【課題】短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供する。
【解決手段】半導体素子の検査システムは、電流源１と、電流計２と、電圧計３と、電流制御部４と、電圧読出部５と、判定部６とを備えている。半導体素子に大きな順方向電流を印加してＰＮ接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に実装されている複数の電子部品に対して、同時にまたは個別に温度サイクルを与えることができる、加熱冷却試験方法および加熱冷却試験装置を提供する。
【解決手段】レーザビームを発振させるレーザ発振器１と、レーザビームを整形するビーム整形光学系２と、回路基板５を冷却する冷却装置９と、電子部品６ａ〜６ｅの温度を測定する温度測定器１２ａ、１２ｂと、電子部品の上面に載せられるレーザ吸収体７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｅと、電子部品の上面に載せられたレーザ吸収体の上面にレーザビーム３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｅを照射して電子部品を昇温させる昇温ステップ、および電子部品を冷却する冷却ステップを繰り返し行なわせる制御装置１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ接合部の剥離やクラック発生による劣化を高精度かつ容易に診断可能とした半導体パワーモジュールの劣化診断方法及び劣化診断装置を提供する。
【解決手段】半導体パワーモジュールを構成する半導体チップとボンディングワイヤとの接合部の劣化を診断するための劣化診断方法において、半導体チップを複数、直列に接続して各半導体チップのオン時における飽和電圧の合計値を測定し、この合計値が閾値を超えたことから前記接合部に劣化が生じたと判断する。または、前記接合部を第１の接合部とすると共に、半導体チップとボンディングワイヤとの線膨張係数の差よりも大きい線膨張係数の差を持つようなダミー基板とボンディングワイヤとの接合部を、第２の接合部として別個に備え、第１の接合部と第２の接合部とを直列に接続して主回路電流を通流し、第２の接合部の劣化状態から第１の接合部の劣化を予測する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの全ての端子に出力信号測定器を接続しなくても、半導体パッケージの端子とチップのパッドとの接続テストを可能とする。
【解決手段】半導体パッケージ接続テスト装置１は、半導体パッケージ２に組み込まれたチップ３に設けられた複数のパッドのそれぞれと、半導体パッケージ２に設けられた複数の端子４のそれぞれとが、複数のワイヤ６によってそれぞれ接続されているか否かをテストする半導体パッケージ接続テスト装置であって、互いに隣接する端子４の一方に接続され、互いに隣接する端子４の一方と他方との間の寄生容量に基づいて、他方の端子４に対応するパッドから出力される出力信号を測定する出力信号測定器７を設けた。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング工程以降に低コストでボンディングワイヤの接続状態を検査する。
【解決手段】半導体製造装置は、半導体チップ２００を搭載するリードフレーム２３０のリード２６０に接続する第１の測子１００と、リード２６０の上面と対向する第２の測子１２０と、第２の測子１２０をリード２６０に向けて移動させる移動部１４０と、第１の測子１００と第２の測子１２０との間に電圧を印加する電圧発生部１６０と、第１の測子１００と第２の測子１２０との間に流れる電流を検出する電流検出部１８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板と半導体集積回路の接続不良を検出すること。
【解決手段】 バウンダリスキャン対応の半導体集積回路が実装されたプリント基板を熱衝撃室２を通過させて熱衝撃を与え、半導体集積回路の入力端子及び出力端子に接続されるプリント基板内配線パターンに対してプローブ３７を押し当てる。制御装置４は、入力端子に対応するプローブ３７に対してテストデータを与えて、スキャンセルから前記シフト動作により読み出し、前記シフト動作によりデータを出力端子のスキャンセル与えて、当該出力端子から出力させてこれに対応するプローブ３７から読み出し、半導体集積回路１００に与えたデータと、半導体集積回路１０１から読み出したデータを比較して、半導体集積回路１００１とプリント基板１００の接続を判定する。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤーでボンディングを行う半導体装置において、ワイヤーボンディング不良を容易かつ確実に検出する。
