液晶表示装置
【課題】視野角のばらつきを容易に補正することができる広視野角液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとを画素３２毎に形成した液晶表示装置において、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部１８と、前記接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４とを備え、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加する。
【解決手段】第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとを画素３２毎に形成した液晶表示装置において、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部１８と、前記接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４とを備え、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、広い視野角をもった液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示の視野角を広くすることが望まれている。そのために、画素を二つの領域に区分し、その一方の領域と他方の領域とで液晶に印加される電圧値を異ならせることにより、前記２つの領域の視野角特性を互いに異ならせ、その両方の視野角特性が相乗した広い視野角を得ることが考えられている。
【０００３】
この種の液晶表示装置としては、例えば、第一薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とを画素毎に形成したものがある。
【０００４】
この液晶表示装置において、第一薄膜トランジスタと第二薄膜トランジスタは、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続されている。また、走査信号線は、第一画素電極と第二画素電極との間を延伸するように配線されている。
【０００５】
そして、この液晶表示装置では、第一薄膜トランジスタの充電能力と、第二薄膜トランジスタの充電能力とを異ならせることにより、前記一方の領域の液晶と他方の領域の液晶とに、異なる値の電圧を印加するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１５２０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置は、各種の工程を経て製造されるため、同機種の液晶表示装置であっても、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきを生じることがある。そして、上記従来の液晶表示装置は、視野角のばらつきの補正が難しいため、所定の視野角の液晶表示装置を歩留まり良く得ることができない。
【０００８】
この発明は、視野角のばらつきを容易に補正することができる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、第一薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、前記第一薄膜トランジスタと前記第二薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二薄膜トランジスタと前記第二画素電極とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示装置において、前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二画素電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の液晶表示装置において、前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二容量電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記請求項３に記載の液晶表示装置において、前記第三容量電極が所定の方向に延伸した形状に形成され、前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分が、前記第三容量電極の延伸方向に沿った長尺形状に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記請求項４に記載の液晶表示装置において、前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分は、前記第二画素電極の前記第三容量電極と隣接する辺と同じ長さに形成されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように、前記第一画素電極の全周に亘って連続した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の全ての辺に重なるように、前記第二画素電極の全周に亘って連続した形状に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、前記請求項６に記載の液晶表示装置において、前記液晶層は、負の誘電異方性を有し、液晶分子が、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間に電圧が印加されていないときに垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により倒れ込み配向するネマティック液晶からなり、前記第一容量電極は、前記第一画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極の外方に張り出した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極の外方に張り出した形状に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、前記請求項１から７の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一、第二、第三の各容量電極は、同一面上に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、前記請求項８に記載の液晶表示装置において、前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記各容量電極は前記ゲート電極の形成面と同じ面上に形成され、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記ゲート絶縁膜と前記被覆絶縁膜との二層膜からなり、前記第三誘電層は、前記ゲート絶縁膜からなっていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、前記請求項８に記載の液晶表示装置において、前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記各容量電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた第一被覆絶縁膜の上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記各容量電極を覆って設けられた第二被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記第二被覆絶縁膜からなり、前記第三誘電層は、前記第一被覆絶縁膜からなっていることを特徴とする。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置において、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極とが一体に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、前記請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、一定レベルの直流電圧であることを特徴とする。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、前記請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、電圧レベルが前記第一の電圧と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一の電圧の振幅よりも小さい矩形波交流電圧であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、前記第三容量電極に印加する第二電圧の値を制御するだけで視野角を微調整することができ、従って、視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の第一実施例を示す液晶表示装置の構成図。
【図２】第一実施例における液晶表示素子の平面図。
【図３】前記液晶表示素子の側面図。
【図４】前記液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【図５】図４の一つの画素部の拡大図。
【図６】図４のVI−VI矢視線に沿う拡大断面図。
【図７】図４のVII−VII矢視線に沿う拡大断面図。
【図８】図４のVIII−VIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図９】図４のIX−IX矢視線に沿う拡大断面図。
【図１０】前記液晶表示素子の液晶分子の初期配向状態を示す断面図。
【図１１】前記液晶表示素子の一つの画素の回路図。
【図１２】前記液晶表示素子を駆動する走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧の波形図。
【図１３】前記第一電圧と第二電圧の関係を示す図。
【図１４】前記画素の第一領域における第一画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１５】前記画素の第二領域における第二画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１６】前記第一領域と第二領域の液晶層での電圧−透過率特性図。
【図１７】第一実施例の液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の配向状態を模式的に示す平面図。
【図１８】比較例の液晶表示装置を示す第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１９】図１２の走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧のうちの第二電圧を矩形波交流電圧とした例を示す波形図。
【図２０】図１２の走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧のうちの第二電圧を他の矩形波交流電圧とした例を示す波形図。
