【課題】パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】基板１の上に有機半導体層２を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層４を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層５を形成する。マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。パターニング終了後もマスク層５は保護層として残す。 （もっと読む）

【課題】開口率を充分に確保し、しかも補償容量の容量値を大きくすることができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】画素電極１３の所定部分に誘電層を介して重なるように配置され、画素電極１３との間に補償容量Ｃｓを形成する容量電極２６を備え、前記容量電極２６を、画素電極１３と重なる辺の総距離が、画素電極１３の全ての辺の総距離よりも長い形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化することで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したように当該トランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光の乱反射を減らした液晶ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の基板が相互対向して配され、その間に液晶層が形成された液晶ディスプレイパネルと、液晶ディスプレイパネルの下部に配され、液晶ディスプレイパネルに光を照射するバックライトユニットと、を備えるが、液晶層が形成された部分に対して離隔して配された基板の表面に形成された欠陥ホール内に充填され、基板の表面に対して水平面になるように充填材が形成され、充填材が充填された欠陥ホール上にカバー部材が付着されたことを特徴とする液晶ディスプレイ装置である。これにより、充填材によって欠陥ホールが形成された領域を充填させるので、光の乱反射を未然に防止する。このように、エッチング工程で発生する物理的な限界を克服して超薄型加工を通じて薄型のディスプレイ装置を具現可能である。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にマスクを形成し、マスクにスリミング処理を行い、マスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行い、絶縁膜を覆うように導電膜を形成し、導電膜および絶縁膜に研磨処理を行うことにより、導電膜および絶縁膜の厚さを等しくし、導電膜をエッチングして、導電膜より厚さの小さいソース電極およびドレイン電極を形成し、絶縁膜、ソース電極、およびドレイン電極と接する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ回路の性能を維持しつつ、回路規模を小さくした液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 表示領域に配置された各画素の液晶組成物の配向を制御する画素トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板２０７を備える液晶表示装置において、薄膜トランジスタ基板２０７は、表示領域を覆うように配置され、電界が生じていないときの液晶組成物を配向を決定する配向膜２０９と、配向膜２０９の外縁に配向膜２０９を堰き止めるように配置された配向膜堰止め導電膜２２１と、画素トランジスタのゲート電極にゲート信号電圧を印加するシフトレジスタ回路２１９と、を備える。配向膜堰止め導電膜２２１は、シフトレジスタ回路２１９の一部を形成している。 （もっと読む）

【課題】素子基板の一方面側に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００では、対向基板２０の側から素子基板１０の一方面側に入射した光を反射性の画素電極９ａの表面で反射して画像を表示する。また、画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。ここで、画素電極９ａ、および反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）の表面は鏡面になっている。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第１のソース及び第１のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第１のゲートに第１の走査信号線を介して第１の走査信号が入力される第１のトランジスタと、２つの電極のうちの一方の電極が第１のトランジスタの第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続される容量素子と、第２のソース及び第２のドレインの一方が第１のトランジスタの第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続され、第２のゲートに第２の走査信号線を介して第２の走査信号が入力される第２のトランジスタと、第１の電極が第２のトランジスタの第２のソース及び第２のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第２の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。 （もっと読む）

【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができる広視野角液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとを画素３２毎に形成した液晶表示装置において、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部１８と、前記接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４とを備え、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加する。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル駆動により３Ｄ画像を表示する際に、低消費電力化を図るための具体的な駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】左目用画像と右目用画像とを切り替えて表示する液晶表示装置と、左目用画像または右目用画像の表示に同期して視認者の左目または右目において左目用画像または右目用画像が選択的に視認されるようにするための切替手段つき眼鏡と、により立体画像を視認できる液晶表示装置の駆動方法において、左目用画像及び右目用画像は、バックライト部から照射される複数の色に対応した光を所定の期間内で切り替えることで左目または右目において混色させて視認されるものであり、バックライト部から照射される光は、左目用画像及び右目用画像を構成する複数の色毎の画像信号に応じて、連続して照射される構成とする。 （もっと読む）

