液晶表示装置及びその製造方法
【課題】液晶分子の配向不良によるコントラストの低下を抑制する。
【解決手段】液晶表示装置１００は、２枚の基板１１０，１２０のうち一方の基板１１０の液晶層１３０側表面に非発光領域に対応して他方の基板１２０に向かって突出するように形成された凸部Ｃvxと、他方の基板１２０の液晶層１３０側表面に凸部Ｃvxと重なる領域に対応して形成され、凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さい深さｈ２を有する凹部Ｃcvと、凹部Ｃcvに収容され、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、２枚の基板間距離ｄが一定となるように保持するビーズスペーサ１３１と、を備える。
【解決手段】液晶表示装置１００は、２枚の基板１１０，１２０のうち一方の基板１１０の液晶層１３０側表面に非発光領域に対応して他方の基板１２０に向かって突出するように形成された凸部Ｃvxと、他方の基板１２０の液晶層１３０側表面に凸部Ｃvxと重なる領域に対応して形成され、凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さい深さｈ２を有する凹部Ｃcvと、凹部Ｃcvに収容され、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、２枚の基板間距離ｄが一定となるように保持するビーズスペーサ１３１と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型化が可能で低消費電力であるため、テレビ、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器や携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の携帯情報機器のディスプレイとして広く用いられている。
【０００３】
液晶表示パネルは、一般に、一対の基板が対向して配置され、その周縁部がシール材により貼り合わせれた構成を有する。両基板間のシール材により密封された領域には、液晶材料が封入されている。一方の基板は、例えば、各画素毎に薄膜トランジスタ（TFT;Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を備えたアレイ基板である。他方の基板は、例えば、各画素毎にカラーフィルタが形成された対向基板である。そして、各画素毎に液晶分子の配向状態を変化させ、液晶表示パネルに入射する光の透過率を変化させることにより、液晶表示装置において任意の画像表示を得る。
【０００４】
液晶分子を一定の方向に配列するために、アレイ基板や対向基板のそれぞれの表示領域全体にわたって、配向膜が設けられている。配向膜は、例えば、ポリイミド樹脂を所定の領域に塗布した後、焼成し、さらに配向処理する工程を経て形成される。配向膜の配向処理（ラビング処理）では、焼成工程において熱硬化した配向膜の表面をラビング布等で一定方向に擦ることにより、ポリイミド樹脂表面を一定方向に延伸させて配向させる。このとき、液晶分子の配向の均一性を高めるため、ラビング処理を均一に行うことが重要である。
【０００５】
ところで、一般に、対向基板の非発光領域（ブラックマトリクスが形成された領域）には、アクリル樹脂等からなる柱状のフォトスペーサが形成され、これにより、アレイ基板と対向基板の基板間距離が一定に保持されている。対向基板の作製工程においては、フォトスペーサを形成した後に配向膜を成膜してラビング処理を行うこととなるが、ラビング処理を行うとき、フォトスペーサにおいて段差が存在するので、ラビング布がフォトスペーサに引っ掛かってラビング処理を均一に施すのが困難となる。そして、均一にラビング処理が施されないことにより液晶分子の配向力が弱まり、結果として、光漏れの発生によりコントラストが低下する虞がある。
【０００６】
特許文献１には、一方の基板の非画素領域（遮光部）に設けられた凹部にビーズスペーサを固定した構成の液晶表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２３５１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のようにセル厚よりも大きい粒径のスペーサーを用いる場合、凹部のない領域にビーズスペーサが残ってしまうと、セル厚を目的の大きさとすることができず、表示ムラが発生する原因となる。
【０００９】
本発明は、液晶分子の配向不良によるコントラストの低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するための本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有し、互いに対向配置された２枚の基板と、
上記２枚の基板間に設けられた液晶層と、
上記２枚の基板のうち一方の基板の上記液晶層側表面に上記非発光領域に対応して上記他方の基板に向かって突出するように形成された凸部と、
上記他方の基板の上記液晶層側表面に上記凸部と重なる領域に対応して形成され、該凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さい深さを有する凹部と、
上記凹部に収容され、該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、上記２枚の基板間距離が一定となるように保持するビーズスペーサと、を備える。
【００１１】
上記の構成によれば、２枚の基板間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離の制御を行うので、基板間距離の制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、２枚の基板のそれぞれの最外表面に配向膜を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００１２】
また、上記の構成によれば、２枚の基板は、凹部の底面と凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離を一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さが凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサの径は、目的とする基板間距離と等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサが目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合でも、ビーズスペーサが基板間距離の制御を妨げることがなく、表示ムラが抑制される。
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、上記凸部が形成された一方の基板はアレイ基板であって、上記凹部が形成された他方の基板は対向基板であってもよい。また、上記凸部が形成された一方の基板は対向基板であって、上記凹部が形成された他方の基板はアレイ基板であってもよい。
【００１４】
本発明の液晶表示装置のアレイ基板に凸部が形成され、対向基板に凹部が形成されている場合、上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、を備え、
上記凸部は、上記ゲート線または該ゲート線と同一層に設けられた導電膜と、上記ソース線または該ソース線と同一層に設けられた導電膜と、が積層されて形成されていてもよい。
【００１５】
また、上記対向基板は、基板本体と、上記各画素領域に対応する着色膜及び非発光領域に対応する遮光膜からなり該基板本体上に設けられたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に設けられ上記凹部に対応する凹形状を有するオーバーコート層と、該オーバーコート層表面に沿うように設けられた配向膜と、を備えていてもよい。
【００１６】
また、本発明の液晶表示装置の対向基板に凸部が形成され、アレイ基板に凹部が形成されている場合、上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、該複数のゲート線及びソース線を覆って設けられ上記凹部に対応する凹形状を有する感光性樹脂膜と、基板の最外表面を被覆する配向膜と、を備えていてもよい。
【００１７】
本発明の表示装置は、上記凹部は、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向の大きさは、小さすぎるとビーズスペーサを収容できない虞がある点から３μｍ以上であることが好ましく、大きすぎると凹部にビーズスペーサを収容してもビーズスペーサを凸部の突出端面と凹部の底面とで挟持することができなくなる虞や開口率の低下の虞等がある点から１４μｍ以下であることが好ましい。また、凹部にビーズスペーサを容易に収容する点から、凹部の大きさは大きい方が好ましい。
【００１８】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有する２枚の基板のうち一方の基板の非発光領域に凸部を形成し、他方の基板の非発光領域に上記凸部の突出高さよりと同じまたは小さい深さを有する凹部を形成する基板作製工程と、
上記他方の基板の凹部にビーズスペーサを収容し、該ビーズスペーサを該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持することにより両者間に固定して２枚の基板を基板間距離が一定となるように対向配置させる基板貼り合わせ工程と、
上記基板貼り合わせ工程の前または後に、上記２枚の基板間に液晶材料を導入して液晶層を形成する液晶層形成工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、２枚の基板間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離の制御を行うので、基板間距離の制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、２枚の基板のそれぞれの最外表面に配向膜を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００２０】
また、本発明によれば、２枚の基板は、凹部の底面と凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離を一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さが凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサの径は、目的とする基板間距離と等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサが目的としない領域に入ってしまった場合でも、ビーズスペーサが基板間距離の制御を妨げることがなく、表示ムラが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】液晶表示装置の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
【図３】実施形態１のアレイ基板の平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】実施形態１の対向基板の平面図である。
【図７】実施形態１の液晶表示装置の断面図である。
【図８】実施形態１の変形例に係る液晶表示装置の拡大断面図である。
【図９】実施形態１の変形例に係るアレイ基板の平面図である。
【図１０】実施形態１の変形例に係る対向基板の平面図である。
【図１１】実施形態２のアレイ基板の平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線における断面図である。
【図１３】図１１のXIII−XIII線における断面図である。
【図１４】実施形態２の液晶表示装置の断面図である。
【図１５】実施形態２の変形例に係るアレイ基板の断面図である。
【図１６】実施形態３のアレイ基板の平面図である。
【図１７】実施形態３のアレイ基板の平面図である。
【図１８】図１６のXVIII−XVIII線における断面図である。
【図１９】実施形態３の液晶表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を用いて、本発明の例示的実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
《実施形態１》
まず、実施形態１にかかる液晶表示装置１００について説明する。液晶表示装置１００は、液晶パネルの基板間に横方向に電界を生じさせて液晶分子の配向を行うＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードである。
【００２４】
液晶表示装置１００は、図１及び２に示すように、アレイ基板１１０と対向基板１２０とが基板間距離ｄが一定となるように対向配置された構成を有する。アレイ基板１１０の一部は対向基板１２０よりも外側に延出しており、端子領域を構成している。アレイ基板１１０と対向基板１２０との間には表示領域Ｄに液晶層１３０が設けられ、液晶層１３０を囲うように非表示領域にシール材１４０が枠状に配置されている。アレイ基板１１０と対向基板１２０とは、シール材１４０により貼り合わされている。アレイ基板１１０と対向基板１２０の基板間距離ｄは、例えば２．８〜４．５μｍである。
【００２５】
表示領域Ｄには、マトリクス状に複数の画素領域が配置され、複数の画素領域のそれぞれを区画する領域が非発光領域となっている。
【００２６】
図３〜５は、アレイ基板１１０を示す。アレイ基板１１０は、基板本体１１１上に、ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜１１３，半導体膜（不図示）、ソース線１１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜１１５が順に積層された構成を有する。また、基板本体１１１とゲート絶縁膜１１３の間には、各画素領域に対応して共通電極１１６が設けられ、層間絶縁膜１１５の上層には各画素領域に対応して画素電極１１７が設けられている。そして、アレイ基板１１０の最外表面を覆うように配向膜１１８が設けられている。
【００２７】
基板本体１１１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００２８】
ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜等で形成されている。ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ゲート線１１２ＧＬ、共通電極配線１１２ＣＬ、フローティングメタル１１２Ｆ等が構成されている。
【００２９】
ゲート絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン膜等で形成されている。ゲート絶縁膜１１３は、例えば厚さが０．３〜０．６μｍである。
【００３０】
半導体膜は、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）とリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）とが積層されて形成されている。
【００３１】
ソース線１１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、チタン膜等で形成されている。ソース線１１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ソース線１１４ＳＬ、ソース電極１１４Ｓ、ドレイン電極１１４Ｄ等が構成されている。なお、ゲート線１１２ＧＬ，ゲート絶縁膜１１３、半導体膜、ソース電極１１４Ｓ及びドレイン電極１１４ＤでＴＦＴが構成される。
【００３２】
層間絶縁膜１１５は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の絶縁性無機膜で形成されている。層間絶縁膜１１５は、例えば厚さが０．２〜０．６μｍである。
【００３３】
共通電極１１６は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜で形成されている。共通電極１１６のそれぞれは、共通電極配線１１２ＣＬに電気的に接続され、共通電位が与えられている。共通電極１１６は、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。
