【課題】アクティブマトリクス型の誘電体エレクトロウェッティング装置及び装置を操作する方法を提供する。
【解決手段】第１〜第Ｎ番目のアレイ素子（Ｎは、２以上の整数である）の順に空間的に配置されたＮ個のアレイ素子を備えており、上記Ｎ個のアレイ素子は、上記アレイ素子の動作を制御する、対応する書き込み入力信号の受信のための書き込み入力と、上記アレイ素子の特性を検知しているとともに、検知された上記特性に基づきセンサ出力を与える検知回路とを備えており、さらに、上記順の中の第ｎ番目のアレイ素子からのセンサ出力を第（ｎ＋１）番目のアレイ素子の書き込み入力へ直接接続している論理回路を備えているとともに、上記第ｎのアレイ素子からの上記センサ出力に基づいて、上記書き込み入力信号を上記第（ｎ＋１）番目のアレイ素子の書き込み入力へ与えるように設定された操作回路をさらに備えているアクティブマトリクス装置。 （もっと読む）

【課題】超薄膜プラチナ粒界ナノ空間に金属化合物が形成された薄膜をガスセンサの感応膜に適用し、プラチナとナノ化合物の構成金属や膜厚や占有比率や形成条件を変える事で、水素およびそれ以外の様々なガスのセンシングに対応でき、長期信頼性の高い超薄膜ガスセンサを実現するデバイスを提供する。
【解決手段】基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを具備し、ゲート電極は、酸素を含有する酸素ドープアモルファス金属と前記金属の酸化物結晶とが混合した金属酸化物混合膜と、前記金属酸化物混合膜上に設けられたプラチナ膜とを有し、プラチナ膜は、複数のプラチナ結晶粒と該プラチナ結晶粒間に存在する粒界領域から構成され、粒界領域は、金属酸化物混合物により埋められ、プラチナ結晶粒の周囲が金属酸化物混合物により囲まれた構造を有するガスセンサ。 （もっと読む）

【課題】作製工程が簡便であるガスセンサを提供することを課題の一とする。また、作製コストが抑制されたガスセンサを提供することを課題の一とする。
【解決手段】ガスセンサの検知素子として機能する、酸化物半導体層がガスと接するトランジスタと、検出回路を構成する、酸化物半導体層がガスバリア性を有する膜に接するトランジスタとを、同一表面上に単一工程で作製し、これらのトランジスタを用いたガスセンサを作製すればよい。 （もっと読む）

例えば呼気などの流体中のＮＯ濃度を決定する半導体デバイスが開示される。デバイス（１）は典型的に、有機半導体層（１４）内にチャネル領域（１６）を画成するように互いに離隔された一対の電極（１８）と、チャネル領域を制御するゲート構造（１０）と、チャネル領域に少なくとも部分的に重なる受容体層（２２）とを有し、受容体層は、ＮＯと錯体形成するＩＩＩ族からＸＩＩ族の遷移金属イオン又は鉛（Ｐｂ）イオンを含むポルフィン又はフタロシアニン配位錯体を有する。このような半導体デバイスは、ｐｐｂレンジのＮＯ濃度を検出することができる。
（もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの感受性の構成部材（３）を有し、上記感受性の構成部材（３）上に熱的に残らず分解可能な材料からなるマスキング層（３１）を設け、上記感受性の構成部材（３）を上記マスキング層（３１）によりほぼ完全に覆い、上記マスキング層（３１）上に温度安定性の材料からなる保護層（３３）を設け、上記マスキング層（３１）を熱分解又は低温運転する酸素プラズマによって除去するセンサ素子（１）の製造方法に関する。本発明は、更に、少なくとも１つの感受性の構成部材（３）及び温度安定性の材料からなる保護層（３３）を有し、上記感受性の構成部材（３）は上記温度安定性の材料からなる上記保護層（３３）により覆われていて、上記感受性の構成部材（３）及び上記保護層（３３）は互いに間隔を空けて配置されている、センサ素子に関する。
（もっと読む）

化学的および生物学的な化学種を検出し、かつ放射線の変化を検出するソリッドステート電界効果トランジスタセンサが開示される。デバイスは、多孔性または構造化されたチャネルの区画を含むことにより、デバイス感度を向上させる。感知された生物学的、化学的または放射線の変化がチャネルのコンダクタンスの指数関数的な変化を引き起こすように、デバイスはフルデプレート型モードにおいて動作する。一実施形態において、チャネルの上に重なる誘電体層と、該誘電体層の上に重なる材料の層とをさらに備え、該材料の層は、放射性、化学的および生物学的な化学種から成るグループから検出される標的化学種と相互作用し、該材料の層は、連続的な層または離散的なアイランドのいずれかである。
（もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いたＦＥＴ型ガスセンサの加熱電力を最小化し、長寿命化を図る。
【解決手段】ＦＥＴのゲート絶縁膜上に成膜される感応電極３１に二つの端子１０、１１を設け、異なる電位を与えて電流を流す。加熱が必要な感応電極３１自体に電流を流すことで感応電極３１が発熱体となるので、最も効率よくＦＥＴ型ガスセンサを加熱できる。また、端子１０、１１は温度検出部の一部を構成し、加熱された感応電極３１の温度を測定する。 （もっと読む）

本発明は、分子エレクトロニクス又は分子エレクトロニクスに基づいたバイオセンサーのための基礎としての構造化された半導体表面に関する。出発点は、ドープしていない２つの半導体材料層と、これを分離している、異なる半導体材料の極めて薄い（数ｎｍ）層から構成されるヘテロ構造である。この材料積層体を層平面に対し垂直に劈開させ、そして中間の層を選択的にエッチングする。導電性有機「ワイヤー」のためのソース及びドレインコンタクトを、薄い金属膜を蒸着して作製する。中間の導電性層を静電的ゲートとして利用することができる。１本〜数本のワイヤーを接触させるための組み立ては、順次行う２回の分離と蒸着によって行うことができる。考えられる有機ワイヤーは、例えば、共役π電子系を有する分子、ＤＮＡ−オリゴヌクレオチド、又はカーボンナノチューブである。生体分子（抗体、タンパク質）の認識のためのレセプタで更に機能化することにより、特異的生体分子とそれらの相互作用（例えばＤＮＡ−タンパク質相互作用）を検出、分析、及び定量するための高感度バイオセンサーとして利用することが可能になる。
（もっと読む）

仕事関数の変化により電界効果構造が制御されるガス感応層と参照層とから成るＦＥＴを基礎とするガスセンサであって、その際、これら２つの層の材料が、ターゲットガスに対する仕事関数の変化は起こらず、検出すべきでないガスに対する仕事関数の変化が総和で消えるように相互に調整されている。
（もっと読む）