【課題】レジストパターンの寸法変化を抑制することができるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】Ｄｅｎｓｅ部及びＦｌａｔ部を有するギャップが存在する被加工基板上に、平坦化膜形成用組成物を塗布して平坦化膜を形成する工程（１）と、平坦化膜上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する工程（２）と、レジスト膜に放射線を照射して、レジスト膜を選択的に露光する工程（３）と、露光したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターンをマスクとして用いて、平坦化膜及び被加工基板に所定のパターンを形成する工程（５）と、を含み、平坦化膜形成用組成物が、所定の重合体（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）と、有機溶媒（Ｃ）と、を含有するものであるパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 レジスト、レジスト下層膜、レジスト上層膜、ハードマスク材料、及び耐電防止材料等の極端紫外光の吸収係数や吸収率を測定するための測定材料と測定方法を提供する。
【解決手段】 樹脂、極端紫外光感応性化合物、感応性色素、及び溶剤を含む極端紫外光の吸収係数測定用支持膜形成組成物。極端紫外光感応性化合物が、極端紫外光の照射によりラジカル、酸、又は塩基成分を発生する化合物である。感応性色素が、ラジカル、酸、又は塩基の作用により１９３〜８００ｎｍの波長域で吸収変化を起こす化合物である。基板上に極端紫外光の吸収係数測定用支持膜形成組成物を塗布し吸収係数測定用支持膜を形成する工程、上記支持膜上に被測定膜形成組成物を塗布し被測定膜を形成した被覆支持膜を得る工程、極端紫外線で被覆支持膜を露光する工程、及び被覆支持膜の露光前後の光吸収スペクトル変化を計測する工程を含む被測定膜の極端紫外光の吸収係数の測定方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焦点深度を広げることが可能な上層反射防止膜、該上層反射防止膜を形成するための上層反射防止膜形成用組成物および該上層反射防止膜を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される構造単位を有する重合体、
（Ｂ）ヒドロキシル基を有する３級アミン化合物及び
（Ｃ）水
とを含有することを特徴とする上層反射防止膜形成用組成物。
【化１】


〔一般式（１）において、Ｒ^１は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ^２は、直接結合、−ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−Ａ−、又は−ＣＯＮＨ−Ａ−を示し、Ａは炭素数１〜８の２価の炭化水素基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（４）で示される含フッ素カルバニオン構造を有する酸を発生することを特徴とする化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤を使用することによって、前記課題は解決する。


前記一般式（４）において、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒ’は水素原子もしくは炭素数１〜３の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。Ｒとしてはアダマンチル基等が挙げられ、Ａは、カルボニル基等の２価官能基であり、Ｒ_ＦおよびＲ_Ｆ’はそれぞれ独立に炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位。
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【課題】化学増幅系レジストにおけるかぶりや膜減り現象防止に優れた帯電防止剤、該帯電防止剤を用いた帯電防止膜及び被覆物品を提供することを目的とする。
【解決手段】水溶性導電性高分子、溶媒及び水溶性高分子を含む帯電防止剤。特定の水溶性高分子、特に、ポリビニル構造を有する特定の水溶性高分子を水溶性導電性高分子と併用することにより、安価で簡単にレジストへの塗布性を付与できる界面活性剤を用いても、塗布性を維持しながら、レジストへの影響（レジストの溶解やレジストの現像の結果生じるレジストのかぶりや膜べり現象）を抑止できる。界面活性剤を含有させることにより塗布性を向上させた帯電防止剤は、化学増幅系レジスト、および非化学増幅系レジストに対するミキシング抑制に効果がある。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、感度、解像度、ラインエッジラフネス及びパターン倒れの４点で改良された感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のアセタール構造を有する繰り返し単位と特定のアセタール構造を有する繰り返し単位とを有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大するポリマー及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式(1)で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤を含有するレジスト材料。
Ｒ−ＯＣＯＣＦ(ＣＦ₃)ＳＯ₃^- Ｈ⁺ (1)
（Ｒはアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基。Ｒの置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル、ラクトン、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子から選ばれる一又は二以上を含んでいてもよい。）
【効果】本発明のレジスト材料は、その光酸発生剤がアルカンスルホン酸のα位にトリフルオロメチル基を有しているため、酸拡散制御を行うことができ、デバイス作製工程での塗布、露光前後焼成、露光、現像工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。ＡｒＦ液浸露光の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑える。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法であって、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れ、ラインエッジラフネス性能が改良され、良好なプロファイルのパターンを形成するポジ型感光性組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により、炭素数２又は３のフロロアルキル鎖を有し、且つ炭素数４以上のフロロアルキル鎖を有さないスルホン酸を発生する化合物及び（Ｂ）特定の一般式で表される酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】形成パターンの微細化の要請に適合し、解像度の向上とエッジラフネス等の問題の解決が図られた感光性組成物ならびにこれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるトルクセン骨格の構造を有する化合物（ここで、式中、ＸとＲは、水素、置換または非置換アルキル基、置換または非置換アルコキシ基、置換または非置換芳香族基からなる群より選ばれる１価の有機基であり、それぞれのＸ、Ｒは同一であっても異なっていてもよく、ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ１〜４の整数である）、および紫外線または電離放射線の作用により酸を発生する光酸発生剤を含むことを特徴とする感光性組成物。
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【課題】一定の形状および体積を有する精密微細空間の形成方法および一定の形状および体積を有する精密微細空間を有する部材の製造方法等を提供すること。
【解決手段】精密微細凹部を有する基材上に、フィルムを布設する工程を有する精密微細空間の形成方法において、フィルムを布設する工程が、基材と前記フィルムとが接触する接触部の単位接触面積あたりの圧力を一定に制御しながら布設する工程であることによって、一定の形状および体積を有する精密微細空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】極紫外線（ＥＵＶ）露光に適した新規なフォトレジスト。
【解決手段】半導体リソグラフィーにおけるフォトレジストとして使用のために設計された新規の構造を有する、いくつかの低分子分子性ガラスを使用する。該フォトレジストは、常温より有意に高いガラス転移温度並びに、結晶化しにくい傾向を示す、低分子量の有機材料である。該分子性ガラスのフォトレジストは、4つのフェニル基又は4つのビフェニル基を有する、四面体シラン分子核を有する。各フェニル基、又はビフェニル基の各外側のフェニル基は、3位又は4位に、メトキシ基又はヒドロキシ基を有する。該ビフェニルの実施態様に関して、該結合は、メタ-メタ、メタ-パラ、パラ-パラ、又はパラ-メタであり得る。 （もっと読む）