【図２１】この発明の第二実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２２】図２１のXXII−XXII矢視線に沿う拡大断面図。
【図２３】図２１のXXIII−XXIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図２４】この発明の第三実施例を示す液晶表示素子の図２３に対応する部分の断面図。
【図２５】この発明の第四実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【図２６】この発明の第五実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［第一実施例］
この発明の第一実施例の液晶表示装置は、図１のように、液晶表示素子１と前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３５とにより構成されている。
【００２５】
前記液晶表示素子１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス型液晶表示素子であり、複数の画素３２が、図２のように、行方向（図において左右方向）及び列方向（図において上下方向）に配列させて形成されている。
【００２６】
この液晶表示素子１は、図２〜図１０のように、対向配置された透明な第一基板３と第二基板４を備えている。そして、前記第一基板（例えば表示面側とは反対側の基板）３の第二基板４と対向する面に、複数の透明な画素電極５が行方向及び列方向に配列させて設けられ、前記第二基板４の第一基板３と対向する面に、前記各画素電極５と対向する一枚膜状の透明な共通電極６が設けられている。
【００２７】
前記各画素電極５はそれぞれ、電気的に分離して形成された第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとからなっている。この実施例において、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、同じ横幅（行方向の幅）を有しており、第一画素電極５ａは、縦幅（列方向の幅）が前記横幅の約２倍である縦長矩形形状に形成され、第二画素電極５ｂは、縦幅と横幅が同程度の正方形形状に形成されている。
【００２８】
さらに、前記第一基板３には、各画素電極５の行毎に行方向に延伸させて配線された複数の走査信号線７と、各画素電極５の列毎に列方向に延伸させて配線された複数のデータ信号線８とが設けられている。
【００２９】
前記走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置されている。また、前記データ信号線８は、各列の画素電極５の一側の領域に、列方向に延伸するように配置されている。
【００３０】
また、前記第一基板３には、各画素電極５にそれぞれ対応させて、前記第一画素電極５ａに接続された第一ＴＦＴ９ａと、前記第二画素電極５ｂに接続された第二ＴＦＴ９ｂとが配置されている。この第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に、データ信号線８の延伸方向に並べて配置されている。
【００３１】
前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂはそれぞれ、図４、図５、図６及び図７のように、第一基板３上に形成されたゲート電極１０と、前記第一基板３上の全域に前記ゲート電極１０を覆って形成された透明なゲート絶縁膜１１と、このゲート絶縁膜１１上にゲート電極１０と対向させて形成された真正アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２と、前記半導体薄膜１２の上面の中央部に設けられたチャネル保護膜１３と、前記半導体薄膜１２のチャネル領域を挟んで、その一方の側と他方の側との上にそれぞれｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層１４を介して形成されたソース電極１５及びドレイン電極１６とからなっている。
【００３２】
なお、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、互いに逆向きの形状に形成されている。すなわち、第一ＴＦＴ９ａは、第一画素電極５ａと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。また、第二ＴＦＴ９ｂは、第二画素電極５ｂと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。
【００３３】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａのゲート電極１０と第二ＴＦＴ９ｂのゲート電極１０は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置された走査信号線７に接続されている。
【００３４】
前記走査信号線７は、第一基板３上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０と同じ金属膜により前記ゲート電極１０と一体に形成されている。なお、この実施例において、走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を直線状に延伸するように形成され、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂは、前記走査信号線７の上に形成されており、各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０は、前記走査信号線７の第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂに対応する部分からなっている。
【００３５】
さらに、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５と第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの一側を延伸するように配置されたデータ信号線８に接続されている。
【００３６】
前記データ信号線８は、前記ゲート絶縁膜１１の上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６と同じ金属膜により、前記各ソース電極１５，１５と一体に形成されている。
【００３７】
前記データ信号線８には、各行の画素電極５の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に向かって延びる複数の分岐線８ａが一体に形成されている。この分岐線８ａは、互いに逆向きの形状に形成された前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂのうちの前記データ信号線８に近い側に配置された第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５側を通り、さらに前記データ信号線８から遠い側に配置された第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５側に達するように屈曲させた形状に形成されている。そして、前記データ信号線８は、前記分岐線８ａを介して、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５及び第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５に一体的に接続されている。
【００３８】
この実施例において、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂと走査信号線７とデータ信号線８は、第一基板３上にゲート電極１０と走査信号線７を形成し、さらにゲート絶縁膜１１と半導体薄膜１２とチャネル保護膜１３とを順次成膜して前記チャネル保護膜１３を半導体薄膜１２の中央部を覆う形状にパターニングした後に、コンタクト層１４と金属膜とを順次成膜し、前記金属膜とコンタクト層１４及び半導体薄膜１２を一括してソース電極１５及びドレイン電極とデータ信号線８の形状にパターニングする工程で形成されている。そのため、前記データ信号線８は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００３９】
また、前記ゲート絶縁膜１１の上には、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６と第一画素電極５ａとを電気的に接続する第一画素電極接続部１７と、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６と第二画素電極５ｂとを電気的に接続する第二画素電極接続部１８が形成されている。
【００４０】
前記第一画素電極接続部１７は、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から第一画素電極５ａの方向に向けて、前記第一画素電極５ａの走査信号線７に隣接する辺に重なる長さに延長されている。また、第二画素電極接続部１８は、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から第二画素電極５ｂの方向に向けて、前記第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する辺に重なる長さに延長されている。
【００４１】
なお、前記走査信号線７と第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂは、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間隔の中心よりも第一画素電極５ａ側に片寄った位置に配置されている。そのため、前記第二画素電極接続部１８は、前記第一画素電極接続部１７よりも長く延長されている。
【００４２】
また、前記第一画素電極接続部１７と第二画素電極接続部１８は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６の形成と同時に形成されている。従って、これらの画素電極接続部１７，１８は、前記半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００４３】
さらに、前記ゲート絶縁膜１１の上には、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂと第一画素電極接続部１７及び第二画素電極接続部１８とデータ信号線８を覆って透明な被覆絶縁膜１９が設けられており、この被覆絶縁膜１９の上に、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂがＩＴＯ膜により形成されている。なお、図４及び図５では前記被覆絶縁膜１９を省略している。
【００４４】
前記被覆絶縁膜１９の上に形成された第一及び第二画素電極５ａ，５ｂのうち、第一画素電極５ａは、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に前記第一画素電極接続部１７を介して接続され、第二画素電極５ｂは、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に前記第二画素電極接続部１８を介して接続されている。
