電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、フリッカーを低減し、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板（１０ｓ）と、透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極（９）と、透明基板と複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜（６１、６２）と、透明基板と反射膜との間に、複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスター（３０）と、透明基板の第１面とは異なる第２面側に設けられ、第２面の法線方向から見て少なくとも一部が反射膜に重ならないように設けられ、透明基板を透過した光を検出する光検出素子（６００）と、を備える。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板（１０ｓ）と、透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極（９）と、透明基板と複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜（６１、６２）と、透明基板と反射膜との間に、複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスター（３０）と、透明基板の第１面とは異なる第２面側に設けられ、第２面の法線方向から見て少なくとも一部が反射膜に重ならないように設けられ、透明基板を透過した光を検出する光検出素子（６００）と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶の特性の劣化を防ぐために交流駆動が採用される。例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、液晶を挟んで複数の画素電極に対向する対向電極に対して所定のコモン電位（或いは「共通電位」とも呼ばれる）が供給される一方、画像の内容を示す画像信号がコモン電位を基準として周期的に極性反転されたうえで各画素電極に供給される。しかしながら、画像信号が正極性である場合と負極性である場合とで液晶に印加される電圧実効値が異なると、液晶装置から出射される表示光の光量が周期的に変動するフリッカーと呼ばれる現象が発生するおそれがある。フリッカーは、表示画像のちらつきとして視認されてしまう。一方、このような液晶装置として、光源からの光を反射することにより表示を行う反射型の液晶装置が知られている。
【０００３】
例えば特許文献１や２には、反射型の液晶装置によって反射された光を光検出素子（特許文献１において「光センサ」。特許文献２において「受光手段」。）によって受光して、該受光した光の光量に基づいてコモン電位を調整することによりフリッカーを低減する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１９３０４４号公報
【特許文献２】特開２００１−３３１１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述した例えば特許文献１や２に開示された技術によれば、反射型の液晶装置による表示を妨げずに、反射型の液晶装置によって反射された光を受光可能に光検出素子を配置することが困難であるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば前述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば光検出素子の配置の自由度が高く、フリッカーを低減可能な電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、透明基板と、前記透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極と、前記透明基板と前記複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜と、前記透明基板と前記反射膜との間に、前記複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスターと、前記透明基板の前記第１面とは異なる第２面側に設けられ、前記第２面の法線方向から見て少なくとも一部が前記反射膜に重ならないように設けられ、前記透明基板を透過した光を検出する光検出素子と、を備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、例えば石英基板、ガラス基板等である透明基板の第１面側に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる複数の透明画素電極が設けられる。透明画素電極は、例えば、透明基板の表示領域においてマトリクス状に規定される複数の画素の各々に１つずつ設けられることで、マトリクス状に配列される。透明基板と複数の透明画素電極との間（言い換えれば、透明基板の第１面側に形成された積層構造における複数の透明画素電極よりも透明基板側）に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の反射材料からなる反射膜が設けられる。反射膜は、例えば透明基板の表示領域に設けられ、複数の透明画素電極を透過した光を反射する。透明基板と反射膜との間（言い換えれば、透明基板の第１面側に形成された積層構造における反射膜よりも透明基板側）に、複数の画素トランジスターが設けられる。画素トランジスターは、例えば、複数の透明画素電極の各々に対応して１つずつ設けられている。本発明の電気光学装置では、複数の透明画素電極、反射膜、複数の画素トランジスター等が設けられた透明基板と、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極が形成された対向基板とが、例えば液晶等の電気光学物質を介して互いに対向するように配置される。本発明の電気光学装置の動作時には、透明画素電極と対向電極と間に画像信号に応じた電圧が印加されることで、例えば液晶等の電気光学物質が入射光を変調することで、表示領域における画像表示が行われる。入射光は、電気光学物質に対して対向基板側から入射され、電気光学物質及び透明画素電極を通過して、反射膜によって反射されて、最終的に表示光として電気光学装置から出射される。対向電極には、所定のコモン電位（或いは共通電位）が供給され、画像信号はコモン電位を基準として周期的に極性反転される。
【０００９】
本発明では特に、透明基板の第１面とは異なる第２面（言い換えれば、透明基板の２つの基板面のうち複数の透明画素電極が設けられた基板面とは異なる基板面）側に設けられ、透明基板を透過した光を検出する光検出素子を備える。光検出素子は、透明基板の第２面の法線方向から見て少なくとも一部が反射膜に重ならないように設けられる。よって、本発明の電気光学装置の動作時に、例えば液晶等の電気光学物質を透過した光を光検出素子によって検出することができる。従って、光検出素子によって検出した光の光量に基づいて、フリッカーを低減するようにコモン電位を調整することが可能となる。即ち、例えば、光検出素子によって検出した光の光量に基づいて、発生しているフリッカー（言い換えれば、光の光量の周期的な変動量）を検出し、該検出したフリッカーが小さく或いは無くなるようにコモン電位を設定することができる。これにより、本発明の電気光学装置の動作時におけるフリッカーを低減できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００１０】
ここで本発明では特に、光検出素子は、透明基板の第１面とは異なる第２面側（言い換えれば、電気光学装置の表示光が出射されない面側）に設けられるので、表示領域における表示を妨げない（即ち、表示に悪影響を及ぼさない）。よって、例えば、光検出素子が透明基板の第１面側に設けられる場合や、光検出素子が電気光学装置の表示光が出射される面側に設けられる場合と比較して、光検出素子の配置の自由度が高く、実践上大変有利である。
【００１１】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、光検出素子によって検出した光の光量に基づいてコモン電位を調整することで、フリッカーを低減でき、高品位な表示を行うことが可能となる。更に、光検出素子の配置の自由度が高いので、実践上大変有利である。
【００１２】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記反射膜と同一層に設けられた透明電極を備える。
【００１３】
この態様によれば、透明電極によって、透明基板の第１面側に形成される積層構造の表面の平坦性を高めることができる。更に、反射膜及び透明電極に一定の電位を供給することにより、反射膜が設けられた領域（言い換えれば、透明基板における光が反射される領域）と透明電極が設けられた領域（言い換えれば、透明基板における光が透過する領域）とで、例えば液晶等の電気光学物質に印加される電圧を殆ど或いは実践上完全に揃えることができる。即ち、反射膜が設けられた領域と透明電極が設けられた領域とで、例えば液晶等の電気光学物質に印加される電界の差を小さくすることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記反射膜は、前記透明基板の表示領域に設けられるとともに、前記透明基板の前記表示領域の周辺に位置する周辺領域において少なくとも部分的に除去されており、前記光検出素子は、前記周辺領域に設けられる。
【００１５】
この態様によれば、表示領域において反射膜によって光を確実に反射することができるとともに、周辺領域において透明基板を透過した光を光検出素子によって確実に検出できる。よって、光検出素子によって表示が妨げられることがなく、フリッカーが低減された高品位な表示を行うことが可能となる。
【００１６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、前述した本発明の電気光学装置（但し、各種態様を含む）を備える。
【００１７】
