求項３】
前記固定部は、
前記支持基板に設けられ、前記パッケージを挟持する一対の固定部材を有する請求項２記載の測定用保持具。
【請求項４】
前記探針部の前記導通部と接触する側の端部はバネ性を有する請求項２または３に記載の測定用保持具。
【請求項５】
複数の前記探針部を備え、
前記複数の探針部のうちの第１の前記探針部または第２の前記探針部と導通し第１の電位が与えられる第１の配線と、
前記第２の探針部または前記第１の探針部と導通し前記第１の電位とは異なる第２の電位が与えられる第２の配線と、
前記第１の探針部と前記第１の配線または前記第２の配線との接続、及び前記第２の探針部と前記第２の配線または前記第１の配線との接続の切り替えを行う切り替え部と、
をさらに備えた請求項２〜４のいずれか１つに記載の測定用保持具。
【請求項６】
上面、下面及び側面を含むパッケージと、前記下面に設けられた電極と、前記側面から露出し前記電極と導通する導通部と、を有する被測定物の導通特性を測定する測定装置であって、
前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、含む測定用保持具と、
前記探針部から前記導通部を介して前記被測定物に印加する電圧を発生する電圧発生部と、
前記被測定物に電圧を印加した際に前記被測定物から発生する熱に応じた信号を取り込む熱検知カメラと、
前記熱検知カメラで取り込んだ信号に基づき前記被測定物の発熱源の位置を演算する制御部と、
を備えた測定装置。
【請求項７】
前記支持基板に固定された前記被測定物の前記側面の画像を取り込む側面撮影部と、
前記探針部を駆動する駆動部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記側面撮影部で取り込んだ画像から前記導通部の位置を検出し、前記検出した位置に前記探針部を移動するよう前記駆動部に指示を与える請求項６記載の測定装置。
【請求項８】
前記探針部を駆動する駆動部をさらに備え、
前記制御部は、前記被測定物の設計情報により前記探針部を前記導通部に接触させるように前記駆動部に指示を与える請求項７記載の測定装置。
【請求項１】
複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具であって、
前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、
前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、
前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動可能な前記導通部と接触する探針部と、
を備え、
前記固定部は、
前記支持基板に設けられ、前記パッケージを挟持する一対の固定部材を有する測定用保持具。
【請求項２】
複数の半導体チップを含むパッケージ、前記パッケージの側面から露出し前記半導体チップの電極と導通する導通部、を有する被測定物を保持する測定用保持具であって、
前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、
前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、
前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動可能な前記導通部と接触する探針部と、
を備えた測定用保持具。
【請求項３】
前記固定部は、
前記支持基板に設けられ、前記パッケージを挟持する一対の固定部材を有する請求項２記載の測定用保持具。
【請求項４】
前記探針部の前記導通部と接触する側の端部はバネ性を有する請求項２または３に記載の測定用保持具。
【請求項５】
複数の前記探針部を備え、
前記複数の探針部のうちの第１の前記探針部または第２の前記探針部と導通し第１の電位が与えられる第１の配線と、
前記第２の探針部または前記第１の探針部と導通し前記第１の電位とは異なる第２の電位が与えられる第２の配線と、
前記第１の探針部と前記第１の配線または前記第２の配線との接続、及び前記第２の探針部と前記第２の配線または前記第１の配線との接続の切り替えを行う切り替え部と、
をさらに備えた請求項２〜４のいずれか１つに記載の測定用保持具。
【請求項６】
上面、下面及び側面を含むパッケージと、前記下面に設けられた電極と、前記側面から露出し前記電極と導通する導通部と、を有する被測定物の導通特性を測定する測定装置であって、
前記被測定物を配置する位置に貫通孔が設けられた支持基板と、前記支持基板に前記被測定物を固定する固定部と、前記支持基板に対して少なくとも１軸方向に可動に設けられ前記導通部と接触する探針部と、含む測定用保持具と、
前記探針部から前記導通部を介して前記被測定物に印加する電圧を発生する電圧発生部と、
前記被測定物に電圧を印加した際に前記被測定物から発生する熱に応じた信号を取り込む熱検知カメラと、
前記熱検知カメラで取り込んだ信号に基づき前記被測定物の発熱源の位置を演算する制御部と、
を備えた測定装置。
【請求項７】
前記支持基板に固定された前記被測定物の前記側面の画像を取り込む側面撮影部と、
前記探針部を駆動する駆動部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記側面撮影部で取り込んだ画像から前記導通部の位置を検出し、前記検出した位置に前記探針部を移動するよう前記駆動部に指示を与える請求項６記載の測定装置。
【請求項８】
前記探針部を駆動する駆動部をさらに備え、
前記制御部は、前記被測定物の設計情報により前記探針部を前記導通部に接触させるように前記駆動部に指示を与える請求項７記載の測定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−９６８２９（Ｐ２０１３−９６８２９Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３９６３６（Ｐ２０１１−２３９６３６）
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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