【課題】センシング素子の経時劣化による検出値のずれを簡素な構成で正確に校正する。
【解決手段】光検出回路１０は、光センサ回路５の出力値をｎ×ｍ個取得するたびに、その平均値μを算出する。最初に算出された平均値μは、初期平均値μ_０としてメモリ６に保存される。光検出回路１０は、２回目以降に平均値μを算出した場合に、今回算出した平均値μとメモリ６に保存されている初期平均値μ_０との比から、光センサ回路５に組み込まれているa-Si TFT（光電変換素子）の劣化率Ｄを算出し、メモリ６に保存している劣化率Ｄの値を更新する。光検出回路１０は、光センサ回路５の出力値とメモリ６に保存されている劣化率Ｄの値とを用いて、入射する環境光の照度を検出する。 （もっと読む）

【課題】 照射対象物に対して照射した入射光の反射光を受光する受光手段の検出精度を向上することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】 発光素子３１及び受光素子３２、３３の両方が表面実装部品であって、プリント基板３４の同一面に表面実装されている。そして、発光素子３１と受光素子３２、３３とを結ぶ線分上のプリント基板面に貫通孔１００を設けている。これにより、発光素子３１から照射されて銅箔層がない領域からプリント基板３４に侵入した光は、プリント基板内を伝搬して、この貫通孔１００から放射される。 （もっと読む）

【課題】製造条件の変更を行うことなく、感度低下を補正して光検出精度を向上させることができる光量検出回路及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】一対の光検知部ＬＳ１及びＬＳ２を設け、一方の光検知部ＬＳ１は外光の光量に応じた出力信号Ｉａを出力し、他方の光検知部ＬＳ２は減光手段で１／ｎに減光された外光の光量に応じた出力信号Ｉｂを出力する。そして、光検知部ＬＳ２の出力信号Ｉｂにｎを乗算する乗算部１１と、光検知部ＬＳ１の出力信号Ｉａに定数ａを乗算する乗算部１２と、乗算部１１の出力値を乗算部１２の出力値で除算する除算部１３と、除算部１３の出力値に定数ｂを加算する加算部１４と、乗算部１１の出力値を加算部１４の出力値で除算する除算部１５とを備え、除算部１５の出力値を外光の光量（照度Ｌ）とする。 （もっと読む）

【課題】被測定光と当該被測定光をサンプリングするパルス光の時間精度を長時間連続して安定させることができる。
【解決手段】与えられる２つのパルス光の位相差を調整して出力するタイミング調整装置であって、２つのパルス光の少なくとも一方のパルス光を遅延させて、位相差を調整する光可変遅延部と、光可変遅延部により位相差が調整された２つのパルス光のそれぞれを電気信号に変換することにより、２つの調整用信号を生成する光電変換器と、２つの調整用信号の位相差を検出し、検出した位相差を予め定められた位相差に近づけるべく、光可変遅延部における遅延量を制御する位相比較部とを備えるタイミング調整装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造条件の変更を行うことなく、感度低下を補正して光検出精度を向上させることができる光量検出回路及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】一対の光検知部ＬＳ１及びＬＳ２を設け、一方の光検知部ＬＳ１は外光の光量に応じた出力信号Ｉａを出力し、他方の光検知部ＬＳ２は減光手段で１／ｎに減光された外光の光量に応じた出力信号Ｉｂを出力する。そして、光検知部ＬＳ２の出力信号Ｉｂにｎ²を乗算する乗算部１１と、乗算部１１の出力値から光検知部ＬＳ１の出力信号Ｉａ
を減算する減算部１２と、（ｎ−１）に初期感度Ｋを乗算する乗算部１３と、減算部１２の出力値を乗算部１３の出力値で除算する除算部１４とを備え、徐算部１４の出力値を外光の光量（照度Ｌ）とする。 （もっと読む）

【課題】センシング素子の経時劣化による検出値のずれを、センシング特性が等しいセンシング素子を２つ使用して正確に校正する。
【解決手段】光電変換特性が等しいa-Si TFT１とa-Si TFT２を使用する。a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。a-Si TFT１，２のリーク電流の測定値ｉ_１´，ｉ_２´と、メモリに記憶している積算照度−光劣化率プロファイルデータとに基づいて、a-Si TFT２の光劣化率ｄ_２またはa-Si TFT１の光劣化率ｄ_１を特定し、特定した光劣化率ｄ_２またはｄ_１を用いて環境光の照度を求める。 （もっと読む）