【００４５】
なお、前記被覆絶縁膜１９には、前記第一画素電極接続部１７の第一画素電極５ａと重なる部分に穿設された第一コンタクト孔２０と、前記第二画素電極接続部１８の第二画素電極５ｂと重なる部分に穿設された第二コンタクト孔２１が形成されている。
【００４６】
そして、第一画素電極５ａは、前記第一コンタクト孔２０において第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二コンタクト孔２１において第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８に接続されている。
【００４７】
このように、前記液晶表示素子１は、第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとが画素３２毎に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとが、互いに同じデータ信号線８及び走査信号線７に接続されたものである。
【００４８】
そのため、各画素３２はそれぞれ、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の部分を境にして、第一画素電極５ａが設けられた第一領域３２ａと、第二画素電極５ｂが設けられた第二領域３２ｂとに区分されている。
【００４９】
そして、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、同じ走査信号線７からの走査信号によりオン，オフを制御され、同じデータ信号線８から供給されたデータ信号を第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂに同時に印加する。
【００５０】
また、前記第一基板３には、各画素３２毎に、第一画素電極５ａとの間に第一誘電層が介在されて第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二誘電層が介在されて第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３とが設けられている。
【００５１】
前記第一容量電極２２は、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、前記第一画素電極５ａ全周に亘って連続した矩形枠形状に形成されている。また、第二容量電極２３は、第二画素電極５ｂの全ての辺に重なるように、前記第二画素電極５ｂの全周に亘って連続した矩形枠形状に形成されている。以下、前記第一容量電極２２の第一画素電極５ａの各辺に重なる部分及び第二容量電極２３の第二画素電極５ｂの各辺に重なる部分のうち、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの走査信号線７の延伸方向に沿った二つの辺に重なる部分をそれぞれ横辺部という。また、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂのデータ信号線８の延伸方向に沿った二つの辺に重なる部分をそれぞれ縦辺部という。
【００５２】
さらに、第一容量電極２２は、第一画素電極５ａの各辺に重なる横辺部及び縦辺部の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極５ａの外方に張り出した形状に形成され、第二容量電極２３は、第二画素電極５ｂの各辺に重なる横辺部及び縦辺部の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極５ｂの外方に張り出した形状に形成されている。
【００５３】
そして、各画素３２の第一容量電極２２は、行毎に、隣り合う第一容量電極２２，２２一方の横辺部（図では走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺部）の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。また、各画素３２の第二容量電極２３は、行毎に、隣り合う第二容量電極２３，２３の一方の横辺部（図では走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺部）の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００５４】
さらに、前記第一基板３には、各画素３２毎に、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４が設けられている。
【００５５】
前記第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの接続部は、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８であり、前記第三容量電極２４は、走査信号線７と第二画素電極５ｂとの間に、前記走査信号線７及び第二画素電極５ｂとの間に間隔をあけて、前記第二画素電極接続部１８のうちの走査信号線７と第二画素電極５ｂとの間の領域に対応する部分に重なるように配置されている。
【００５６】
なお、前記第一容量電極２２及び第二容量電極２３の各辺部の外側縁は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの外方に張り出している。そのため、前記第三容量電極２４は、走査信号線７と第二容量電極２３との間に、前記走査信号線７及び第二容量電極２３との間に間隔をあけて、前記第二画素電極接続部１８のうちの走査信号線７と第二容量電極２３との間の領域に対応する部分に重なるように配置されている。
【００５７】
前記第三容量電極２４は、所定の方向に延伸した形状に形成されており、前記第二画素電極接続部１８の第三容量電極２３と重なる部分１８ａは、前記第三容量電極２３の延伸方向に沿った長尺形状に形成されている。以下、第二画素電極接続部１８の第三容量電極２３と重なる部分１８ａを容量形成部という。
【００５８】
この実施例において、第三容量電極２４は、走査信号線７の延伸方向と平行な方向に延伸させて形成されており、第二画素電極接続部１８の容量形成部１８ａは、第三容量電極２４の延伸方向に沿って、第二画素電極５ｂの第三容量電極２４と隣接する辺と同じ長さの横長形状に形成されている。そして、各画素３２の第三容量電極２４は、行毎に、隣り合う第三容量電極２４，２４の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００５９】
また、前記第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４は、同一面上に配置されている。この実施例において、前記各容量電極２２，２３，２４は、走査信号線７及び各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０の形成面と同じ面上、つまり第一基板３上に、前記走査信号線７及びゲート電極１０と同じ金属膜により形成され、前記ゲート絶縁膜１１により覆われている。
【００６０】
そして、前記第一容量電極２２は、第一画素電極５ａの全周の各辺に対して、ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第一誘電層を介して対向し、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成している。
【００６１】
また、前記第二容量電極２３は、第二画素電極５ｂの全周の各辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第二誘電層を介して対向し、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成している。
【００６２】
さらに、前記第三容量電極２４は、前記第二画素電極接続部１８に形成された横長の容量形成部１８ａに対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第三誘電層を介して対向し、前記第二画素電極接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成している。
【００６３】
一方、第二基板４には、図６〜図９のように、赤色フィルタ２５Ｒ、緑色フィルタ２５Ｇ及び青色フィルタ２５Ｂの三色のカラーフィルタが、各画素３２の列毎に交互に並べて形成されている。さらに、前記第二基板４には、各行及び各列の隣り合う画素３２，３２の間の領域及び各画素３２の第一領域３２ａと第二領域３２ｂとの間の領域に対応させて遮光膜２６が形成されている。
【００６４】
この実施例において、前記遮光膜２６は、例えば黒色系の顔料を添加した感光性樹脂により形成されており、前記三色のカラーフィルタ２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、第二基板４上の遮光膜２６の無い領域に形成されている。そして、前記共通電極６は、前記カラーフィルタ２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ及び遮光膜２６の上に、各画素３２の配列領域の全域に亘って形成されている。
【００６５】
さらに、前記第一基板３には、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂを覆って第一配向膜２７が設けられ、第二基板４には、共通電極６を覆って第二配向膜２８が設けられている。なお、図４及び図５では前記第一配向膜２７を省略している。
【００６６】
前記第一基板３と第二基板４は、図２及び図３のように、所定の間隙を設けて対向配置され、画面エリア１ａを囲む枠状のシール材２９を介して貼り合わされている。そして、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に液晶層２が設けられている。前記液晶層２は、第一基板３と第二基板４との間の間隙の前記シール材２９で囲まれた領域に液晶を封入して形成されている。
【００６７】
また、第一基板３の外面には、第一偏光板３０が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置され、第二基板４の外面には、第二偏光板３１が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置されている。
【００６８】
この実施例の液晶表示素子１は、垂直配向型液晶表示素子であり、前記第一配向膜２７と第二配向膜２８は、垂直配向膜からなっている。また、液晶層２は、負の誘電異方性を有し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間に電圧が印加されていないときに、液晶分子２ａが図１０のように基板３，４面に対して垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間への電圧の印加により、液晶分子２ａが基板３，４面に対して倒れ込み配向するネマティック液晶からなっている。
【００６９】
そして、前記第一偏光板３０と第二偏光板３１は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間への印加電圧が０Ｖのときの表示が最も暗いノーマリーブラックモードの液晶表示素子を構成するように、各偏光板３０，３１の吸収軸（図示せず）を互いに直交させて配置されている。
