【課題】液晶表示装置の表示品質の劣化を抑制することである。
【解決手段】絶縁基板の上面に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように積層されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１の上方に形成されるドレイン電極７およびソース電極８と、ゲート絶縁膜１１の上面に積層されて、ゲート電極１２が発生させる電界によりドレイン電極７及びソース電極８間の電流を制御する半導体層９と、半導体層９の上方のチャネル領域１３に対応した領域に形成された開口部１４を有する共通電極２と、ドレイン電極７およびソース電極８から離間して配置された帯電防止パターン１６とを含み、帯電防止パターン１６の一端および他端を共通電極２に接続する。 （もっと読む）

【課題】アクティブ動作中に外部電源による電位の制御を必要としない静電気保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板１は、複数のゲート配線２２と、複数のソース配線２１と、高電位側ＥＳＤリング３１及び低電位側ＥＳＤリング３２と、ゲート配線２２及びソース配線２１の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極がゲート配線２２及びソース配線２１のうちの一の配線に接続されたＥＳＤダイオード４２と、アノード電極が当該一の配線に接続されカソード電極が高電位側ＥＳＤリング３１に接続されたＥＳＤダイオード４１と、２本以上のゲート配線２２の各々に対応して配置されアノード電極が低電位側ＥＳＤリング３２に接続されカソード電極が対応するゲート配線２２に接続された低電位固定ダイオード４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置のコントラストと応答速度の両立を図る。
【解決手段】 表示電極の長辺４２と、配向制御窓５０の直線部分５１の距離ｄを短くすると、液晶の応答速度が速くなる。一方、配向制御窓５０を大きくする（距離ｄを短くすることに相当する）と液晶のコントラストが小さくなり好ましくない。前記距離ｄが、２５μｍ〜３０μｍ以下になると、応答速度向上の効果が少なくなる。したがって、距離ｄを２５μｍ〜３０μｍにすることが好ましい。また配向制御窓５０はその幅を７μｍ程度とすることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも３０秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が１×１０^１４／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】非選択期間において、出力信号のノイズが小さく、且つトランジスタの特性劣化を抑制できる液晶表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを設け、第１のトランジスタにおいて、第１端子を第１の配線に接続し、第２端子を第２のトランジスタのゲート端子に接続し、ゲート端子を第５の配線に接続し、第２のトランジスタにおいて第１端子を第３の配線に接続し、第２端子を第６の配線に接続し、第３のトランジスタにおいて第１端子を第２の配線に接続し、第２端子を第２のトランジスタのゲート端子に接続し、ゲート端子を第４の配線に接続し、第４のトランジスタにおいて第１端子を第２の配線に接続し、第２端子を第６の配線に接続し、ゲート端子を第４の配線に接続する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置における表示品位の低下を抑制し、また、消費電力を低減する。
【解決手段】互いに連続したフレーム期間である第１のフレーム期間及び第２のフレーム
期間において、互いに電圧の極性を反転させて液晶素子に電圧を印加することにより画素
の表示を行う液晶表示装置の駆動方法であって、第１のフレーム期間における画像及び第
２のフレーム期間における画像の比較により第１のフレーム期間及び第２のフレーム期間
における画像が静止画像であると判断され、且つ第１のフレーム期間における液晶素子に
印加される電圧の絶対値と、第２の期間における液晶素子に印加される電圧の絶対値と、
が異なる場合に、第１のフレーム期間又は第２のフレーム期間において、液晶素子に印加
される電圧を補正する補正処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿った長さが第１方向に交差する第２方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第２方向に沿って延出した主画素電極及び第１方向に沿って延出し主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第１基板１０と、主画素電極を挟んだ両側で主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び副画素電極を挟んだ両側で副画素電極と略平行に延出し主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第２基板と、第１基板１０と第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、主画素電極と主共通電極との第１方向に沿った水平電極間距離は、主画素電極と主共通電極との第１方向及び第２方向に直交する第３方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】部材を新たに追加することなく、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示が観察可能な表示品位の優れたＦＦＳモードの液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、ゲート配線４３の延在方向に対して０°＜α＜９０°の角度αで傾斜した配向方向を有する配向膜と、画素電極６と、画素電極６上に絶縁膜を介して対向配置される共通電極８と、共通電極８に形成され、画素電極６との間で液晶２０にフリンジ電界を発生させるスリットとを備える。画素内は、配向方向に延在する境界線により分割され、スリットは、各領域において境界線の延在する方向に対して角度±θ傾斜して配置された複数の第１スリットＡ、第２スリットＢと、境界線上に形成され、該境界線に沿う方向に延在する端辺を有する第３スリットＣを有し、第２の基板には配向方向に設定された吸収軸を有する偏光板を有する。 （もっと読む）

【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第１の面および第２の面を有する有機半導体部と、第１の面に隣接されたソース電極部と、第２の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇと、ゲート配線Ｇと交差するソース配線Ｓと、コンタクト部ＰＣおよびコンタクト部ＰＣから延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ソース配線Ｓの下に配置されゲート配線Ｇと交差しソース配線Ｓの下から屈曲してコンタクト部ＰＣの下へ延びた半導体層ＰＳと、を備えた第１基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲと対向して配置され、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた主共通電極ＣＡを備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、半導体層ＰＳは、ゲート配線Ｇと交差する位置の一方側でソース配線Ｓと電気的に接続するとともに、ゲート配線Ｓと交差する位置の他方側でコンタクト部ＰＣと電気的に接続している液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】動作速度を向上させる。
【解決手段】第１のソース及び第１のドレインの一方に画像信号線を介して画像信号が入力され、第１のゲートに第１の走査信号線を介して第１の走査信号が入力される第１のトランジスタ１０１と、２つの電極のうちの一方の電極が第１のトランジスタの第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続される容量素子１０２と、第２のソース及び第２のドレインの一方が第１のトランジスタ１０１の第１のソース及び第１のドレインの他方に電気的に接続され、第２のゲートに第２の走査信号線を介して第２の走査信号が入力される第２のトランジスタ１０３と、第１の電極が第２のトランジスタの第２のソース及び第２のドレインの他方に電気的に接続される液晶素子１０４と、を備え、画像信号線としての機能を有する導電層及び第２の走査信号が入力される走査信号線としての機能を有する導電層は、互いに離間し、且つ並置されている。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１
の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するよ
うに、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形
成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２
の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能であるとともに、表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】直線的に延出した第１電極と、前記第１電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１電極を挟んだ両側で前記第１電極の延出方向と略平行な方向に沿って延出した第２電極と、前記第２電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）のいずれかの金属材料またはいずれかを含む合金によって形成されたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】光照射時の素子特性を安定化する。
【解決手段】酸化物半導体を主体とする半導体膜を成膜する第一工程と、第一工程後に、半導体膜の面上に第一の絶縁膜を成膜する第二工程と、第二工程後に、酸化性雰囲気中で熱処理する第三工程と、第三工程後に、第一の絶縁膜の面上に第二の絶縁膜を成膜する第四工程と、を有し、第二工程と前記第三工程の際に、第一の絶縁膜の厚みをＺ（ｎｍ）とし、第三工程での熱処理温度をＴ（℃）とし、前記第一の絶縁膜及び前記半導体膜中への酸素の拡散距離をＬ（ｎｍ）としたとき、０＜Ｚ＜Ｌ＝８×１０^−６×Ｔ^３−０．００９２×Ｔ^２＋３．６×Ｔ−４６８±０．１の関係式を満たすように第一の絶縁膜の厚みと熱処理温度を調整する。 （もっと読む）