【課題】予備照射のための光源を用いることなく、受光開始からの測光の応答遅れを改善することが可能な撮像装置の技術を提供する。
【解決手段】撮像装置１は、被写体光を受光して光電流を発生させる光電変換素子ＰＤ１〜ＰＤ２０と、光電流に基づいた増幅出力を行う演算増幅器ＯＰ１〜ＯＰ２０と、各演算増幅器ＯＰ１〜ＯＰ２０の入力端と出力端との間に接続された素子群ＥＦ１〜ＥＦ２０とを有する測光回路５０と、前記光電変換素子において前記被写体光が受光されない無受講期間に素子群ＥＦ１〜ＥＦ２０に予備電流を供給する電流供給部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の出力に基づいて温度を測定できる撮像装置及び生体高分子分析チップを提供する。
【解決手段】二次元アレイ状に配列された複数の光電変換素子２０と、光電変換素子２０の少なくとも１つの受光面を覆う遮光材３７と、光電変換素子２０を冷却する温度調整部７７と、光電変換素子２０の出力電流を計測するとともに、温度調整部７７を制御する制御部７１ａと、あらかじめ計測された、遮光材に３７より受光面を覆われた光電変換素子２０の測定下限温度Ｔ₁における暗電流に対応する値ＨＤが記憶される記憶部７１ｂと、を備える撮像装置１０である。制御部７１ａは、遮光材３７により受光面を覆われた光電変換素子２０ａの暗電流に対応する値ΔＡを計測し、計測した暗電流に対応する値ΔＡが測定下限温度における暗電流に対応する値ＨＤよりも小さい場合に温度調整部７７の冷却強度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】オフセット補正データ取得時の画像途切れ頻度の低減を図る。
【解決手段】熱型の赤外線検出器により構成された二次元配列の有効画素と、各有効画素に対して組を成して設置され、有効画素と同等の電気特性を有しながら入射赤外線に対する感度が極めて低い参照画素とを有する撮像素子２と、開口部を閉じることにより有効画素と参照画素にほぼ均一な強度の赤外線を入射させるシャッタ３と、シャッタ開状態の被写体撮像中における参照画素の出力を記憶する撮像時参照画素メモリ１１と、補正精度向上のため撮像時参照画素メモリ１１の各データに対して各有効画素との出力オフセットレベル差の修正を加える減算回路１８とを備え、有効画素を用いて撮像を行ないつつ、撮像中にシャッタ３を開いた状態で取得した参照画素の出力オフセットデータをもとにオフセット補正を行ない、画像途切れの頻度を極めて少なくして固定パターンノイズを低減する。 （もっと読む）

【課題】光信号の光スペクトルを高精度で測定する高精度光モニタと、波長分割多重光の各チャネルの光強度を高速に測定する光チャネルモニタとを１台で実現することができる光信号測定装置を提供する。
【解決手段】光信号測定装置は、測定対象の光信号を波長毎に分散させる回折格子等の波長分散素子と、波長分散素子で波長毎に分散された光を、波長分散素子の分散方向に配列された複数のＰＤ（フォトダイオード）２１ａ〜２１ｄで受光するＰＤＡ（フォトダイオードアレイ）２１とを備える。切り替え部２２は、ＰＤＡ２１に設けられたＰＤ２１ａ〜２１ｄのうちの隣接する少なくとも２つの受光素子（例えば、ＰＤ２１ａ，２１ｂ）を１つの受光素子とするか否かを切り替える。 （もっと読む）

【課題】赤外線センサにおける温度補償の精度を向上し、鮮明な画像を得ること。
【解決手段】
赤外線センサ１０１上における入射光１０７以外の輻射光１０８の強度分布および赤外線センサ１０１を構成する個々のボロメータの温度特性に起因する出力電圧のばらつき（輻射光吸収強度分布という。以下同じ。）を補正する。すなわち、赤外線センサ１０１の温度を第１の温度として計測し、赤外線センサ１０１の温度に対する輻射光吸収強度分布を示すテーブルおよび前記第１の温度を参照して、ボロメータ夫々の出力電圧の補正値を求め、出力電圧のばらつきを補正する。 （もっと読む）

【課題】安全出力の出力極性とは無関係に非安全出力の極性を選択し得る多光軸光電センサを提供する。
【解決手段】複数の投光素子を有する投光器と、各投光素子からの光ビームを受ける受光素子を有する受光器とを備え、投受光器の間に侵入する物体を検出すると共に、所定の制御対象を制御するための安全出力と、安全出力とは異なる非安全出力とを互いに異なる端子から個別に出力する多光軸光電センサに関する。安全出力のＯＮ・ＯＦＦを制御する安全出力制御回路５０と、非安全出力を制御する非安全出力制御回路５３と、安全出力制御回路からの出力をＮＰＮ出力とＰＮＰ出力とに切り替える第１切替手段３１と、非安全出力制御回路５３からの出力をＮＰＮ出力とＰＮＰ出力とに切り替える第２切替手段３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】設置時等の誤配線、接続状態、非安全の制御機器の設定やプログラムの状況を容易に、かつ、簡便に確認（チェック）し得る多光軸光電センサを提供する。
【解決手段】本多光軸光電センサは、出力確認モードを備える。この出力確認モード時には、複数の光軸の入遮光状態に拘わらずＯＳＳＤ１，２により動作不許可を出力させ、かつ、多光軸光電センサに関する情報に拘わらず外部入力４４，４４から入力された信号に応じて外部出力４３から所定の信号を出力させる。 （もっと読む）