【課題】本発明により、光リソグラフィを中心としたナノファブリケーションのための高分子素材として好適なハイパーブランチポリマーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のハイパーブランチポリマーの製造方法は、クロロメチルスチレン等のリビングラジカル重合により形成されるコア部に結合した、ｐ-ｔｅｒｔ-ブトキシスチレン等の酸分解性基をポリマー分子末端に有するハイパーブランチポリマーを製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラフネス、エッチング耐性、感度、解像度に優れ、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、電子線または極紫外線に有効に感応するＥＢ、ＥＵＶ用として好適な化学増幅型ポジ型の感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤（Ａ）と、アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性であって酸の作用によりアルカリ易溶性となる酸解離性基含有樹脂（Ｂ）と、酸の作用により連鎖反応的に酸を発する酸増殖剤（Ｃ）と、放射線が照射されることにより塩基性を失う感光性塩基性化合物（Ｄ）とを含み、酸増殖剤（Ｃ）が炭素環骨格に下記式（１）で表されるスルホナート基を有する化合物である。
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【課題】レジスト膜の上に形成されたカバー膜を確実に除去して現像欠陥を防止することができる基板現像技術を提供する。
【解決手段】露光処理後の基板を回転させつつＳ１、その表面に希釈現像液を供給するＳ２。希釈現像液とはレジスト膜の現像処理に使用する現像液よりも濃度の低い現像液である。レジスト膜の上に形成されたカバー膜は比較的低濃度の希釈現像液であっても溶解し、剥離する。また、希釈現像液であればレジスト膜の実質的な現像処理は進行しない。続いて、基板表面に純水を供給して希釈現像液および剥離したカバー膜を洗い流すＳ３。その後、基板の表面に通常の現像液を供給して現像処理を行うＳ５。 （もっと読む）

【課題】
ＡｒＦ露光のような短波長露光での透過性がよく、さらに、微細加工に使用される中間層材料として好適な新規シリコーン共重合体を提供する。
【解決手段】
（Ａ）オキセタニル基を含有するシルセスキオキサン単位、（Ｂ）炭化水素基を含有するシルセスキオキサン単位を含むことを特徴とするシリコーン共重合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ポジ型レジスト組成物用として好適な低分子材料を容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 多価フェノール化合物（Ｉ）、および該多価フェノール化合物（Ｉ）のフェノール性水酸基の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で保護された化合物からなる群から選択される２種以上の化合物からなる混合物（Ａ０）が溶解した有機溶剤溶液（Ｐ）と、アルカリ水溶液（Ｑ）とを混合し、有機相と水相とに分離する。
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【課題】フォトレジスト組成物及び前記フォトレジスト組成物を用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フォトレジスト組成物はフェノール系重合体を含むバインダ樹脂１０〜７０重量％、光酸発生剤０．５〜１０重量％、架橋結合剤１〜２０重量％、染料０．１〜５重量％及び溶媒１０〜８０重量％を含む。前記フォトレジスト組成物は４枚マスクを用いた薄膜トランジスタ基板の製造工程に適用される。前記フォトレジスト組成物は薄膜トランジスタ基板の製造工程の際フォトレジスト層を形成し前記フォトレジスト層はスリット露光によって安定的にハーフトーンを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】幅広い波長領域において高い透明性と不感性とが得られ、ＰＥＤ効果抑制に優れ、高い撥水性を有し、かつアルカリ現像液に可溶なレジスト保護膜の提供。
【解決手段】橋頭原子に水酸基が結合した含フッ素脂肪族環を有するモノマー単位を有する含フッ素重合体（Ａ）を含むレジスト保護膜。特に、前記水酸基が結合した炭素原子（α）に隣接した炭素原子（β）に、フッ素原子が結合していることが好ましく、前記含フッ素脂肪族環が含フッ素アダマンタン環であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
基板との密着性に優れ、現像後に開口部に残渣を発生させず、メッキ後のクラック発生を抑制することができるとともに、露光感度を大幅に向上させることができるポジ型感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた転写フィルム、および、バンプや配線などの厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明に係るポジ型感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸により解離して酸性官能基を生じる酸解離性官能基を有する重合体、（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する成分、および（Ｃ）有機溶媒を含有し、該重合体（Ａ）が、ラジカル重合開始剤として非シアノ系・非アミン系アゾ化合物を用いて合成されたことを特徴とする。 （もっと読む）