【００３４】
画素電極１１７は、例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透明導電膜で形成されている。画素電極１１７には、複数のスリット１１７Ｓが設けられ、複数のスリット１１７Ｓのそれぞれは互いに並ぶように配置されている。画素電極１１７は、例えばスリット１１７Ｓの幅が２．０〜８．０μｍ、電極幅が２．０〜８．０μｍの組み合わせで構成される。画素電極１１７のそれぞれは、コンタクトホール１１４Ｄｃを介してドレイン電極１１４Ｄに電気的に接続されている。画素電極１１７は、例えば厚さが０．０５〜０．１μｍである。
【００３５】
なお、共通電極１１６と画素電極１１７の間には、ゲート絶縁膜１１３及び層間絶縁膜１１５を介して、保持容量が形成される。
【００３６】
配向膜１１８は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜１１８は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００３７】
凸部Ｃvxは、ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜と、ソース線１１４ＳＬを含む導電膜とが積層された領域に構成されている。すなわち、凸部Ｃvxは、図３の平面図において斜線で示す領域に構成される。凸部Ｃvxは、非発光領域に対応して形成されるが、非発光領域だけに存在するように形成されていてもよく、非発光領域とその周りの画素領域を一部含む領域に存在するように形成されていてもよい。具体的には、フローティングメタル１１２Ｆとソース線１１４ＳＬとが交差する領域（図４参照）や、ゲート線１１２ＧＬとソース線１１４ＳＬとが交差する領域（図５参照）に凸部Ｃvxが構成される。図４においては凸部Ｃvxの突出高さｈ１はゲート線１１２ＧＬとソース線１１４ＳＬとの厚さの和に相当し、例えば、０．４〜１．０μｍである。図５においてはソース線１１４ＳＬの厚さに相当し、例えば０．２〜０．５μｍである。
【００３８】
図６は、対向基板１２０を示す。対向基板１２０は、基板本体１２１上に、着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂや遮光膜１２３を含むカラーフィルタ層、オーバーコート層１２４、及び配向膜１２５が順に積層された構成を有する（図７参照）。
【００３９】
基板本体１２１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００４０】
着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂは、それぞれ、赤色樹脂、緑色樹脂、青色樹脂で形成されている。着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂは、各画素領域に対応するように配置されている。着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂは、例えば厚さが１．５〜２．５μｍである。
【００４１】
遮光膜（ブラックマトリクス）１２３は、例えば黒色樹脂で形成されている。遮光膜１２３は、各画素領域を区画するように配置され、非発光領域を構成している。遮光膜１２３は、例えば厚さが０．８〜１．５μｍである。
【００４２】
オーバーコート層１２４は、例えば熱硬化性のエポキシ系樹脂や光硬化性のアクリル系樹脂等で形成されている。オーバーコート層１２４は、例えば厚さが１．０〜３．０μｍである。オーバーコート層１２４の表面には、非発光領域に対応する領域に凹形状１２４ａが設けられている。この凹形状１２４ａは、アレイ基板１１０上に設けられた凸部Ｃvxと重なる領域に対応するように位置付けられており、対向基板１２０の凹部Ｃcvを構成する。凹形状１２４ａは、例えば深さが０．３〜０．８μｍである。
【００４３】
配向膜１２５は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜１２５は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００４４】
凹部Ｃcvは、オーバーコート層１２４の凹形状１２４ａ上に配向膜１２５が積層された構成であり、例えば、深さｈ２が０．２〜０．７μｍである。凹部Ｃcvの深さｈ２は、アレイ基板１１０上に設けられた凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれより小さくなるように設定されている。凹部Ｃcvの深さｈ２と凸部Ｃvxの突出高さｈ１との差（ｈ１−ｈ２）は、ビーズスペーサ１３１の径ｒのバラツキや凸部Ｃvxを構成する膜の厚さのバラツキ、凹部Ｃcvを構成するオーバーコート膜１２４のエッチング量のバラツキが存在することを鑑み、０．２〜０．６μｍであることが好ましい。
【００４５】
凹部Ｃcvは、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向を凹部Ｃcvの幅方向として凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３〜１４μｍであることが好ましい。凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３μｍよりも小さい場合には、ビーズスペーサ１３１を収容できない虞がある。
【００４６】
また、基板貼り合わせ工程のうち対向基板１２０の表面にビーズスペーサ１３１を散布する工程において、ビーズスペーサ１３１を凹部Ｃcvに容易に収容する観点からは、凹部Ｃcvの大きさは大きいことが好ましい。例えば、図７に示す他の例として、図８に示すように、凹部Ｃcvの幅方向の大きさ（図８におけるｗ２の大きさ）がソース線１１４ＳＬの幅（ｗ１）よりも大きくなるように設定されていてもよい。但し、凹部Ｃcvの幅方向の大きさが１４μｍよりも大きくなると、凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１を収容しても、ビーズスペーサ１３１を凸部Ｃvxの突出端面と凹部Ｃcvの底面とで挟持することができず、ビーズスペーサ１３１が画素領域等に転がり落ちる虞や、開口率の低下の虞等がある。
【００４７】
液晶層１３０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料などにより構成されている。
【００４８】
シール材１４０は、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等で構成されている。
【００４９】
ビーズスペーサ１３１は、図７に示すように、アレイ基板１１０に設けられた凸部Ｃvxの突出端面と対向基板１２０に設けられた凹部Ｃcvの底面とで挟持されて、両者間に固定されている。ビーズスペーサ１３１は、例えば、ジビニルベンゼンやアルキルシリケートの架橋重合体で形成されている。ビーズスペーサ１３１は、径ｒが、アレイ基板１１０と対向基板１２０との基板間距離ｄよりも小さく、例えば２．２〜３．８μｍである。
【００５０】
上記構成の液晶表示装置１００は、画素領域毎にゲート線１１２ＧＬからゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線１１４ＳＬからソース信号が送られてソース電極１１４Ｓ及びドレイン電極１１４Ｄを介して、画素電極１１７に所定の電荷を書き込まれる。一方、共通電極１１６には共通電極配線１１２ＣＬにより共通電位が与えられている。そして、画素電極１１７と共通電極１１６との間で横方向の電位差が生じることになり、液晶層１３０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。液晶表示装置１００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００５１】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置１００の製造方法について説明する。液晶表示装置１００の製造方法は、基板作製工程、基板貼り合わせ工程、及び液晶層形成工程を備える。
【００５２】
（基板作製工程）
−アレイ基板の作製−
まず、従来公知の方法により、基板本体１１１上に共通電極１１６、ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜１１３，半導体膜、ソース線１１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜１１５及び画素電極１１７を所定のレイアウトに形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、アレイ基板１１０の最外表面を構成する配向膜１１８を形成することにより、アレイ基板１１０を得る。
【００５３】
−対向基板の作製−
一方、従来公知の方法により、基板本体１２１上に遮光膜１２３を形成した後着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂを成膜してカラーフィルタ層を形成し、さらに、カラーフィルタ層を覆うようにオーバーコート層１２４を形成する。オーバーコート層１２４には、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いてハーフエッチング処理を行い、凹部Ｃcvとなる領域に対応する凹形状１２４ａを形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、対向基板１２０の最外表面を構成する配向膜１２５を形成することにより、対向基板１２０を得る。このとき、対向基板１２０上に柱状のフォトスペーサが形成されていないので、フォトスペーサの段差にラビングを妨げられることなく、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。
【００５４】
（基板貼り合わせ工程）
次に、アレイ基板１１０と対向基板１２０とを対向配置させて非表示領域をシール材１４０で封止する工程について説明する。
【００５５】
まず、凹部Ｃcvが形成された対向基板１２０の表面にビーズスペーサ１３１を散布する。このとき、純水やイソプロピルアルコール等の溶媒を用いた湿式散布法によりスペーサ散布を行って、表面張力を利用して凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１を収容する。なお、スペーサ散布は乾式散布法により行ってもよい。また、表面張力を利用する他、振動を与えたり静電気力を利用したりすることによって凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１を収容してもよい。
【００５６】
続いて、凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１が収容された対向基板１２０に、シール材１４０で封止パターンを描画しておいたアレイ基板１１０を重ね合わせ、ビーズスペーサ１３１を凹部Ｃcvの底面と上記凸部Ｃvxの突出端面で挟持する。これにより、ビーズスペーサ１３１が凸部Ｃvx及び凹部Ｃcv間に固定され、アレイ基板１１０と対向基板１２０の基板間距離ｄが一定となるように位置付けられる。
【００５７】
（液晶層形成工程）
続いて、貼り合わせたアレイ基板１１０と対向基板１２０との間に、従来公知の方法で液晶材料を注入して液晶層１３０を形成する。なお、基板貼り合わせ工程の前にアレイ基板１１０と対向基板１２０のうちいずれかの基板上に液晶材料を滴下してから基板の貼り合わせを行ってもよい。
【００５８】
以上の工程を経て、液晶表示装置１００が得られる。
【００５９】
＜実施形態１の効果＞
実施形態１の構成によれば、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に固定されたビーズスペーサ１３１により基板間距離ｄの制御を行うので、基板間距離ｄの制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、アレイ基板１１０と対向基板１２０のそれぞれの最外表面に配向膜１１８，１２５を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、配向膜１１８，１２５の配向が乱れることがなく、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００６０】
また、実施形態１の構成によれば、アレイ基板１１０と対向基板１２０は、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサ１３１により基板間距離ｄを一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さｈ２が凸部の突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサ１３１としては、径ｒが基板間距離ｄと等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサ１３１が目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合（図３のビーズスペーサ１３１ａ参照）でも、ビーズスペーサ１３１ａが基板間距離ｄの制御を妨げることがなく、表示ムラが抑制される。
【００６１】
＜実施形態１の変形例＞
実施形態１では、アレイ基板１１０上のフローティングメタル１１２Ｆが、ソース線１１４ＳＬに沿って島状に設けられた場合を示したが、他の構成から電気的に独立したフローティング状態となっておれば特にこれに限られない。例えば、図９や１０に示すように、フローディングメタル１１２Ｆがソース線１１４ＳＬに沿って延びるように形成されていてもよい。
【００６２】
《実施形態２》
次に、実施形態２にかかる液晶表示装置２００について説明する。液晶表示装置２００は、液晶パネルの基板間に縦方向に電界を生じさせて液晶分子の配向を行うＴＮ（Twisted Nematic）モードである。
【００６３】
液晶表示装置２００は、アレイ基板２１０と対向基板２２０とが基板間距離ｄが一定となるように対向配置された構成を有する。アレイ基板２１０の一部は対向基板２２０よりも外側に延出しており、端子領域を構成している。アレイ基板２１０と対向基板２２０との間には表示領域Ｄに液晶層２３０が設けられ、液晶層２３０を囲うように非表示領域にシール材２４０が枠状に配置されている。アレイ基板２１０と対向基板２２０とは、シール材２４０により貼り合わされている。アレイ基板２１０と対向基板２２０の基板間距離ｄは、例えば３．８〜５．０μｍである。
【００６４】
表示領域Ｄには、マトリクス状に複数の画素領域が配置され、複数の画素領域のそれぞれを区画する領域が非発光領域となっている。
【００６５】
図１１〜１３は、アレイ基板２１０を示す。アレイ基板２１０は、基板本体２１１上に、ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜２１３，半導体膜（不図示）、ソース線２１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜２１５、画素電極２１７が順に積層された構成を有する。そして、アレイ基板２１０の最外表面を覆うように配向膜２１８が設けられている。
【００６６】
基板本体２１１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００６７】
ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜等で形成されている。ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ゲート線２１２ＧＬ、フローティングメタル２１２Ｆ、保持容量配線２１２ＣｓＬ、ゲート電極２１２Ｇ等が構成されている。
【００６８】
ゲート絶縁膜２１３は、例えば、窒化シリコン膜等で形成されている。ゲート絶縁膜２１３は、例えば厚さが０．３〜０．６μｍである。
【００６９】
半導体膜は、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）とリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）とが積層されて形成されている。
【００７０】