本発明の電子機器によれば、前述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００１８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る液晶パネルの構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶パネルの複数の画素の具体的な構成を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI’線断面図である。
【図７】第１実施形態に係る上部反射膜の平面形状を示す平面図である。
【図８】第１実施形態に係る下部反射膜の平面形状を示す平面図である。
【図９】第１実施形態に係る液晶パネルのダミー画素の構成を示す平面図である。
【図１０】図９のX−X’線断面図である。
【図１１】第１実施形態に係る光検出器の配置を模式的に示す平面図である。
【図１２】第１実施形態に係る光検出器の配置を模式的に示す断面図である。
【図１３】第２実施形態に係る液晶パネルのダミー画素の構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV’線断面図である。
【図１５】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の反射型の液晶装置を例にとる。
【００２１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１２を参照して説明する。
【００２２】
先ず、本実施形態に係る液晶装置が備える液晶パネルの全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II’線断面図である。
【００２４】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶パネル１００では、素子基板１０と対向基板２０とが互いに対向して配置されている。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。液晶パネル１００は、対向基板２０側から入射される光を、液晶層５０によって変調するとともに素子基板１０に設けられた反射膜によって反射して表示光として出射する反射型の液晶パネルである。
【００２５】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、表示領域１０ａの額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、素子基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。なお、額縁領域５３ａは、表示領域１０ａを取り囲む額縁状の領域であり、シール領域５２ａよりも表示領域１０ａ側に規定されている。額縁領域５３ａは、表示領域１０ａとシール領域５２ａとの間で、表示領域１０ａを囲むように規定された領域である。
【００２６】
素子基板１０には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線１９０が形成されている。
【００２７】
図２において、素子基板１０は、透明基板上に画素スイッチング用の画素ＴＦＴや反射膜、走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されてなる。素子基板１０における表示領域１０ａには、画素ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０における素子基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２８】
なお、ここでは図示しないが、素子基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００２９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図３を参照して説明する。
【００３０】
図３は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置１は、図１及び図２を参照して前述した液晶パネル１００に加えて、タイミング制御回路２００、画像信号供給回路３００、電源回路４００、フリッカー検出回路５００及び光検出器６００を備えている。なお、光検出器６００は、本発明に係る「光検出素子」の一例である。
【００３２】
タイミング制御回路２００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路２００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００３３】
画像信号供給回路３００は、外部から入力される１系統の入力画像データＤＡＴＡを、１水平走査期間毎に電位が、後述する電源回路４００から供給されるコモン電位Ｖｃｏｍに対して正極性及び負極性に反転するように変換して、画像信号ＶＩＤを生成する。尚、画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データＤＡＴＡをシリアル−パラレル変換して、例えば６相、９相、１２相、２４相、４８相、９６相、・・・などｎ相の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤｎを生成するようにしてもよい。
【００３４】
電源回路４００は、各部で使用される各種の電源電位を生成して出力する電源回路である。電源回路４００は、コモン電位Ｖｃｏｍを、画像信号供給回路３００及び図２を参照して前述した対向電極２１に供給する。電源回路４００は、後述するフリッカー検出回路５００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生するフリッカーが小さくなるように、コモン電位Ｖｃｏｍを調整する。具体的には、例えば、電源回路４００は、フリッカー検出回路５００によって検出されたフリッカーに基づいて、コモン電位Ｖｃｏｍをフリッカーが小さくなるように補正するための補正電圧を算出する補正電圧算出手段を有しており、この補正電圧算出手段により算出した補正電圧をコモン電位Ｖｃｏｍの基準値（例えば７ボルト）に加えることにより、出力すべきコモン電位Ｖｃｏｍとして設定する。なお、電源回路４００における、検出されたフリッカーに基づいてフリッカーが小さくなるようにコモン電位Ｖｃｏｍを調整する方法については、周知の技術を採用することができる。
【００３５】
フリッカー検出回路５００は、後述する光検出器６００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生しているフリッカーを検出する。フリッカー検出回路５００は、光検出器６００によって検出される光の光量の周期的な変動量をフリッカーとして検出する。フリッカー検出回路５００は、検出したフリッカーに関する情報を示す検出信号を電源回路４００に出力する。
【００３６】
光検出器６００は、液晶パネル１００を透過した光（以下、適宜「透過光」と称する）を検出する光センサーであり、液晶パネル１００の素子基板１０における画素電極９等が設けられた面とは異なる面側に設けられている。本実施形態に係る液晶装置１は、液晶パネル１００における周辺領域を通過した光を光検出器６００が検出可能に構成されている。なお、光検出器６００の配置については、後に図１１及び図１２を参照して詳細に説明する。
【００３７】
次に、液晶パネル１００の電気的な構成について、図４を参照して説明する。
【００３８】
図４は、液晶パネル１００の電気的な構成を示すブロック図である。
【００３９】
図４に示すように、液晶パネル１００は、その素子基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を備えている。
【００４０】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）を順次生成して出力する。
【００４１】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）を順次生成して出力する。
【００４２】
サンプリング回路７は、データ線６毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ７１を備えている。各サンプリングスイッチ７１には、画像信号ＶＩＤが供給され、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング信号Ｓｉにより各サンプリングスイッチ７１は順次閉じられる。即ち、画像信号ＶＩＤをデータ線６毎にサンプリング信号Ｓｉに応じてサンプリングして、複数のデータ線６にデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）として夫々印加するように構成されている。
【００４３】
より具体的には、サンプリングスイッチ７１は、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されており、画像信号線８がサンプリングスイッチ７１のソース電極に接続されており、サンプリング信号線１９１がサンプリングスイッチ７１のゲート電極に接続されている。そして、画像信号線８を介して画像信号ＶＩＤが入力されると共にサンプリング信号線１９１を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング信号Ｓｉが入力されると、画像信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６にデータ信号Ｄｉとして印加するように構成されている。
【００４４】
図４に示すように、素子基板１０の表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９と該画素電極９をスイッチング制御するための画素ＴＦＴ３０とが形成されており、データ信号Ｄｉが供給されるデータ線６が当該画素ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込むデータ信号Ｄｉは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。尚、画素ＴＦＴ３０は、本発明に係る「画素トランジスター」の一例である。
【００４５】
