【課題】半導体装置の寿命を精度よく推定するとともに、可及的に短期間で寿命を推定することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】寿命推定方法は、（ａ）半導体装置に含まれる半導体チップ及び金属配線１２を互いに接合する接合部の温度ストレス量たる接合温度ストレス量ΔＴ_wbと、半導体装置の寿命に対応するサイクル数Ｎｆとをパラメータとする基準寿命カーブを準備する工程と、（ｂ）基準寿命カーブを用いて半導体装置の寿命を推定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に実装されている複数の電子部品に対して、同時にまたは個別に温度サイクルを与えることができる、加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置を提供する。
【解決手段】レーザビームを発振させるレーザ発振器１と、レーザビームを整形するビーム整形光学系２と、回路基板５を冷却する冷却装置９と、電子部品６ａ〜６ｅの温度を測定する温度測定器１２ａ、１２ｂと、電子部品の上面に載せられるレーザ吸収体７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｅと、電子部品の上面に載せられたレーザ吸収体の上面にレーザビーム３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｅを照射して電子部品を昇温させる昇温ステップ、および電子部品を冷却する冷却ステップを繰り返し行なわせる制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電源と線材コストを抑え、かつ試験サイクルの時間を短縮することができる断続通電試験装置、断続通電試験方法、および発熱電子デバイスを提供する。
【解決手段】断続通電試験装置１は、半導体パッケージ２に接触することによって、この半導体パッケージ２の放熱を行う放熱板５，６と、これら放熱板５，６の間に設けられ、半導体パッケージ２の発熱状態に基づいて伸縮変形するバイメタル７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＯＳＦＥＴに対して同時にパワーサイクル試験を行うこと。
【解決手段】本発明では、チャネル部発熱処理において、他のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される電圧と同一のゲート電圧をＭＯＳＦＥＴ１のゲートに供給することにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１に対して同時にパワーサイクル試験を行うため、従来に比べて試験時間を短縮することができる。また、チャネル部発熱処理において、第１設定時間“３ｍｉｎ”ちょうどでチャネル温度が規定温度“１５０℃”に達するようにゲート電圧ＶＧを下げるが、第１設定時間“３ｍｉｎ”になる前にチャネル温度が規定温度“１５０℃”に達する場合、ゲート電圧ＶＧを更に下げると共に、ドレイン電流ＩＤを減少させる。このため、ＭＯＳＦＥＴ１の特性が他のＭＯＳＦＥＴの特性に対してばらつきがあっても、複数のＭＯＳＦＥＴ１に対して同時にパワーサイクル試験を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電源の出力低下を引起こさずに試験対象の半導体装置への大電流かつ高速の断続通電を可能にする。
【解決手段】パワーサイクル試験装置１は、抵抗部ＤＥと電源部１０とを備える。抵抗部ＤＥは、試験対象の半導体装置ＴＥの通電時の抵抗値とほぼ等しい抵抗値を有し、試験対象の半導体装置ＴＥと並列に設けられる。電源部１０は、試験対象の半導体装置ＴＥと抵抗部ＤＥとに交互に通電する。 （もっと読む）

【課題】試験対象物に対する試験環境を維持しつつ装置の消費エネルギーを低減させる。
【解決手段】環境試験装置１は、試験室５と、空調機器７と、試験室５内に着脱可能に設けられる容量変更部材１０と、試験室５内の空気を所定の温湿度に調節するように、空調機器７の出力を制御する制御装置１００とを含んでいる。そして、制御装置１００は、試験室５内に容量変更部材１０が設けられた第１の状態において、空調機器７の出力が試験室５内に容量変更部材１０が設けられていない第２の状態におけるよりも小さくなるように、空調機器７を制御する。 （もっと読む）

【課題】丸めによる誤差要因を無くし高精度な寿命予測を行うことができるパワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】IGBTモジュールの銅ベース温度を検知する温度センサ10と、該温度センサ出力を一定のサンプリング周期でA/D変換するA/D変換器20と、A/D変換器出力から温度差を検出し、検出した温度差と予め保持されている変曲点温度差とを比較し、その比較結果から検出した温度差が予めパワーサイクル試験を経て解析されたパワーサイクル寿命カーブを近似する複数の直線のいずれの側にあるかに応じて近似させる直線の傾き及び該直線において予め設定された基準温度差について寿命データレジスタ40に保持された演算パラメータを受領して寿命計算し寿命情報を出力する寿命演算回路30と、寿命演算回路30で寿命計算を行うための演算パラメータを保持する寿命データレジスタ40と、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板と半導体集積回路の接続不良を検出すること。
【解決手段】 バウンダリスキャン対応の半導体集積回路が実装されたプリント基板を熱衝撃室２を通過させて熱衝撃を与え、半導体集積回路の入力端子及び出力端子に接続されるプリント基板内配線パターンに対してプローブ３７を押し当てる。制御装置４は、入力端子に対応するプローブ３７に対してテストデータを与えて、スキャンセルから前記シフト動作により読み出し、前記シフト動作によりデータを出力端子のスキャンセル与えて、当該出力端子から出力させてこれに対応するプローブ３７から読み出し、半導体集積回路１００に与えたデータと、半導体集積回路１０１から読み出したデータを比較して、半導体集積回路１００１とプリント基板１００の接続を判定する。 （もっと読む）

