説明

Fターム[2G017AD52]の内容

磁気的変量の測定 (8,145) | 検出手段 (3,036) | 電流磁気効果 (2,247) | ホール効果 (264)

Fターム[2G017AD52]の下位に属するFターム

Fターム[2G017AD52]に分類される特許

1 - 20 / 49


【課題】ダイシングストリートにGaAsが露出している場合、結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したGaAsによる電極接合部の汚染が発生し、さらにGaAs基板裏面もエッチングされるためGaAsの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。
【解決手段】本発明は、ホール素子が設けられたGaAs基板と、GaAs基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、上記ホール素子上に絶縁層と、上記絶縁層上にTi系金属層と、上記Ti系金属層の上にCu系金属層とを有し、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせGaAsを露出させず、またさらにGaAs基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより本課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】ホール素子への駆動電流への影響を低減しつつ、ホール素子を安定に駆動することを可能とするホール素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ホール素子から出力されるホール電圧の中点電位を出力する差動アンプ回路16及び分圧回路18と、分圧回路18から出力された中点電位に応じてホール素子10の入力電位を出力するオペアンプ14と、を備えるホール素子10の駆動回路100とする。 (もっと読む)


【課題】3軸の磁気センサためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】ある実施形態では、単一の基板上120に形成された3軸磁気センサであって、センサが、単一の基板上に形成された磁気抵抗センサ115または磁気誘導センサのうちの少なくとも1つからなる面内の2軸磁気センサと、単一の基板上に形成されたホール効果センサ116からなる面外の磁気センサとを有する。面内の2軸磁気センサが、基板の平面に対して平行な第1の面の磁界を測定し、面外の磁気センサが、第1の面に対して直交する軸に沿って磁界を測定する。 (もっと読む)


【課題】3軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース105と、第1のセンサダイ110が、第1のアクティブセンサ回路112および、第1のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド114とを備え、ベースに取り付けられた第2のセンサダイ120が、第1の表面128の上に配置された第2のアクティブセンサ回路122と、第2の表面の上に配置された第2のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第2の複数の金属パッド122とを備え、第2のアクティブセンサ回路は、第1のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第2のセンサダイが配置される。第2の表面は、第1の表面に隣接し、第1の表面の面に対して角度がつけられている。 (もっと読む)


本明細書では、ホストデバイスの変化するソフトウェアモードおよびハードウェアモードに部分的に基づく非定常センサ誤差、特に非定常コンパス誤差の較正および補正のための方法および装置について説明する。各モードおよびモードの組合せによってセンサ中に誘導される非定常誤差は、1つまたは複数のホストデバイスの生産前試験中に判断され得る較正において判断される。較正結果はホストデバイスのソフトウェアおよび/またはハードウェアに組み込まれ得る。通常動作中に、アクティブモードまたはモードの組合せに部分的に基づいてセンサ測定値にセンサ補正が適用され得る。
(もっと読む)


本発明は、電子コンパスの零点誤差(Hx0,Hy0)を求める方法に関する。この方法は、3軸磁気センサを用いて電子コンパスの第1座標系における第1磁界強度を測定するステップと、地表面に平行な第2座標系(x,y)における伏角補正された第2磁界強度(200)を第1磁界強度から計算するステップと、伏角補正された第2磁界強度(200)に当てはめ関数(210)を当てはめるステップと、当てはめた当てはめ関数(210)から零点誤差(Hx0,Hy0)を求めるステップとを有する。本発明は、電子コンパスを動作させる方法にも関する。この方法は、磁気センサを用いて測定された第1磁界強度から第2座標系(x,y)における伏角補正された磁界強度(Hx0,Hy0)を計算するステップと、伏角補正された第2磁界強度(Hx0,Hy0)から上述した方法で求めた零点誤差(Hx0,Hy0)を減算することによって零点補正される第3磁界強度(Bx,By)を計算するステップと、南北方向に対して第2座標系(x,y)の軸(x)が偏差する方位角を計算するステップとを有する。
(もっと読む)


本発明の3層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第1の層Oを含み、その上に金属磁気層Mが設けられ、金属磁気層Mの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第2の層O’、あるいは非強磁性体金属層M’が設けられる。層Mは連続しており、1〜5nmの厚さを有し、その磁化は、層OおよびO’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Mの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Mの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面O/MおよびM/O’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
(もっと読む)