【課題】
検出信号の電気的なＳ／Ｎ比を改善する。
【解決手段】
光源と、グレーティングと、前記グレーティングからの光を２つに分割するハーフミラーと、前記ハーフミラーの光を検出する光検出素子と、前記光検出素子の信号を電圧に変換する光電流電圧変換回路と、前記光電流電圧変換回路の信号を変換してリファレンス信号を出力するアナログ・デジタル変換回路と、試料用のフローセルと、前記フローセルを透過した光を検出する光検出素子と、前記光検出素子の信号を電圧に変換する光電流電圧変換回路と、前記光電流電圧変換回路の信号を変換してサンプル信号を出力するアナログ・デジタル変換回路と、前記アナログ・デジタル変換回路のサンプル信号とリファレンス信号から吸光度を演算する演算部とを有する液体クロマトグラフ用検出器において、前記演算部に入力するサンプル信号とリファレンス信号が任意の波長において所定範囲となる増幅回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】一列状に配列された複数の受光手段から出力された受光信号を一つの受光制御手段で受光処理する多光軸光電センサにおいて、投受光器の長さに係わらず適切に受光処理することのできる多光軸光電センサを提供すること。
【解決手段】受光制御回路２３には、各受光素子２２ａ〜２２ｌが接続される信号ライン全体の距離に対応した受光信号Ｓ１〜Ｓ３の入力遅れ時間に関する遅延データを記憶する遅延データ記憶部２９が設けられている。受光制御回路２３は、遅延データに基づいて受光素子２２ａ〜２２ｌから出力された受光信号Ｓ１〜Ｓ３を検出する検出タイミングを遅延させる。 （もっと読む）

【課題】単一光子などの微弱な光を検出することが可能な新規な光検出器及び光検出方法を提供する。
【解決手段】量子ドットから構成される受光体、及び前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極を含む受光部と、前記受光部の前記第１の電極と接合された単電子トランジスタを含む光検出部とを具え、前記電極は、前記単電子トランジスタのゲート部にコンデンサを介して接合されるようにして光検出器を構成し、前記受光体で光を受光し、前記受光体が光を受光したことによる励起によって生じた電子を、前記量子ドットとトンネル接合される第１の電極に遷移させ、単電子トランジスタのゲート電圧を変化させて、前記単電子トランジスタ中を流れる電流変化を検出することによって光検出を行う。 （もっと読む）

【課題】 効率が良く信頼度の高い、発光素子の特性検査装置および特性検査方法を提供することである。
【解決手段】 発光素子２０について複数の測定を、高温測定部１２、第１常温測定部１７および第２常温測定部１８にて行う。高温測定部１２での測定が終了した後、判定部１３によって発光素子２０が良品か不良品かを判断する。第１常温測定部１７においてまず行ったＩＬ特性の測定結果に基づいて、その後行う測定の測定条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】各素子の出力を選択的あるいは同時に取り出し、検知対象の温度分布もしくは平均温度を知ることが可能な赤外線検出器を得る。
【解決手段】行方向および列方向に各々複数配置されてアレイ状に形成される複数の赤外線検出素子（９）、行方向毎の赤外線検出素子の出力を取り出す行選択スイッチ（２１〜２３）、列方向毎の赤外線検出素子の出力を取り出す列選択スイッチ（１１〜１９）、及びモード選択信号（３０）に基づいて複数の赤外線検出素子を同時出力させる同時出力モードと複数の赤外線検出素子の各々を選択出力させる選択出力モードとの切替えを行うモード切替スイッチ（３１〜３４）を備えるセンサー部と、同時出力モードまたは選択出力モードに基づいて行選択スイッチおよび列選択スイッチのオンオフを切り替える制御部（４１〜４６）と、を有し、同時出力モードは行方向毎又は列方向毎に並列接続された赤外線検出素子を互いに直列に接続する。 （もっと読む）

【課題】微小な信号電流から正確に環境光の光量を測定する。
【解決手段】フォトダイオード３１０は陰極が高電位側電源ＶＨに接続され、陽極がノードＱを介してキャパシタ３２０に接続される。キャパシタ３２０の他端はグランドＧＮＤに接続され、これと並列にリセット信号ＲＥＳＥＴの周期でオン・オフするスイッチング素子３３０が設けられている。ＮＡＮＤ回路３４０は、ノードＱの電位と基準信号ＲＥＦとの論理積の反転を演算し、演算結果をインバータ３５０、３６０、および３７０を介してパルス信号３００ａとして出力する。 （もっと読む）

【課題】工程数の削減と、製造工程での検査が容易に行える赤外線検出器を提供することにある。
【解決手段】赤外線検出器Ａは、ステム１上に搭載する回路ブロック３の回路部位に対する電源供給用端子ピン１９ａ及び検出信号出力用端子ピン１９ｂの導電材２１を用いた接合を、焦電素子Ｘを実装する回路ブロック３の上面で行っている。 （もっと読む）