また、画素ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されている。走査線１１には、走査線駆動回路１０４から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍが、この順に線順次で印加されるように構成されている。尚、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍがこの順に線順次で走査線１１に印加されるように構成しているが、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｍ）が走査線１１に印加される順序は、任意の順序であってもよい。画素電極９は、画素ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である画素ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給されるデータ信号Ｄｉを所定のタイミングで書き込む。
【００４６】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）は、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９と並列して画素ＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、コモン電位Ｖｃｏｍが供給される容量線４００に電気的に接続されている。
【００４８】
次に、液晶パネル１００の表示領域１０ａを構成する複数の画素の具体的な構成について、図５から図８を参照して説明する。
【００４９】
図５は、液晶パネル１００の複数の画素の具体的な構成を示す平面図であり、図６は、図５のVI−VI’線断面図である。
【００５０】
図５及び図６において、素子基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等である透明基板１０ｓと、この透明基板１０ｓの面Ｓ１側に形成された画素ＴＦＴ３０、走査線１１、データ線６、下部反射膜６２、上部反射膜６１、画素電極９、中継層９１、９２及び９３とを備えている。なお、上部反射膜６１及び下部反射膜６２は、本発明に係る「反射膜」の一例である。
【００５１】
透明基板１０ｓの表示領域１０ａは、画素電極９及び画素ＴＦＴ３０が夫々設けられた複数の画素９００によって構成されている。
【００５２】
図５に示すように、走査線１１及びデータ線６は互いに交差するように設けられている。具体的には、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延在しており、データ線６は、Ｘ方向に交差するＹ方向に沿って延在している。走査線１１及びデータ線６が互いに交差する個所の各々に画素ＴＦＴ３０が設けられている。
【００５３】
図５及び図６において、画素ＴＦＴ３０は、例えばポリシリコンからなる半導体層３０ａを備えている。半導体層３０ａは、透明基板１０ｓ上に設けられた例えばシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜１２上に形成されており、チャネル領域３０ａｃ、ソース領域３０ａｓ及びドレイン領域３０ａｄを有している。なお、チャネル領域３０ａｃとソース領域３０ａｓとの界面、又は、チャネル領域３０ａｃとドレイン領域３０ａｄとの界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００５４】
チャネル領域３０ａｃは、例えばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１３を介して走査線１１と対向しており、走査線１１のうちチャネル領域３０ａｃに対向する部分が画素ＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。半導体層３０ａは、データ線６に重なるようにＹ方向に延在する部分と、この部分からＸ方向に沿って延在する部分とを有している。チャネル領域３０ａｃは、データ線６と走査線１１とが交差する部分において、走査線１１に重なっている。
【００５５】
ソース領域３０ａｓは、層間絶縁膜４１を介して走査線１１の上層側に形成されたデータ線６に、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール８４を介して電気的に接続されている。
【００５６】
ドレイン領域３０ａｄは、データ線６と同層に形成された中継層９１に、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール８４を介して電気的に接続されている。中継層９１は、層間絶縁膜４２を介して当該中継層９１の上層側に形成された中継層９２に、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８２を介して電気的に接続されている。中継層９２は、層間絶縁膜４４上に形成された画素電極９に、層間絶縁膜４４及び４３を貫通するコンタクトホール８３を介して電気的に接続されている。即ち、ドレイン領域３０ａｄは、中継層９１及び９２を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００５７】
ドレイン領域３０ａｄは、誘電体膜を介して容量線４００と対向する部分を有している。図４を参照して前述した蓄積容量７０は、ドレイン領域３０ａｄと容量線４００とが誘電体膜を介して対向することにより形成されている。
【００５８】
層間絶縁膜４１、４２、４３及び４４は、例えばシリコン酸化膜等からなる。
【００５９】
本実施形態では、透明基板１０ｓ上の積層構造において、画素ＴＦＴ３０と画素電極９との間（言い換えれば、画素ＴＦＴ３０よりも上層側であって画素電極９よりも下層側）に上部反射膜６１が設けられており、この上部反射膜６１と画素ＴＦＴ３０との間（言い換えれば、画素ＴＦＴ３０よりも上層側であって上部反射膜６１よりも下層側）に下部反射膜６２が設けられている。
【００６０】
図７は、上部反射膜６１の平面形状を示す平面図である。
【００６１】
図７に示すように、上部反射膜６１は、複数の画素９００の各々に、画素電極９に重なるように島状に設けられている。隣り合う上部反射膜６１間には隙間が形成されている。
【００６２】
図５に示すように、上部反射膜６１は、層間絶縁膜４３（図６参照）を貫通するコンタクトホール８３を介して、中継層９２と同層（即ち、層間絶縁膜４２上）に形成された中継層９３に電気的に接続されている。中継層９３は、層間絶縁膜４２（図６参照）を貫通するコンタクトホール８４を介して下部反射膜６２に電気的に接続されている。即ち、上部反射膜６１は、中継層９３を介して下部反射膜６２に電気的に接続されている。下部反射膜６２は、周辺領域において、所定電位を供給する所定電位線に電気的に接続されている。上部反射膜６１は、例えばアルミニウムを含んでなる。上部反射膜６１は、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、或いはこれらの積層膜から形成されてもよい。
【００６３】
図８は、下部反射膜６２の平面形状を示す平面図である。
【００６４】
図８に示すように、下部反射膜６２は、Ｘ方向（即ち、走査線１１が延びる方向）で隣り合う上部反射膜６１間の隙間に重なるように、Ｙ方向（即ち、データ線６が延びる方向）に沿って延びる本線部と、この本線部から、Ｙ方向で隣り合う上部反射膜６１間の隙間に重なるように、Ｘ方向に沿って延びる延在部とを有している。下部反射膜６２は、上部反射膜６１と同様に、例えばアルミニウムを含んでなる。下部反射膜６２は、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、或いはこれらの積層膜から形成されてもよい。
【００６５】
このように、液晶パネル１００は、表示領域１０ａ内の概ね全体に上部反射膜６１及び下部反射膜６２の少なくとも一方が形成されており、対向基板２０（図２参照）側から入射される光を、液晶層５０（図２参照）によって変調するとともに上部反射膜６１及び下部反射膜６２によって反射して、対向基板２０側から表示光として出射する。
【００６６】
図５及び図６において、画素電極９は、表示領域１０ａにおいて、マトリクス状に配列された複数の画素９００の各々に１つずつ設けられている。画素電極９は、層間絶縁膜４４を介して上部反射膜６１の上層側に設けられている。画素電極９は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる。画素電極９は、前述したように、中継層９１及び９２を介してＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａｄに電気的に接続されている。
【００６７】
次に、液晶パネル１００の周辺領域の一部である額縁領域５３ａに設けられたダミー画素の構成について、図９及び図１０を参照して説明する。
【００６８】
図９は、液晶パネル１００のダミー画素の構成を示す平面図であり、図１０は、図９のX−X’線断面図である。
【００６９】
図９及び図１０において、本実施形態では、液晶パネル１００の額縁領域５３ａにダミー画素９００ｄが設けられている。ダミー画素９００ｄは、前述した表示領域１０ａに設けられた画素９００と概ね同様の構成を有している。以下では、ダミー画素９００ｄが、画素９００と異なる構成について主に説明し、画素９００と同様の構成については、それらの説明を適宜省略する。
【００７０】
図９及び図１０において、ダミー画素９００ｄは、図５から図８を参照して前述した上部反射膜６１及び下部反射膜６２を有していない点で、前述した画素９００と異なり、その他の点については、画素９００と概ね同様に構成されている。
【００７１】
ダミー画素９００ｄは、上部反射膜６１及び下部反射膜６２を有していないので、液晶層５０を通過して額縁領域５３ａにおいて素子基板１０に入射した光の少なくとも一部は、透明基板１０ｓを透過して透過基板１０ｓにおける対向基板２０と対向しない面Ｓ２側に到達する。本実施形態に係る液晶装置１は、このように透過基板１０ｓの面Ｓ２から出射される光（言い換えれば、液晶パネル１００を透過した光）を、図３を参照して前述した光検出器６００によって検出する。
【００７２】
次に、光検出器６００の配置について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００７３】
図１１は、光検出器６００の配置を模式的に示す平面図である。図１２は、光検出器６００の配置を模式的に示す断面図である。なお、図１１及び図１２では、説明の便宜上、図５から図８を参照して前述した上部反射膜６１及び下部反射膜６２を一体的に示してある。図１２では、説明の便宜上、図５から図１０を参照して前述した素子基板１０の透明基板１０ｓ上の積層構造の図示を省略している。
