【課題】 消費電流を抑えるため間欠動作するようにした温度検出用半導体集積回路において、外部端子を増加させることなく回路の評価および検査が行えるようにする。
【解決手段】 発振回路（１６）を備え、消費電流を抑えるため間欠動作する温度検出用半導体集積回路において、温度検出回路（１１）の出力と基準電圧とを比較する電圧比較回路（１３）の出力に対応した信号を出力する外部端子（ＤＥＴ）と、該外部端子に負電位が印加されたことを検出した場合に、温度検出回路と基準電圧回路と電圧比較回路を活性化させる信号を生成する制御回路（１７）と、制御回路が活性化信号を出力しかつ温度検出回路の出力が基準電圧を超えたと電圧比較回路（１３）が判定した場合に電流を流す電流回路（ＳＷ１，Ｒ０，ＳＷ２）とを設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】評価環境を簡易化し、評価の効率化を図ることができる評価基板を得る。
【解決手段】評価基板１はパワーモジュール２を評価するために用いられる。パワーモジュール２は、パワー半導体装置３と、パワー半導体装置３の特性を検出する温度検出部４及び電圧検出部５とを有する。評価基板１の１枚の基板７に、電源回路８、フォトカプラ駆動回路９、及び表示部１０が設けられている。電源回路８はパワーモジュール２に電力を供給する。フォトカプラ駆動回路９はパワー半導体装置３を駆動する。表示部１０は温度検出部４及び電圧検出部５から入力した検出信号を表示する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置に関し、所定の回路動作を行った状態のまま半導体集積回路装置側の操作で所望の温度に制御する。
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。 （もっと読む）

【課題】試験対象とする半導体装置が高パワー半導体装置であっても、大規模な冷却手段を用いることなく、半導体装置の温度上昇を防ぎ、かつ、短時間で試験を行うことのできる試験装置及び試験方法を提供する。
【解決手段】それぞれ独立して動作する複数の機能ブロック３１〜３４を有する半導体装置３０について試験を行う試験装置２０であって、半導体装置の温度を測定する温度検出部２２と、温度検出部が検出した温度に基づいて複数の機能ブロックのうち、並列に試験を行う前記機能ブロックの数を切り換える切換部２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 試験装置及び試験方法に関し、簡単な機構により特定のプローブピンに大電流が流れることを回避する。
【解決手段】 テスターヘッドと、テスターヘッドと電気的に接続されるパファーマンスボードと、パフォーマンスボードと電気的に接続されるフロックリングと、フロックリングに電気的に接続されるプローブカードとを少なくとも備えたテスター本体部を有する試験装置のテスター本体側にプローブカードに配設したプローブピンの温度を監視するサーモグラフィを設ける。 （もっと読む）

【課題】正確な温度制御を行い、かつ、ノイズカットをし、加えて接触不良を解消し、測定精度を向上させる。
【解決手段】被検査体の電極に接触する接触子を有すると共に、前記被検査体との温度差による前記電極に対する前記接触の位置ずれを補正するヒータを内蔵したプローブ装置と、検査信号を前記プローブ装置に送信すると共に、前記ヒータへ電力を供給するテスタと、当該テスタに設けた、前記ヒータへ電力を供給する電力供給系と、当該電力供給系を介して前記プローブ装置のヒータを制御する温度制御ユニットと、を備え、前記電力供給系にヒータ電源遮断用開閉スイッチを備えた。また、雄型のコネクタ部と、他方の端部に設けられた雌型のコネクタ部とからなるコネクタを備えた。さらに、前記電力供給系の着脱可能に接触する接点には導通チェック装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】 プローブ基板の温度制御範囲を小さくして、プローブ基板の温度制御を容易にすることにある。
【解決手段】 電気的接続装置は、下面を有する支持体と、該支持体の下面に組み付けられて、該支持体に支持されたプローブ基板と、該プローブ基板の下面に取り付けられた複数の接触子とを含む。プローブ基板は電力を受けて発熱する発熱体を備え、プローブ基板は、１０ｐｐｍ／°Ｃ以上の熱膨張率を有する。 （もっと読む）