【００７０】
また、第一基板３には、図２及び図３のように、例えば画面エリア１ａの上下方向（列方向）の一端側に、第二基板４の外方に張出すドライバ搭載部３ａが形成されており、このドライバ搭載部３ａに、複数の入力端子と複数の走査信号出力端子及び複数のデータ信号出力端子（図示せず）が形成されたＬＳＩからなるドライバ素子３３が搭載されている。
【００７１】
そして、前記各走査信号線７は、画面エリア１ａの外側を迂回させて前記ドライバ素子３３の各走査信号出力端子にそれぞれ接続され、前記各データ信号線８は、前記ドライバ素子３３の各データ信号出力端子にそれぞれ接続されている。
【００７２】
さらに、前記ドライバ搭載部３ａには、第一電圧入力端子３４ａと第二電圧入力端子３４ｂが一つずつ形成されている。そして、前記共通電極６は、前記枠状のシール材２９による基板接合部に設けられたクロス接続部（図示せず）を介して、前記第一電圧入力端子３４ａに接続されている。
【００７３】
また、図では省略しているが、前記第一基板３には、前記画面エリア１ａの外側に、前記第一電圧入力端子３４ａに接続された一本の第一電圧供給線と、前記第二電圧入力端子３４ｂに接続された一本の第二電圧供給線が、データ信号線８と平行に配線されている。
【００７４】
そして、行毎に共通接続された全ての行の第一容量電極２２と、行毎に共通接続された全ての行の第二容量電極２３は、前記一本の第一電圧供給線に接続され、この第一電圧供給線を介して、前記共通電極６と共に前記第一電圧入力端子３４ａに接続されている。
【００７５】
また、行毎に共通接続された全ての行の第三容量電極２４は、前記一本の第二電圧供給線に接続され、この第二電圧供給線を介して前記第二電圧入力端子３４ｂに接続されている。
【００７６】
前記液晶表示素子１は、前記各画素３２の行（以下、画素行という）を一行ずつ順次選択し、各画素行毎にその行の各画素３２の第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加することにより駆動され、前記電圧の印加による液晶分子の配向状態の変化により、前記画素３２の第一領域３２ａと第二領域３２ｂの光の透過を制御して画像を表示する。なお、この液晶表示素子１の背後（表示面側とは反対側）には、画面エリア１ａの全域に向けて均一な照度の光を照射する面光源（図示せず）が配置されている。
【００７７】
次に、前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３５について説明する。この駆動手段３５は、図１のように、外部から入力される画像データを一時的に記憶する画像メモリ３６と、前記液晶表示素子１の各走査信号線７に走査信号を印加する走査信号線駆動回路３７と、前記液晶表示素子１の各データ信号線８にデータ信号を印加するデータ信号線駆動回路３４とを備えている。なお、前記走査信号線駆動回路３７とデータ信号線駆動回路３８は、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに搭載されたドライバ素子３３に形成されている。
【００７８】
さらに、前記駆動手段３５は、第一電圧発生回路３９と、第二電圧発生回路４０と、前記走査信号線駆動回路３７及びデータ信号線駆動回路３８と第一電圧発生回路３９及び第二電圧発生回路４０を制御する制御部４１を備えている。
【００７９】
前記走査信号線駆動回路３７は、制御部４１からの同期用クロック信号等の制御信号に基づいて、各走査信号線７にそれぞれ、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオン，オフさせる走査信号を印加する。
【００８０】
図１２において、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎは、一画面を表示する１フレーム（第一行から最終行までの各画素行を順次選択して全ての画素行の各画素３２に一画面分のデータ信号を印加する期間）を前記各画素の行数で分割した各画素行の選択期間であり、ｔ１は第一行の選択期間、ｔ２は第二行の選択期間、ｔ３は第三行の選択期間、ｔ４は第四行の選択期間、ｔ５は第五行の選択期間、ｔｎは最終行（ｎ行）の選択期間である。
【００８１】
また、図１２において、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，…Ｇｎは各走査信号線７にそれぞれ印加される走査信号であり、Ｇ１は第一行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ２は第二行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ３は第三行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ４は第四行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ５は第五行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇｎは最終行（ｎ行）の走査信号線７に印加される走査信号である。
【００８２】
これらの走査信号は、該走査信号を印加する走査信号線７が対応する画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの開始時よりも所定時間遅れた書込み開始時に、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオンさせる所定値のオン電位になり、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの終了時よりも所定時間早い書込み終了時に、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオフさせるオフ電位になる波形の信号であり、他の期間は前記オフ電圧に保たれる。
【００８３】
前記データ信号線駆動回路３８は、制御部４１からの制御信号に基づいて、画像メモリ３６に一時的に記憶された画像データを一行の画素分ずつ前記制御部４１を介して取り込み、各画素行の選択期間毎に、一行の画素分の各画像データそれぞれの階調値に対応したデータ信号を各データ信号線８に印加する。
【００８４】
また、第一電圧発生回路３９は、制御部４１からの制御信号に基づいて、第一の電圧Ｖ１を発生する。この第一電圧Ｖ１は、液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された第一電圧入力端子３４ａを介して、前記共通電極６と、前記各行の第一容量電極２２及び第二容量電極２３とに印加される。
【００８５】
すなわち、各行の第一容量電極２２及び第二容量電極２３に印加される電圧Ｖ１は、共通電極６への印加電圧と同じ電圧である。以下、前記電圧Ｖ１のうちの共通電極６に印加する電圧をコモン信号Ｖｃｏｍという。
【００８６】
前記第一電圧発生回路３９から前記共通電極６と各行の第一容量電極２２及び第二容量電極２３に印加される第一電圧Ｖ１は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧である。
【００８７】
この実施例において、前記第一電圧Ｖ１は、図１２に示したように、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転し、さらに前記電圧レベルが１フレーム毎に反転する矩形波交流電圧である。
【００８８】
また、図１２に示したデータ信号Ｄは、各画素行のうちの一つの画素行の選択期間に、前記走査信号線駆動回路３７から各データ信号線８に印加される信号であり、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に各データ信号線８に印加される各データ信号Ｄはそれぞれ、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍ（＝Ｖ１）との電位差が各画像データそれぞれの階調値に対応する値になるように電位が変化する矩形波信号である。
【００８９】
一方、第二電圧発生回路４０は、制御部４１からの制御信号に基づいて、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を発生する。この第二電圧Ｖ２は、図１２に示したように、一定レベルの直流電圧であり、液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された第二電圧入力端子３４ｂを介して、各行の第三容量電極２４に印加される。
【００９０】
この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１３のように、前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧、例えば前記各レベル値Ｖ１Ｈ，Ｖ１Ｌの中間の値の電圧である。
【００９１】
このように、前記駆動手段３５は、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３とに、共通電極６への印加電圧（コモン信号Ｖｃｏｍ）と同じ第一の電圧Ｖ１を印加し、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４に、前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を印加する。
【００９２】
この液晶表示装置において、前記液晶表示素子１の各画素３２はそれぞれ、図１１のような回路で表すことができる。すなわち、一つの画素３２の第一領域３２ａは、第一画素電極５ａと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第一画素容量ＣＬＣ１と、前記第一画素電極５ａと第一容量電極２２及びその間の第一誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜）とからなる第一補償容量Ｃｓ１とが第一画素電極５ａにおいて接続され、前記第一画素電極５ａに第一ＴＦＴ９ａが接続された回路からなっている。
【００９３】
また、前記画素３２の第二領域３２ｂは、第二画素電極５ｂと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第二画素容量ＣＬＣ２と、前記第二画素電極５ｂと第二容量電極２３及びその間の第二誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜）とからなる第二補償容量Ｃｓ２とが第二画素電極５ｂにおいて接続され、前記第二画素電極５ｂに第二ＴＦＴ９ｂが接続されると共に、前記第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの間に、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部１８と第三容量電極２４及びその間の第三誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜）とからなる第三補償容量Ｃｓ３が接続された回路からなっている。
【００９４】