【００７４】
図１１に示すように、光検出器６００は、液晶パネル１００の額縁領域５３ａの一部に重なるように４個設けられている。なお、光検出器６００の個数は、４個に限定されるものではなく、１個だけであってもよいし、２個、３個或いは５個以上であってもよい。
【００７５】
光検出器６００は、額縁領域５３ａにおいて透明基板１０ｓの面Ｓ２から出射される光を受光可能なように、透明基板１０ｓの面Ｓ２に対向する受光面を有している。
【００７６】
以上のように構成された本実施形態に係る液晶装置１によれば、その動作時に、液晶層５０（図２参照）を透過した光を光検出器６００によって確実に検出することができる。よって、光検出器６００によって検出した光の光量に基づいて、液晶パネル１００で発生しているフリッカーをフリッカー検出回路５００によって確実に検出することができる。従って、フリッカー検出回路５００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生するフリッカーが小さくなるように、電源回路４００によってコモン電位Ｖｃｏｍを確実に調整することが可能となる。これにより、液晶装置１の動作時におけるフリッカーを低減できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００７７】
ここで本実施形態では特に、光検出器６００は、透明基板１０ｓの面Ｓ２側（言い換えれば、液晶パネル１００の表示光が出射されない面側）に設けられるので、表示領域１０ａにおける表示を妨げない（即ち、表示に悪影響を及ぼさない）。よって、例えば、光検出器６００が透明基板１０ｓの面Ｓ１上の積層構造の一部として設けられる場合や、光検出器６００が液晶パネル１００の表示光が出射される面側に設けられる場合と比較して、光検出器６００の配置の自由度が高く、実践上大変有利である。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１によれば、光検出器６００によって検出した光の光量に基づいてコモン電位Ｖｃｏｍを調整することで、フリッカーを低減でき、高品位な表示を行うことが可能となる。更に、光検出器６００の配置の自由度が高いので、実践上大変有利である。
【００７９】
なお、本実施形態では、ダミー画素９００ｄが上部反射膜６１及び下部反射膜６２を有していない場合を例として挙げたが、表示領域１０ａを構成する複数の画素９００の一部が上部反射膜６１及び下部反射膜６２の少なくとも一方を有していないように構成してもよい。この場合にも、透明基板１０ｓの面Ｓ２から出射される光を受光可能なように光検出器６００を配置することで、液晶パネル１００を透過した光を光検出器６００によって検出することができ、フリッカーをフリッカー検出回路５００によって検出することが可能となる。
【００８０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図１３及び図１４を参照して説明する。
【００８１】
図１３は、第２実施形態に係る液晶パネルのダミー画素の構成を示す平面図であり、図１４は、図１３のXIV−XIV’線断面図である。なお、図１３及び図１４において、図１から図１２に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８２】
図１３及び図１４において、第２実施形態に係る液晶装置は、前述した第１実施形態におけるダミー画素９００ｄに代えてダミー画素９００ｄ２を備える点で、前述した第１実施形態に係る液晶装置１と異なり、その他の点については、前述した第１実施形態に係る液晶装置１と概ね同様に構成されている。
【００８３】
図１３及び図１４において、第２実施形態では、液晶パネル１００の額縁領域５３ａにダミー画素９００ｄ２が設けられている。ダミー画素９００ｄ２は、表示領域１０ａに設けられた画素９００（図５及び図６参照）と概ね同様の構成を有している。以下では、ダミー画素９００ｄ２が、画素９００と異なる構成について主に説明することとし、画素９００と同様の構成については、それらの説明を適宜省略する。
【００８４】
図１３及び図１４において、ダミー画素９００ｄ２は、図５から図７を参照して前述した上部反射膜６１に代えて透明電極６５を有する点で、画素９００と異なり、その他の点については、画素９００と概ね同様に構成されている。
【００８５】
ダミー画素９００ｄ２は、上部反射膜６１に代えて透明電極６５を有しているので、液晶層５０を通過して額縁領域５３ａにおいて素子基板１０に入射した光の少なくとも一部は、透明基板１０ｓを透過して透明基板１０ｓにおける対向基板２０と対向しない面Ｓ２側に到達する。よって、本実施形態に係る液晶装置によれば、このように透明基板１０１０ｓの面Ｓ２から出射される光（言い換えれば、液晶パネル１００を透過した光）を、図３を参照して前述した光検出器６００によって検出することができる。よって、前述した第１実施形態に係る液晶装置１と同様に、光検出器６００によって検出した光の光量に基づいて、液晶パネル１００で発生しているフリッカーをフリッカー検出回路５００によって検出できる。従って、フリッカー検出回路５００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生するフリッカーが小さくなるように、電源回路４００によってコモン電位Ｖｃｏｍを確実に調整することが可能となる。これにより、本実施形態に係る液晶装置の動作時におけるフリッカーを低減できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００８６】
本実施形態では特に、ダミー画素９００ｄ２は、画素９００における上部反射膜６１に代えて透明電極６５を有しており、透明電極６５は、所定電位とされる。上部反射膜６１が設けられた領域（言い換えれば、表示領域１０ａ）と透明電極６５が設けられた領域（言い換えれば、額縁領域５３ａ）とで、液晶層５０に印加される電圧を殆ど或いは実践上完全に揃えることができる。即ち、上部反射膜６１が設けられた表示領域１０ａと透明電極６５が設けられた額縁領域５３ａとで、液晶層５０に印加される電界の差を小さくすることができる。この結果、より高品位な表示を行うことが可能となる。
【００８７】
＜電子機器＞
次に、前述した電気光学装置である反射型の液晶装置を電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、本発明に係る電子機器として、投射型液晶プロジェクターを例にとる。
【００８８】
図１５は、本実施形態に係る投射型液晶プロジェクターの図式的断面図である。
【００８９】
図１５において、液晶プロジェクター１１００は、夫々ＲＧＢ用の液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの３枚を用いた複板式カラープロジェクタとして構築されている。液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの各々は、前述した反射型の液晶装置１が使用されている。
【００９０】
図１５に示すように、液晶プロジェクター１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、２枚のミラー１１０６、２枚のダイクロイックミラー１１０８及び３つの偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１１３によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応する液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。尚、この際、光路における光損失を防ぐために、光路の途中にレンズを適宜設けてもよい。そして、液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、クロスプリズム１１１２により合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー映像として投射される。
【００９１】
なお、液晶ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８及び偏光ビームスプリッター１１１３によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９２】
なお、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９３】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９４】
本発明は、前述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備える電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９５】
６…データ線、９…画素電極、１０…素子基板、１０ｓ…透明基板、１１…走査線、２０…対向基板、３０…画素ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、５０…液晶層、１０ａ…表示領域、５３ａ…額縁領域、６１…上部反射膜、６２…下部反射膜、９１、９２、９３…中継層、１００…液晶パネル、２００…タイミング制御回路、３００…画像信号供給回路、４００…電源回路、５００…フリッカー検出回路、６００…光検出器、９００…画素、９００ｄ、９００ｄ２…ダミー画素。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶の特性の劣化を防ぐために交流駆動が採用される。例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、液晶を挟んで複数の画素電極に対向する対向電極に対して所定のコモン電位（或いは「共通電位」とも呼ばれる）が供給される一方、画像の内容を示す画像信号がコモン電位を基準として周期的に極性反転されたうえで各画素電極に供給される。しかしながら、画像信号が正極性である場合と負極性である場合とで液晶に印加される電圧実効値が異なると、液晶装置から出射される表示光の光量が周期的に変動するフリッカーと呼ばれる現象が発生するおそれがある。フリッカーは、表示画像のちらつきとして視認されてしまう。一方、このような液晶装置として、光源からの光を反射することにより表示を行う反射型の液晶装置が知られている。