【解決手段】半導体装置３０１は、半導体層２と、半導体層２に電気的に接続された複数のパッド１７Ａ、１７Ｂと、複数のパッド１７Ａ、１７Ｂのそれぞれに少なくとも１つずつ接続されたワイヤー５０ｓとを備え、複数のパッド１７Ａ、１７Ｂは、ワイヤー５０ｓを介して、外部と接続される同一の端子４０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内部にありチップ間を接続する端子について、リークの有無を短時間で検査できる半導体装置のリーク検査方法およびそれが適用可能な半導体装置の提供。
【解決手段】半導体装置１のパッケージ２内には、入力側インバータ５を含んだ入力側チップ３および出力側インバータ６を含んだ出力側チップ４が形成されている。入力側インバータ５の出力端５ｃと出力側インバータ６の入力端６ａとは、チップ３、４間において接続端子１０により接続されている。出力側チップ４内のリーク検査方法は、電源端子Ｖddに電圧を供給して接続端子１０を充電した後、接続端子１０をハイインピーダンス化した状態で、電源端子Ｖddの電圧を変化させて出力側インバータ６のスレシホールド電圧を接続端子１０の充電電圧近傍に設定する。その後、リークにより接続端子１０の充電電圧が増減したことを、出力側インバータ６の出力信号の反転により検出する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子を有する半導体モジュールにおいて、個々の半導体素子の動作試験を容易に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１００は、配線基板１１０と、配線基板１１０に実装された第１の半導体素子１２０および第４の半導体素子１７０を含む。はんだボール１６０ａは、第１の半導体素子１２０のロジック信号用電極１２２のひとつと電気的に接続されている。また、はんだボール１６０ｂは、第４の半導体素子１７０のロジック信号用電極のひとつと電気的に接続されている。はんだボール１６０ａに対応する電極パッド２１０ａとはんだボール１６０ｂに対応する電極パッド２１０ｂとは、実装基板２００に設けられた第３の配線層２２０によって電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】同一機能を有する複数のパッドが配設された半導体デバイスにおいて、ボンディング不良を簡便な構成にて検出する手段を提供する。
【解決手段】半導体デバイスは、個々のボンディング手段によりパッケージの電極部と接続される、同一機能を有する複数のパッド６０と、各パッドに対応して設けられ第1のルート５１を介して入力信号が与えられる第1の入力端子６２、第２のルート５２を介して入力信号が与えられる第２の入力端子６１とを有するテスト回路７１と、第１のルート及び第２のルートが、ボンディングが正常な場合と不良の場合とで異なる経路となるように設けられた配線と、第１のルートと第２のルートとでテスト回路に入力されるタイミングを調整する遅延手段とを備える。そして、テスト回路から出力される検出信号に基づいてボンディング不良を検出する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の不良箇所を容易に特定することができる不良解析装置およびその方法を提供する。
【解決手段】 不良解析装置１００は、サンプルＳを支持するための支持部材１１０と、支持部材１１０の上方に配置された一対の上部プローブピン１２０と、支持部材１１０の下方に配置された一対の下部プローブピン１３０と、一対の下部プローブピン１３０を固定しかつ下部プローブピン１３０のｘ、ｙ、ｚ方向の移動を可能にする下部マニュピレータ１４０と、支持部材１１０の下方に配置され支持部材１１０に支持されたサンプルＳの底面の像を映し出すミラー１５０と、ミラー１５０からの反射光を受け取り、サンプルＳの底面の拡大像を見る光学顕微鏡１６０と、下部マニュピレータ１４０の下端に取り付けられたマグネット１７０と、マグネット１７０を固定する基部プレート１８０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】実装による不良の発生の有無をより適切に評価すること。
【解決手段】集積回路１７が実装された実装試験装置３が備えている複数の信号線２−１〜２−ｎのうちの第１信号線２−１、２−２に試験電圧を印加する電圧源５と、第２信号線２−２に試験電圧が電圧伝播したかどうかを出力する出力装置８−３〜８−ｎとを備えている。集積回路１７は、電気機器に搭載されるときに、第１信号線２−１、２−２に接地電圧が印加され、かつ、第２信号線２−２を介して電気信号が入出力される。その電気信号は、接地電圧を示し、または、接地電圧より高い電圧を示している。このとき、本発明による実装試験評価装置１は、集積回路１７が所定の静電保護回路３２−１〜３２−ｍを備えているときに、集積回路１７と複数の信号線２−１〜２−ｎとが接続されているかどうかをより適切に判別することができる。 （もっと読む）

