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Fターム[2H092JA28]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 能動素子 (19,865) | 三端子素子 (19,408) | 構造 (10,751) | 半導体層 (1,729)

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大きさ (545)

Fターム[2H092JA28]に分類される特許

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【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のため
の加熱処理)を行う。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置における表示品位の低下を抑制し、また、消費電力を低減する。
【解決手段】互いに連続したフレーム期間である第1のフレーム期間及び第2のフレーム期間において、互いに電圧の極性を反転させて液晶素子に電圧を印加することにより画素の表示を行う液晶表示装置の駆動方法であって、第1のフレーム期間における画像及び第2のフレーム期間における画像の比較により第1のフレーム期間及び第2のフレーム期間における画像が静止画像であると判断され、且つ第1のフレーム期間における液晶素子に印加される電圧の絶対値と、第2の期間における液晶素子に印加される電圧の絶対値と、が異なる場合に、第1のフレーム期間又は第2のフレーム期間において、液晶素子に印加される電圧を補正する補正処理を行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた、高信頼性で且つ低コストで製造できる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成された第1の水素拡散防止膜と、前記第1の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第1の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第1方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第1ソース配線と前記第2ソース配線との間に位置し第1方向に沿って延出した主画素電極と、前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線のそれぞれとの間に絶縁膜を介して対向し第1方向に沿って延出した第1主共通電極と、を備えた第1基板と、前記第1主共通電極と対向し第1方向に沿って延出するとともに前記第1主共通電極と電気的に接続された第2主共通電極を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】 光リーク電流を低減し、画質を向上させる。
【解決手段】 本開示に係る液晶表示装置は、複数の層間絶縁膜310が積層されており、複数の層間絶縁膜310のうち、信号線22及びトランジスタが設けられた非開口領域25と、信号線22及びトランジスタが設けられていない開口領域23とを有する駆動素子基板12と、液晶16を介して駆動素子基板12と対向するように設けられた対向基板11と、を備え、駆動素子基板12は、非開口領域25と開口領域との間であって層間絶縁膜310に設けられ、層間絶縁膜310と屈折率が異なる絶縁部311と、絶縁部311と、対向基板11との間に設けられた遮光膜305と、を有する。 (もっと読む)


【課題】製造コストを増加させることなく画素電極の凹凸を低減してコントラストを確保できる液晶パネルを提供する。
【解決手段】液晶パネル11は、アレイ基板12を有する。アレイ基板12は、絶縁層21を備える。アレイ基板12は、絶縁層21の液晶層14に対して反対側に複数の薄膜トランジスタ24を備える。アレイ基板12は、薄膜トランジスタ24を覆う支持層27を備える。アレイ基板12は、絶縁層21に対して各薄膜トランジスタ24と反対側の位置に、各薄膜トランジスタ24により駆動する複数の画素電極29を備える。 (もっと読む)


【課題】特性の異なるTFTを同一基板上に形成する場合、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるTFTを形成すると、TATが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】1つのハーフトーンマスクを用いて、第2領域156とチャネル前駆体161aとソース・ドレイン前駆体165aとで膜厚の異なる段差レジストを形成する。NMOSTFTのチャネル前駆体161aには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通るレジスト膜厚の設定とし、ソース・ドレイン前駆体165aではレジストを開口させた。まず低加速エネルギーでソース・ドレイン前駆体165aにイオン注入し、次に、高加速エネルギーでチャネル前駆体161aにイオン注入する。第2領域156では2回の注入で、不純物が透過しないレジスト膜厚に設定する。 (もっと読む)


【課題】カラーフィルタの遮光マスクとして金属膜を用いた従来の液晶表示パネルでは、
他の配線との寄生容量が形成され信号の遅延が生じやすいという問題が生じていた。また
、カラーフィルタの遮光マスクとして黒色顔料を含有した有機膜を用いた場合、製造工程
が増加するという問題が生じていた。
【解決手段】本発明は、遮光マスク(ブラックマトリクス)を用いることなく、対向基板
上に遮光部15、16として2層の着色層を積層した膜(赤色の着色層13と青色の着色
層12との積層膜、あるいは赤色の着色層13と緑色の着色層11との積層膜)を素子基
板のTFTと重なるよう形成する。 (もっと読む)