【０００３】
例えば特許文献１や２には、反射型の液晶装置によって反射された光を光検出素子（特許文献１において「光センサ」。特許文献２において「受光手段」。）によって受光して、該受光した光の光量に基づいてコモン電位を調整することによりフリッカーを低減する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１９３０４４号公報
【特許文献２】特開２００１−３３１１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述した例えば特許文献１や２に開示された技術によれば、反射型の液晶装置による表示を妨げずに、反射型の液晶装置によって反射された光を受光可能に光検出素子を配置することが困難であるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば前述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば光検出素子の配置の自由度が高く、フリッカーを低減可能な電気光学装置、及びこのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、透明基板と、前記透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極と、前記透明基板と前記複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜と、前記透明基板と前記反射膜との間に、前記複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスターと、前記透明基板の前記第１面とは異なる第２面側に設けられ、前記第２面の法線方向から見て少なくとも一部が前記反射膜に重ならないように設けられ、前記透明基板を透過した光を検出する光検出素子と、を備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、例えば石英基板、ガラス基板等である透明基板の第１面側に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる複数の透明画素電極が設けられる。透明画素電極は、例えば、透明基板の表示領域においてマトリクス状に規定される複数の画素の各々に１つずつ設けられることで、マトリクス状に配列される。透明基板と複数の透明画素電極との間（言い換えれば、透明基板の第１面側に形成された積層構造における複数の透明画素電極よりも透明基板側）に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の反射材料からなる反射膜が設けられる。反射膜は、例えば透明基板の表示領域に設けられ、複数の透明画素電極を透過した光を反射する。透明基板と反射膜との間（言い換えれば、透明基板の第１面側に形成された積層構造における反射膜よりも透明基板側）に、複数の画素トランジスターが設けられる。画素トランジスターは、例えば、複数の透明画素電極の各々に対応して１つずつ設けられている。本発明の電気光学装置では、複数の透明画素電極、反射膜、複数の画素トランジスター等が設けられた透明基板と、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極が形成された対向基板とが、例えば液晶等の電気光学物質を介して互いに対向するように配置される。本発明の電気光学装置の動作時には、透明画素電極と対向電極と間に画像信号に応じた電圧が印加されることで、例えば液晶等の電気光学物質が入射光を変調することで、表示領域における画像表示が行われる。入射光は、電気光学物質に対して対向基板側から入射され、電気光学物質及び透明画素電極を通過して、反射膜によって反射されて、最終的に表示光として電気光学装置から出射される。対向電極には、所定のコモン電位（或いは共通電位）が供給され、画像信号はコモン電位を基準として周期的に極性反転される。
【０００９】
本発明では特に、透明基板の第１面とは異なる第２面（言い換えれば、透明基板の２つの基板面のうち複数の透明画素電極が設けられた基板面とは異なる基板面）側に設けられ、透明基板を透過した光を検出する光検出素子を備える。光検出素子は、透明基板の第２面の法線方向から見て少なくとも一部が反射膜に重ならないように設けられる。よって、本発明の電気光学装置の動作時に、例えば液晶等の電気光学物質を透過した光を光検出素子によって検出することができる。従って、光検出素子によって検出した光の光量に基づいて、フリッカーを低減するようにコモン電位を調整することが可能となる。即ち、例えば、光検出素子によって検出した光の光量に基づいて、発生しているフリッカー（言い換えれば、光の光量の周期的な変動量）を検出し、該検出したフリッカーが小さく或いは無くなるようにコモン電位を設定することができる。これにより、本発明の電気光学装置の動作時におけるフリッカーを低減できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００１０】
ここで本発明では特に、光検出素子は、透明基板の第１面とは異なる第２面側（言い換えれば、電気光学装置の表示光が出射されない面側）に設けられるので、表示領域における表示を妨げない（即ち、表示に悪影響を及ぼさない）。よって、例えば、光検出素子が透明基板の第１面側に設けられる場合や、光検出素子が電気光学装置の表示光が出射される面側に設けられる場合と比較して、光検出素子の配置の自由度が高く、実践上大変有利である。
【００１１】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、光検出素子によって検出した光の光量に基づいてコモン電位を調整することで、フリッカーを低減でき、高品位な表示を行うことが可能となる。更に、光検出素子の配置の自由度が高いので、実践上大変有利である。
【００１２】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記反射膜と同一層に設けられた透明電極を備える。
【００１３】
この態様によれば、透明電極によって、透明基板の第１面側に形成される積層構造の表面の平坦性を高めることができる。更に、反射膜及び透明電極に一定の電位を供給することにより、反射膜が設けられた領域（言い換えれば、透明基板における光が反射される領域）と透明電極が設けられた領域（言い換えれば、透明基板における光が透過する領域）とで、例えば液晶等の電気光学物質に印加される電圧を殆ど或いは実践上完全に揃えることができる。即ち、反射膜が設けられた領域と透明電極が設けられた領域とで、例えば液晶等の電気光学物質に印加される電界の差を小さくすることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記反射膜は、前記透明基板の表示領域に設けられるとともに、前記透明基板の前記表示領域の周辺に位置する周辺領域において少なくとも部分的に除去されており、前記光検出素子は、前記周辺領域に設けられる。
【００１５】
この態様によれば、表示領域において反射膜によって光を確実に反射することができるとともに、周辺領域において透明基板を透過した光を光検出素子によって確実に検出できる。よって、光検出素子によって表示が妨げられることがなく、フリッカーが低減された高品位な表示を行うことが可能となる。
【００１６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、前述した本発明の電気光学装置（但し、各種態様を含む）を備える。
【００１７】
本発明の電子機器によれば、前述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００１８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る液晶パネルの構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶パネルの複数の画素の具体的な構成を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI’線断面図である。
【図７】第１実施形態に係る上部反射膜の平面形状を示す平面図である。
【図８】第１実施形態に係る下部反射膜の平面形状を示す平面図である。
【図９】第１実施形態に係る液晶パネルのダミー画素の構成を示す平面図である。
【図１０】図９のX−X’線断面図である。
【図１１】第１実施形態に係る光検出器の配置を模式的に示す平面図である。
【図１２】第１実施形態に係る光検出器の配置を模式的に示す断面図である。
【図１３】第２実施形態に係る液晶パネルのダミー画素の構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV’線断面図である。
【図１５】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の反射型の液晶装置を例にとる。
【００２１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１２を参照して説明する。
【００２２】
先ず、本実施形態に係る液晶装置が備える液晶パネルの全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II’線断面図である。
【００２４】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶パネル１００では、素子基板１０と対向基板２０とが互いに対向して配置されている。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、素子基板１０と対向基板２０とは、表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。液晶パネル１００は、対向基板２０側から入射される光を、液晶層５０によって変調するとともに素子基板１０に設けられた反射膜によって反射して表示光として出射する反射型の液晶パネルである。