【課題】 プローブカードを効果的に所定の温度に加熱することができるようにすることにある。
【解決手段】 集積回路の試験方法は、前記集積回路を受けるチャックトップが前記集積回路に対し電気信号の授受を行うプローブカードの近傍に存在するか否か、前記集積回路の試験中であるか否か、及び前記プローブカードが所定の温度を有するか否かを含むグループから選択される少なくとも１つを判定する第１のステップと、該第１のステップにおける判定結果に応じて前記プローブカードに備えられた発熱体に供給する加熱電力を調整する第２のステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】循環冷却装置が稼動状態でも、カプラ内部に背圧が加わった状態とならず、ヒートシンクのカプラ着脱時に冷却流体の飛散を発生させる恐れのない半導体試験装置を実現する。
【解決手段】循環冷却装置からテストヘッドに設けられたカプラを介してヒートシンクに冷媒を供給する半導体試験装置において、前記テストヘッドに設けられ前記ヒートシンクをはずす際に第１の信号を発し前記ヒートシンクが接続された際に第２の信号を発する信号発生回路と、前記循環冷却装置の出力側と前記テストヘッドの入力側との間に設けられ前記第１の信号に基づき所定時間経過後に前記冷媒の前記テストヘッドへの入力を止めて前記循環冷却装置の入力側へ返還し、前記第２の信号に基づき前記冷媒の前記入力側への返還を止めて前記テストヘッドに入力する三方弁とを具備したことを特徴とする半導体試験装置である。 （もっと読む）

【課題】配線の自己発熱による温度上昇を考慮した抵抗計算を行い、回路動作の遅延変動を正確に検証することができる回路動作検証装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の回路動作を検証する回路動作検証装置１００において、あらかじめ熱解析シミュレーションにより得られた熱分布情報から、該半導体集積回路における温度分布を示す温度分布テーブルを作成する温度分布テーブル作成部１１２と、ネットリスト情報から該半導体集積回路における配線の各部分（配線抵抗素子）の抵抗値をその位置とともに抽出する配線抵抗抽出部１２１と、上記温度分布テーブルを用いて、該各配線抵抗素子の抵抗値からその温度に依存した温度依存抵抗値を計算する温度依存配線抵抗計算部１３１とを備え、該各配線抵抗素子の温度依存抵抗値を用いて上記回路動作の遅延変動を検証するようにした。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの電界と温度とを一つの測定装置により測定できるようにして、迅速かつ低コストにLSIチップ/パッケージの電気/熱設計のデータを提供できるようにする。
【解決手段】レーザ光源１００と、ファイバアンプ１０２と、偏光コントローラ１０３と、EOセンサ１０５と、検光子１１５と、光サーキュレータ１０４と、電界検出用のフォトディテクタ１１７と、温度検出用の光スペクトラムアナライザ１１９と、検光子１１５の出射光を分岐するカプラ１１６と、各素子を連結する光ファイバ１０１と、RFスペクトラムアナライザ１１８とから構成され、EOセンサ１０５の電気光学効果を電界測定に、また光共振特性を温度測定に利用する。 （もっと読む）

【課題】動作環境を変えることなく、かつ、短時間で動作試験を行うことを可能にする。
【解決手段】環境温度の変化を検出する温度検出回路部１９８において、定電流源Ｉ１と温度依存性のあるダイオードＤ１との組み合わせからなり、ダイオードＤ１の出力として温度依存性のある電圧Ｖtempを得る温度検知部１９８１に、モニター端子１９９１と、定電流源Ｉ１とカレントミラーを形成する定電流源Ｉ２と、３つのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３とからなり、電源供給回路の回路動作を試験するテスト回路を内蔵する。 （もっと読む）

【課題】ノイズのない状態で温度を測定できる半導体メモリ素子を提供すること。また、誤差のない温度値を受信して安定したリフレッシュを行う半導体メモリ素子を提供すること。
【解決手段】制御信号に応答して現在の温度を感知する温度感知手段を備え、前記制御信号のアクティブ状態から一定期間、実質的なパワー消費がないモードに入ることを特徴とする半導体メモリ素子を提供する。また、制御信号に応答して現在の温度を感知する温度感知手段と、該温度感知手段の出力値に応答した周期でリフレッシュを行うリフレッシュ手段とを備え、前記制御信号のアクティブ状態から一定期間、実質的なパワー消費がないモードに入ることを特徴とする半導体メモリ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作保証温度が高く設定されている場合でも、動作試験を精度よく行う。
【解決手段】マイクロコンピュータ（１）は、半導体基板（２）と、入出力回路（４，４Ａ〜Ｅ）と、複数の発熱回路（５Ａ〜５Ｄ）と、発熱回路を制御する制御信号（Ｓ１）を入力するパッド（３Ａ〜３Ｃ）と、温度センサ（７）と、温度センサによる検出信号（Ｓ３）を外部に出力するパッド（３Ｄ，３Ｅ）と、デコーダ（６）等とを備える。入出力回路は、半導体基板に所定間隔を隔てて配置されたパッドに接続されており、入出力バッファ等を備える。発熱回路は、入出力回路の近傍に配置されている。温度センサは、ｐｎ接合シリコンダイオードである。デコーダは、温度センサによる検出信号に基づいて、評価用治具に備えられた制御回路が生成した制御信号をデコードして、デコード結果に応じて動作させるべき発熱回路をブロック単位で選択する。 （もっと読む）