【課題】金属触媒を利用して、結晶粒径が大きな結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。非結晶シリコン層４ｘは、第２多結晶シリコン層４ｙに変化する。かかる第２多結晶シリコン層４ｙでは、結晶粒径が大きい。従って、金属触媒層８を除去した後、熱処理を行なえば、第１多結晶シリコン層１ｘと第２多結晶シリコン層４ｙとが接している部分を起点に第１多結晶シリコン層１ｘが再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】ａ−ＩＧＺＯ薄膜の熱処理による閾値電圧が大きく負の値にシフトしてしまう問題の解決とデバイス作製プロセスの最高温度をプラスチック基板の軟化点よりも低く抑える。
【解決手段】基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、チャネル層とを含み、該チャネル層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタにおいて、オゾンを含む酸化性雰囲気による熱処理後のａ−ＩＧＺＯ薄膜の閾値電圧が０±５Ｖ以内、電界効果移動度が５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。該半導体膜を製膜した後、乾燥酸素中にオゾンを１．０容積％以下０．０１容積％以上含有する乾燥酸素ガス雰囲気中で該半導体膜を１００〜２００℃の温度範囲内で１〜１２０分間、熱処理する。 （もっと読む）

【課題】光劣化が最小限に抑えられ、電気特性が安定したトランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】”ｓａｆｅ”トラップが存在するため、光応答の二種類のモードを示す酸化物半導体層を用いることによって、光劣化が最小限に抑えられ、電気特性が安定したトランジスタを実現する。なお、光応答の二種類のモードを示す酸化物半導体層は、１０ｐＡ以上１０ｎＡ以下の光電流値を有している。光応答の二種類のモードの存在は、キャリアが”ｓａｆｅ”トラップに捉えられるまでの平均時間τ_１が十分大きい場合、光電流の時間変化の結果において、急速に立ち下がる部分とゆっくり下がる部分がある。 （もっと読む）

【課題】金属原子が内部に拡散、侵入せず、かつ、結晶化方位や粒径を制御することのできる結晶化シリコン層の製造方法、かかる方法を利用した半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。その際、第１非結晶シリコン層４ｘは、多結晶シリコン層４ｙに変化する。金属触媒層８を除去した後、開口部１５ａを備えた絶縁層１５、および第２非結晶シリコン層１ｘを形成した状態で熱処理を行ない、第２非結晶シリコン層１ｘを、開口部１５ａの底部で多結晶シリコン層４ｙと接している部分を起点にして結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの閾値電圧を調整する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製に際して、処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記希ガスプラズマ処理は、好ましくは前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみを異ならせる。希ガスとしてはアルゴンが好ましく、前記半導体膜には希ガス元素を２．５×１０^１８ｃｍ^−３以上含ませることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表示された画像が良好に認識できる表示装置を提供することを課題の一とする。また、その表示装置を生産性良く作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体（ドナー）となる不純物（水素又は水など）を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流（オフ電流）を少なくすることができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域における寄生容量を削除することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】高価な機材である真空チャンバーを用いることなくキャリア移動度の高いポリシリコン膜を製造する。
【解決手段】ポリシリコン膜の製造方法において、少なくともシリコン粒子を分散させた液体を基板に塗付する工程と、塗布した液体を乾燥させてシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜をポリシリコン膜にするための熱アニール処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等において、主配線を効率的に低抵抗化し、主配線間における信号の相互干渉を抑制することで、高品位な画像表示を行う。
【解決手段】基板（１０）上における画像表示領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、複数の外部回路接続端子（１０２）と、これらに夫々一端が接続された複数の主配線（１０８）と、該主配線の他端に接続されており外部回路接続端子から主配線を介して供給される電気信号に基づいて画素部を駆動するための周辺駆動回路（１０１、１０４）とを備える。複数の主配線は、同一導電膜から形成されていると共に相互に交差しないように周辺領域内に平面レイアウトされている。 （もっと読む）