【００２５】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、表示領域１０ａの額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、素子基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。なお、額縁領域５３ａは、表示領域１０ａを取り囲む額縁状の領域であり、シール領域５２ａよりも表示領域１０ａ側に規定されている。額縁領域５３ａは、表示領域１０ａとシール領域５２ａとの間で、表示領域１０ａを囲むように規定された領域である。
【００２６】
素子基板１０には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線１９０が形成されている。
【００２７】
図２において、素子基板１０は、透明基板上に画素スイッチング用の画素ＴＦＴや反射膜、走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されてなる。素子基板１０における表示領域１０ａには、画素ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０における素子基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２８】
なお、ここでは図示しないが、素子基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００２９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図３を参照して説明する。
【００３０】
図３は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示すブロック図である。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置１は、図１及び図２を参照して前述した液晶パネル１００に加えて、タイミング制御回路２００、画像信号供給回路３００、電源回路４００、フリッカー検出回路５００及び光検出器６００を備えている。なお、光検出器６００は、本発明に係る「光検出素子」の一例である。
【００３２】
タイミング制御回路２００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路２００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが作成され、このドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。
【００３３】
画像信号供給回路３００は、外部から入力される１系統の入力画像データＤＡＴＡを、１水平走査期間毎に電位が、後述する電源回路４００から供給されるコモン電位Ｖｃｏｍに対して正極性及び負極性に反転するように変換して、画像信号ＶＩＤを生成する。尚、画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データＤＡＴＡをシリアル−パラレル変換して、例えば６相、９相、１２相、２４相、４８相、９６相、・・・などｎ相の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤｎを生成するようにしてもよい。
【００３４】
電源回路４００は、各部で使用される各種の電源電位を生成して出力する電源回路である。電源回路４００は、コモン電位Ｖｃｏｍを、画像信号供給回路３００及び図２を参照して前述した対向電極２１に供給する。電源回路４００は、後述するフリッカー検出回路５００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生するフリッカーが小さくなるように、コモン電位Ｖｃｏｍを調整する。具体的には、例えば、電源回路４００は、フリッカー検出回路５００によって検出されたフリッカーに基づいて、コモン電位Ｖｃｏｍをフリッカーが小さくなるように補正するための補正電圧を算出する補正電圧算出手段を有しており、この補正電圧算出手段により算出した補正電圧をコモン電位Ｖｃｏｍの基準値（例えば７ボルト）に加えることにより、出力すべきコモン電位Ｖｃｏｍとして設定する。なお、電源回路４００における、検出されたフリッカーに基づいてフリッカーが小さくなるようにコモン電位Ｖｃｏｍを調整する方法については、周知の技術を採用することができる。
【００３５】
フリッカー検出回路５００は、後述する光検出器６００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生しているフリッカーを検出する。フリッカー検出回路５００は、光検出器６００によって検出される光の光量の周期的な変動量をフリッカーとして検出する。フリッカー検出回路５００は、検出したフリッカーに関する情報を示す検出信号を電源回路４００に出力する。
【００３６】
光検出器６００は、液晶パネル１００を透過した光（以下、適宜「透過光」と称する）を検出する光センサーであり、液晶パネル１００の素子基板１０における画素電極９等が設けられた面とは異なる面側に設けられている。本実施形態に係る液晶装置１は、液晶パネル１００における周辺領域を通過した光を光検出器６００が検出可能に構成されている。なお、光検出器６００の配置については、後に図１１及び図１２を参照して詳細に説明する。
【００３７】
次に、液晶パネル１００の電気的な構成について、図４を参照して説明する。
【００３８】
図４は、液晶パネル１００の電気的な構成を示すブロック図である。
【００３９】
図４に示すように、液晶パネル１００は、その素子基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を備えている。
【００４０】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）を順次生成して出力する。
【００４１】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）を順次生成して出力する。
【００４２】
サンプリング回路７は、データ線６毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ７１を備えている。各サンプリングスイッチ７１には、画像信号ＶＩＤが供給され、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング信号Ｓｉにより各サンプリングスイッチ７１は順次閉じられる。即ち、画像信号ＶＩＤをデータ線６毎にサンプリング信号Ｓｉに応じてサンプリングして、複数のデータ線６にデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）として夫々印加するように構成されている。
【００４３】
より具体的には、サンプリングスイッチ７１は、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されており、画像信号線８がサンプリングスイッチ７１のソース電極に接続されており、サンプリング信号線１９１がサンプリングスイッチ７１のゲート電極に接続されている。そして、画像信号線８を介して画像信号ＶＩＤが入力されると共にサンプリング信号線１９１を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング信号Ｓｉが入力されると、画像信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６にデータ信号Ｄｉとして印加するように構成されている。
【００４４】
図４に示すように、素子基板１０の表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９と該画素電極９をスイッチング制御するための画素ＴＦＴ３０とが形成されており、データ信号Ｄｉが供給されるデータ線６が当該画素ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込むデータ信号Ｄｉは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。尚、画素ＴＦＴ３０は、本発明に係る「画素トランジスター」の一例である。
【００４５】
また、画素ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されている。走査線１１には、走査線駆動回路１０４から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍが、この順に線順次で印加されるように構成されている。尚、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍがこの順に線順次で走査線１１に印加されるように構成しているが、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｍ）が走査線１１に印加される順序は、任意の順序であってもよい。画素電極９は、画素ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である画素ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給されるデータ信号Ｄｉを所定のタイミングで書き込む。
【００４６】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）は、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９と並列して画素ＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、コモン電位Ｖｃｏｍが供給される容量線４００に電気的に接続されている。
【００４８】
次に、液晶パネル１００の表示領域１０ａを構成する複数の画素の具体的な構成について、図５から図８を参照して説明する。
【００４９】
図５は、液晶パネル１００の複数の画素の具体的な構成を示す平面図であり、図６は、図５のVI−VI’線断面図である。
【００５０】
図５及び図６において、素子基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等である透明基板１０ｓと、この透明基板１０ｓの面Ｓ１側に形成された画素ＴＦＴ３０、走査線１１、データ線６、下部反射膜６２、上部反射膜６１、画素電極９、中継層９１、９２及び９３とを備えている。なお、上部反射膜６１及び下部反射膜６２は、本発明に係る「反射膜」の一例である。
【００５１】