ソース線２１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、チタン膜等で形成されている。ソース線２１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ソース線２１４ＳＬ、ソース電極２１４Ｓ、ドレイン電極２１４Ｄ等が構成されている。なお、ゲート電極２１２Ｇ，ゲート絶縁膜２１３、半導体膜、ソース電極２１４Ｓ及びドレイン電極２１４ＤでＴＦＴが構成される。
【００７１】
層間絶縁膜２１５は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の絶縁性無機膜で形成されている。層間絶縁膜２１５は、例えば厚さが０．２〜０．６μｍである。
【００７２】
画素電極２１７は、例えば、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透明導電膜で形成されている。画素電極２１７のそれぞれは、コンタクトホール２１７ｃを介してドレイン電極２１４Ｄに電気的に接続されている。画素電極２１７は、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。
【００７３】
なお、保持容量配線２１２ＣｓＬとドレイン電極２１４Ｄとの間には、ゲート絶縁膜２１３を介して保持容量が形成される。
【００７４】
配向膜２１８は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜２１８は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００７５】
凸部Ｃvxは、ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜と、ソース線２１４ＳＬを含む導電膜とが積層された領域に構成されている。すなわち、凸部Ｃvxは図１１の平面図において斜線で示す領域に構成される。凸部Ｃvxは、非発光領域に対応して形成されるが、非発光領域だけに存在するように形成されていてもよく、非発光領域とその周りの画素領域を一部含む領域に存在するように形成されていてもよい。具体的には、フローティングメタル２１２Ｆとソース線２１４ＳＬとが交差する領域（図１２参照）や、ゲート線２１２ＧＬとソース線２１４ＳＬとが交差する領域（図１３参照）に凸部Ｃvxが構成される。図１１において、凸部Ｃvxの突出高さｈ１はゲート線２１２ＧＬとソース線２１４ＳＬとの厚さの和に相当し、０．４〜１．０μｍである。図１１においてはソース線２１４ＳＬの厚さに相当し、例えば０．２〜１．０μｍである。
【００７６】
対向基板２２０は、基板本体２２１上に、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂや遮光膜２２３を含むカラーフィルタ層、共通電極２２６及び配向膜２２５が順に積層された構成を有する。
【００７７】
基板本体２２１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００７８】
着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、それぞれ、赤色樹脂、緑色樹脂、青色樹脂で形成されている。着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、各画素領域に対応するように配置されている。着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、例えば厚さが１．５〜２．５μｍである。着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、非発光領域（つまり、遮光膜２２３が設けられる領域）とは重なり合わないように配置されている。
【００７９】
遮光膜（ブラックマトリクス）２２３は、例えば黒色樹脂で形成されている。遮光膜２２３は、各画素領域を区画するように配置され、非発光領域を構成している。遮光膜２２３は、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂよりも厚さが薄く、例えば０．８〜１．５μｍである。
【００８０】
共通電極２２６は、例えばＩＴＯ膜等で形成されている。共通電極２２６は、例えば厚さが０．１〜０．２μｍである。
【００８１】
配向膜２２５は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜２２５は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００８２】
凹部Ｃcvは、図１４に示すように、カラーフィルタ層において、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂと遮光膜２２３の膜厚差により遮光膜２２３の領域に対応して形成されている。凹部Ｃcvは、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂと遮光膜２２３の境界にできた段差上に共通電極２２６及び配向膜２２５が設けられてできたものであり、例えば、深さｈ２が０．２〜０．７μｍである。凹部Ｃcvの深さｈ２は、アレイ基板２１０上に設けられた凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれより小さくなるように設定されている。凹部Ｃcvの深さｈ２と凸部Ｃvxの突出高さｈ１との差（ｈ１−ｈ２）は、ビーズスペーサ２３１の径ｒのバラツキや凸部Ｃvxを構成する膜の厚さのバラツキ、凹部Ｃcvを構成する着色膜２２２の膜厚や遮光膜２２３の膜厚のバラツキが存在することを鑑み、０．２〜０．６μｍであることが好ましい。
【００８３】
液晶層２３０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料などにより構成されている。
【００８４】
シール材２４０は、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等で構成されている。
【００８５】
ビーズスペーサ２３１は、図１４に示すように、アレイ基板２１０に設けられた凸部Ｃvxの突出端面と対向基板２２０に設けられた凹部Ｃcvの底面とで挟持されて、両者間に固定されている。ビーズスペーサ２３１は、例えば、ジビニルベンゼンやアルキルシリケートの架橋重合体で形成されている。ビーズスペーサ２３１は、径ｒが、アレイ基板２１０と対向基板２２０との基板間距離ｄよりも小さく、例えば３．２〜４．８μｍである。
【００８６】
上記構成の液晶表示装置２００は、各画素領域毎にゲート線２１２ＧＬからゲート電極２１２Ｇを介してゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線２１４ＳＬからソース信号が送られてソース電極２１４Ｓ及びドレイン電極２１４Ｄを介して、画素電極２１７に所定の電荷が書き込まれる。そして、画素電極２１７と対向基板２２０の共通電極２２６との間で電位差が生じることになり、液晶層２３０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。液晶表示装置２００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００８７】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置２００の製造方法について説明する。液晶表示装置２００の製造方法は、基板作製工程、基板貼り合わせ工程、及び液晶層形成工程を備える。
【００８８】
（基板作製工程）
−アレイ基板の作製−
まず、従来公知の方法により、基板本体２１１上にゲート線２１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜２１３，半導体膜、ソース線２１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜２１５及び画素電極２１７を所定のレイアウトに形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、アレイ基板２１０の最外表面を構成する配向膜２１８を形成することにより、アレイ基板２１０を得る。
【００８９】
−対向基板の作製−
一方、従来公知の方法により、基板本体２２１上に遮光膜２２３を形成した後着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂを成膜してカラーフィルタ層を形成し、さらに、カラーフィルタ層を覆うように共通電極２２６を形成する。そして、共通電極２２６上にポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、対向基板２２０の最外表面を構成する配向膜２２５を形成することにより、対向基板２２０を得る。このとき、対向基板２２０上に柱状のフォトスペーサが形成されていないので、フォトスペーサの段差にラビングを妨げられることなく、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。
【００９０】
（基板貼り合わせ工程）
次に、アレイ基板２１０と対向基板２２０とを対向配置させて非表示領域をシール材２４０で封止する工程について説明する。
【００９１】
まず、凹部Ｃcvが形成された対向基板２２０の表面にビーズスペーサ２３１を散布する。このとき、純水やイソプロピルアルコール等の溶媒を用いた湿式散布法によりスペーサ散布を行って、表面張力を利用して凹部Ｃcvにビーズスペーサ２３１を収容する。
【００９２】
続いて、凹部Ｃcvにビーズスペーサ２３１が収容された対向基板２２０にシール材２４０で封止パターンを描画しておいたアレイ基板２１０を重ね合わせ、ビーズスペーサ２３１を凹部Ｃcvの底面と上記凸部Ｃvxの突出端面で挟持する。これにより、ビーズスペーサ２３１が凸部Ｃvx及び凹部Ｃcv間に固定され、アレイ基板２１０と対向基板２２０の基板間距離ｄが一定となるように位置付けられる。
【００９３】
（液晶層形成工程）
続いて、貼り合わせたアレイ基板２１０と対向基板２２０との間に、従来公知の方法で液晶材料を注入して液晶層２３０を形成する。なお、基板貼り合わせ工程の前にアレイ基板２１０と対向基板２２０のうちいずれかの基板上に液晶材料を滴下してから基板の貼り合わせを行ってもよい。
【００９４】
以上の工程を経て、液晶表示装置２００が得られる。
【００９５】
＜実施形態２の効果＞
実施形態２の構成によれば、アレイ基板２１０と対向基板２２０との間に固定されたビーズスペーサ２３１により基板間距離ｄの制御を行うので、基板間距離ｄの制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、アレイ基板２１０と対向基板２２０のそれぞれの最外表面に配向膜２１８，２２５を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、配向膜２１８，２２５の配向が乱れることがなく、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００９６】
また、実施形態２の構成によれば、アレイ基板２１０と対向基板２２０は、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサ２３１により基板間距離ｄを一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さｈ２が凸部の突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサ２３１としては、径ｒが基板間距離ｄと等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサ２３１が目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合でも、基板間距離ｄの制御が妨げられることがなく、表示ムラが抑制される。
【００９７】
＜実施形態２の変形例＞
実施形態２では、対向基板２２０上に設けられたカラーフィルタ層の着色膜２２２と遮光膜２２３の厚さの差による段差を利用して凹部Ｃcvを形成するとして説明したが、特にこれに限られない。例えば、実施形態１と同じように、カラーフィルタ層を覆うようにオーバーコート層を設け、凹部Ｃcvとする領域に対応するようにオーバーコート層に凹形状を形成し、さらに共通電極２２６及び配向膜２２５を積層して凹部Ｃcvを形成してもよい。
【００９８】
また、凸部Ｃvxは、フローティングメタル２１２Ｆ等のゲート線２１２ＧＬと同一層の導電膜及びソース線２１４ＳＬとを積層させて構成する他、図１５に示すように、画素電極２１７と同一層に設けられた導電膜２１７Ｆが積層されて構成されていてもよい。
【００９９】
《実施形態３》
次に、実施形態３にかかる液晶表示装置３００について説明する。液晶表示装置３００は、液晶パネルの基板間に横方向に電界を生じさせて液晶分子の配向を行うＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードである。実施形態１ではアレイ基板１１０側に凸部Ｃvx、及び対向基板１２０側に凹部Ｃcvが形成されているのに対し、実施形態３では、アレイ基板３１０側に凹部Ｃcv、及び対向基板３２０側に凸部Ｃvxが形成されている。
【０１００】
液晶表示装置３００は、アレイ基板３１０と対向基板３２０とが基板間距離ｄが一定となるように対向配置された構成を有する。アレイ基板３１０の一部は対向基板３２０よりも外側に延出しており、端子領域を構成している。アレイ基板３１０と対向基板３２０との間には表示領域Ｄに液晶層３３０が設けられ、液晶層３３０を囲うように非表示領域にシール材３４０が枠状に配置されている。アレイ基板３１０と対向基板３２０とは、シール材３４０により貼り合わされている。アレイ基板３１０と対向基板３２０の基板間距離ｄは、例えば２．８〜４．０μｍである。
【０１０１】
表示領域Ｄには、マトリクス状に複数の画素領域が配置され、複数の画素領域のそれぞれを区画する領域が非発光領域となっている。
【０１０２】
図１６〜１８は、アレイ基板３１０を示す。アレイ基板３１０は、基板本体３１１上に、ベースコート膜３１３Ａ，半導体膜（不図示）、ゲート絶縁膜３１３Ｂ、ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜、層間絶縁膜３１３Ｃ，ソース線３１４ＳＬを含む導電膜、感光性樹脂膜３１３Ｄ、共通電極３１６、層間絶縁膜３１５，画素電極３１７が順に積層された構成を有する。そして、アレイ基板３１０の最外表面を覆うように配向膜３１８が設けられている。なお、図１７は、アレイ基板３１０のうち共通電極３１６のレイアウトを示すために画素電極３１７を省略して示した平面図である。
【０１０３】
基板本体３１１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【０１０４】
ベースコート膜３１３Ａやゲート絶縁膜３１３Ｂ、層間絶縁膜３１３Ｃは、例えば、窒化シリコン膜等で形成されている。ベースコート膜３１３Ａは、例えば厚さが０．１〜０．２５μｍである。ゲート絶縁膜３１３Ｂは、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。層間絶縁膜３１３Ｃは、例えば厚さが０．５〜１．３μｍである。
【０１０５】
半導体膜は、例えば、連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ：Continuous Grain Silicon）で形成されている。
【０１０６】
ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜やタングステン膜等で形成されている。ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ゲート線３１２ＧＬ、ゲート電極３１２Ｇ等が構成されている。なお、ソース電極３１４Ｓ，ドレイン電極３１４Ｄ、半導体膜、層間絶縁膜３１３Ｃ、及びゲート電極３１２Ｇでトップゲート型のＴＦＴが構成される。
【０１０７】
ソース線３１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜等で形成されている。ソース線３１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ソース線３１４ＳＬ、ソース電極３１４Ｓ、ドレイン電極３１４Ｄ等が構成されている。
【０１０８】
感光性樹脂膜３１３Ｄは、例えばアクリル樹脂等の有機感光性樹脂で形成されている。感光性樹脂膜３１３Ｄは、例えば厚さが２．０〜３．０μｍである。感光性樹脂膜３１３Ｄの表面には、非発光領域に対応する領域に、凹形状３１３Ｄａが設けられている。凹形状３１３Ｄａは、アレイ基板３１０の凹部Ｃcvを構成する。
