【課題】本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、互いに交差するデータ線（６）及び複数の走査線（１１）と、データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び第２ソースドレイン領域を含んでなる半導体層（３０ａ）と、複数の走査線のうち一の走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有するトランジスター（３０ａ）と、半導体層と基板との間に配置され、第２ソースドレイン領域に電気的に接続された第１容量電極（７１）と、第１容量電極に対向するように設けられるとともに一の走査線に隣り合う走査線に電気的に接続された第２容量電極（７３）とを有する蓄積容量（７０）と、を備え、蓄積容量は、基板上に設けられた溝の内部の少なくとも一部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１方向に沿って延出したゲート配線と、第１方向と直交する第２方向に対して左回りに鋭角に交差する第３方向に沿って延出した斜め配線部を含むソース配線と、第３方向に沿って延出した斜め電極部を含む画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記第１配向膜の第１ラビング方向は、前記第３方向に対して左回りに鋭角に交差する方向であって、第１ラビング方向と第３方向とのなす角度は３．６°以上であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定した特性を示す金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極１と、ゲート電極１上に設けられたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に設けられたドレイン電極３Ｂ，４Ｂと、ゲート絶縁膜２上にドレイン電極３Ｂ，４Ｂと隣接して設けられ、金属酸化物半導体で構成されたチャネル層５とを備え、ドレイン電極３Ｂ，４Ｂは、ゲート電極１への電圧印加によりチャネル層５に形成される反転層１０１と接触すべくゲート絶縁膜２上に設けられ、チャネル層５を構成する金属酸化物半導体よりも酸化物生成自由エネルギーが若干小さい金属酸化物半導体で構成された第１ドレイン電極３と、第１ドレイン電極３上に設けられ、金属で構成された第２ドレイン電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの光リーク電流が低減され、かつ、従来よりも少ないフォトリソフォグラフィ工程で製造することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、絶縁性基板１上に、基板１側から、ゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６と、互いに離間形成されたドレイン電極９及びソース電極１１と、チャネル層を含む少なくとも１層の半導体膜２１とが順次形成された薄膜トランジスタ１０１と、画素電極１０とが複数対アレイ状に形成されたものである。ドレイン電極９及びソース電極１１は、基板１側から透光性導電膜ＥＭ２と非透光性導電膜ＥＭ３とが順次積層された積層構造を有し、かつ、ドレイン電極９の透光性導電膜ＥＭ２及び／又は非透光性導電膜ＥＭ３が延設され、この延設部分により画素電極１０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】
横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】
画素領域には、相互に離間して配置された複数の線形状を有する第１の透明導電膜ＰＸと、前記第１の透明導電膜と絶縁膜を介して重畳し、平板形状を有する第２の透明導電膜ＣＴを有し、
ドレイン信号線ＤＬと液晶ＬＣとの間に配置され、且つ前記第１の透明導電膜ＰＸと電気的に分離され第３の透明導電膜ＩＴＯ１を有し、
前記第１の透明導電膜ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され画素電位を供給され、前記第２の透明導電膜ＣＴは基準となる対向電位を供給されることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置、曲面を有する基材に貼りつけられた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する際、素子のチャネルとして機能する領域のチャネル長方向を全て同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、素子を完成させた後、さらに、前記チャネル長方向と異なっている方向、即ちチャネル幅方向に湾曲した曲面を有する基材に貼り付けて曲面を有するディスプレイを実現するものである。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることが可能なＦＦＳ方式の液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、スイッチング素子２０と、透明画素電極１４と、透明画素電極１４の上層に絶縁膜を介して所定領域が重畳配置され、透明画素電極１４とともに液晶５０を駆動する透明コモン電極１５とを具備する。非透過性の導電パターン（ソース配線１２等）の近傍において、黒表示の際に液晶５０の配向不良により正面視において光漏れが生じる導電パターンの少なくとも一部に、平面視上、これを覆い、かつ、突出する庇４３を有する遮光層４２が配設されている。庇４３を有する遮光層４２と重畳するように配置された導電パターンに対し、当該導電パターンと前記液晶側で重畳するように配置され、かつ、庇４３を有する遮光層４２よりも、平面視において突出するように透明コモン電極１５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく蓄積容量の領域に形成でき、電気的にも安定な、柱状スペーサの台座の構造を与える。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、蓄積容量形成部５内で半導体層１６から形成され、かつ、すべての画素１ａ，１ｂ，…で同一の面積を有する台座１７を、更に備えている。画素１ａ，１ｂ，…には、柱状スペーサ２４が台座形成部６に当接する位置に設けられた画素１ｂと、柱状スペーサ２４が台座形成部６から離れた位置に設けられた画素１ａと、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】タッチ機能付きの操作パネルを含む表示装置において、効率的に操作面の清浄化を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１主表面を有する第１基板１４０と、第１基板１４０と間隔をあけて配置され、第１主表面と対向する第２主表面を有する第２基板１５６と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に封入された表示媒体層１３０と、第１基板１４０および第２基板１５６の間に配置された第１電極と、第１電極と対向する第２電極とを含み、第１電極および第２電極の容量を検知するタッチセンサと、イオン放出可能なイオン放出モジュールとを備える。上記第２基板１５６は、第２主表面と対向する第３主表面を含み、イオン放出モジュールは、第３主表面に向けてイオンを放出する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】 狭額縁化を図ることができ、ちらつきの発生を抑制することができる、表示品位に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置のアレイ基板１は、複数の信号線、複数の走査線Ｇ、複数の画素、第１駆動回路及び第２駆動回路を有している。複数の画素は、薄膜トランジスタをそれぞれ有している。表示領域は、行方向Ｘに分割された複数の分割領域を有している。奇数行の複数の走査線Ｇに接続された複数の画素の薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、第１駆動回路に最も近い分割領域で最も小さく、第１駆動回路から遠い分割領域になるにつれて次第に大きくなる。偶数行の複数の走査線に接続された複数の画素の薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、第２駆動回路に最も近い分割領域で最も小さく、第２駆動回路から遠い分割領域になるにつれて次第に大きくなる。 （もっと読む）

【課題】水平電界成分による透過率の減少を防止する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板上に配置される第１電極と、前記第１電極上に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置される第２電極と、前記第２基板上に配置される第３電極と、前記第２電極及び前記第３電極のうちの少なくとも一つの上に配置する配向膜とを含み、前記第２電極は微細スリット構造に形成され、前記液晶層及び前記配向膜のうちの少なくとも一つは配向補助剤を含むことを特徴とする。 （もっと読む）