透明基板１０ｓの表示領域１０ａは、画素電極９及び画素ＴＦＴ３０が夫々設けられた複数の画素９００によって構成されている。
【００５２】
図５に示すように、走査線１１及びデータ線６は互いに交差するように設けられている。具体的には、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延在しており、データ線６は、Ｘ方向に交差するＹ方向に沿って延在している。走査線１１及びデータ線６が互いに交差する個所の各々に画素ＴＦＴ３０が設けられている。
【００５３】
図５及び図６において、画素ＴＦＴ３０は、例えばポリシリコンからなる半導体層３０ａを備えている。半導体層３０ａは、透明基板１０ｓ上に設けられた例えばシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜１２上に形成されており、チャネル領域３０ａｃ、ソース領域３０ａｓ及びドレイン領域３０ａｄを有している。なお、チャネル領域３０ａｃとソース領域３０ａｓとの界面、又は、チャネル領域３０ａｃとドレイン領域３０ａｄとの界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００５４】
チャネル領域３０ａｃは、例えばシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１３を介して走査線１１と対向しており、走査線１１のうちチャネル領域３０ａｃに対向する部分が画素ＴＦＴ３０のゲート電極として機能する。半導体層３０ａは、データ線６に重なるようにＹ方向に延在する部分と、この部分からＸ方向に沿って延在する部分とを有している。チャネル領域３０ａｃは、データ線６と走査線１１とが交差する部分において、走査線１１に重なっている。
【００５５】
ソース領域３０ａｓは、層間絶縁膜４１を介して走査線１１の上層側に形成されたデータ線６に、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール８４を介して電気的に接続されている。
【００５６】
ドレイン領域３０ａｄは、データ線６と同層に形成された中継層９１に、層間絶縁膜４１及びゲート絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール８４を介して電気的に接続されている。中継層９１は、層間絶縁膜４２を介して当該中継層９１の上層側に形成された中継層９２に、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８２を介して電気的に接続されている。中継層９２は、層間絶縁膜４４上に形成された画素電極９に、層間絶縁膜４４及び４３を貫通するコンタクトホール８３を介して電気的に接続されている。即ち、ドレイン領域３０ａｄは、中継層９１及び９２を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００５７】
ドレイン領域３０ａｄは、誘電体膜を介して容量線４００と対向する部分を有している。図４を参照して前述した蓄積容量７０は、ドレイン領域３０ａｄと容量線４００とが誘電体膜を介して対向することにより形成されている。
【００５８】
層間絶縁膜４１、４２、４３及び４４は、例えばシリコン酸化膜等からなる。
【００５９】
本実施形態では、透明基板１０ｓ上の積層構造において、画素ＴＦＴ３０と画素電極９との間（言い換えれば、画素ＴＦＴ３０よりも上層側であって画素電極９よりも下層側）に上部反射膜６１が設けられており、この上部反射膜６１と画素ＴＦＴ３０との間（言い換えれば、画素ＴＦＴ３０よりも上層側であって上部反射膜６１よりも下層側）に下部反射膜６２が設けられている。
【００６０】
図７は、上部反射膜６１の平面形状を示す平面図である。
【００６１】
図７に示すように、上部反射膜６１は、複数の画素９００の各々に、画素電極９に重なるように島状に設けられている。隣り合う上部反射膜６１間には隙間が形成されている。
【００６２】
図５に示すように、上部反射膜６１は、層間絶縁膜４３（図６参照）を貫通するコンタクトホール８３を介して、中継層９２と同層（即ち、層間絶縁膜４２上）に形成された中継層９３に電気的に接続されている。中継層９３は、層間絶縁膜４２（図６参照）を貫通するコンタクトホール８４を介して下部反射膜６２に電気的に接続されている。即ち、上部反射膜６１は、中継層９３を介して下部反射膜６２に電気的に接続されている。下部反射膜６２は、周辺領域において、所定電位を供給する所定電位線に電気的に接続されている。上部反射膜６１は、例えばアルミニウムを含んでなる。上部反射膜６１は、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、或いはこれらの積層膜から形成されてもよい。
【００６３】
図８は、下部反射膜６２の平面形状を示す平面図である。
【００６４】
図８に示すように、下部反射膜６２は、Ｘ方向（即ち、走査線１１が延びる方向）で隣り合う上部反射膜６１間の隙間に重なるように、Ｙ方向（即ち、データ線６が延びる方向）に沿って延びる本線部と、この本線部から、Ｙ方向で隣り合う上部反射膜６１間の隙間に重なるように、Ｘ方向に沿って延びる延在部とを有している。下部反射膜６２は、上部反射膜６１と同様に、例えばアルミニウムを含んでなる。下部反射膜６２は、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、或いはこれらの積層膜から形成されてもよい。
【００６５】
このように、液晶パネル１００は、表示領域１０ａ内の概ね全体に上部反射膜６１及び下部反射膜６２の少なくとも一方が形成されており、対向基板２０（図２参照）側から入射される光を、液晶層５０（図２参照）によって変調するとともに上部反射膜６１及び下部反射膜６２によって反射して、対向基板２０側から表示光として出射する。
【００６６】
図５及び図６において、画素電極９は、表示領域１０ａにおいて、マトリクス状に配列された複数の画素９００の各々に１つずつ設けられている。画素電極９は、層間絶縁膜４４を介して上部反射膜６１の上層側に設けられている。画素電極９は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる。画素電極９は、前述したように、中継層９１及び９２を介してＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａｄに電気的に接続されている。
【００６７】
次に、液晶パネル１００の周辺領域の一部である額縁領域５３ａに設けられたダミー画素の構成について、図９及び図１０を参照して説明する。
【００６８】
図９は、液晶パネル１００のダミー画素の構成を示す平面図であり、図１０は、図９のX−X’線断面図である。
【００６９】
図９及び図１０において、本実施形態では、液晶パネル１００の額縁領域５３ａにダミー画素９００ｄが設けられている。ダミー画素９００ｄは、前述した表示領域１０ａに設けられた画素９００と概ね同様の構成を有している。以下では、ダミー画素９００ｄが、画素９００と異なる構成について主に説明し、画素９００と同様の構成については、それらの説明を適宜省略する。
【００７０】
図９及び図１０において、ダミー画素９００ｄは、図５から図８を参照して前述した上部反射膜６１及び下部反射膜６２を有していない点で、前述した画素９００と異なり、その他の点については、画素９００と概ね同様に構成されている。
【００７１】
ダミー画素９００ｄは、上部反射膜６１及び下部反射膜６２を有していないので、液晶層５０を通過して額縁領域５３ａにおいて素子基板１０に入射した光の少なくとも一部は、透明基板１０ｓを透過して透過基板１０ｓにおける対向基板２０と対向しない面Ｓ２側に到達する。本実施形態に係る液晶装置１は、このように透過基板１０ｓの面Ｓ２から出射される光（言い換えれば、液晶パネル１００を透過した光）を、図３を参照して前述した光検出器６００によって検出する。
【００７２】
次に、光検出器６００の配置について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００７３】
図１１は、光検出器６００の配置を模式的に示す平面図である。図１２は、光検出器６００の配置を模式的に示す断面図である。なお、図１１及び図１２では、説明の便宜上、図５から図８を参照して前述した上部反射膜６１及び下部反射膜６２を一体的に示してある。図１２では、説明の便宜上、図５から図１０を参照して前述した素子基板１０の透明基板１０ｓ上の積層構造の図示を省略している。
【００７４】
図１１に示すように、光検出器６００は、液晶パネル１００の額縁領域５３ａの一部に重なるように４個設けられている。なお、光検出器６００の個数は、４個に限定されるものではなく、１個だけであってもよいし、２個、３個或いは５個以上であってもよい。
【００７５】
光検出器６００は、額縁領域５３ａにおいて透明基板１０ｓの面Ｓ２から出射される光を受光可能なように、透明基板１０ｓの面Ｓ２に対向する受光面を有している。
【００７６】
以上のように構成された本実施形態に係る液晶装置１によれば、その動作時に、液晶層５０（図２参照）を透過した光を光検出器６００によって確実に検出することができる。よって、光検出器６００によって検出した光の光量に基づいて、液晶パネル１００で発生しているフリッカーをフリッカー検出回路５００によって確実に検出することができる。従って、フリッカー検出回路５００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生するフリッカーが小さくなるように、電源回路４００によってコモン電位Ｖｃｏｍを確実に調整することが可能となる。これにより、液晶装置１の動作時におけるフリッカーを低減できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００７７】
ここで本実施形態では特に、光検出器６００は、透明基板１０ｓの面Ｓ２側（言い換えれば、液晶パネル１００の表示光が出射されない面側）に設けられるので、表示領域１０ａにおける表示を妨げない（即ち、表示に悪影響を及ぼさない）。よって、例えば、光検出器６００が透明基板１０ｓの面Ｓ１上の積層構造の一部として設けられる場合や、光検出器６００が液晶パネル１００の表示光が出射される面側に設けられる場合と比較して、光検出器６００の配置の自由度が高く、実践上大変有利である。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１によれば、光検出器６００によって検出した光の光量に基づいてコモン電位Ｖｃｏｍを調整することで、フリッカーを低減でき、高品位な表示を行うことが可能となる。更に、光検出器６００の配置の自由度が高いので、実践上大変有利である。