【課題】実使用環境下により近い状態で発光装置の信頼性を検査し、より確実に不具合品を早く検出し易くする試験装置および試験方法を提供する。
【解決手段】試験装置１は、恒温恒湿槽１０内に設置された発光装置７０外の雰囲気の温度及び湿度を制御する第１の制御手段（制御部４０）と、この雰囲気に晒された発光装置７０を断続的な通電により発熱させるために、発光装置７０に通電させる電流の電流値及び時間を制御する第２の制御手段（制御部２０）と、を備えている。そして、試験装置１を用いて、恒温恒湿槽１０内に設置された発光装置７０の雰囲気の温度及び湿度を制御しながら、発光装置７０を断続的な通電により発熱させるために、発光装置７０に通電させる電流の電流値及び時間を制御しながら、発光装置７０の加速寿命試験を行う。 （もっと読む）

【課題】 好適に半導体チップの温度変化試験を行うことができる温度変化試験装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップの温度変化試験装置１０であって、半導体チップに対して少なくとも３点で接触可能であり、それらの接触箇所にパイプ内外を連通する連通孔１２ｄが形成されているバキュームパイプ１２と、バキュームパイプ１２内の気体を吸引する吸引手段１８と、半導体チップがバキュームパイプ１２と接触したときに、半導体チップと近接する位置に配設されている高温パイプ１４と、高温パイプ１４内に液体を流通させる第１流通手段２０と、半導体チップがバキュームパイプ１２と接触したときに、半導体チップと近接する位置に配設されている低温パイプ１６と、低温パイプ１６内に高温パイプ１４内の液体より温度が低い液体を流通させる第２流通手段２２を有している。 （もっと読む）

【課題】 高温環境と低温環境を速やかに切換えることに加え、装置全体の小型化、更には電力消費の低減を図る。
【解決手段】 熱交換器３の上面にペルチェ素子を用いた少なくとも一つ以上のサーモモジュール４…を配し、かつこのサーモモジュール４…の上面に伝熱プレート５を配するとともに、この伝熱プレート５に対して開閉するカバー部６を設け、このカバー部６を閉じた際に伝熱プレート５を底面部２ｄとする試験槽２を構成する試験槽機構Ｍａと、熱交換器３を冷却する冷却気体Ａｃを得る冷却器７を用いた冷却機構Ｍｂと、サーモモジュール４…及び冷却器７の作動を制御するコントローラ８とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの性能試験等に使用される試験用恒温装置を改良し、極低温や高温に温度調節しても試料配置部の撓みが少ない試験用恒温装置を提供する。
【解決手段】試料配置部２と、架台３とからなる。架台３は、接続部１５と中間部１６及び台座部１７によって構成されている。接続部１５の熱膨張率は試料配置部２と同一である。中間部１６は、断熱性に優れる。台座部１７は三角形の板である。各部材は、ネジ（軸状締結要素）によって結合されており、台座部１７の中心と、中間部１６の中心と、接続部１５の中心及び試料配置部２の中心を一本のネジ２０が貫いている。試料配置部２の対向面９と接続部１５の間は、３本のネジ２１が貫いている。接続部１５と中間部１６との間は、３本のネジ２２が貫いている。中間部１６と台座部１７との間は、３本のネジ２３が貫いている。ネジ２１，２２，２３は、いずれも各部材の中心を中心とするピッチ円上にある。 （もっと読む）

