【課題】高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷（画素書き込み電流）を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつフロント型プロジェクタである。
【解決手段】チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による表示基板は、絶縁基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターンと、前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、前記酸化物半導体パターンは第１酸化物および第３元素を含む第１酸化物半導体パターンおよび第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、アモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、保護層とを含む。保護層は、半導体層の上に半導体層と接して設けられる。半導体層は、少なくともチャネル層として機能する第１の層と、第１の層よりも高抵抗な第２の層とを含む。第２の層は、半導体層において保護層側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】接触検出機能を兼ね備えた液晶表示装置を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され第１方向に延在した第１検出要素と、第１方向に交差する第２方向に延在する第２検出要素と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間に介在する絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間の静電容量の変化を検出する検出回路と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、画素への信号の書き込み時間を短縮すること、また、高い電圧を印加する場合でも、信号の書き込みを高速に行うことを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続された液晶素子とが設けられた画素を有し、前記トランジスタは、半導体材料として真性又は実質的に真性な酸化物半導体が用いられており、且つオフ電流が１×１０^−１７Ａ／μｍ以下であり、前記画素には、容量素子が設けられていない。容量素子を設けなくてもよいため、信号の書き込み時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】キャリアの移動度を向上させることが可能な薄膜トランジスタ、ならびにそのような薄膜トランジスタを用いた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層１５を、チャネルを構成するキャリア走行層１５１と、キャリア供給層１５２とを含む多層膜により構成する。また、キャリア供給層１５２における伝導帯下端準位Ｅｃ２が、キャリア走行層１５１における伝導帯下端準位Ｅｃ１よりもエネルギー的に高くなるように設定する（Ｅｃ２＞Ｅｃ１）。キャリア供給層１５２からキャリア走行層１５１へとキャリア（電子）が供給され、キャリア走行層１５１内におけるキャリア供給層１５２との界面近傍の領域に、電子を蓄積させることができる。これにより、従来と比べて電子に対する走行散乱が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置、プラスチック
基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成した後、支持体に被剥離層を接着して基板から引き剥がして被剥離層を剥離した後、被剥離層に接する薄膜を成膜した後、転写体２２と貼り合わせる。こうすることによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜２０、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させ、転写体２２、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層に対する外部光の照射を遮断し、その半導体特性の劣化を防止できる薄膜トランジスタ、その製造方法、およびそれをスイッチング素子として利用し、表示品質を向上した表示基板を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタは、酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層のチャネル領域と重なるように前記酸化物半導体層の上に形成された第１保護層と、前記酸化物半導体層と前記第１保護層との間に形成された不透明層と、前記酸化物半導体層の一側に配置されたソース電極と、前記チャネル領域を介して前記ソース電極と対向するように前記酸化物半導体層の他側に配置されたドレーン電極と、前記酸化物半導体層に電界を印加するゲート電極と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に形成されたゲート絶縁層と、を含み構成される。 （もっと読む）

【課題】配向不良による輝度の低下を抑制できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極４０の第１の領域に第１のスリット４０ａが第１の方向に向けて形成され、第１の領域に水平方向に隣接する第２の領域に第２のスリット４０ａが第２の方向に向けて形成され、配向膜にデータバスライン１６ａに平行な方向に傾斜垂直配向処理が施された液晶表示装置において、第１及び第２のスリット４０ａのうちの第１の領域及び第２の領域の境界近傍の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度を、第１及び第２のスリット４０ａの他の部分とデータバスライン１６ａとのなす角度よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にしないと共に画素電極及び基準電極とデータ線の間の寄生容量を減らす液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された二重保護膜と、前記二重保護膜は第１保護膜と第２保護膜とを含み、前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なり、前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する
半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレ
イン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形
成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導
体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層
によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良
好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】工程を単純化することのできる半透過型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２基板を提供し、第１マスク工程で第１基板上にゲートラインを形成し、第２マスク工程で第１基板上のゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上の半導体パターンと半導体パターン上の画素領域を定義するようにゲートラインと交差するデータラインとソース電極及びドレイン電極を形成し、第３マスク工程でデータライン上の有機絶縁膜とソース電極及びドレイン電極を形成し有機絶縁膜を貫通する透過ホールを形成し、第４マスク工程で有機絶縁膜を貫通してドレイン電極と接続された画素電極及び透過ホールを形成し、透過ホールの画素電極を露出させる反射電極を画素電極上に形成する液晶表示装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート電極およびゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられた金属酸化物膜と、金属酸化物膜上に設けられた金属膜と、を有し、酸化物半導体膜は、金属酸化物膜と接し、且つ、酸化物半導体膜の他の領域よりも金属濃度が高い領域（金属高濃度領域）を有する。金属高濃度領域には、酸化物半導体膜に含まれる金属が、結晶粒または微結晶として存在していてもよい。 （もっと読む）

【課題】高開口率化及び混色を抑制した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板を有し、第１基板に
は、互いに絶縁された状態で交差するように形成された複数の走査線及び信号線１４と、
走査線及び信号線１４によって区画されたサブ画素とを備え、第２基板には、平面視で、
走査線及び信号線１４によって区画されたサブ画素毎に形成されたカラーフィルター層３
１を備え、第１基板に透明電極が備えられた液晶表示装置１０において、サブ画素毎に形
成されたカラーフィルター層３１は非着色領域４２を有し、非着色領域４２は、信号線１
４を挟んで両側に位置する透明電極と平面視で部分的に重なる位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗のさらなる低減を図る半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にシリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成されている。そのシリコン酸化膜３上に、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ＧＯＬＤ領域４１，４２、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＧＯＬＤ構造の薄膜トランジスタＴ４と、ソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｎ型ＳＤ構造の薄膜トランジスタＴ５と、ｐ型のソース領域４５、ドレイン領域４６、チャネル領域４０、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６ａを含むｐ型の薄膜トランジスタＴ６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】
工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適したｎチャネル型ＴＦＴ
とｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる薄膜半導体装置及び差動増幅回路及び表示装置の提供。
【解決手段】
入力対に与えられた信号電圧を差動で受ける差動対（１０１、１０２）と、前記差動対の出力対と第１の電源間に接続される負荷素子対（１０３、１０４）と、前記差動対と第２の電源間に接続され、前記差動対に定電流を供給する電流源（１０６）と、を有する差動段（２３）を備えた差動増幅回路において、前記差動対、及び／又は、前記負荷素子対は、相対的に低閾値のトランジスタよりなり、前記差動段の電流パスに挿入され、前記電流パスの導通・遮断を制御するスイッチ機能として、前記低閾値のトランジスタよりも高い閾値を有し、制御端子に入力される制御信号によってオン・オフ制御される少なくとも１つのトランジスタ（５０３）を備える。 （もっと読む）