【００７９】
なお、本実施形態では、ダミー画素９００ｄが上部反射膜６１及び下部反射膜６２を有していない場合を例として挙げたが、表示領域１０ａを構成する複数の画素９００の一部が上部反射膜６１及び下部反射膜６２の少なくとも一方を有していないように構成してもよい。この場合にも、透明基板１０ｓの面Ｓ２から出射される光を受光可能なように光検出器６００を配置することで、液晶パネル１００を透過した光を光検出器６００によって検出することができ、フリッカーをフリッカー検出回路５００によって検出することが可能となる。
【００８０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図１３及び図１４を参照して説明する。
【００８１】
図１３は、第２実施形態に係る液晶パネルのダミー画素の構成を示す平面図であり、図１４は、図１３のXIV−XIV’線断面図である。なお、図１３及び図１４において、図１から図１２に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８２】
図１３及び図１４において、第２実施形態に係る液晶装置は、前述した第１実施形態におけるダミー画素９００ｄに代えてダミー画素９００ｄ２を備える点で、前述した第１実施形態に係る液晶装置１と異なり、その他の点については、前述した第１実施形態に係る液晶装置１と概ね同様に構成されている。
【００８３】
図１３及び図１４において、第２実施形態では、液晶パネル１００の額縁領域５３ａにダミー画素９００ｄ２が設けられている。ダミー画素９００ｄ２は、表示領域１０ａに設けられた画素９００（図５及び図６参照）と概ね同様の構成を有している。以下では、ダミー画素９００ｄ２が、画素９００と異なる構成について主に説明することとし、画素９００と同様の構成については、それらの説明を適宜省略する。
【００８４】
図１３及び図１４において、ダミー画素９００ｄ２は、図５から図７を参照して前述した上部反射膜６１に代えて透明電極６５を有する点で、画素９００と異なり、その他の点については、画素９００と概ね同様に構成されている。
【００８５】
ダミー画素９００ｄ２は、上部反射膜６１に代えて透明電極６５を有しているので、液晶層５０を通過して額縁領域５３ａにおいて素子基板１０に入射した光の少なくとも一部は、透明基板１０ｓを透過して透明基板１０ｓにおける対向基板２０と対向しない面Ｓ２側に到達する。よって、本実施形態に係る液晶装置によれば、このように透明基板１０１０ｓの面Ｓ２から出射される光（言い換えれば、液晶パネル１００を透過した光）を、図３を参照して前述した光検出器６００によって検出することができる。よって、前述した第１実施形態に係る液晶装置１と同様に、光検出器６００によって検出した光の光量に基づいて、液晶パネル１００で発生しているフリッカーをフリッカー検出回路５００によって検出できる。従って、フリッカー検出回路５００の検出信号に基づいて、液晶パネル１００で発生するフリッカーが小さくなるように、電源回路４００によってコモン電位Ｖｃｏｍを確実に調整することが可能となる。これにより、本実施形態に係る液晶装置の動作時におけるフリッカーを低減できる。この結果、高品位な表示を行うことが可能となる。
【００８６】
本実施形態では特に、ダミー画素９００ｄ２は、画素９００における上部反射膜６１に代えて透明電極６５を有しており、透明電極６５は、所定電位とされる。上部反射膜６１が設けられた領域（言い換えれば、表示領域１０ａ）と透明電極６５が設けられた領域（言い換えれば、額縁領域５３ａ）とで、液晶層５０に印加される電圧を殆ど或いは実践上完全に揃えることができる。即ち、上部反射膜６１が設けられた表示領域１０ａと透明電極６５が設けられた額縁領域５３ａとで、液晶層５０に印加される電界の差を小さくすることができる。この結果、より高品位な表示を行うことが可能となる。
【００８７】
＜電子機器＞
次に、前述した電気光学装置である反射型の液晶装置を電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、本発明に係る電子機器として、投射型液晶プロジェクターを例にとる。
【００８８】
図１５は、本実施形態に係る投射型液晶プロジェクターの図式的断面図である。
【００８９】
図１５において、液晶プロジェクター１１００は、夫々ＲＧＢ用の液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの３枚を用いた複板式カラープロジェクタとして構築されている。液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂの各々は、前述した反射型の液晶装置１が使用されている。
【００９０】
図１５に示すように、液晶プロジェクター１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、２枚のミラー１１０６、２枚のダイクロイックミラー１１０８及び３つの偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１１１３によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応する液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。尚、この際、光路における光損失を防ぐために、光路の途中にレンズを適宜設けてもよい。そして、液晶ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、クロスプリズム１１１２により合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー映像として投射される。
【００９１】
なお、液晶ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８及び偏光ビームスプリッター１１１３によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９２】
なお、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９３】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９４】
本発明は、前述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備える電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００９５】
６…データ線、９…画素電極、１０…素子基板、１０ｓ…透明基板、１１…走査線、２０…対向基板、３０…画素ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、５０…液晶層、１０ａ…表示領域、５３ａ…額縁領域、６１…上部反射膜、６２…下部反射膜、９１、９２、９３…中継層、１００…液晶パネル、２００…タイミング制御回路、３００…画像信号供給回路、４００…電源回路、５００…フリッカー検出回路、６００…光検出器、９００…画素、９００ｄ、９００ｄ２…ダミー画素。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極と、
前記透明基板と前記複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜と、
前記透明基板と前記反射膜との間に、前記複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスターと、
前記透明基板の前記第１面とは異なる第２面側に設けられ、前記第２面の法線方向から見て少なくとも一部が前記反射膜に重ならないように設けられ、前記透明基板を透過した光を検出する光検出素子と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射膜と同一層に設けられた透明電極を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記反射膜は、前記透明基板の表示領域に設けられるとともに、前記透明基板の前記表示領域の周辺に位置する周辺領域において少なくとも部分的に除去されており、
前記光検出素子は、前記周辺領域に設けられる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の第１面側に設けられた複数の透明画素電極と、
前記透明基板と前記複数の透明画素電極との間に設けられた反射膜と、
前記透明基板と前記反射膜との間に、前記複数の透明画素電極に対応して設けられた複数の画素トランジスターと、
前記透明基板の前記第１面とは異なる第２面側に設けられ、前記第２面の法線方向から見て少なくとも一部が前記反射膜に重ならないように設けられ、前記透明基板を透過した光を検出する光検出素子と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射膜と同一層に設けられた透明電極を備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記反射膜は、前記透明基板の表示領域に設けられるとともに、前記透明基板の前記表示領域の周辺に位置する周辺領域において少なくとも部分的に除去されており、
前記光検出素子は、前記周辺領域に設けられる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−１７３３０４（Ｐ２０１２−１７３３０４Ａ）
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３１７１３（Ｐ２０１１−３１７１３）
【出願日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月１０日（２０１２．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１７日（２０１１．２．１７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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