【課題】光照射時の素子特性を安定化する。
【解決手段】酸化物半導体を主体とする半導体膜を成膜する第一工程と、第一工程後に、半導体膜の面上に第一の絶縁膜を成膜する第二工程と、第二工程後に、酸化性雰囲気中で熱処理する第三工程と、第三工程後に、第一の絶縁膜の面上に第二の絶縁膜を成膜する第四工程と、を有し、第二工程と前記第三工程の際に、第一の絶縁膜の厚みをＺ（ｎｍ）とし、第三工程での熱処理温度をＴ（℃）とし、前記第一の絶縁膜及び前記半導体膜中への酸素の拡散距離をＬ（ｎｍ）としたとき、０＜Ｚ＜Ｌ＝８×１０^−６×Ｔ^３−０．００９２×Ｔ^２＋３．６×Ｔ−４６８±０．１の関係式を満たすように第一の絶縁膜の厚みと熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０と、画素に配置された透光性の画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられ、誘電体層１６ｂを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量１６と、蓄積容量１６と画素電極１５との間に設けられた第３層間絶縁膜１４と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く生産性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、主基板と、光制御層と、を含む表示装置が提供される。光制御層は、主基板と積層される。主基板は、主基体上に設けられた波長選択透過層と、回路層と、を有する。波長選択透過層は、下側反射層と、下側反射層の上に設けられた上側反射層と、下側反射層と上側反射層との間に設けられた第１スペーサ層及び第２スペーサ層を含む。第２スペーサ層の厚さは第１スペーサ層とは異なる。回路層は、主基体の主面に対して垂直な第１方向に沿って見たときに第１、第２スペーサ層と重なる部分を有する第１、第２画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板と、第１絶縁基板上に実質的に第１方向に互いに平行に配置されたゲート配線及びストレージ配線と、ゲート及びストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２方向に配置されたデータ配線と、ゲートとデータ配線とによって定義された画素領域上に形成された第１画素電極と、第１画素電極に隣接する第２画素電極と、を含み、ストレージ配線は、実質的に第１方向に配置された水平部と、水平部から実質的に第２方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部と、を含み、垂直部は、第１画素電極及び第２画素電極とオーバーラップし、第１画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は、第２画素電極及び垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴う短チャネル効果を抑制しつつ、トランジスタの電気特性のしきい値電圧（Ｖｔｈ）をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフを達成した半導体装置、及びその作製方法を提供する。また、ソース領域、及びドレイン領域と、チャネル形成領域との間のコンタクト抵抗を低くして良好なオーミックコンタクトがとれる半導体装置、及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、少なくともチャネル形成領域となる、酸化物半導体層の一部をエッチングによって部分的に薄くし、そのエッチングによってチャネル形成領域の膜厚を調節する。また、酸化物半導体層の厚い領域に、リン（Ｐ）、またはホウ素（Ｂ）を含むドーパントを導入し、ソース領域、及びドレイン領域を酸化物半導体層中に形成することにより、ソース領域、及びドレイン領域と接続するチャネル形成領域とのコンタクト抵抗を低くする。 （もっと読む）

【課題】液晶分子の配向不良によるコントラストの低下を抑制する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、２枚の基板１１０，１２０のうち一方の基板１１０の液晶層１３０側表面に非発光領域に対応して他方の基板１２０に向かって突出するように形成された凸部Ｃvxと、他方の基板１２０の液晶層１３０側表面に凸部Ｃvxと重なる領域に対応して形成され、凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さい深さｈ２を有する凹部Ｃcvと、凹部Ｃcvに収容され、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、２枚の基板間距離ｄが一定となるように保持するビーズスペーサ１３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス基板の特性の向上、及び、白黒表示間のコントラストが向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された画素電極と、行方向に隣接する２つの画素電極の両方と重畳して配置された列方向に伸びるソース配線と、ソース配線と交差して配置された行方向に伸びる保持容量配線とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記画素電極、ソース配線及び保持容量配線は、絶縁膜を介してそれぞれ異なる層に形成されており、上記ソース配線は、行方向に隣接する２つの画素電極下にそれぞれ屈曲点を有し、かつ、行方向に隣接する２つの画素電極の間隙を横切る横断部を有し、上記保持容量配線は、行方向に隣接する２つの画素電極の間隙と重畳して配置された列方向に伸びる延伸部を有し、上記ソース配線は、実質的に保持容量配線との交差点でのみ保持容量配線と重畳しているアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、これを備えた表示装置、およびその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板上に形成され、金属触媒の作用による結晶の成長によって結晶化したアクティブ層と、アクティブ層の一部領域上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、ゲート絶縁膜パターンの一部領域上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜パターン上にゲート絶縁膜パターンと同じパターンで形成され、ゲート電極を覆うエッチング防止膜パターンと、アクティブ層およびエッチング防止膜パターン上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、アクティブ層およびエッチング防止膜パターンとソース電極およびドレイン電極の間にソース電極およびドレイン電極と同じパターンで形成され、アクティブ層の結晶化に用いられた金属触媒を除去するゲッタリング層パターンとを含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第１の多結晶半導体膜１０３ｂを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第１の多結晶半導体膜１０３ｂに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第２の多結晶半導体膜を基にＴＦＴを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。 （もっと読む）