【０１０９】
共通電極３１６は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電膜で形成されている。共通電極３１６は、隣接する画素領域にわたって設けられ（図１７の網掛け領域参照）、共通電位が与えられている。共通電極３１６は、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。
【０１１０】
層間絶縁膜３１５は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の絶縁性無機膜で形成されている。層間絶縁膜３１５は、例えば厚さが１．０〜３．０μｍである。
【０１１１】
画素電極３１７は、例えば、ＩＺＯ膜等の透明導電膜で形成されている。画素電極３１７には、ソース線３１４ＳＬと平行に延伸する複数のスリット３１７Ｓが設けられ、複数のスリット３１７Ｓのそれぞれは互いに並ぶように配置されている。画素電極３１７は、例えばスリット３１７Ｓの幅が２．０〜８．０μｍ、電極幅が２．０〜８．０μｍの組み合わせで構成される。画素電極３１７のそれぞれは、コンタクトホール３１４Ｄｃを介してドレイン電極３１４Ｄに電気的に接続されている。画素電極３１７は、例えば厚さが０．３〜１．０μｍである。
【０１１２】
なお、感光性樹脂膜３１３Ｄの上層には、共通電極３１６と画素電極３１７の間に層間絶縁膜３１５を介して、保持容量が形成される。
【０１１３】
配向膜３１８は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜３１８は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【０１１４】
凹部Ｃcvは、非発光領域において感光性樹脂膜３１３Ｄの凹形状３１３Ｄａ上に共通電極３１６、層間絶縁膜３１５及び配向膜３２５が積層された構成であり、例えば、深さｈ２が０．２〜０．７μｍである。凹部Ｃcvは、例えば、ソース線３１４ＳＬに沿った領域に形成される（図１６の斜線領域参照）。
【０１１５】
凹部Ｃcvは、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向を凹部Ｃcvの幅方向として凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３〜１４μｍであることが好ましい。凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３μｍよりも小さい場合には、ビーズスペーサ３３１を収容できない虞がある。また、凹部Ｃcvの幅方向の大きさが１４μｍよりも大きくなると、凹部Ｃcvにビーズスペーサ３３１を収容しても、ビーズスペーサ３３１を凸部Ｃvxの突出端面と凹部Ｃcvの底面とで挟持することができず、ビーズスペーサ３３１が画素領域等に転がり落ちる虞や、開口率の低下の虞等がある。なお、基板貼り合わせ工程のうちアレイ基板３１０の表面にビーズスペーサ３３１を散布する工程において、ビーズスペーサ３３１を凹部Ｃcvに容易に収容する観点からは、凹部Ｃcvの大きさは大きいことが好ましい。
【０１１６】
対向基板３２０は、基板本体３２１上に、着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂや遮光膜３２３を含むカラーフィルタ層、及び配向膜３２５が順に積層された構成を有する。
【０１１７】
基板本体３２１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【０１１８】
着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂは、それぞれ、赤色樹脂、緑色樹脂、青色樹脂で形成されている。着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂは、各画素領域に対応するように配置されている。着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂのそれぞれは、当該画素領域を区画する遮光膜３２３をほぼ覆うように設けられている。従って、遮光膜３２３上には、２種類の着色膜が積層されることとなる。着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂは、例えば厚さが１．５〜２．５μｍである。
【０１１９】
遮光膜（ブラックマトリクス）３２３は、例えば黒色樹脂で形成されている。遮光膜３２３は、各画素領域を区画するように配置され、非発光領域を構成している。遮光膜３２３は、例えば厚さが０．８〜１．５μｍである。
【０１２０】
配向膜３２５は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜３２５は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【０１２１】
凸部Ｃvxは、図１９に示すように、着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂのそれぞれと遮光膜３２３が非発光領域において重なることにより形成される。例えば、赤色画素領域と緑色画素領域の境界部分では、凸部Ｃvxは、基板本体３２１上に遮光膜３２３，緑色着色膜３２２Ｇ、及び赤色着色膜３２２Ｒが積層されて構成されている。凸部Ｃvxの突出高さｈ１は、アレイ基板３１０上に設けられた凹部Ｃcvの深さｈ２と同じまたはそれより大きくなるように設定されている。凹部Ｃcvの深さｈ２と凸部Ｃvxの突出高さｈ１との差（ｈ１−ｈ２）は、ビーズスペーサ３３１の径ｒのバラツキや凸部Ｃvxを構成する膜の厚さのバラツキ、凹部Ｃcvを構成する感光性樹脂膜３１３Ｄのエッチング量のバラツキが存在することを鑑み、０．２〜０．６μｍであることが好ましい。
【０１２２】
液晶層３３０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料などにより構成されている。
【０１２３】
シール材３４０は、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等で構成されている。
【０１２４】
ビーズスペーサ３３１は、図１９に示すように、アレイ基板３１０に設けられた凹部Ｃcvの底面と対向基板３２０に設けられた凸部Ｃvxの突出端面とで挟持されて、両者間に固定されている。ビーズスペーサ３３１は、例えば、ジビニルベンゼンやアルキルシリケートの架橋重合体で形成されている。ビーズスペーサ３３１は、径ｒが、アレイ基板３１０と対向基板３２０との基板間距離ｄよりも小さく、例えば２．２〜３．８μｍである。
【０１２５】
上記構成の液晶表示装置３００は、画素領域毎にゲート線３１２ＧＬからゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線３１４ＳＬからソース信号が送られてソース電極３１４Ｓ及びドレイン電極３１４Ｄを介して、画素電極３１７に所定の電荷を書き込まれる。一方、共通電極３１６には共通電位が与えられている。そして、画素電極３１７と共通電極３１６との間で横方向の電位差が生じることになり、液晶層３３０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。液晶表示装置３００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【０１２６】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置３００の製造方法について説明する。液晶表示装置３００の製造方法は、基板作製工程、基板貼り合わせ工程、及び液晶層形成工程を備える。
【０１２７】
（基板作製工程）
−アレイ基板の作製−
まず、従来公知の方法により、基板本体３１１上にベースコート膜３１３Ａ，半導体膜、ゲート絶縁膜３１３Ｂ，ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜、層間絶縁膜３１３Ｃ，ソース線３１４ＳＬを含む導電膜、感光性樹脂膜３１３Ｄを所定のレイアウトに形成する。そして、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いて感光性樹脂膜３１３Ｄにハーフエッチング処理を行い、凹部Ｃcvとなる領域に対応する凹形状３１３Ｄａを形成する。さらに、従来公知の方法により、共通電極３１６、層間絶縁膜３１５及び画素電極３１７を所定のレイアウトに形成する。最後に、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、アレイ基板３１０の最外表面を構成する配向膜３１８を形成することにより、アレイ基板３１０を得る。
【０１２８】
−対向基板の作製−
一方、従来公知の方法により、基板本体３２１上に着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂ及び遮光膜３２３を成膜してカラーフィルタ層を形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、対向基板３２０の最外表面を構成する配向膜３２５を形成することにより、対向基板３２０を得る。このとき、対向基板３２０上に柱状のフォトスペーサが形成されていないので、フォトスペーサの段差にラビングを妨げられることなく、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。なお、対向基板３２０上には凸部Ｃvxが形成されているが、その突出高さｈ１がフォトスペーサのように大きくなく、また、段差がフォトスペーサの段差のように急峻ではないので、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。
【０１２９】
（基板貼り合わせ工程）
次に、アレイ基板３１０と対向基板３２０とを対向配置させて非表示領域をシール材３４０で封止する工程について説明する。
【０１３０】
まず、凹部Ｃcvが形成されたアレイ基板３１０の表面にビーズスペーサ３３１を散布する。このとき、純水やイソプロピルアルコール等の溶媒を用いた湿式散布法によりスペーサ散布を行って、表面張力を利用して凹部Ｃcvにビーズスペーサ３３１を収容する。
【０１３１】
続いて、凹部Ｃcvにビーズスペーサ３３１が収容されたアレイ基板３１０に対向基板３２０を重ね合わせ、ビーズスペーサ３３１を凹部Ｃcvの底面と上記凸部Ｃvxの突出端面で挟持する。これにより、ビーズスペーサ３３１が凸部Ｃvx及び凹部Ｃcv間に固定され、アレイ基板３１０と対向基板３２０の基板間距離ｄが一定となるように位置付けられる。
【０１３２】
（液晶層形成工程）
続いて、貼り合わせたアレイ基板３１０と対向基板３２０との間に、従来公知の方法で液晶材料を注入して液晶層３３０を形成する。なお、基板貼り合わせ工程の前にアレイ基板３１０と対向基板３２０のうちいずれかの基板上に液晶材料を滴下してから基板の貼り合わせを行ってもよい。
【０１３３】
以上の工程を経て、液晶表示装置３００が得られる。
【０１３４】
＜実施形態３の効果＞
実施形態３の構成によれば、アレイ基板３１０と対向基板３２０との間に固定されたビーズスペーサ３３１により基板間距離ｄの制御を行うので、基板間距離ｄの制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、アレイ基板３１０と対向基板３２０のそれぞれの最外表面に配向膜３１８，３２５を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、配向膜３１８，３２５の配向が乱れることがなく、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【０１３５】
また、実施形態３の構成によれば、アレイ基板３１０と対向基板３２０は、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサ３３１により基板間距離ｄを一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さｈ２が凸部の突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサ３３１としては、径ｒが基板間距離ｄと等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサ３３１が目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合でも、基板間距離ｄの制御が妨げられることがなく、表示ムラが抑制される。
【産業上の利用可能性】
【０１３６】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法について有用である。
【符号の説明】
【０１３７】
Ｃcv 凹部
Ｃvx 凸部
１００，２００，３００ 液晶表示装置
１１０，２１０，３１０ アレイ基板
１１１，２１１，３１１ 基板本体
１１２Ｆ，２１２Ｆ フローティングメタル（ゲート線と同一層の導電膜）
１１２ＧＬ，２１２ＧＬ，３１２ＧＬ ゲート線
１１３，２１３，３１３Ｂ ゲート絶縁膜（絶縁膜）
３１３Ｄ 感光性樹脂膜
３１３Ｄａ 凹形状
１１４ＳＬ，２１４ＳＬ，３１４ＳＬ ソース線
１１８，２１８，３１８ 配向膜
１２０，２２０，３２０ 対向基板
１２１，２２１，３２１ 基板本体
１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂ 着色膜
２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂ 着色膜
３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂ 着色膜
１２３，２２３，３２３ 遮光膜
１２４ オーバーコート層
１２４ａ 凹形状
１２５，２２５，３２５ 配向膜
１３０，２３０，３３０ 液晶層
１３１，２３１，３３１ ビーズスペーサ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型化が可能で低消費電力であるため、テレビ、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器や携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の携帯情報機器のディスプレイとして広く用いられている。
【０００３】
液晶表示パネルは、一般に、一対の基板が対向して配置され、その周縁部がシール材により貼り合わせれた構成を有する。両基板間のシール材により密封された領域には、液晶材料が封入されている。一方の基板は、例えば、各画素毎に薄膜トランジスタ（TFT;Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を備えたアレイ基板である。他方の基板は、例えば、各画素毎にカラーフィルタが形成された対向基板である。そして、各画素毎に液晶分子の配向状態を変化させ、液晶表示パネルに入射する光の透過率を変化させることにより、液晶表示装置において任意の画像表示を得る。
【０００４】
液晶分子を一定の方向に配列するために、アレイ基板や対向基板のそれぞれの表示領域全体にわたって、配向膜が設けられている。配向膜は、例えば、ポリイミド樹脂を所定の領域に塗布した後、焼成し、さらに配向処理する工程を経て形成される。配向膜の配向処理（ラビング処理）では、焼成工程において熱硬化した配向膜の表面をラビング布等で一定方向に擦ることにより、ポリイミド樹脂表面を一定方向に延伸させて配向させる。このとき、液晶分子の配向の均一性を高めるため、ラビング処理を均一に行うことが重要である。
【０００５】
ところで、一般に、対向基板の非発光領域（ブラックマトリクスが形成された領域）には、アクリル樹脂等からなる柱状のフォトスペーサが形成され、これにより、アレイ基板と対向基板の基板間距離が一定に保持されている。対向基板の作製工程においては、フォトスペーサを形成した後に配向膜を成膜してラビング処理を行うこととなるが、ラビング処理を行うとき、フォトスペーサにおいて段差が存在するので、ラビング布がフォトスペーサに引っ掛かってラビング処理を均一に施すのが困難となる。そして、均一にラビング処理が施されないことにより液晶分子の配向力が弱まり、結果として、光漏れの発生によりコントラストが低下する虞がある。
【０００６】