【課題】少ない消費電力で自己の落下を検出可能な簡単な構成の携帯端末装置を提供する。
【解決手段】この携帯端末装置は、第1の筐体と第2の筐体と、第1の筐体と第2の筐体を回動自在に連結する連結部とからなる携帯端末装置において、第1の筐体に設けられている磁石12と、第2の筐体に設けられ、第1の筐体及び第2の筐体が閉じられた場合に磁石12の近傍に配置され、磁場の大きさを検出してアナログ方式で出力するホール素子14と、ホール素子14から出力された磁場の大きさを検出する検出部18と、検出部18は、第1の筐体と第2の筐体の開閉状態を検出し、さらに、第1の筐体と第2の筐体が閉じられている場合において、自己が落下したことを検出し、検出部18で検出された落下情報を記憶する記憶部22と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ホール素子の素子オフセット電圧による影響を低減し、且つ、増幅器において生じる入力オフセット電圧による影響をも低減し得る磁気センサ回路の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る磁気センサ回路は、ホール素子10X、10Yと、切替スイッチ回路20X、20Yと、増幅ユニット30X、30Yと、比較ユニット60と、キャパシタ41X、42X、41Y、42Yと、スイッチ回路51、52と、を有して成り、切替スイッチ20X、20Yを用いて、ホール素子10X、10Yで各々得られるホール電圧を第1状態、第2状態で切り替えて出力し、増幅ユニット30X、30Yをそれぞれ差動状態で動作させ、かつ、両者の出力差が設定されたヒステリシス幅よりも大きければ、検出信号Sdetの出力論理を変遷する構成とされている。 (もっと読む)


【課題】繰り返し応力が作用する評価部位に適用でき、正確かつ簡便にき裂の発生・進展挙動を評価することが可能な高感度磁束密度計による金属材料の損傷評価装置、その損傷評価方法、及びその損傷評価システムを提供する。
【解決手段】被測定物の磁束密度を測定可能な高感度磁束密度計と、それで測定した磁束密度情報及び前記評価部位に作用する応力の繰り返し数情報が共に入力可能とされた演算処理手段とを具備し、高感度磁束密度計のプローブを評価部位に非接触状態で対向配置した金属材料の損傷評価装置、その損傷評価方法、及びその損傷評価システム。 (もっと読む)


【課題】ホール素子と磁気収束板との距離を考慮して、感度変化が小さい感度のバラツキが抑制された磁気センサを提供すること。
【解決手段】半導体回路11は、半導体基板13と、この半導体基板13の表面と同一の平面になるように互いに所定の距離を隔てて半導体基板13中に埋め込まれた複数のホール素子14a,14bから構成されている。ポリイミド層15は、半導体回路11上に設けられている。磁気収束板12は、ポリイミド層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、さらにその上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。ホール素子の上面から磁気収束板の底面までの距離を9〜20μmとしたので、磁気収束板の垂直方向の距離変化や平面内方向の位置ずれに対して、感度変化が小さくなり、感度のバラツキが抑制される。 (もっと読む)


【課題】磁極面におけるスキュー角を短時間に、しかも簡易に計測することのできるスキュー角測定装置を提供する。
【解決手段】計測対象物の磁極面に対向配置されて該磁極面と平行な予め定められた基準方向(Z方向)の磁界強度Bzを検出する第1の磁気センサ、および前記磁極面と平行で、且つ上記基準方向に垂直な方向(X方向)の磁界強度Bxを検出する第2の磁気センサと、これらの第1および第2の磁気センサにてそれぞれ検出された磁界強度Bx,Bzからその合成磁界の向きを求め、この合成磁界の向きと前記基準方向とがなす角を前記磁極面における磁極のスキュー角γとして求める演算手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、実装容積が小さく、かつ、直交する2軸方向の磁界成分を検出可能な磁界センサの提供である。
【解決手段】本発明は、互いに直交する第1座標軸及び第2座標軸方向に関し、磁極のつくる磁界の第1および第2座標軸の交点である原点における強さおよび向きの成分の少なくともいずれかを検知し、その検知結果を検知出力として電気的に出力する磁界センサであって、第1、第2及び第3のホール素子と、第1の磁気抵抗素子とを含む信号変換部を備え、第1、第2及び第3のホール素子は、磁界の強さおよび向きの第1座標軸方向成分を検知可能であり、第1の磁気抵抗素子は、磁界の強さの第2座標軸方向成分を検知可能であり、第1、第2及び第3のホール素子は、それらの主面が同一の平面に含まれるよう配置された磁界センサである。 (もっと読む)