【課題】視認者にとって裸眼での3次元表示を可能とする距離(表示画面と視認者の目との距離)範囲を拡大し、且つ消費電力を低減する。
【解決手段】視認者と表示パネルとの距離に応じてシャッターパネルにおける視差バリアを最適な配置となるよう制御する。具体的には、複数の光学シャッター領域による透光状態または遮光状態及び画素における表示素子単位を、保持状態毎に選択的に切り替えて適宜最適な視差バリアを形成する。また保持状態は、液晶層を挟持する電極の少なくとも一方の電極が酸化物半導体を半導体層に有するトランジスタに接続され、当該トランジスタを非導通状態とすることで実現するものである。 (もっと読む)


【課題】電界効果型トランジスタの移動度を向上させる。
【解決手段】ゲート絶縁膜22と、活性層としてSn,Zn及びO、又はSn,Ga,Zn及びOを主たる構成元素とする酸化物半導体層14と、ゲート絶縁膜22と酸化物半導体層14との間に配置され、酸化物半導体層14よりも抵抗率が高い酸化物中間層16と、を有する。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、相展開数の増加による画像信号線の増加という条件下で、画像信号中の高周波のクロックノイズ等の発生を低減する。
【解決手段】液晶装置(200)は、一対の基板間に挟持された液晶層と、基板(1)にマトリクス状に設けられた画素電極(11)と、これをスイッチング制御するTFT(30)とを備える。さらにデータ線駆動回路(101)にクロック信号を供給する配線(CLX,CLX’)と、データ線駆動回路(101)及び配線(CLX,CLX’)を囲むように配設されたシールド線(80’)と、シールド線(80’)の外側に配設された画像信号線(VID1〜VID12)を備える。 (もっと読む)


【課題】
アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】
基板(SUB)上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線(LN)で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔(CH)及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜(OPAS)と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたITO膜(ITO)とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にU字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して3倍以上、好ましくは5倍以上、さらに好ましくは10倍以上の長さとする。 (もっと読む)


【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において、対向基板20には、共通電極21より下層側に導電性の遮光層29が設けられ、かかる遮光層29は絶縁層27のコンタクトホール27a、27b、第1導通部25aおよび第2導通部25bにおいて共通電極21と導通している。このため、共通電極21のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極21の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極21の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層29の上層には絶縁層27が形成されているため、遮光層29に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極21に段差切れが発生しない。 (もっと読む)


【課題】液晶装置等の電気光学装置において、フリッカーを低減し、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板(10s)と、透明基板の第1面側に設けられた複数の透明画素電極(9)と、透明基板と複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜(61、62)と、透明基板と反射膜との間に、複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスター(30)と、透明基板の第1面とは異なる第2面側に設けられ、第2面の法線方向から見て少なくとも一部が反射膜に重ならないように設けられ、透明基板を透過した光を検出する光検出素子(600)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 電源がオフされた際の残像の発生を回避することができる液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層LQと、複数の走査線GLと、複数の信号線SLと、複数の画素スイッチSWPと、複数の第1電極と、走査線駆動回路GDと、第2電極と、電圧供給配線W1と、制御機構と、第1切替え機構と、第2切替え機構と、出力タイミング切替え機構と、を備える。第1切替え機構及び第2切替え機構は、制御機構から与えられる制御信号を基に、導通状態及び非導通状態の何れかに切替え可能である。出力タイミング切替え機構は、上記制御信号を基に、画素スイッチSWPを導通状態に切替える第2走査信号を複数の走査線GLに同時に出力可能である。 (もっと読む)


【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極と、複数の半導体層15と、複数のゲート電極20を含んだ複数の走査線19と、複数の補助容量線と、複数のコンタクトホールを有した層間絶縁膜と、複数のコンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線と、複数の画素電極と、を備えている。走査線19が延在した方向に互いに隣合う一方の画素電極が接続された補助容量電極と、他方の画素電極が接続された補助容量電極とは、走査線を挟んで位置している。薄膜トランジスタのチャネル面積CSは、24μm以上である。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが70nm以上100nm以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ13nm以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が2.25g/cm以上2.35g/cm以下、好ましくは2.30g/cm以上2.33g/cm以下である。 (もっと読む)


【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置の作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜を形成し、第1の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理をして第2の酸化物半導体膜を形成し、第1の導電膜を形成し、厚さの異なる領域を有する第1のレジストマスクを形成し、第1のレジストマスクを用いて第2の酸化物半導体膜および第1の導電膜をエッチングして第3の酸化物半導体膜および第2の導電膜を形成し、第1のレジストマスクを縮小させて、第2のレジストマスクを形成し、第2のレジストマスクを用いて第2の導電膜の一部を選択的に除去することでソース電極およびドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極(反射電極)の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部701、702の形成をTFTの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極169の表面に凸凹を形成する。 (もっと読む)


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