【課題】従来より高温域で用いられるデバイスの耐久性を検証することが可能なデバイス評価装置およびデバイス評価方法を提供する。
【解決手段】評価装置３０は、発熱部ベースプレート４５と冷却部材（ベースプレート５、ペルチェ素子９、放熱器１１、冷媒流路１３、熱交換器１５、ポンプ１４、冷媒１７）とヒータと移動部材４０と制御装置２９とを備える。発熱部ベースプレート４５は、半導体デバイスを含み電力が供給される被測定体１を保持する。冷却部材は、発熱部ベースプレート４５と着脱可能に接触し、保持部材を介して被測定体１の熱を除去するためのものである。ヒータは、被測定体１を加熱する。移動部材４０は、発熱部ベースプレート４５を冷却部材のベースプレート５に対して着脱させるように移動する。制御装置２９は、冷却部材、ヒータ、および移動部材４０を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのサイズの設計変更に対応できる特性評価用チップを提供する。
【解決手段】ウエハ上に、各々が評価用のＴＥＧを有する単位チップをアレイ状に形成する。単位チップの縦をＡ倍、横をＢ倍（Ａ、Ｂは整数）したものが評価用チップの縦及び横のサイズである。半導体チップのサイズが設計変更された場合、その設計変更後のサイズに合うようにＡ、Ｂの値を変更することにより、半導体チップと同じ大きさの評価用チップを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】スターリング冷凍機を使用した試験装置を改良し、高温状態から低温状態に変化させる際に異音や振動が生じることのない試験装置の開発を課題とする。
【解決手段】試験槽２の内部に載置台６、冷却チューブ（補助冷却装置）７及び加熱板８が設置されている。載置台６は、背面側にシリンダー装入筒部１１が設けられている。載置台６が高温状態であって、載置台の温度を低下すべくスターリング冷凍機３の運転を開始する際に、冷却チューブ（補助冷却装置）７を起動し、スターリング冷凍機３の冷却能力を補助する。載置台６の温度が室温に近い状況まで下がったことを条件として補助冷却装置７を停止する。 （もっと読む）

【課題】無線通信の信頼性が要求される電子部品の温度サイクルに対する正確な寿命を知ることができる温度サイクル試験装置及び温度サイクル試験方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無線通信用電子部品の温度差に対する耐性を確認する温度サイクル試験装置であって、少なくとも加熱炉２と、冷却炉３と、電子部品移送機構５と、移送制御コントローラ６と、温度センサ７と、通信特性センサ８と、ドライヤー１０と、ドライヤー１１と、電磁波遮蔽板１２とを具備していることを特徴とする温度サイクル試験装置である。 （もっと読む）

【課題】効率的に温度試験対象物の温度試験ができる高低温度試験装置を提供する。
【解決手段】ペルチェモジュール１の一端側の面と電気ヒータ４とにより温度試験対象物９を挟み、対象物温度検出手段１２が検出する温度試験対象物の検出温度が目標温度よりも高い時には、ペルチェモジュール１の一端側の面が吸熱面となるようにペルチェモジュール１を冷却側駆動し、前記検出温度が前記目標温度よりも低いときにはペルチェ端面温度検出手段２８により検出されるペルチェ端面温度が目標温度よりも低い予め定めたペルチェ加熱停止基準温度に達するまでは、ペルチェモジュール１の一端側の面が放熱面となるようにペルチェモジュールを加熱側駆動すると共に電気ヒータ４駆動し、前記ペルチェ端面温度が前記ペルチェ加熱停止基準温度に達した以降はペルチェモジュール１の駆動を停止して電気ヒータ４のみで前記温度試験対象物の加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】電子部品を温度サイクル試験にかける場合に、大気中の水分によるポリイミド樹脂の吸湿、脱水の影響をできる限り排除した試験環境で試験を行う。
【解決手段】部屋９内に、電子部品１、冷却炉２、加熱炉３、電子部品保持部４、運動機構５等を配置し、部屋９の周囲には、運動制御コントローラ６、温度センサ７、電気特性センサ８、湿度計１２等が設け、電子部品の温度差に対する耐性を確認する温度サイクル試験を行う。この際、部屋９内における電子部品の湿度環境を湿度１０％ＲＨ（温度２５°Ｃ）以下に制御する。また、部屋９内から空気を抜いて窒素ガスを充填することにより、吸湿、脱水現象を防止する。 （もっと読む）

【課題】低温恒温槽を具備したＩＣ試験装置において、低温恒温槽の周面に結露が発生することを阻止する。
【解決手段】低温恒温槽の結露が発生する部分に密封カバーを被せるか又は低温恒温槽と高温恒温槽とを具備したＩＣ試験装置では高温恒温槽の熱を高温恒温槽の内壁に沿って配管したチューブとエアコンプレッサ、又は高温恒温槽の上部に配した送風機によって上記低温恒温槽の外壁面に配給し、低温恒温槽の周面において結露の発生を阻止させる。 （もっと読む）

【課題】潜在的な不良品を事前に抽出し、製品の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に多層成膜し、回路パターンを形成する前工程（ステップＳ１１）と、前工程で処理されたウェハをダイシングし、各半導体チップに分け、リードフレーム上にマウントし、ワイヤーボンディング後、樹脂封入する後工程（ステップＳ１９）と、を含む半導体装置の製造方法であって、前工程中または後工程後に、ウェハまたは半導体装置に熱的および機械的な所定の応力を印可する応力印可工程（ステップＳ１３）と、応力印可工程後に、ウェハまたは半導体装置の電気テストを実施する電気テスト工程（ステップＳ１５）と、を含む。 （もっと読む）