【課題】画像信号の入力頻度の向上を図ること。
【解決手段】液晶表示装置の画素部を複数の領域に分割し、該複数の領域毎に画像信号の入力を制御する。そのため、当該液晶表示装置は、同時に複数本の走査線を選択することが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を向上させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】データ線と電界効果型トランジスターとを電気的に接続するコンタクトホール内の構成を改良して、コンタクトホールでの迷光の反射、およびデータ線の抵抗ばらつきを防止することができる液晶装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、コンタクトホール４２ａの内部には、コンタクトホール４２ａの内壁４２ａ₁に沿って導電性の多結晶シリコン膜６０ａが形成され、多結晶シリコン膜６０ａに対して内壁４２ａ₁とは反対側にはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムからなる遷移金属膜６６ａが積層されており、データ線６ａは、導電性の多結晶シリコン膜６０ａと、金属材料層６５（遷移金属膜６６ａ、アルミニウム膜６７ａおよびチタン窒化膜６８ａ）との積層構造を有している。多結晶シリコン膜６０ａと遷移金属膜６６ａとの間にはシリサイド層６１が介在している。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板に有機パッシベーション膜が形成されておらず、かつ、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を柱状スペーサによって規定する液晶表示装置において、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を一定とする。
【解決手段】液晶表示パネルの表示領域では、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００との間隔は柱状スペーサ１５０によって規定している。液晶表示パネル内において、画素も走査線も映像信号線も形成されていない部分においても、柱状スペーサ１５０によって間隔を規定する。この場合、柱状スペーサ１５０の台座１４０が必要となるが、台座１４０の層構造は、表示領域において間隔を規定する柱状スペーサ１５０が接触するＴＦＴ基板側の層構造と同一にする。これによって、製造コストの上昇をともなうことなく、液晶表示パネルの液晶層３００の間隔を一定にでき、輝度むら、あるいは色むらを防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】表示画像の焼き付きが少なく、高品位な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、少なくとも一方が透明な一対の基板と、一対の基板間に配置された液晶層２４０と、一対の基板の一方の基板２３２に形成され、液晶層２４０に電界を印加するための一対の電極群と、一対の電極群に接続された複数のアクティブ素子と、液晶層２４０に接する面上に形成された配向膜２３７とを有する液晶表示装置であって、一画素の領域において一対の電極群のうちいずれか一方の電極２３３は平板状、他方の電極２３６は櫛歯状に形成されており、一対の電極の間には絶縁膜２７０が配置され、櫛歯状電極の上に配向膜２３７が配置され、絶縁膜２７０の比抵抗ρ_ｐ（Ωｃｍ）および膜厚ｄ_ｐ（ｎｍ）、配向膜２３７の比抵抗ρ_Ａ（Ωｃｍ）および膜厚ｄ_Ａ（ｎｍ）が関係式（ρ_ｐ・ρ_Ａ）／（ρ_ｐ・ｄ_Ａ＋ρ_Ａ・ｄ_ｐ）≧８×１０^１７（Ω）を満たす。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】少なくとも微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域が積層する半導体膜を有する逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、半導体膜上に導電膜及びエッチング保護膜を積層形成し、エッチング保護膜上にマスクを形成し、エッチング保護膜、導電膜及び非晶質半導体領域の一部をエッチングする第１のエッチング処理の後、マスクを除去する。次に、上記エッチングされたエッチング保護膜をマスクとして、露出した非晶質半導体領域及び微結晶半導体領域の一部をドライエッチングする第２のエッチング処理により、微結晶半導体領域の一部を露出させ、バックチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作特性および信頼性の向上した、新規なマルチゲート構造のトランジスタを提
供することを課題とする。
【解決手段】２つ以上のゲート電極と、直列に接続した２つ以上のチャネル形成領域、ソ
ース領域、ドレイン領域、及び高濃度不純物領域を有する半導体層と、を有するマルチゲ
ート構造のトランジスタにおいて、ソース領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル
長が、ドレイン領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル長よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】表示素子に印加される電圧が変化することによる表示品位の低下、表示の切替時
における紙媒体との違和感を低減することのできる液晶表示装置を提供することを課題の
一とする。
【解決手段】第１の画像信号の書き込み期間及び第１の画像信号の保持期間を有する第１
の静止画表示期間と、第２の画像信号の書き込み期間及び第２の画像信号の保持期間を有
する第２の静止画表示期間と、を切り替えて表示させ、第１の静止画表示期間の書き込み
期間と、第２の静止画表示期間の書き込み期間と、の長さを異ならせるディスプレイコン
トローラを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタクトホール内とに一体的に形成されており、前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形成されており、前記第２の絶縁膜は、第１の膜厚で形成した後、前記第２の電極を形成する前に前記第１の膜厚よりも薄い第２の膜厚まで薄膜化されて形成される。 （もっと読む）