特許文献１には、一方の基板の非画素領域（遮光部）に設けられた凹部にビーズスペーサを固定した構成の液晶表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２３５１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のようにセル厚よりも大きい粒径のスペーサーを用いる場合、凹部のない領域にビーズスペーサが残ってしまうと、セル厚を目的の大きさとすることができず、表示ムラが発生する原因となる。
【０００９】
本発明は、液晶分子の配向不良によるコントラストの低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するための本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有し、互いに対向配置された２枚の基板と、
上記２枚の基板間に設けられた液晶層と、
上記２枚の基板のうち一方の基板の上記液晶層側表面に上記非発光領域に対応して上記他方の基板に向かって突出するように形成された凸部と、
上記他方の基板の上記液晶層側表面に上記凸部と重なる領域に対応して形成され、該凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さい深さを有する凹部と、
上記凹部に収容され、該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、上記２枚の基板間距離が一定となるように保持するビーズスペーサと、を備える。
【００１１】
上記の構成によれば、２枚の基板間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離の制御を行うので、基板間距離の制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、２枚の基板のそれぞれの最外表面に配向膜を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００１２】
また、上記の構成によれば、２枚の基板は、凹部の底面と凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離を一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さが凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサの径は、目的とする基板間距離と等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサが目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合でも、ビーズスペーサが基板間距離の制御を妨げることがなく、表示ムラが抑制される。
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、上記凸部が形成された一方の基板はアレイ基板であって、上記凹部が形成された他方の基板は対向基板であってもよい。また、上記凸部が形成された一方の基板は対向基板であって、上記凹部が形成された他方の基板はアレイ基板であってもよい。
【００１４】
本発明の液晶表示装置のアレイ基板に凸部が形成され、対向基板に凹部が形成されている場合、上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、を備え、
上記凸部は、上記ゲート線または該ゲート線と同一層に設けられた導電膜と、上記ソース線または該ソース線と同一層に設けられた導電膜と、が積層されて形成されていてもよい。
【００１５】
また、上記対向基板は、基板本体と、上記各画素領域に対応する着色膜及び非発光領域に対応する遮光膜からなり該基板本体上に設けられたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に設けられ上記凹部に対応する凹形状を有するオーバーコート層と、該オーバーコート層表面に沿うように設けられた配向膜と、を備えていてもよい。
【００１６】
また、本発明の液晶表示装置の対向基板に凸部が形成され、アレイ基板に凹部が形成されている場合、上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、該複数のゲート線及びソース線を覆って設けられ上記凹部に対応する凹形状を有する感光性樹脂膜と、基板の最外表面を被覆する配向膜と、を備えていてもよい。
【００１７】
本発明の表示装置は、上記凹部は、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向の大きさは、小さすぎるとビーズスペーサを収容できない虞がある点から３μｍ以上であることが好ましく、大きすぎると凹部にビーズスペーサを収容してもビーズスペーサを凸部の突出端面と凹部の底面とで挟持することができなくなる虞や開口率の低下の虞等がある点から１４μｍ以下であることが好ましい。また、凹部にビーズスペーサを容易に収容する点から、凹部の大きさは大きい方が好ましい。
【００１８】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有する２枚の基板のうち一方の基板の非発光領域に凸部を形成し、他方の基板の非発光領域に上記凸部の突出高さよりと同じまたは小さい深さを有する凹部を形成する基板作製工程と、
上記他方の基板の凹部にビーズスペーサを収容し、該ビーズスペーサを該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持することにより両者間に固定して２枚の基板を基板間距離が一定となるように対向配置させる基板貼り合わせ工程と、
上記基板貼り合わせ工程の前または後に、上記２枚の基板間に液晶材料を導入して液晶層を形成する液晶層形成工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、２枚の基板間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離の制御を行うので、基板間距離の制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、２枚の基板のそれぞれの最外表面に配向膜を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００２０】
また、本発明によれば、２枚の基板は、凹部の底面と凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサにより基板間距離を一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さが凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサの径は、目的とする基板間距離と等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサが目的としない領域に入ってしまった場合でも、ビーズスペーサが基板間距離の制御を妨げることがなく、表示ムラが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】液晶表示装置の概略平面図である。
【図２】図１のII−II線における断面図である。
【図３】実施形態１のアレイ基板の平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図６】実施形態１の対向基板の平面図である。
【図７】実施形態１の液晶表示装置の断面図である。
【図８】実施形態１の変形例に係る液晶表示装置の拡大断面図である。
【図９】実施形態１の変形例に係るアレイ基板の平面図である。
【図１０】実施形態１の変形例に係る対向基板の平面図である。
【図１１】実施形態２のアレイ基板の平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線における断面図である。
【図１３】図１１のXIII−XIII線における断面図である。
【図１４】実施形態２の液晶表示装置の断面図である。
【図１５】実施形態２の変形例に係るアレイ基板の断面図である。
【図１６】実施形態３のアレイ基板の平面図である。
【図１７】実施形態３のアレイ基板の平面図である。
【図１８】図１６のXVIII−XVIII線における断面図である。
【図１９】実施形態３の液晶表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を用いて、本発明の例示的実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
《実施形態１》
まず、実施形態１にかかる液晶表示装置１００について説明する。液晶表示装置１００は、液晶パネルの基板間に横方向に電界を生じさせて液晶分子の配向を行うＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードである。
【００２４】
液晶表示装置１００は、図１及び２に示すように、アレイ基板１１０と対向基板１２０とが基板間距離ｄが一定となるように対向配置された構成を有する。アレイ基板１１０の一部は対向基板１２０よりも外側に延出しており、端子領域を構成している。アレイ基板１１０と対向基板１２０との間には表示領域Ｄに液晶層１３０が設けられ、液晶層１３０を囲うように非表示領域にシール材１４０が枠状に配置されている。アレイ基板１１０と対向基板１２０とは、シール材１４０により貼り合わされている。アレイ基板１１０と対向基板１２０の基板間距離ｄは、例えば２．８〜４．５μｍである。
【００２５】
表示領域Ｄには、マトリクス状に複数の画素領域が配置され、複数の画素領域のそれぞれを区画する領域が非発光領域となっている。
【００２６】
図３〜５は、アレイ基板１１０を示す。アレイ基板１１０は、基板本体１１１上に、ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜１１３，半導体膜（不図示）、ソース線１１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜１１５が順に積層された構成を有する。また、基板本体１１１とゲート絶縁膜１１３の間には、各画素領域に対応して共通電極１１６が設けられ、層間絶縁膜１１５の上層には各画素領域に対応して画素電極１１７が設けられている。そして、アレイ基板１１０の最外表面を覆うように配向膜１１８が設けられている。
【００２７】
基板本体１１１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００２８】
ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜等で形成されている。ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ゲート線１１２ＧＬ、共通電極配線１１２ＣＬ、フローティングメタル１１２Ｆ等が構成されている。
【００２９】
ゲート絶縁膜１１３は、例えば、窒化シリコン膜等で形成されている。ゲート絶縁膜１１３は、例えば厚さが０．３〜０．６μｍである。
【００３０】
半導体膜は、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）とリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）とが積層されて形成されている。
【００３１】
ソース線１１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、チタン膜等で形成されている。ソース線１１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ソース線１１４ＳＬ、ソース電極１１４Ｓ、ドレイン電極１１４Ｄ等が構成されている。なお、ゲート線１１２ＧＬ，ゲート絶縁膜１１３、半導体膜、ソース電極１１４Ｓ及びドレイン電極１１４ＤでＴＦＴが構成される。
【００３２】
層間絶縁膜１１５は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の絶縁性無機膜で形成されている。層間絶縁膜１１５は、例えば厚さが０．２〜０．６μｍである。
【００３３】
共通電極１１６は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜で形成されている。共通電極１１６のそれぞれは、共通電極配線１１２ＣＬに電気的に接続され、共通電位が与えられている。共通電極１１６は、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。
【００３４】
画素電極１１７は、例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透明導電膜で形成されている。画素電極１１７には、複数のスリット１１７Ｓが設けられ、複数のスリット１１７Ｓのそれぞれは互いに並ぶように配置されている。画素電極１１７は、例えばスリット１１７Ｓの幅が２．０〜８．０μｍ、電極幅が２．０〜８．０μｍの組み合わせで構成される。画素電極１１７のそれぞれは、コンタクトホール１１４Ｄｃを介してドレイン電極１１４Ｄに電気的に接続されている。画素電極１１７は、例えば厚さが０．０５〜０．１μｍである。
【００３５】
なお、共通電極１１６と画素電極１１７の間には、ゲート絶縁膜１１３及び層間絶縁膜１１５を介して、保持容量が形成される。
【００３６】
配向膜１１８は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜１１８は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００３７】
凸部Ｃvxは、ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜と、ソース線１１４ＳＬを含む導電膜とが積層された領域に構成されている。すなわち、凸部Ｃvxは、図３の平面図において斜線で示す領域に構成される。凸部Ｃvxは、非発光領域に対応して形成されるが、非発光領域だけに存在するように形成されていてもよく、非発光領域とその周りの画素領域を一部含む領域に存在するように形成されていてもよい。具体的には、フローティングメタル１１２Ｆとソース線１１４ＳＬとが交差する領域（図４参照）や、ゲート線１１２ＧＬとソース線１１４ＳＬとが交差する領域（図５参照）に凸部Ｃvxが構成される。図４においては凸部Ｃvxの突出高さｈ１はゲート線１１２ＧＬとソース線１１４ＳＬとの厚さの和に相当し、例えば、０．４〜１．０μｍである。図５においてはソース線１１４ＳＬの厚さに相当し、例えば０．２〜０．５μｍである。
【００３８】
図６は、対向基板１２０を示す。対向基板１２０は、基板本体１２１上に、着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂや遮光膜１２３を含むカラーフィルタ層、オーバーコート層１２４、及び配向膜１２５が順に積層された構成を有する（図７参照）。
【００３９】
基板本体１２１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００４０】
着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂは、それぞれ、赤色樹脂、緑色樹脂、青色樹脂で形成されている。着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂは、各画素領域に対応するように配置されている。着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂは、例えば厚さが１．５〜２．５μｍである。
【００４１】
遮光膜（ブラックマトリクス）１２３は、例えば黒色樹脂で形成されている。遮光膜１２３は、各画素領域を区画するように配置され、非発光領域を構成している。遮光膜１２３は、例えば厚さが０．８〜１．５μｍである。
【００４２】
オーバーコート層１２４は、例えば熱硬化性のエポキシ系樹脂や光硬化性のアクリル系樹脂等で形成されている。オーバーコート層１２４は、例えば厚さが１．０〜３．０μｍである。オーバーコート層１２４の表面には、非発光領域に対応する領域に凹形状１２４ａが設けられている。この凹形状１２４ａは、アレイ基板１１０上に設けられた凸部Ｃvxと重なる領域に対応するように位置付けられており、対向基板１２０の凹部Ｃcvを構成する。凹形状１２４ａは、例えば深さが０．３〜０．８μｍである。
【００４３】
配向膜１２５は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜１２５は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００４４】