そして、前記共通電極６には、各画素行の選択期間毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転するコモン信号Ｖｃｏｍが印加され、前記第一容量電極２２と前記第二容量電極２３にはそれぞれ、前記コモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加され、前記第三容量電極２４には、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧（例えば、第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌの間の値の直流電圧）Ｖ２が印加される。
【００９５】
また、選択された画素行の各画素３２の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂには、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにより、データ信号線８から供給されたデータ信号Ｄがそれぞれ印加される。
【００９６】
前記第一画素電極５ａと共通電極６との間と、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧（以下、書込み電圧という）はそれぞれ、前記第一電圧Ｖ１と前記データ信号Ｄとの電圧差に対応した値の電圧であり、その書込み電圧が第一画素容量ＣＬＣ１と第二画素容量ＣＬＣ２とにチャージされる。
【００９７】
また、前記第一容量電極２２と前記第二容量電極２３への印加電圧はそれぞれ前記共通電極６へ印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１であるため、第一画素電極５ａと第一容量電極２２との間の第一補償容量Ｃｓ１と、第二画素電極５ｂと第二容量電極２３との間の第二補償容量Ｃｓ２にはそれぞれ、前記書込み電圧と同じ電圧がチャージされる。
【００９８】
一方、前記第三容量電極２４への印加電圧は前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２であるため、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部１８と第三容量電極２４との間の第三補償容量Ｃｓ３には、前記書込み電圧とは異なる電圧（書込み電圧に対して第一電圧Ｖ１と第二電圧Ｖ２との差に対応した電圧差をもった電圧）がチャージされる。
【００９９】
なお、第一画素電極５ａと走査信号線７及びデータ信号線８との間には、第一ＴＦＴ９ａのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第一寄生容量という）が存在する。また、第二画素電極５ｂと走査信号線７及び走査信号線７との間には、第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第二寄生容量という）が存在する。
【０１００】
そのため、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂがオフし、書込みが終了すると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２にチャージされた電圧が、前記第一寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下し、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３にチャージされた電圧が、前記第二寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下する。
【０１０１】
そして、画素３２の第一領域３２ａの液晶は、前記第一画素容量ＣＬＣ１のチャージ電圧（第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧）により駆動される。また、前記画素３２の第二領域３２ｂの液晶は、前記第二画素容量ＣＬＣ２のチャージ電圧（第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧）により駆動される。
【０１０２】
図１４は、第一行の各画素３２のうちの１つの画素３２の第一領域３２ａにおける第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加される電圧を示し、図１５は、前記画素３２の第二領域３２ｂにおける第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧を示している。図１４において、ＶＰ１は第一画素電極５ａの電位である。また、図１５において、ＶＰ２は第二画素電極５ｂの電位である。なお、図１４及び図１５では、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの電位ＶＰ１，ＶＰ２とコモン信号Ｖｃｏｍとを区別しやすいように、これらの立ち上がり及び立ち下がりを傾斜させている。
【０１０３】
図１４のように、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、前記第一行の選択期間ｔ１のうちの第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第一ＴＦＴ９ａを介して第一画素電極５ａに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。
【０１０４】
そして、第一ＴＦＴ９ａがオフすると、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１分だけ降下した電圧Ｖａ１になる。以下、この電圧Ｖａ１を第一保持電圧という。
【０１０５】
また、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に反転するが、前記コモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極２２に印加される第一電圧Ｖ１は同じ電圧であるため、コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが反転しても、第一画素容量ＣＬＣ１及び第一補償容量Ｃｓ１のチャージ電圧は変化しない。そのため、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行の選択期間線ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎにおいても前記第一保持電圧Ｖａ１に保たれる。
【０１０６】
従って、第一画素電極５ａと共通電極６との間の第一保持電圧Ｖａ１は、コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベル反転にかかわらず、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一行の選択期間ｔ１における第一保持電圧Ｖａ１と実質的に同じ電圧に維持され、その電圧が、第一領域３２ａの液晶に１フレームの実効電圧として印加される。
【０１０７】
また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、図１５のように、前記第一行の選択期間ｔ１のうちの第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第二ＴＦＴ９ｂを介して第二画素電極５ｂに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。この書込み電圧Ｖａは、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加された書込み電圧Ｖａと同じ値の電圧である。
【０１０８】
そして、第二ＴＦＴ９ｂがオフすると、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２分だけ降下した電圧Ｖａ２になる。以下、この電圧Ｖａ２を第二保持電圧という。なお、前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２は、前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１と同じであり、従って、前記第二保持電圧Ｖａ２は、前記第一保持電圧Ｖａ１と同じ値の電圧である。
【０１０９】
一方、第二容量電極２３への印加電圧である第一電圧Ｖ１は、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ電圧（各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する電圧）であるが、第三容量電極２４への印加電圧である第二電圧Ｖ２は、前記第一電圧Ｖ１とは異なる一定レベルの直流電圧である。
【０１１０】
そのため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転すると、共通電極６と第三容量電極２４との間の電圧値の低下に伴って、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３のそれぞれのチャージ電圧が、これらのＣＬＣ２，Ｃｓ２，Ｃｓ３の容量値に対応した比率で降圧する。
【０１１１】
また、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになると、第二画素容量ＣＬＣ２及び第二補償容量Ｃｓ２のチャージ電圧と第三補償容量Ｃｓ３のチャージ電圧がそれぞれ前記第一画素行の選択期間ｔ１における書込み終了後の電圧（第二ＴＦＴ９ｂがオフした後の電圧）になる。
【０１１２】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行のうちの偶数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転する選択期間）ｔ２，ｔ４，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３になり、奇数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになる選択期間）ｔ３，ｔ５，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２と実質的に同じ電圧に戻る。
【０１１３】
従って、第二領域３２ｂの液晶には、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に交互に印加される前記電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の電圧が、１フレームの実効電圧として印加される。
【０１１４】
なお、前記第二保持電圧Ｖａ２と、この第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３は、次の（１）式及び（２）式により求めることができる。
【０１１５】
Ｖａ２＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＬ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＨ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（１）