変化する条件下で、半導体デバイスのテスト・パッド又はボンド・パッドに対してプローブ・ピンを自動的に整列させる、改善された方法及び装置。ウエハ・プロービング・プロセスに対する変化する条件の影響を正確に予測するため、動的モデルが使用される。このことにより、プロービングと試験の間に頻繁に測定と較正を行う必要性が低減され、それによって、所定の期間内にプロービングし試験することができるダイの数が増加すると同時に、プロービングの精度が増加する。さらに、プローブ・ピンとパッドが互いに接触している間に、変化する条件に応答してそれらの位置を調節することができる。
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【課題】半導体回路チップの故障箇所を容易に特定できる方法を提供する。
【解決手段】白色光源１０９から放射された光をビームスプリッタ１０２により参照光と信号光に分割する工程と、信号光を試料１０７にミラウ干渉計１０５を通して入射する工程と、試料表面より反射した光と参照光を干渉させてミラウ干渉計１０５に生じた干渉強度を画像化する工程と、試料である半導体回路チップに電圧電流を印加する工程とを含む。これにより、半導体回路チップの配線部分に通電を行ったとき、ボイド等の欠損部分は、正常部分と比較して、断面積が小さいために電流密度が大きくなるので発熱する。その体積変化をとらえることで容易に故障箇所を特定することができる。 （もっと読む）

集積回路装置は、テスト入力（ＴＤＩ）とテスト出力（ＴＤＯ）との間に結合されたテストシフトレジスタ構成部を備えた境界スキャン構成を有する。テストレジスタ構成部は、テスト入力からテスト出力へ情報をシフトするために用いられる。テストデータは、シフト動作によって、入力から出力へと伝送される。テストシフトレジスタ構成部は、テスト中の機能回路の接続部（１２）と結合されるデータシフト部（１０６）を含む。データシフト部と並列なのは、命令シフト構成部（１０２，１０４）である。テスト制御信号によって、命令情報をテスト入力からテスト出力へ命令シフト部を介して移すかどうか、又はデータをテスト入力からテスト出力へデータシフト部を介して移すかどうかが制御される。命令シフト部からの命令情報は、テストモードにおける装置の動作を制御する。センサ（１４）は、装置の物理的動作パラメータを検知するために設けられる。センサは、命令シフト部からテスト出力へ検知結果を送るためにシフトレジスタ構成部（１０２）に結合される出力（１８）を有する。検知結果をアクセス可能にするこの形態は、温度などの装置に対するダメージのリスクを示す値を有するパラメータに適用されるのが好ましい。これにより、危険なパラメータ値を素早く検出することができる。
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【課題】バーンインテストプロセスを効率的に行うことができるシステムを提供する。
【解決手段】このシステムは、１つ以上のテスト中の回路内のロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）回路構成１１０と、テスト中の回路内のＬＢＩＳＴ回路構成に結合されると共にこれを制御するように構成された１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラ１２０と、１つ以上のテスト中の回路に対応する温度を測定するように構成された１つ以上の熱センサ１３０と、を具備する。１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、１つ以上の熱センサ１３０からの温度を示す１つ以上の信号を受信すると共に、温度を所望のレベルへ駆動するように、１つ以上のテスト中の回路内のＬＢＩＳＴ回路構成１１０の動作を制御するように構成される。 （もっと読む）

【課題】複雑な信号パターンを入力しないと検出できない電子部品でも、又、光に弱い電子部品でも故障箇所検出ができる簡単で低コストの故障箇所検出方法を提供すること。
【解決手段】電子部品の封止材を一部除去する工程と、続いて前記電子部品内部に熱硬化樹脂を塗布した後、前記熱硬化樹脂の漏れ防止と遮光に効果的なシールド材を用いて封止する樹脂封止工程と、続いて前記電子部品に電力と信号を供給し一定時間動作させる工程と、続いて観察手段を用いて前記電子部品に塗布した熱硬化樹脂の一部が硬化し故障箇所が特定できたら作業を終了する工程と、もし熱硬化樹脂の一部が硬化せず故障箇所が特定できなければ塗布した熱硬化樹脂を全て除去し熱硬化樹脂の硬化温度と電子部品の動作条件を調整した後、前記樹脂封止工程に戻る工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）