凹部Ｃcvは、オーバーコート層１２４の凹形状１２４ａ上に配向膜１２５が積層された構成であり、例えば、深さｈ２が０．２〜０．７μｍである。凹部Ｃcvの深さｈ２は、アレイ基板１１０上に設けられた凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれより小さくなるように設定されている。凹部Ｃcvの深さｈ２と凸部Ｃvxの突出高さｈ１との差（ｈ１−ｈ２）は、ビーズスペーサ１３１の径ｒのバラツキや凸部Ｃvxを構成する膜の厚さのバラツキ、凹部Ｃcvを構成するオーバーコート膜１２４のエッチング量のバラツキが存在することを鑑み、０．２〜０．６μｍであることが好ましい。
【００４５】
凹部Ｃcvは、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向を凹部Ｃcvの幅方向として凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３〜１４μｍであることが好ましい。凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３μｍよりも小さい場合には、ビーズスペーサ１３１を収容できない虞がある。
【００４６】
また、基板貼り合わせ工程のうち対向基板１２０の表面にビーズスペーサ１３１を散布する工程において、ビーズスペーサ１３１を凹部Ｃcvに容易に収容する観点からは、凹部Ｃcvの大きさは大きいことが好ましい。例えば、図７に示す他の例として、図８に示すように、凹部Ｃcvの幅方向の大きさ（図８におけるｗ２の大きさ）がソース線１１４ＳＬの幅（ｗ１）よりも大きくなるように設定されていてもよい。但し、凹部Ｃcvの幅方向の大きさが１４μｍよりも大きくなると、凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１を収容しても、ビーズスペーサ１３１を凸部Ｃvxの突出端面と凹部Ｃcvの底面とで挟持することができず、ビーズスペーサ１３１が画素領域等に転がり落ちる虞や、開口率の低下の虞等がある。
【００４７】
液晶層１３０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料などにより構成されている。
【００４８】
シール材１４０は、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等で構成されている。
【００４９】
ビーズスペーサ１３１は、図７に示すように、アレイ基板１１０に設けられた凸部Ｃvxの突出端面と対向基板１２０に設けられた凹部Ｃcvの底面とで挟持されて、両者間に固定されている。ビーズスペーサ１３１は、例えば、ジビニルベンゼンやアルキルシリケートの架橋重合体で形成されている。ビーズスペーサ１３１は、径ｒが、アレイ基板１１０と対向基板１２０との基板間距離ｄよりも小さく、例えば２．２〜３．８μｍである。
【００５０】
上記構成の液晶表示装置１００は、画素領域毎にゲート線１１２ＧＬからゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線１１４ＳＬからソース信号が送られてソース電極１１４Ｓ及びドレイン電極１１４Ｄを介して、画素電極１１７に所定の電荷を書き込まれる。一方、共通電極１１６には共通電極配線１１２ＣＬにより共通電位が与えられている。そして、画素電極１１７と共通電極１１６との間で横方向の電位差が生じることになり、液晶層１３０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。液晶表示装置１００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００５１】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置１００の製造方法について説明する。液晶表示装置１００の製造方法は、基板作製工程、基板貼り合わせ工程、及び液晶層形成工程を備える。
【００５２】
（基板作製工程）
−アレイ基板の作製−
まず、従来公知の方法により、基板本体１１１上に共通電極１１６、ゲート線１１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜１１３，半導体膜、ソース線１１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜１１５及び画素電極１１７を所定のレイアウトに形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、アレイ基板１１０の最外表面を構成する配向膜１１８を形成することにより、アレイ基板１１０を得る。
【００５３】
−対向基板の作製−
一方、従来公知の方法により、基板本体１２１上に遮光膜１２３を形成した後着色膜１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂを成膜してカラーフィルタ層を形成し、さらに、カラーフィルタ層を覆うようにオーバーコート層１２４を形成する。オーバーコート層１２４には、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いてハーフエッチング処理を行い、凹部Ｃcvとなる領域に対応する凹形状１２４ａを形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、対向基板１２０の最外表面を構成する配向膜１２５を形成することにより、対向基板１２０を得る。このとき、対向基板１２０上に柱状のフォトスペーサが形成されていないので、フォトスペーサの段差にラビングを妨げられることなく、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。
【００５４】
（基板貼り合わせ工程）
次に、アレイ基板１１０と対向基板１２０とを対向配置させて非表示領域をシール材１４０で封止する工程について説明する。
【００５５】
まず、凹部Ｃcvが形成された対向基板１２０の表面にビーズスペーサ１３１を散布する。このとき、純水やイソプロピルアルコール等の溶媒を用いた湿式散布法によりスペーサ散布を行って、表面張力を利用して凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１を収容する。なお、スペーサ散布は乾式散布法により行ってもよい。また、表面張力を利用する他、振動を与えたり静電気力を利用したりすることによって凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１を収容してもよい。
【００５６】
続いて、凹部Ｃcvにビーズスペーサ１３１が収容された対向基板１２０に、シール材１４０で封止パターンを描画しておいたアレイ基板１１０を重ね合わせ、ビーズスペーサ１３１を凹部Ｃcvの底面と上記凸部Ｃvxの突出端面で挟持する。これにより、ビーズスペーサ１３１が凸部Ｃvx及び凹部Ｃcv間に固定され、アレイ基板１１０と対向基板１２０の基板間距離ｄが一定となるように位置付けられる。
【００５７】
（液晶層形成工程）
続いて、貼り合わせたアレイ基板１１０と対向基板１２０との間に、従来公知の方法で液晶材料を注入して液晶層１３０を形成する。なお、基板貼り合わせ工程の前にアレイ基板１１０と対向基板１２０のうちいずれかの基板上に液晶材料を滴下してから基板の貼り合わせを行ってもよい。
【００５８】
以上の工程を経て、液晶表示装置１００が得られる。
【００５９】
＜実施形態１の効果＞
実施形態１の構成によれば、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に固定されたビーズスペーサ１３１により基板間距離ｄの制御を行うので、基板間距離ｄの制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、アレイ基板１１０と対向基板１２０のそれぞれの最外表面に配向膜１１８，１２５を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、配向膜１１８，１２５の配向が乱れることがなく、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００６０】
また、実施形態１の構成によれば、アレイ基板１１０と対向基板１２０は、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサ１３１により基板間距離ｄを一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さｈ２が凸部の突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサ１３１としては、径ｒが基板間距離ｄと等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサ１３１が目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合（図３のビーズスペーサ１３１ａ参照）でも、ビーズスペーサ１３１ａが基板間距離ｄの制御を妨げることがなく、表示ムラが抑制される。
【００６１】
＜実施形態１の変形例＞
実施形態１では、アレイ基板１１０上のフローティングメタル１１２Ｆが、ソース線１１４ＳＬに沿って島状に設けられた場合を示したが、他の構成から電気的に独立したフローティング状態となっておれば特にこれに限られない。例えば、図９や１０に示すように、フローディングメタル１１２Ｆがソース線１１４ＳＬに沿って延びるように形成されていてもよい。
【００６２】
《実施形態２》
次に、実施形態２にかかる液晶表示装置２００について説明する。液晶表示装置２００は、液晶パネルの基板間に縦方向に電界を生じさせて液晶分子の配向を行うＴＮ（Twisted Nematic）モードである。
【００６３】
液晶表示装置２００は、アレイ基板２１０と対向基板２２０とが基板間距離ｄが一定となるように対向配置された構成を有する。アレイ基板２１０の一部は対向基板２２０よりも外側に延出しており、端子領域を構成している。アレイ基板２１０と対向基板２２０との間には表示領域Ｄに液晶層２３０が設けられ、液晶層２３０を囲うように非表示領域にシール材２４０が枠状に配置されている。アレイ基板２１０と対向基板２２０とは、シール材２４０により貼り合わされている。アレイ基板２１０と対向基板２２０の基板間距離ｄは、例えば３．８〜５．０μｍである。
【００６４】
表示領域Ｄには、マトリクス状に複数の画素領域が配置され、複数の画素領域のそれぞれを区画する領域が非発光領域となっている。
【００６５】
図１１〜１３は、アレイ基板２１０を示す。アレイ基板２１０は、基板本体２１１上に、ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜２１３，半導体膜（不図示）、ソース線２１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜２１５、画素電極２１７が順に積層された構成を有する。そして、アレイ基板２１０の最外表面を覆うように配向膜２１８が設けられている。
【００６６】
基板本体２１１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００６７】
ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜等で形成されている。ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ゲート線２１２ＧＬ、フローティングメタル２１２Ｆ、保持容量配線２１２ＣｓＬ、ゲート電極２１２Ｇ等が構成されている。
【００６８】
ゲート絶縁膜２１３は、例えば、窒化シリコン膜等で形成されている。ゲート絶縁膜２１３は、例えば厚さが０．３〜０．６μｍである。
【００６９】
半導体膜は、例えば、真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）とリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）とが積層されて形成されている。
【００７０】
ソース線２１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、チタン膜等で形成されている。ソース線２１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ソース線２１４ＳＬ、ソース電極２１４Ｓ、ドレイン電極２１４Ｄ等が構成されている。なお、ゲート電極２１２Ｇ，ゲート絶縁膜２１３、半導体膜、ソース電極２１４Ｓ及びドレイン電極２１４ＤでＴＦＴが構成される。
【００７１】
層間絶縁膜２１５は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の絶縁性無機膜で形成されている。層間絶縁膜２１５は、例えば厚さが０．２〜０．６μｍである。
【００７２】
画素電極２１７は、例えば、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透明導電膜で形成されている。画素電極２１７のそれぞれは、コンタクトホール２１７ｃを介してドレイン電極２１４Ｄに電気的に接続されている。画素電極２１７は、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。
【００７３】
なお、保持容量配線２１２ＣｓＬとドレイン電極２１４Ｄとの間には、ゲート絶縁膜２１３を介して保持容量が形成される。
【００７４】
配向膜２１８は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜２１８は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００７５】
凸部Ｃvxは、ゲート線２１２ＧＬを含む導電膜と、ソース線２１４ＳＬを含む導電膜とが積層された領域に構成されている。すなわち、凸部Ｃvxは図１１の平面図において斜線で示す領域に構成される。凸部Ｃvxは、非発光領域に対応して形成されるが、非発光領域だけに存在するように形成されていてもよく、非発光領域とその周りの画素領域を一部含む領域に存在するように形成されていてもよい。具体的には、フローティングメタル２１２Ｆとソース線２１４ＳＬとが交差する領域（図１２参照）や、ゲート線２１２ＧＬとソース線２１４ＳＬとが交差する領域（図１３参照）に凸部Ｃvxが構成される。図１１において、凸部Ｃvxの突出高さｈ１はゲート線２１２ＧＬとソース線２１４ＳＬとの厚さの和に相当し、０．４〜１．０μｍである。図１１においてはソース線２１４ＳＬの厚さに相当し、例えば０．２〜１．０μｍである。
【００７６】
対向基板２２０は、基板本体２２１上に、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂや遮光膜２２３を含むカラーフィルタ層、共通電極２２６及び配向膜２２５が順に積層された構成を有する。
【００７７】
基板本体２２１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【００７８】
着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、それぞれ、赤色樹脂、緑色樹脂、青色樹脂で形成されている。着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、各画素領域に対応するように配置されている。着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、例えば厚さが１．５〜２．５μｍである。着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂは、非発光領域（つまり、遮光膜２２３が設けられる領域）とは重なり合わないように配置されている。
【００７９】
遮光膜（ブラックマトリクス）２２３は、例えば黒色樹脂で形成されている。遮光膜２２３は、各画素領域を区画するように配置され、非発光領域を構成している。遮光膜２２３は、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂよりも厚さが薄く、例えば０．８〜１．５μｍである。
【００８０】
共通電極２２６は、例えばＩＴＯ膜等で形成されている。共通電極２２６は、例えば厚さが０．１〜０．２μｍである。
【００８１】
配向膜２２５は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜２２５は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【００８２】
