【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと；画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層／ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第２の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
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【課題】カラーフィルターをアレイ基板に形成したＣＯＴ構造の液晶表示装置を製作する際、工程を単純化する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート配線とゲート電極上部のゲート絶縁膜と、ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に形成されたアクティブ層と、アクティブ層上部のオーミックコンタクト層と、オーミックコンタクト層上部に形成されたソース電極とドレイン電極、及びゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、ソース及びドレイン電極とデータ配線上部の第１保護膜と、アクティブ層上部の第１保護膜上に形成されたブラックマトリックスと、画素領域の第１保護膜上に形成されたカラーフィルター層と、ブラックマトリックス及びカラーフィルター層上部に形成されて、画素領域のカラーフィルター層を露出する第２保護膜と、画素領域の露出したカラーフィルター層上部に形成されてドレイン電極と連結された画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置でラビング方向に対して水平、垂直に配列される配向膜を利用して一回のラビングでマルチドメインを具現して視野角を向上させる。
【解決手段】これのために本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、基板上に形成された複数のゲート配線と；ゲート配線と交差して複数の画素領域を定義する複数のデータ配線と；両配線の交差地点に構成された薄膜トランジスタと；薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に連結されて、画素領域内に形成される画素電極と；画素電極を含む画素領域上に相異なる配向特性を有する配向物質が塗布されて、マルチドメイン領域に形成される複数の配向膜を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッド下部電極の金属層厚さを調節して、パッド部に形成されるコンタクトホールの傾斜度を緩やかに形成することによって、パッド下部電極の腐蝕防止とパッド下部電極と接触するパッド電極端子の切断を防止する。
【解決手段】アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極４１０と、パッド下部電極上部に形成された絶縁層４２０と、絶縁層４２０の所定領域がエッチングされてパッド下部電極４１０を露出させるコンタクトホール４４０と、コンタクトホール４４０上に形成されてパッド下部電極４１０と接触するパッド端子電極４５０が含まれて構成され、パッド下部電極４１０はアルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、モリブデン層の厚さが少なくともその下部に形成されるアルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成される。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出法を用いてゲート配線あるいはゲート配線と同一工程で形成される配線を形成しかつ絶縁膜を薄膜化した場合における絶縁不良を防止する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ３０の少なくともゲート電極４１を兼ねるゲート配線４０の形成方法であって、上記ゲート配線４０の構成材料を含む液体材料を液滴として吐出する液滴吐出法を用いることによって、上記ゲート配線４０の一部４１を他の上記ゲート配線４０の部分よりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程を単純化する。また、薄膜トランジスタ表示板の生産費用及び生産時間を節減する薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１配線を形成する段階と、前記第１配線上に第１絶縁膜及び半導体層を順次積層する段階と、一回のフォトリソグラフィ工程で前記半導体層及び前記第１絶縁膜を異なる形状にパターニングする段階と、第２配線を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】２本の補助容量ラインを大きい補助容量を確保した反射型および半透過型ＬＣＤを実現する。
【解決手段】１つの画素に対応して２本の補助容量ライン２６ａ，２６ｂを設け、行方向の各画素はいずれか一方の容量ライン２６を利用して補助容量３２ａ，３２ｂを形成する。そして、隣接した画素であって同一の補助容量ライン２６を利用していない画素にも自画素の補助容量３２を延長形成する。 （もっと読む）

【課題】 ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは，基板１１０と，基板１１０上に形成されたゲート電極１２０と，ゲート電極１２０上に形成されるゲート絶縁層１３０と，ゲート電極１２０と絶縁されるようにゲート絶縁層１３０上に形成されるソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと接するとともに，ゲート電極１２０と絶縁される有機半導体層１５０と，を含み，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂの少なくとも有機半導体層１５０と接する部分には酸化部１４０´ａ，１４０´ｂが設けられ，酸化部１４０´ａ，１４０´ｂを構成する物質は，有機半導体層１５０のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ特性を安定的に確保できる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一特徴による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階、有機半導体を形成する段階、前記有機半導体を完全に覆う保護部材を形成する段階、前記保護部材、前記データ線、及び前記ドレイン電極の上に、前記ドレイン電極を少なくとも一部露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階、並びに前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と接続される画素電極を前記保護膜上に形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】予め、対向基板側に厚さ方向に貫通する開口部を対向基板の所望の位置に形成することで、アクティブ基板と対向基板とを張り合わせた後に一方の基板のみを切断することなく、張り合わせた基板の切断を可能とする。
【解決手段】第１基板１１上に薄膜デバイス層１２を形成する工程と、第２基板２１に厚み方向に貫通させた開口部２２を形成する工程と、前記第１基板１１と前記第２基板２１とを張り合わせる工程と、化学処理および研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により、前記張り合わせた基板のうち少なくとも一方の基板を完全または部分的に分離または除去する工程とを備えた薄膜デバイスの製造方法である。 （もっと読む）

ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線を囲むように、平坦化層を形成し、ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線が実質上平坦化層と同一平面を形成するようにしたアクティブマトリクス表示装置。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルを別途に接合しなくても、液晶セルギャップの変化を読み出すことができる回路を構成してタッチスクリーン機能を具現することができる液晶表示装置の提供。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、タッチスクリーン機能を有ており、複数のゲート線と、ゲート線に交差した複数のデータ線と、データ線と絶縁されデータ線と平行に形成された信号線とを含む。ゲート線とデータ線とにより囲まれて形成されたマトリックス状の複数の画素領域にはそれぞれ第１ないし第３スイッチング素子が形成されている。ここで、第１スイッチング素子のゲート電極はゲート線Ｇｎに接続され、ソース電極はデータ線に接続され、ドレイン電極は画素電極に接続されている。画素電極と共通電極間には液晶容量と蓄積容量が形成される。この時、液晶容量は液晶セルギャップの変化によってその値が変わる。第２及び第３スイッチング素子は液晶容量の変化を読み出すために形成されたものであって、第２スイッチング素子のソース電極は画素電極に接続され、ドレイン電極は信号線に接続され、ゲート電極は前段ゲート線Ｇｎ−１に接続される。また、第３スイッチング素子のソース電極はデータ線に接続され、ドレイン電極は画素電極に接続されて、ゲート電極は２段前のゲート線Ｇｎ−２に接続される。各信号線はそれぞれ信号増幅部に接続される。 （もっと読む）

アクティブマトリックスディスプレイに、ディスプレイ基板の上、しかし表示領域（６３）の外側で、ディスプレイの端に沿って延びる、導体ライン（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）が設けられる。これらの導体ラインは、画素のアレイを定義する薄膜層に追加される、少なくとも１つの層（９０）を備える。行ドライバ回路および／または列ドライバ回路は、表示領域（６３）の外側で共通基板に設けられた、導体ラインに接続する部分（４０，５０）を有する。専用の処理を、導体ラインのために用いて、低抵抗のラインを形成することができる。これらは、行または列ドライバ回路の、共通基板への集積化または実装を助ける。
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回路欠陥解析及びプロセス問題識別を実行するための方法は、テスト信号を回路に印加するステップと、テスト信号に応答して生成された応答信号を得るステップと、応答信号を参照情報と比較するステップと、比較するステップの結果に基づいて回路内の欠陥を分類するステップと、欠陥分類に基づいて、欠陥を引き起こした製造プロセスにおける問題を識別するステップとを有している。参照情報は、製造プロセス中に発生する可能性がある予め定義されたタイプの欠陥に対応する１つ又は複数の信号プロフィルを含むことができる。欠陥の分類は、応答信号が、信号プロフィルのうちの１つ又は複数内に入るかどうか判定することによって実行されることが好ましい。応答信号が２つ以上の信号プロフィル内に入る場合には、各プロフィルについて確率を決定することができる。次いで、欠陥は、その信号プロフィルがより高い確率を有する欠陥タイプに対応するものとして分類することができる。処理システムは、同様の方法を使用して、欠陥の分類及びプロセス問題識別を実行する。 （もっと読む）

【課題】　本発明の目的は、液晶配向の不良を減少させ、開口率を高めることにある。
【解決手段】　第１絶縁基板と、第１絶縁基板上部に形成されており、ゲート電極を有するゲート線と、ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上部に形成されている半導体層と、半導体層上部に形成されているソース電極及びドレイン電極とソース電極に連結されており、ゲート線と交差するデータ線と、有機絶縁膜からなっており、ドレイン電極を露出する第１接触孔を有する保護膜と、第１接触孔を通じてドレイン電極と連結されている画素電極と、第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、ゲート線またはデータ線と重なるブラックマトリックスと、第１絶縁基板と第２絶縁基板の間でブラックマトリックスと重なって位置し、写真エッチング工程で形成された基板スペーサとを含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタアレイだけに突出部とスリットとを形成されたマルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供することである。
【解決手段】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出部と複数の画素電極とを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶層とを少なくとも備え、前記突出部上に形成された画素電極は複数のスリットを有し、第１の基板は突出部及びスリット上に平坦化された誘電体層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 反射面の凸凹形状を反射のし易い形状とすること。
【解決手段】 基板上に感光性を有する絶縁性樹脂を形成する工程と、前記樹脂表面に凸凹を形成するためのパターンが形成されたフォトマスクを用いて前記絶縁性樹脂を露光する工程と、露光された前記樹脂を現像する工程と、前記凸凹が形成された樹脂上に反射用の表示電極を形成する工程を備える表示用基板の製造方法において、露光工程は、前記フォトマスクの樹脂残存用パターンの周囲に樹脂の周囲に傾斜面を形成するための樹脂残存用補助パターン５３を形成したフォトマスク５を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）