【課題】 電気光学装置において、他の不具合を発生させずに光リーク電流の発生を抑制し、高品位な表示を可能とする。
【解決手段】 基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極と、半導体層の上層側及び下層側の少なくとも一方に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の半導体層側とは反対側に積層された、チャネル領域を遮光するための遮光膜とを備えている。層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。遮光膜は、少なくとも凹部内に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。１対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン／オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】２本の補助容量ラインを大きい補助容量を確保した反射型および半透過型ＬＣＤを実現する。
【解決手段】１つの画素に対応して２本の補助容量ライン２６ａ，２６ｂを設け、行方向の各画素はいずれか一方の容量ライン２６を利用して補助容量３２ａ，３２ｂを形成する。そして、隣接した画素であって同一の補助容量ライン２６を利用していない画素にも自画素の補助容量３２を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】 パネル支持テーブルと端子部支持テーブルとを有する表示パネルに対する周辺部品の圧着装置において、端子部支持テーブルのパネル支持テーブルに対する相対的な高さをμｍオーダーで容易に調整できるようにする。
【解決手段】 表示パネル１のパネル本体２側を支持するパネル支持テーブル１１と、パネル端子部３側を支持する端子部支持テーブル１２とを含み、端子部支持テーブル１２上でパネル端子部３に周辺部品を異方性導電接着手段を介して圧着接続する圧着装置において、端子部支持テーブル１２上のパネル端子部３に対して単色光を照射する単色光源１２０と、パネル端子部３の自由端３ａ側を押圧する押圧ヘッド１１０とを備え、パネル端子部３に出現する干渉縞（ニュートンリング）の数に基づいて端子部支持テーブル１２の高さを調整する。 （もっと読む）

【課題】 製造コストをかけることなく、十分な光電流を得ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、各画素ＴＦＴごとに２個ずつ設けられる画像取込み用のセンサとを有する。センサ内のフォトダイオードＤ１，Ｄ２を構成するｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に、低濃度のｐ-領域４７またはｎ-領域を形成し、このｐ-領域４７またはｎ-領域の基板水平方向長さをｐ+領域４６やｎ+領域４８よりも長くするため、ｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に形成される空乏層５３がｎ-領域に長く伸び、その結果、光電流が増えて光電変換効率がよくなるとともに、S/N比が向上する。 （もっと読む）

電子デバイスは、第１アクティブマトリクスピクセルアレイデバイス（５２）と、第２ピクセルアレイデバイス（５４）とを有する。前記第１及び第２ピクセルアレイは、別体の基板（５６，５８）上に設けられ、前記第１アクティブマトリクスアレイデバイス（５２）の一部（６２）のアドレス指定又は処理回路は、前記第２ピクセルアレイの基板（５８）上に設けられる。本発明は、２つのアレイデバイス（５２，５４）をもつデバイスにおける２つの基板（５６，５８）間の制御回路の配分を提供する。こうすることは、行及び列駆動回路の欠陥に関連するコストの最小化を可能にすることができる。
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【課題】増幅器の出力部及びバイアシング部にオフセット電圧を補償するトランジスタをそれぞれ備えることで、出力端を通じて出力される出力電圧のオフセット偏差を相殺することができる増幅器と、これを有するデータドライバ及び表示装置を提供する。
【解決手段】バイアシング部は、第１電源電圧及び第２電源電圧に基づいて第１バイアス電流及び第２バイアス電流を供給し、第１差動増幅部は、外部から入力電圧が印加されることによって、第１バイアス電流に基づいて第１増幅電圧を出力し、第２差動増幅部は、入力電圧が印加されることによって、第２バイアス電流に基づいて第２増幅電圧を出力する。出力部は、第１増幅電圧及び第１電源電圧に基づいて第２電源電圧をプルダウン出力し、第２増幅電圧及び第２電源電圧に基づいて第１電源電圧をプルアップ出力する。 （もっと読む）

ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線を囲むように、平坦化層を形成し、ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線が実質上平坦化層と同一平面を形成するようにしたアクティブマトリクス表示装置。 （もっと読む）

【課題】 高い周波数が印加され、数ｃｍ〜数１０ｃｍの長さを有する配線の抵抗を低減し、伝送される信号波形のなまりを低減する。
【解決手段】 高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。その配線構造を周辺回路一体型アクティブマトリクス型液晶表示装置の周辺回路に用いることで、高周波信号が印加される配線において信号波形のなまりを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 携帯電話等に用いられる液晶表示装置において、待ち受け時には低消費電力でマルチカラー表示を行い、また通話時にはフルカラーによる中間調表示や動画表示を行うことができるようにする。
【解決手段】 画素電極１３と１１信号線とを第１のスイッチ素子１４で接続するとともに、画素電極１３とディジタルメモリ１８との間を第２のスイッチ素子１７で接続し、通話時には、第２のスイッチ素子１７をオフして、第１のスイッチ素子１４をオンすることにより、信号線１１から供給される映像信号で画像表示を行い、また待ち受け時には、第１のスイッチ素子１４をオフして、第２のスイッチ素子１７をオンすることにより、走査線／信号線駆動回路の動作を止めつつ、ディジタルメモリ１８に保持された映像信号で画像表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成した段差４をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層６（６Ａ）からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。 （もっと読む）