Ｖａ３＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＨ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＬ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（２）
Ｃｌｃ；第二画素容量ＣＬＣ２の容量値
Ｃ２；第二補償容量Ｃｓ２の容量値
Ｃ３；第三補償容量Ｃｓ３の容量値
Ｃｇｓ；第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量
Ｃｄｓ；第二ＴＦＴ９ｂのドレイン−ソース間容量
ＶｓｉｇＨ；第一画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｓｉｇＬ；第二画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｇＬ；走査信号のオフ電圧
Ｖｐｉｘ；第二画素電極５ｂの電位
ＶｃｏｍＬ；コモン信号Ｖｃｏｍのローレベル値値（Ｖ１Ｌ）
ＶｃｏｍＨ；コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル値値（Ｖ１Ｈ）
また、前記第二領域３２ｂの液晶に印加される１フレームの実効電圧は、次の（３）式により求めることができる。
【０１１６】
実効電圧＝｛（Ｖａ２２＋Ｖａ３２）／２｝１／２ …（３）
このように、各画素３２の第二領域３２ｂの１フレームの実効電圧は、同じ画素３２の第一領域３２ａの１フレームの実効電圧に対して降圧した電圧である。そして、第一領域３２ａの液晶分子２ａは、該第一領域３２ａの１フレームの実効電圧の強さに対応して倒れ込み配向し、第二領域３２ｂの液晶分子２ａは、該第二領域３２ａの１フレームの実効電圧の強さに対応して倒れ込み配向する。
【０１１７】
従って、同じ階調値のデータ信号に対する液晶分子２ａの倒れ込み角（基板３，４の法線方向に対する液晶分子２ａの分子長軸の角度）は、第一領域３２ａと第二領域３２ｂとで異なる。すなわち、前記第二領域３２ｂの液晶分子２ａは、前記第一領域３２ａの液晶分子２ａの倒れ込み角よりも小さい角度で倒れ込む。
【０１１８】
そのため、各画素３２の第二領域３２ｂの液晶層２での電圧−透過率特性は、前記第一領域３２ａの液晶層２での電圧−透過率特性とは異なる特性である。図１６は、前記ノーマリーブラックモードの液晶表示素子１における第一領域３２ａと第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を示している。図１６のように、第二領域３２ｂの電圧−透過率特性は、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性である。
【０１１９】
従って、液晶層２の層厚（第一基板１と第二基板２との間の間隙）等を、第一領域３２ａの電圧−透過率特性が所定の視野角が得られる特性になるように設計し、さらに、前記第二電圧Ｖ２の値を、第二領域３２ｂの電圧−透過率特性が前記第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して所定量だけシフトした特性、つまり第一領域３２ａの視野角とは異なる視野角が得られる特性になるように設定することにより、第一領域３２ａの視野角特性と第二領域３２ｂの視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１２０】
なお、第一領域３２ａの視野角特性と第二領域３２ｂの視野角特性とが相乗した視野角は、前記第一領域３２ａと第二領域３２ｂとの面積比（第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの面積比）に対応する。従って、前記第一領域３２ａと第二領域３２ｂとの面積比面積比を選択することにより、所定の広さの視野角を得ることができる。
【０１２１】
そして、上記実施例の液晶表示装置は、前記第三容量電極２４に印加する電圧値を制御するだけで視野角を微調整することができる。そのため、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきが生じても、前記視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１２２】
すなわち、上記実施例の液晶表示装置は、前記第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加するようにしているため、前記第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２の値を制御することにより、前記第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を変化させることができる。
【０１２３】
前記第二領域３２ｂの電圧−透過率特性は、図１６に示したように、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性であり、そのシフト量は、第二容量電極２３に印加された第一電圧Ｖ１と、第三容量電極２４に印加された第二電圧Ｖ２との差に対応する。
【０１２４】
この実施例において、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対する第二領域３２ｂの電圧−透過率特性のシフト量は、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を小さくするのに伴って小さくなり、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を大きくするのに伴って大きくなる。
【０１２５】
このように、上記液晶表示装置は、前記第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、前記第二領域３２ｂの視野角特性を任意に調整することができる。従って、第一領域３２ａの視野角特性と第二領域３２ｂの視野角特性とを相乗させた視野角を所定の値になるように微調整し、表示装置相互間の視野角のばらつきを補正することができる。この視野角のばらつきの補正は、前記第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２を制御するだけで容易に行うことができる。
【０１２６】
また、上記実施例では、共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極２２に印加する第一電圧Ｖ１（Ｖｃｏｍ＝Ｖ１）を、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧、例えば１フレーム中の各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する矩形波交流電圧としている。そのため、各画素３２の第一領域３２ａの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一保持電圧Ｖａ１に対応した一定値の実効電圧を印加することができる。
【０１２７】
さらに、上記実施例では、第二容量電極２３に、共通電極６及び第一容量電極２２への印加電圧と同じ第一電圧（矩形波交流電圧）Ｖ１を印加し、前記第三容量電極２４に、一定レベル、例えば前記第一電圧Ｖ１を形成するハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加している。
【０１２８】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、図１５のように、第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧Ｖａ３とに交互に変化させ、各画素３２の第二領域３２ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記二つの電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の実効電圧を印加することができる。
【０１２９】
また、上記液晶表示装置は、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、前記第一画素電極５ａの全周に亘って連続した形状に形成し、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３を、第二画素電極５ｂの全ての辺に重なるように、前記第二素電極５ｂの全周に亘って連続した形状に形成しているため、前記第一補償容量Ｃｓ１の容量値と、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値をそれぞれ充分大きくすることができる。
【０１３０】
さらに、上記液晶表示装置は、前記第三容量電極２４を所定の方向（上記実施例では走査信号線７の延伸方向と平行な方向）に延伸した形状に形成し、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８の第三容量電極２４と重なる容量形成部１８ａを、前記第三容量電極２４の延伸方向に沿った長尺形状に形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分に確保することができる。
【０１３１】
上記実施例では、前記容量形成部１８ａを、第二画素電極５ｂの第三容量電極２４と隣接する辺と同じ長さに形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分大きくすることができる。
【０１３２】
さらに、上記実施例では、前記第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４を同一面上に配置しているため、これらの容量電極２２，２３，２４を一括して同時に形成することができる。なお、上記実施例では、前記各容量電極２２，２３，２４を、走査信号線７及び各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０の形成面と同じ面（第一基板３上）に、前記走査信号線７及びゲート電極１０と同じ金属膜により形成しているため、前記走査信号線７及びゲート電極１０の形成と同時に各容量電極２２，２３，２４を形成することができる。
【０１３３】
しかも、上記実施例では、前記各容量電極２２，２３，２４を第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０の形成面と同じ面上（第一基板３上）に形成し、前記第二画素電極接続部１８を各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート絶縁膜１１上に形成し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂを各ＴＦＴ９ａ，９ｂと第二画素電極接続部１８を覆って設けられた被覆絶縁膜１９の上に形成することにより、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と第二補償容量Ｃｓ２の第二誘電層を、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜により形成し、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層を、前記ゲート絶縁膜１１により形成している。そのため、前記第一、第二、第三の各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を、各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び第一、第二画素電極５ａ，５ｂの形成工程を利用して形成することができる。