【課題】 検査コストを抑えて、ＰＯＰ接続箇所の接続不良を容易に検出可能な電子機器を提供する。
【解決手段】 ＣＰＵ２１のＩＯ端子＃１が基板上の配線にて下段ＰＫＧ２の裏面のＡ１端子に配線され、このＡ１端子は表面のＡ’１端子に導通し、上段ＰＫＧ１の裏面のａ１端子と半田付けされる。このａ１端子は内部接続されたａ２１端子から下段ＰＫＧ２の表面のＡ’２１端子に半田付けされる。このＡ’２１端子は裏面のＡ２１端子に導通し、基板上の配線によってＡＡ２１端子に配線される。ＡＡ２１端子はＡＡ’２１端子に導通し、ＡＡ’２１端子とａａ２１端子とが半田付けされ、上段ＰＫＧ１のａａ２１端子がａ１端子に内部接続され、ＡＡ’１端子と半田付けされる。このＡＡ’１端子が裏面のＡＡ１端子に導通し、ＡＡ１端子が基板上の配線によってＣＰＵ２１のＩＯ端子＃２に接続される。 （もっと読む）

【課題】高温保管信頼性の評価時間を、処理温度を上げずに短くする手法を提供する。
【解決手段】リードフレーム,ＢＧＡ基板のダイパッド上に半導体素子４を接着固定し、半導体素子のワイヤーボンディングパッドとリードフレームのインナーリード２, ＢＧＡ基板のワイヤーボンディングパッドを金線３にて接続した後、樹脂７等で封止してなる半導体装置の高温保管信頼性評価において、回路をデイジー接続し、半導体素子と金線との接続抵抗を累積して取り出すことを特徴とする半導体装置の高温保管信頼性評価方法。 （もっと読む）

【課題】組立工程においてパワーＭＯＳＦＥＴのチップに発生したクラックを電気的に且つ高精度に検出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】チップ２１の外周に沿うように設けられたドレイン配線２３のさらに外側に沿うように検査用絶縁膜を形成し、この検査用絶縁膜上に検査用配線２２を設ける。ドレインリード４０および検査用リード４３を介してドレイン配線２３と検査用配線２２との間に電圧を印加し、この間のリーク電流を測定すれば、その大きさに応じてチップ２１周縁部にクラックが発生しているか否かを容易に判定できる。 （もっと読む）

【課題】 帯状の接続導体を有する電子装置の製造方法およびその検査方法を提供する。
【解決手段】 電極パッド１４（第１接続部位）とリード端子１５（第２接続部位）とを接続する帯状の接続導体１６を有する半導体装置１０において、振動周波数ｆを掃引しながら半導体装置１０を振動させ、接続導体１６の振動速度の周波数特性を求めるステップと、接続導体１６の振動速度の周波数特性と第１基準周波数特性とを比較し、第１比較結果を求めるステップと、振動周波数を掃引しながら固有振動数が既知のテスト部品４１を振動させ、テスト部品４１の振動速度の周波数特性を求めるステップと、テスト部品４１の振動速度の周波数特性と第２基準周波数特性とを比較し、第２比較結果を求めるステップと、前記第１および第２比較結果に基づいて接続導体１６の接続不良部を検出するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の劣化状態を直接確認して寿命を予測する方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴの様なパワー半導体素子は、使用時の熱等によってワイヤボンディングパッドとワイヤとの接続部にクラックが入り、最終的にはワイヤが外れて故障に至る場合がある。 半導体素子１のワイヤボンディングパッド２に寿命予測ワイヤ１４を接続し、寿命予測ワイヤ１４からワイヤボンディングパッド２に電流が流れるか否かを確認することで、寿命予測ワイア１４がワイヤボンディングパッド２から剥離しているか否かを検出する。 （もっと読む）

【課題】簡単に精度よく半導体装置の半田接合部に生じるボイドを検査可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の電流電圧特性のうち、半田のボイドに起因して生じる部分的な温度上昇による電圧低下を示す領域の電圧を測定するための測定電流Ｉｍ（Ｉｍ１）と、その領域以外の電圧領域にある電圧を測定する測定電流Ｉｍ（Ｉｍ２）を設定して、Ｉｍ１の測定電流Ｉｍ及びＩｍ２の測定電流Ｉｍにより発熱前後で電圧測定を行い、電圧測定結果をもとに、Ｉｍ１の測定電流Ｉｍを用いた場合の発熱前後の電圧変化分ΔＶＦ２１及びＩｍ２の測定電流Ｉｍを用いた場合の発熱前後の電圧変化分ΔＶＦ２２を算出し、電圧変化分ΔＶＦ２２を基準とした電圧変化分ΔＶＦ２１の大きさにより、ボイドの大きさを評価する。 （もっと読む）

【課題】集積回路を基板に搭載しボンディングワイヤを接続した直後に、その接続状態を含む回路の健全性を非破壊検査する。
【解決手段】各信号入出力端子に内部回路保護用のダイオードが直列接続された保護回路を備えた集積回路１０を、任意の回路基板１１に搭載して、各入出力端子を回路基板１１の電気接点１２に直接もしくは間接的に電気接続した状態で検査を実施する。集積回路１０の入出力端子のうち、電源端子と接地端子とを選択して、電源端子を電気接続した電気接点１４と、接地端子を電気接続した電気接点１５とを短絡させて、第１の測定端子２５を接続する。集積回路チップの残りのいずれかの入出力端子を電気接続した電気接点に、スイッチ３４を介して第２の測定端子２６を接続する。第１の測定端子２５と第２の測定端子２６との間に、定電流電源２７を接続して、内部回路保護用のダイオードの順方向に一定の測定電流Ｉを供給し、両測定端子２５，２６間の電位差を測定する。これを、予め設定した基準値と比較する。 （もっと読む）