凹部Ｃcvは、図１４に示すように、カラーフィルタ層において、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂと遮光膜２２３の膜厚差により遮光膜２２３の領域に対応して形成されている。凹部Ｃcvは、着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂと遮光膜２２３の境界にできた段差上に共通電極２２６及び配向膜２２５が設けられてできたものであり、例えば、深さｈ２が０．２〜０．７μｍである。凹部Ｃcvの深さｈ２は、アレイ基板２１０上に設けられた凸部Ｃvxの突出高さｈ１と同じまたはそれより小さくなるように設定されている。凹部Ｃcvの深さｈ２と凸部Ｃvxの突出高さｈ１との差（ｈ１−ｈ２）は、ビーズスペーサ２３１の径ｒのバラツキや凸部Ｃvxを構成する膜の厚さのバラツキ、凹部Ｃcvを構成する着色膜２２２の膜厚や遮光膜２２３の膜厚のバラツキが存在することを鑑み、０．２〜０．６μｍであることが好ましい。
【００８３】
液晶層２３０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料などにより構成されている。
【００８４】
シール材２４０は、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等で構成されている。
【００８５】
ビーズスペーサ２３１は、図１４に示すように、アレイ基板２１０に設けられた凸部Ｃvxの突出端面と対向基板２２０に設けられた凹部Ｃcvの底面とで挟持されて、両者間に固定されている。ビーズスペーサ２３１は、例えば、ジビニルベンゼンやアルキルシリケートの架橋重合体で形成されている。ビーズスペーサ２３１は、径ｒが、アレイ基板２１０と対向基板２２０との基板間距離ｄよりも小さく、例えば３．２〜４．８μｍである。
【００８６】
上記構成の液晶表示装置２００は、各画素領域毎にゲート線２１２ＧＬからゲート電極２１２Ｇを介してゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線２１４ＳＬからソース信号が送られてソース電極２１４Ｓ及びドレイン電極２１４Ｄを介して、画素電極２１７に所定の電荷が書き込まれる。そして、画素電極２１７と対向基板２２０の共通電極２２６との間で電位差が生じることになり、液晶層２３０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。液晶表示装置２００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【００８７】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置２００の製造方法について説明する。液晶表示装置２００の製造方法は、基板作製工程、基板貼り合わせ工程、及び液晶層形成工程を備える。
【００８８】
（基板作製工程）
−アレイ基板の作製−
まず、従来公知の方法により、基板本体２１１上にゲート線２１２ＧＬを含む導電膜、ゲート絶縁膜２１３，半導体膜、ソース線２１４ＳＬを含む導電膜、層間絶縁膜２１５及び画素電極２１７を所定のレイアウトに形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、アレイ基板２１０の最外表面を構成する配向膜２１８を形成することにより、アレイ基板２１０を得る。
【００８９】
−対向基板の作製−
一方、従来公知の方法により、基板本体２２１上に遮光膜２２３を形成した後着色膜２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂを成膜してカラーフィルタ層を形成し、さらに、カラーフィルタ層を覆うように共通電極２２６を形成する。そして、共通電極２２６上にポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、対向基板２２０の最外表面を構成する配向膜２２５を形成することにより、対向基板２２０を得る。このとき、対向基板２２０上に柱状のフォトスペーサが形成されていないので、フォトスペーサの段差にラビングを妨げられることなく、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。
【００９０】
（基板貼り合わせ工程）
次に、アレイ基板２１０と対向基板２２０とを対向配置させて非表示領域をシール材２４０で封止する工程について説明する。
【００９１】
まず、凹部Ｃcvが形成された対向基板２２０の表面にビーズスペーサ２３１を散布する。このとき、純水やイソプロピルアルコール等の溶媒を用いた湿式散布法によりスペーサ散布を行って、表面張力を利用して凹部Ｃcvにビーズスペーサ２３１を収容する。
【００９２】
続いて、凹部Ｃcvにビーズスペーサ２３１が収容された対向基板２２０にシール材２４０で封止パターンを描画しておいたアレイ基板２１０を重ね合わせ、ビーズスペーサ２３１を凹部Ｃcvの底面と上記凸部Ｃvxの突出端面で挟持する。これにより、ビーズスペーサ２３１が凸部Ｃvx及び凹部Ｃcv間に固定され、アレイ基板２１０と対向基板２２０の基板間距離ｄが一定となるように位置付けられる。
【００９３】
（液晶層形成工程）
続いて、貼り合わせたアレイ基板２１０と対向基板２２０との間に、従来公知の方法で液晶材料を注入して液晶層２３０を形成する。なお、基板貼り合わせ工程の前にアレイ基板２１０と対向基板２２０のうちいずれかの基板上に液晶材料を滴下してから基板の貼り合わせを行ってもよい。
【００９４】
以上の工程を経て、液晶表示装置２００が得られる。
【００９５】
＜実施形態２の効果＞
実施形態２の構成によれば、アレイ基板２１０と対向基板２２０との間に固定されたビーズスペーサ２３１により基板間距離ｄの制御を行うので、基板間距離ｄの制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、アレイ基板２１０と対向基板２２０のそれぞれの最外表面に配向膜２１８，２２５を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、配向膜２１８，２２５の配向が乱れることがなく、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【００９６】
また、実施形態２の構成によれば、アレイ基板２１０と対向基板２２０は、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサ２３１により基板間距離ｄを一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さｈ２が凸部の突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサ２３１としては、径ｒが基板間距離ｄと等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサ２３１が目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合でも、基板間距離ｄの制御が妨げられることがなく、表示ムラが抑制される。
【００９７】
＜実施形態２の変形例＞
実施形態２では、対向基板２２０上に設けられたカラーフィルタ層の着色膜２２２と遮光膜２２３の厚さの差による段差を利用して凹部Ｃcvを形成するとして説明したが、特にこれに限られない。例えば、実施形態１と同じように、カラーフィルタ層を覆うようにオーバーコート層を設け、凹部Ｃcvとする領域に対応するようにオーバーコート層に凹形状を形成し、さらに共通電極２２６及び配向膜２２５を積層して凹部Ｃcvを形成してもよい。
【００９８】
また、凸部Ｃvxは、フローティングメタル２１２Ｆ等のゲート線２１２ＧＬと同一層の導電膜及びソース線２１４ＳＬとを積層させて構成する他、図１５に示すように、画素電極２１７と同一層に設けられた導電膜２１７Ｆが積層されて構成されていてもよい。
【００９９】
《実施形態３》
次に、実施形態３にかかる液晶表示装置３００について説明する。液晶表示装置３００は、液晶パネルの基板間に横方向に電界を生じさせて液晶分子の配向を行うＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードである。実施形態１ではアレイ基板１１０側に凸部Ｃvx、及び対向基板１２０側に凹部Ｃcvが形成されているのに対し、実施形態３では、アレイ基板３１０側に凹部Ｃcv、及び対向基板３２０側に凸部Ｃvxが形成されている。
【０１００】
液晶表示装置３００は、アレイ基板３１０と対向基板３２０とが基板間距離ｄが一定となるように対向配置された構成を有する。アレイ基板３１０の一部は対向基板３２０よりも外側に延出しており、端子領域を構成している。アレイ基板３１０と対向基板３２０との間には表示領域Ｄに液晶層３３０が設けられ、液晶層３３０を囲うように非表示領域にシール材３４０が枠状に配置されている。アレイ基板３１０と対向基板３２０とは、シール材３４０により貼り合わされている。アレイ基板３１０と対向基板３２０の基板間距離ｄは、例えば２．８〜４．０μｍである。
【０１０１】
表示領域Ｄには、マトリクス状に複数の画素領域が配置され、複数の画素領域のそれぞれを区画する領域が非発光領域となっている。
【０１０２】
図１６〜１８は、アレイ基板３１０を示す。アレイ基板３１０は、基板本体３１１上に、ベースコート膜３１３Ａ，半導体膜（不図示）、ゲート絶縁膜３１３Ｂ、ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜、層間絶縁膜３１３Ｃ，ソース線３１４ＳＬを含む導電膜、感光性樹脂膜３１３Ｄ、共通電極３１６、層間絶縁膜３１５，画素電極３１７が順に積層された構成を有する。そして、アレイ基板３１０の最外表面を覆うように配向膜３１８が設けられている。なお、図１７は、アレイ基板３１０のうち共通電極３１６のレイアウトを示すために画素電極３１７を省略して示した平面図である。
【０１０３】
基板本体３１１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【０１０４】
ベースコート膜３１３Ａやゲート絶縁膜３１３Ｂ、層間絶縁膜３１３Ｃは、例えば、窒化シリコン膜等で形成されている。ベースコート膜３１３Ａは、例えば厚さが０．１〜０．２５μｍである。ゲート絶縁膜３１３Ｂは、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。層間絶縁膜３１３Ｃは、例えば厚さが０．５〜１．３μｍである。
【０１０５】
半導体膜は、例えば、連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ：Continuous Grain Silicon）で形成されている。
【０１０６】
ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜やタングステン膜等で形成されている。ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ゲート線３１２ＧＬ、ゲート電極３１２Ｇ等が構成されている。なお、ソース電極３１４Ｓ，ドレイン電極３１４Ｄ、半導体膜、層間絶縁膜３１３Ｃ、及びゲート電極３１２Ｇでトップゲート型のＴＦＴが構成される。
【０１０７】
ソース線３１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、アルミニウム膜等で形成されている。ソース線３１４ＳＬを含む導電膜は、例えば、厚さが０．２〜０．５μｍである。この導電膜により、ソース線３１４ＳＬ、ソース電極３１４Ｓ、ドレイン電極３１４Ｄ等が構成されている。
【０１０８】
感光性樹脂膜３１３Ｄは、例えばアクリル樹脂等の有機感光性樹脂で形成されている。感光性樹脂膜３１３Ｄは、例えば厚さが２．０〜３．０μｍである。感光性樹脂膜３１３Ｄの表面には、非発光領域に対応する領域に、凹形状３１３Ｄａが設けられている。凹形状３１３Ｄａは、アレイ基板３１０の凹部Ｃcvを構成する。
【０１０９】
共通電極３１６は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電膜で形成されている。共通電極３１６は、隣接する画素領域にわたって設けられ（図１７の網掛け領域参照）、共通電位が与えられている。共通電極３１６は、例えば厚さが０．０５〜０．１５μｍである。
【０１１０】
層間絶縁膜３１５は、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の絶縁性無機膜で形成されている。層間絶縁膜３１５は、例えば厚さが１．０〜３．０μｍである。
【０１１１】
画素電極３１７は、例えば、ＩＺＯ膜等の透明導電膜で形成されている。画素電極３１７には、ソース線３１４ＳＬと平行に延伸する複数のスリット３１７Ｓが設けられ、複数のスリット３１７Ｓのそれぞれは互いに並ぶように配置されている。画素電極３１７は、例えばスリット３１７Ｓの幅が２．０〜８．０μｍ、電極幅が２．０〜８．０μｍの組み合わせで構成される。画素電極３１７のそれぞれは、コンタクトホール３１４Ｄｃを介してドレイン電極３１４Ｄに電気的に接続されている。画素電極３１７は、例えば厚さが０．３〜１．０μｍである。
【０１１２】
なお、感光性樹脂膜３１３Ｄの上層には、共通電極３１６と画素電極３１７の間に層間絶縁膜３１５を介して、保持容量が形成される。
【０１１３】
配向膜３１８は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜３１８は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【０１１４】
凹部Ｃcvは、非発光領域において感光性樹脂膜３１３Ｄの凹形状３１３Ｄａ上に共通電極３１６、層間絶縁膜３１５及び配向膜３２５が積層された構成であり、例えば、深さｈ２が０．２〜０．７μｍである。凹部Ｃcvは、例えば、ソース線３１４ＳＬに沿った領域に形成される（図１６の斜線領域参照）。
【０１１５】
凹部Ｃcvは、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向を凹部Ｃcvの幅方向として凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３〜１４μｍであることが好ましい。凹部Ｃcvの幅方向の大きさが３μｍよりも小さい場合には、ビーズスペーサ３３１を収容できない虞がある。また、凹部Ｃcvの幅方向の大きさが１４μｍよりも大きくなると、凹部Ｃcvにビーズスペーサ３３１を収容しても、ビーズスペーサ３３１を凸部Ｃvxの突出端面と凹部Ｃcvの底面とで挟持することができず、ビーズスペーサ３３１が画素領域等に転がり落ちる虞や、開口率の低下の虞等がある。なお、基板貼り合わせ工程のうちアレイ基板３１０の表面にビーズスペーサ３３１を散布する工程において、ビーズスペーサ３３１を凹部Ｃcvに容易に収容する観点からは、凹部Ｃcvの大きさは大きいことが好ましい。
【０１１６】
対向基板３２０は、基板本体３２１上に、着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂや遮光膜３２３を含むカラーフィルタ層、及び配向膜３２５が順に積層された構成を有する。
【０１１７】
基板本体３２１は、例えば、ガラス基板等の透明基材で形成されている。
【０１１８】
着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂは、それぞれ、赤色樹脂、緑色樹脂、青色樹脂で形成されている。着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂは、各画素領域に対応するように配置されている。着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂのそれぞれは、当該画素領域を区画する遮光膜３２３をほぼ覆うように設けられている。従って、遮光膜３２３上には、２種類の着色膜が積層されることとなる。着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂは、例えば厚さが１．５〜２．５μｍである。
【０１１９】
遮光膜（ブラックマトリクス）３２３は、例えば黒色樹脂で形成されている。遮光膜３２３は、各画素領域を区画するように配置され、非発光領域を構成している。遮光膜３２３は、例えば厚さが０．８〜１．５μｍである。
【０１２０】
配向膜３２５は、例えば、ポリイミド樹脂等で形成されている。配向膜３２５は、例えば厚さが０．０６〜０．１５μｍである。
【０１２１】