【０１３４】
また、上記液晶表示装置は、前記第一容量電極２２の第一画素電極５ａの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極５ａの外方に張り出しているため、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極２２の各辺部の外側縁との間に横電界が生じる。この横電界は、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの電界である。
【０１３５】
また、前記第二容量電極２３の第二画素電極５ｂの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極５ｂの外方に張り出しているため、第二画素電極５ｂの各辺と第二容量電極２３の各辺部の外側縁との間に横電界が生じる。この横電界は、第二画素電極５ｂの全周に亘って同じ強さの電界である。
【０１３６】
そのため、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加すると、図１７のように、第一領域３２ａの液晶分子２ａが第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込むように配向し、第二領域３２ｂの液晶分子２ａが、第二画素電極５ｂの各辺から前記第二画素電極５ｂの中心に向かって倒れ込むように配向する。
【０１３７】
一方、図１８に示した比較例の液晶表示装置は、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を異ならせるための第三補償容量Ｃｓ１３を、第二画素電極５ｂの所定の辺に重なるように設けられた第三容量電極１２４により形成したものである。なお、図１８において、上記実施例の液晶表示装置に対応するものには図に同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。この図１８でも被覆絶縁膜１９と第一配向膜２７を省略している。
【０１３８】
この比較例において、走査信号線７と第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂは、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の中間位置に配置されており、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７と、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８は、同じ長さに形成されている。また、前記第二画素電極接続部１８は、上記実施例のような容量形成部１８ａを有しない形状に形成されている。
【０１３９】
そして、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１１を形成する第一容量電極１２２は、上記実施例と同様に、第一画素電極５ａの全周に亘って連続した形状に形成され、ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第一誘電層を介して前記第一画素電極５ａと対向している。
【０１４０】
一方、前記第三補償容量Ｃｓ１３を形成する第三容量電極１２４は、第二画素電極５ｂの各辺のうちの所定の一辺、例えば走査信号線７に隣接する辺に重なるように形成され、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第三誘電層を介して前記第二画素電極５ｂと対向している。また、前記第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１２３は、前記第三容量電極１２４との間に間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの他の三辺に重なるように形成され、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第三誘電層を介して前記第二画素電極５ｂと対向している。
【０１４１】
また、前記第一容量電極１２２は、その各辺部の外側縁がそれぞれ第一画素電極５ａの外方に張り出した形状に形成され、第二容量電極１２３と第三容量電極１２４は、それぞれの外側縁が第二画素電極５ｂの外方に張り出した形状に形成されている。
【０１４２】
この比較例においても、前記第一容量電極１２２と第二容量電極１２３とに共通電極６（図６〜図９参照）への印加電圧と同じ第一の電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を印加することにより、各画素３２の第一領域３２ａの液晶層２での電圧−透過率特性と、第二領域３２ｂの液晶層２での電圧−透過率特性とを異ならせ、その両方の視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１４３】
また、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極１２２の各辺部の外側縁との間に生じる横電界は、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの電界であるため、第一領域３２ａでは、上記実施例と同様に、液晶分子２ａが第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込むように配向する。
【０１４４】
しかし、第二領域３２ｂでは、第二容量電極１２３に印加される第一電圧Ｖ１と、第三容量電極１２４に印加される第二電圧Ｖ２とが異なるため、第二画素電極５ｂの三辺と前記第二容量電極１２３の各辺部の外側縁との間に生じる横電界と、前記第二画素電極５ｂの他の一辺と前記第三容量電極１２４の外側縁との間に生じる横電界は、異なる強さの電界である。
【０１４５】
そのため、前記比較例の液晶表示装置は、各画素３２の第二領域３２ｂにおける液晶分子２ａの倒れ込み方向に乱れが生じ、それに対応して前記第二領域３２ｂの各部の光の透過率に差が生じるため、表示品質が低下する。
【０１４６】
前記比較例に対して、上記実施例の液晶表示装置は、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を異ならせるための第三補償容量Ｃｓ３を、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部１８に重なるように第三容量電極２４を配置することにより形成しているため、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３を、第二画素電極５ｂの全周に亘って連続した形状に形成することができる。
【０１４７】
従って、上記実施例の液晶表示装置は、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極２２の各辺部の外側縁との間に、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせると共に、第二画素電極５ｂの各辺と第二容量電極２３の各辺部の外側縁との間に、第二画素電極５ｂの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせることができる。
【０１４８】
そのため、上記実施例の液晶表示装置では、図１７に示したように、各画素３２の第一領域３２ａにおいて、液晶分子２ａが、第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込み配向すると共に、第二領域３２ｂにおいても、液晶分子２ａが、第二画素電極５ｂの各辺から前記第二画素電極５ｂの中心に向かって倒れ込み配向する。従って、前記比較例のような液晶分子２ａの倒れ込み配向の乱れによる表示品質の低下が無く、良好な品質の画像を表示することができる。
【０１４９】
なお、上記実施例の液晶表示装置において、第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２は、第一及び第二容量電極２２，２３に印加する第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧に限らず、任意の値の直流電圧でもよく、その場合も、第二領域３２ｂの液晶に、前記各選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に交互に変化する２つの電圧値を平均した、前記第一領域３２ａの実効電圧とは異なる値の実効電圧を印加することができる。
【０１５０】
また、前記第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２は、一定レベルの直流電圧に限らず、電圧レベルが前記第一電圧Ｖ１と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧でもよい。
【０１５１】
図１９は、前記第二電圧Ｖ２を矩形波交流電圧とした例を示している。この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１と同位相で、且つ振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧である。
【０１５２】
また、図２０は、前記第二電圧Ｖ２を矩形波交流電圧とした他の例を示している。この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１とは逆位相で、且つ振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧である。
【０１５３】
前記図１９または図２０の何れの波形の第二電圧Ｖ２を第三容量電極２４に印加しても、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、前記第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧とに交互に変化させることができる。従って、各画素３２の第二領域３２ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、第一領域３２ａの実効電圧とは異なる値の実効電圧を印加することができる。
【０１５４】
［第二実施例］
次に、この発明の第二実施例を図２１〜図２３を参照して説明する。なお、この第二実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【０１５５】