【課題】ホール素子と磁気増幅機能を有する磁性体とを組み合わせ、基板と磁性体との間に2層構造の金属膜を設けて磁気特性の極めて安定した磁気センサを提供すること。
【解決手段】半導体回路11は、半導体基板13と、この半導体基板13の表面と同一の平面になるように互いに所定の距離を隔てて半導体基板13中に埋め込まれた複数のホール素子14a,14bから構成されている。保護膜15は、半導体回路11上に設けられている。磁気収束板12は、保護層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、さらにその上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。金属膜を2層構造とし、この金属膜の熱膨張率を調整して磁気収束板との界面の熱膨張率を磁気収束板と一致させることにより、磁気特性の極めて安定した磁気センサを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ホール素子と磁気増幅機能を有する磁性体とを組み合わせ、基板と磁性体との間に2層構造の金属膜を設けて磁気特性の極めて安定した磁気センサを提供すること。
【解決手段】半導体回路11は、半導体基板13と、この半導体基板13の表面と同一の平面になるように互いに所定の距離を隔てて半導体基板13中に埋め込まれた複数のホール素子14a,14bから構成されている。保護膜15は、半導体回路11上に設けられている。磁気収束板12は、保護層15上に設けられた第1の金属膜16aを介して、さらにその上に設けられた第2の金属膜16b上で、かつホール素子14a,14bの上方に配置されるように設けられている。第2の金属膜の膜厚を0.1〜3μmとすることで、第1の金属膜と磁性体合金膜との熱膨張差から生じる磁気歪を遮断することができ、極めて安定した磁気センサが実現できる。 (もっと読む)


【課題】磁性体の膜厚を制御可能にして薄膜を形成し、ホール素子に大きな応力が発生しないようにした磁気センサを提供すること。
【解決手段】半導体基板21上には、互いに所定の距離を隔てて埋め込まれた複数のホール素子22a,22bが設けられ、ホール素子22a,22b上及び半導体基板21上には、磁気収束板を電解めっきするための下地金属層が設けられ、下地金属層上には、磁気増幅機能を有する磁気収束板23が設けられている。磁気収束板23の底面は、複数のホール素子22a,22bの領域を少なくとも部分的に覆うように配置され、磁気収束板の膜厚は、電解めっきにより5〜14μmまで薄くすることができる。これにより、ホール素子にかかる応力を少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】複数の同一端子を有するホール素子からのオフセット成分をキャンセルすること。
【解決手段】通常動作において、電源13より共通端子11a,11c間及び共通端子12a,12c間に電圧Vinを印加し、独立端子11b,11d間から出力電圧Kh1を、独立端子12b,12d間から出力電圧Kh2を得る。一方のホール素子11のオフセット電圧をキャンセルする場合、電源より独立端子11b,11d間に電圧Vinを印加し、共通端子11a,11c間から出力電圧Kh1’を得る。出力電圧Kh1’を2倍した2Kh1‘と出力電圧Kh1とを加算器16aで加算することによりオフセット電圧Vu1を含まない出力電圧2Vh1を得る。同様にして出力電圧Kh2’を2倍した2Kh2‘と出力電圧Kh2とを加算器16bで加算することによりオフセット電圧Vu2を含まない出力電圧2Vh2を得る。 (もっと読む)


【課題】回路構成が簡単で正確な磁界強度を測定できる磁気検出回路および磁気検出方法を提供する。
【解決手段】スイッチ5を閉じてホール素子1の2つの出力の一方を接地したときに差動増幅器4で得られるホール素子1の2つの出力の差分Vo1と、スイッチ6を閉じての他方の出力を接地したときに差動増幅器4で得られるホール素子1の2つの出力の差分Vo2とを加算し、スイッチ5,6を開いたときに差動増幅器4で得られるホール素子1の2つの出力の差分Vo0を減じた値Vclをホール素子1の測定値とする。 (もっと読む)


【課題】オフセット電圧を低減することができる磁気センサ及び磁気検出方法を提供すること。
【解決手段】縦型のホール素子10を用いた磁気センサ100であって、半導体領域12の表面には、2つの電極15a,15cからなる第1の電極群と、電極15aを間に挟む電極15e,15fの対、電極15cを間に挟む電極15b,15dの対からなる第2の電極群が形成され、第2の電極群は、異なる電極対において、第1の電極15a,15cがなす直線を挟む関係にある電極15fと電極15b、電極15eと電極15bが、基板上に設けられた配線16a,16bによってそれぞれ電気的に接続されている。そして、第1の電極群を構成する電極対と第2の電極群を構成する一方の電極対のうち、一方が駆動電流を供給するための駆動電流用電極対とされ、他方がホール電圧を検出するためのホール電圧用電極対とされる。 (もっと読む)


【課題】磁気センサ上への磁性微粒子の収集や磁気センサ上からの分散が可能な磁性微粒子移動装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁性微粒子移動装置は、磁気センサにより磁性微粒子の磁気を測定する装置に用いられる。磁性微粒子移動装置は、磁気センサ1近傍に配置され磁界を発生させる磁性微粒子移動用配線2と、磁性微粒子移動用配線2に発生する磁界に変化を与えるように外部磁界を印加する外部磁界印加手段4とを具備する。磁性微粒子移動用配線2は、磁性体又は導電体から構成可能であり、導電体で構成する場合には磁性微粒子移動用配線2に電流を流す電流源3を設ける。 (もっと読む)


1 - 20 / 49