凸部Ｃvxは、図１９に示すように、着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂのそれぞれと遮光膜３２３が非発光領域において重なることにより形成される。例えば、赤色画素領域と緑色画素領域の境界部分では、凸部Ｃvxは、基板本体３２１上に遮光膜３２３，緑色着色膜３２２Ｇ、及び赤色着色膜３２２Ｒが積層されて構成されている。凸部Ｃvxの突出高さｈ１は、アレイ基板３１０上に設けられた凹部Ｃcvの深さｈ２と同じまたはそれより大きくなるように設定されている。凹部Ｃcvの深さｈ２と凸部Ｃvxの突出高さｈ１との差（ｈ１−ｈ２）は、ビーズスペーサ３３１の径ｒのバラツキや凸部Ｃvxを構成する膜の厚さのバラツキ、凹部Ｃcvを構成する感光性樹脂膜３１３Ｄのエッチング量のバラツキが存在することを鑑み、０．２〜０．６μｍであることが好ましい。
【０１２２】
液晶層３３０は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料などにより構成されている。
【０１２３】
シール材３４０は、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂等で構成されている。
【０１２４】
ビーズスペーサ３３１は、図１９に示すように、アレイ基板３１０に設けられた凹部Ｃcvの底面と対向基板３２０に設けられた凸部Ｃvxの突出端面とで挟持されて、両者間に固定されている。ビーズスペーサ３３１は、例えば、ジビニルベンゼンやアルキルシリケートの架橋重合体で形成されている。ビーズスペーサ３３１は、径ｒが、アレイ基板３１０と対向基板３２０との基板間距離ｄよりも小さく、例えば２．２〜３．８μｍである。
【０１２５】
上記構成の液晶表示装置３００は、画素領域毎にゲート線３１２ＧＬからゲート信号が送られてＴＦＴがオン状態になったときに、ソース線３１４ＳＬからソース信号が送られてソース電極３１４Ｓ及びドレイン電極３１４Ｄを介して、画素電極３１７に所定の電荷を書き込まれる。一方、共通電極３１６には共通電位が与えられている。そして、画素電極３１７と共通電極３１６との間で横方向の電位差が生じることになり、液晶層３３０からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。液晶表示装置３００では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。
【０１２６】
＜液晶表示装置の製造方法＞
次に、液晶表示装置３００の製造方法について説明する。液晶表示装置３００の製造方法は、基板作製工程、基板貼り合わせ工程、及び液晶層形成工程を備える。
【０１２７】
（基板作製工程）
−アレイ基板の作製−
まず、従来公知の方法により、基板本体３１１上にベースコート膜３１３Ａ，半導体膜、ゲート絶縁膜３１３Ｂ，ゲート線３１２ＧＬを含む導電膜、層間絶縁膜３１３Ｃ，ソース線３１４ＳＬを含む導電膜、感光性樹脂膜３１３Ｄを所定のレイアウトに形成する。そして、ハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いて感光性樹脂膜３１３Ｄにハーフエッチング処理を行い、凹部Ｃcvとなる領域に対応する凹形状３１３Ｄａを形成する。さらに、従来公知の方法により、共通電極３１６、層間絶縁膜３１５及び画素電極３１７を所定のレイアウトに形成する。最後に、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、アレイ基板３１０の最外表面を構成する配向膜３１８を形成することにより、アレイ基板３１０を得る。
【０１２８】
−対向基板の作製−
一方、従来公知の方法により、基板本体３２１上に着色膜３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂ及び遮光膜３２３を成膜してカラーフィルタ層を形成する。そして、ポリイミド膜を塗布した後にラビング処理を行って、対向基板３２０の最外表面を構成する配向膜３２５を形成することにより、対向基板３２０を得る。このとき、対向基板３２０上に柱状のフォトスペーサが形成されていないので、フォトスペーサの段差にラビングを妨げられることなく、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。なお、対向基板３２０上には凸部Ｃvxが形成されているが、その突出高さｈ１がフォトスペーサのように大きくなく、また、段差がフォトスペーサの段差のように急峻ではないので、ポリイミド膜を良好に配向させることができる。
【０１２９】
（基板貼り合わせ工程）
次に、アレイ基板３１０と対向基板３２０とを対向配置させて非表示領域をシール材３４０で封止する工程について説明する。
【０１３０】
まず、凹部Ｃcvが形成されたアレイ基板３１０の表面にビーズスペーサ３３１を散布する。このとき、純水やイソプロピルアルコール等の溶媒を用いた湿式散布法によりスペーサ散布を行って、表面張力を利用して凹部Ｃcvにビーズスペーサ３３１を収容する。
【０１３１】
続いて、凹部Ｃcvにビーズスペーサ３３１が収容されたアレイ基板３１０に対向基板３２０を重ね合わせ、ビーズスペーサ３３１を凹部Ｃcvの底面と上記凸部Ｃvxの突出端面で挟持する。これにより、ビーズスペーサ３３１が凸部Ｃvx及び凹部Ｃcv間に固定され、アレイ基板３１０と対向基板３２０の基板間距離ｄが一定となるように位置付けられる。
【０１３２】
（液晶層形成工程）
続いて、貼り合わせたアレイ基板３１０と対向基板３２０との間に、従来公知の方法で液晶材料を注入して液晶層３３０を形成する。なお、基板貼り合わせ工程の前にアレイ基板３１０と対向基板３２０のうちいずれかの基板上に液晶材料を滴下してから基板の貼り合わせを行ってもよい。
【０１３３】
以上の工程を経て、液晶表示装置３００が得られる。
【０１３４】
＜実施形態３の効果＞
実施形態３の構成によれば、アレイ基板３１０と対向基板３２０との間に固定されたビーズスペーサ３３１により基板間距離ｄの制御を行うので、基板間距離ｄの制御のために柱状のフォトスペーサを形成する必要がない。そのため、アレイ基板３１０と対向基板３２０のそれぞれの最外表面に配向膜３１８，３２５を成膜して配向処理しても、フォトスペーサの段差のような大きな段差がないので、配向膜３１８，３２５の配向が乱れることがなく、良好な配向規制力を有する配向膜を設けることができる。そして、結果として、光漏れを抑制することにより黒表示時の輝度上昇を抑え、優れたコントラスト性能を得ることができる。
【０１３５】
また、実施形態３の構成によれば、アレイ基板３１０と対向基板３２０は、凹部Ｃcvの底面と凸部Ｃvxの突出端面で挟持されることにより両者間に固定されたビーズスペーサ３３１により基板間距離ｄを一定にする制御が行われることとなる。このとき、凹部の深さｈ２が凸部の突出高さｈ１と同じまたはそれよりも小さいので、ビーズスペーサ３３１としては、径ｒが基板間距離ｄと等しいまたはそれよりも小さいものを用いることとなる。そのため、ビーズスペーサ３３１が目的としない領域（つまり、画素領域等の凸部及び凹部で挟まれて固定される場所以外の領域）に入ってしまった場合でも、基板間距離ｄの制御が妨げられることがなく、表示ムラが抑制される。
【産業上の利用可能性】
【０１３６】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法について有用である。
【符号の説明】
【０１３７】
Ｃcv 凹部
Ｃvx 凸部
１００，２００，３００ 液晶表示装置
１１０，２１０，３１０ アレイ基板
１１１，２１１，３１１ 基板本体
１１２Ｆ，２１２Ｆ フローティングメタル（ゲート線と同一層の導電膜）
１１２ＧＬ，２１２ＧＬ，３１２ＧＬ ゲート線
１１３，２１３，３１３Ｂ ゲート絶縁膜（絶縁膜）
３１３Ｄ 感光性樹脂膜
３１３Ｄａ 凹形状
１１４ＳＬ，２１４ＳＬ，３１４ＳＬ ソース線
１１８，２１８，３１８ 配向膜
１２０，２２０，３２０ 対向基板
１２１，２２１，３２１ 基板本体
１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂ 着色膜
２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂ 着色膜
３２２Ｒ，３２２Ｇ，３２２Ｂ 着色膜
１２３，２２３，３２３ 遮光膜
１２４ オーバーコート層
１２４ａ 凹形状
１２５，２２５，３２５ 配向膜
１３０，２３０，３３０ 液晶層
１３１，２３１，３３１ ビーズスペーサ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有し、互いに対向配置された２枚の基板と、
上記２枚の基板間に設けられた液晶層と、
上記２枚の基板のうち一方の基板の上記液晶層側表面に上記非発光領域に対応して上記他方の基板に向かって突出するように形成された凸部と、
上記他方の基板の上記液晶層側表面に上記凸部と重なる領域に対応して形成され、該凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さい深さを有する凹部と、
上記凹部に収容され、該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、上記２枚の基板間距離が一定となるように保持するビーズスペーサと、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記凸部が形成された一方の基板はアレイ基板であり、
上記凹部が形成された他方の基板は対向基板である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、を備え、
上記凸部は、上記ゲート線または該ゲート線と同一層に設けられた導電膜と、上記ソース線または該ソース線と同一層に設けられた導電膜と、が積層されて形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載された液晶表示装置において、
上記対向基板は、基板本体と、上記各画素領域に対応する着色膜及び非発光領域に対応する遮光膜からなり該基板本体上に設けられたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に設けられ上記凹部に対応する凹形状を有するオーバーコート層と、該オーバーコート層表面に沿うように設けられた配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記凸部が形成された一方の基板は対向基板であり、
上記凹部が形成された他方の基板はアレイ基板である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された液晶表示装置において、
上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、該複数のゲート線及びソース線を覆って設けられ上記凹部に対応する凹形状を有する感光性樹脂膜と、基板の最外表面を被覆する配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
上記凹部は、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向の大きさが３〜１４μｍであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有する２枚の基板のうち一方の基板の非発光領域に対応する凸部を形成し、他方の基板の非発光領域に対応し且つ上記凸部の突出高さよりと同じまたは小さい深さを有する凹部を形成する基板作製工程と、
上記他方の基板の凹部にビーズスペーサを収容し、該ビーズスペーサを該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持することにより両者間に固定して２枚の基板を基板間距離が一定となるように対向配置させる基板貼り合わせ工程と、
上記基板貼り合わせ工程の前または後に、上記２枚の基板間に液晶材料を導入して液晶層を形成する液晶層形成工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１】
マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有し、互いに対向配置された２枚の基板と、
上記２枚の基板間に設けられた液晶層と、
上記２枚の基板のうち一方の基板の上記液晶層側表面に上記非発光領域に対応して上記他方の基板に向かって突出するように形成された凸部と、
上記他方の基板の上記液晶層側表面に上記凸部と重なる領域に対応して形成され、該凸部の突出高さと同じまたはそれよりも小さい深さを有する凹部と、
上記凹部に収容され、該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持されることにより両者間に固定され、上記２枚の基板間距離が一定となるように保持するビーズスペーサと、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記凸部が形成された一方の基板はアレイ基板であり、
上記凹部が形成された他方の基板は対向基板である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された液晶表示装置において、
上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、を備え、
上記凸部は、上記ゲート線または該ゲート線と同一層に設けられた導電膜と、上記ソース線または該ソース線と同一層に設けられた導電膜と、が積層されて形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載された液晶表示装置において、
上記対向基板は、基板本体と、上記各画素領域に対応する着色膜及び非発光領域に対応する遮光膜からなり該基板本体上に設けられたカラーフィルタ層と、該カラーフィルタ層上に設けられ上記凹部に対応する凹形状を有するオーバーコート層と、該オーバーコート層表面に沿うように設けられた配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載された液晶表示装置において、
上記凸部が形成された一方の基板は対向基板であり、
上記凹部が形成された他方の基板はアレイ基板である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された液晶表示装置において、
上記アレイ基板は、基板本体と、該基板本体上に互いに並行して延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と絶縁層を介して直交すると共に互いに並行して延びるように該基板本体上に設けられた複数のソース線と、該複数のゲート線及びソース線を覆って設けられ上記凹部に対応する凹形状を有する感光性樹脂膜と、基板の最外表面を被覆する配向膜と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載された液晶表示装置において、
上記凹部は、隣接する２つの画素領域を跨ぐ方向の大きさが３〜１４μｍであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
マトリクス状に設けられた複数の画素領域と、該複数の画素領域を区画するように設けられた非発光領域と、を有する２枚の基板のうち一方の基板の非発光領域に対応する凸部を形成し、他方の基板の非発光領域に対応し且つ上記凸部の突出高さよりと同じまたは小さい深さを有する凹部を形成する基板作製工程と、
上記他方の基板の凹部にビーズスペーサを収容し、該ビーズスペーサを該凹部の底面と上記凸部の突出端面で挟持することにより両者間に固定して２枚の基板を基板間距離が一定となるように対向配置させる基板貼り合わせ工程と、
上記基板貼り合わせ工程の前または後に、上記２枚の基板間に液晶材料を導入して液晶層を形成する液晶層形成工程と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１３−２０１５７（Ｐ２０１３−２０１５７Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５４４３６（Ｐ２０１１−１５４４３６）
【出願日】平成２３年７月１３日（２０１１．７．１３）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１３日（２０１１．７．１３）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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