この第二実施例において、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、上記第一実施例と同じ積層膜により構成されている。また、走査信号線７は、第一基板３上に形成され、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのゲート絶縁膜１１により覆われている。そして、データ信号線８は、ゲート絶縁膜１１の上に形成されている。なお、この第二実施例においても、データ信号線８は、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【０１５６】
一方、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４は、ゲート絶縁膜１１上に各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及びデータ信号線８を覆って設けられた透明な第一被覆絶縁膜１９ａの上に、上記第一実施例と同じ形状に形成されている。
【０１５７】
また、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、前記第一被覆絶縁膜１９ａ上に各容量電極２２，２３，２４を覆って設けられた透明な第二被覆絶縁膜１９ｂの上に、上記第一実施例と同じ形状に形成されている。なお、図２１では前記第二被覆絶縁膜１９ｂを省略している。
【０１５８】
なお、前記第一被覆絶縁膜１９ａ及び第二被覆絶縁膜１９ｂには、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７の第一画素電極５ａと重なる部分に穿設された第一コンタクト孔２０ａと、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８の第二画素電極５ｂと重なる部分に穿設された第二コンタクト孔２１ａが形成されている。
【０１５９】
そして、第一画素電極５ａは、前記第一コンタクト孔２０ａにおいて第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二コンタクト孔２１ａにおいて第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８に接続されている。
【０１６０】
すなわち、この第二実施例において、第一画素電極５ａと第一容量電極２２との間の第一誘電層と、第二画素電極５ｂと第二容量電極２３との間の第二誘電層は、前記第二被覆絶縁膜１９ｂからなっている。また、前記第二画素電極接続部１８と第三容量電極２４との間の第三誘電層は、前記第一被覆絶縁膜１９ａからなっている。
【０１６１】
また、この第二実施例では、第一画素電極５ａの第一コンタクト孔２０ａ内に入り込んだ部分（第一画素電極接続部１７との接続部）が第一容量電極２２と短絡することがないように、第一容量電極２２を、第一コンタクト孔２０ａを形成する部分を前記第一コンタクト孔２０ａの平面形状よりも大きく切欠した形状に形成している。また、第二画素電極５ｂの第二コンタクト孔２１ａ内に入り込んだ部分（第二画素電極接続部１８との接続部）が第二容量電極２３と短絡することがないように、前記第二容量電極２３を、第二コンタクト孔２１ａを形成する部分を前記第二コンタクト孔２１ａの平面形状よりも大きく切欠した形状に形成している。
【０１６２】
さらに、この第二実施例の液晶表示装置は、垂直配向型のものであり、第一配向膜２７と第二配向膜２８は垂直配向膜からなっている。なお、図２１では前記第一配向膜２７を省略している。また、液晶層２は、負の誘電異方性を有し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間に電圧が印加されていないときに、液晶分子２ａが基板３，４面に対して垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間への電圧の印加により、液晶分子２ａが基板３，４面に対して倒れ込み配向するネマティック液晶からなっている。
【０１６３】
この第二実施例の液晶表示装置においても、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、上記第一実施例と同様に、視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１６４】
また、この第二実施例においても、第一容量電極２２を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、前記第一画素電極５ａの全周に亘って連続した形状に形成し、第二容量電極２３を、第二画素電極５ｂの全ての辺に重なるように、前記第二画素電極５ｂの全周に亘って連続した形状に形成しているため、前記第一償容量Ｃｓ１の容量値と、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値をそれぞれ充分大きくすることができる。
【０１６５】
さらに、前記第三容量電極２４を所定の方向（走査信号線７の延伸方向と平行な方向）に延伸した形状に形成し、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８の第三容量電極２４と重なる容量形成部１８ａを、前記第三容量電極２４の延伸方向に沿った長尺形状に形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分に確保することができる。なお、この第二実施例においても、前記容量形成部１８ａを、第二画素電極５ｂの走査信号線７と隣接する辺と同じ長さに形成しているため、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値を充分大きくすることができる。
【０１６６】
また、上記第二実施例では、前記第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４を同一面上（第一被覆絶縁膜１９ａ上）に配置しているため、これらの容量電極２２，２３，２４を一括して同時に形成することができる。
【０１６７】
そして、上記第二実施例では、前記第二画素電極接続部１８を各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート絶縁膜１１上に形成し、各容量電極２２，２３，２４と第二画素電極接続部１８を覆って設けられた第一被覆絶縁膜１９ａの上に形成し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂを前記各容量電極２２，２３，２４を覆って設けられた第二被覆絶縁膜１９ｂの上に形成することにより、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と第二補償容量Ｃｓ２の第二誘電層を、前記第二被覆絶縁膜１９ｂにより形成し、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層を、前記第一被覆絶縁膜１９ａにより形成している。そのため、前記第一、第二、第三の各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を、各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び第一、第二画素電極５ａ，５ｂの形成工程を利用して形成することができる。
【０１６８】
さらに、上記第二実施例においても、前記第一容量電極２２の第一画素電極５ａの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極５ａの外方に張り出し、前記第二容量電極２３の第二画素電極５ｂの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極５ｂの外方に張り出している。そのため、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極２２の各辺部の外側縁との間に、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせると共に、第二画素電極５ｂの各辺と第二容量電極２３の各辺部の外側縁との間に、第二画素電極５ｂの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせることができる。
【０１６９】
従って、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加すると、第一領域３２ａの液晶層２の液晶分子２ａが、第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込むように配向し、第二領域３２ｂの液晶層２の液晶分子２ａが、第二画素電極５ｂの各辺から前記第二画素電極５ｂの中心に向かって倒れ込むように配向するため、液晶分子２ａの倒れ込み配向の乱れによる表示品質の低下が無く、良好な品質の画像を表示することができる。
【０１７０】
［第三実施例］
図２４に示した第三実施例は、上記第二実施例の液晶表示装置において、第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４（第一容量電極２２と第三容量電極２４は図示せず）を、金属膜２０１と、この金属膜２０１の上に積層されたＩＴＯ膜等の透明導電膜膜２０２とにより形成したものである。
【０１７１】
この実施例において、第一及び第二容量電極２２，２３は、前記金属膜２０１を、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの各辺に重なり、且つ外側縁が第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの外方に張り出した形状に形成し、その上に透明導電膜膜２０２を、前記金属膜２０１上から第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの方向に張り出す幅に形成した積層膜からなっている。また、第三容量電極２４は、金属膜２０１と透明導電膜膜２０２とを同じ形状に形成した積層膜からなっている。
【０１７２】
この第三実施例によれば、前記第一及び第二容量電極２２，２３を形成する金属膜２０１と透明導電膜膜２０２とのうちの透明導電膜膜２０２を、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと所定の幅で重ならせることにより、充分な容量値の第一及び第二補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２を形成することができるため、前記金属膜２０１の第一及び第二画素電極５ａ，５ｂとの重なり幅を小さくし、画素３２の開口率を高くすることができる。
【０１７３】
なお、図２４には、前記第二実施例の液晶表示装置における各容量電極２２，２３，２４を前記積層膜により形成した例を示したが、上記第一実施例の液晶表示装置における各容量電極２２，２３，２４を前記積層膜により形成してもよい。
【０１７４】
また、上記第三実施例では、第一、第二、第三容量電極２２，２３，２４の全てを前記積層膜により形成しているが、第一容量電極２２と第二容量電極２３とを前記積層膜により形成し、第三容量電極２４は金属膜のみので形成してもよい。
【０１７５】
［第四実施例］
図２５に示した第四実施例は、第一容量電極２２を、走査信号線７の延伸方向に隣り合う各第一容量電極２２，２２の縦辺部同士が前記縦辺部の全長に亘って一体に繋がった形状に形成し、第二容量電極２３を、走査信号線７の延伸方向に隣り合う各第二容量電極２３，２３の縦辺部同士が前記縦辺部の全長に亘って一体に繋がった形状に形成したものであり、他の構成は上記第二実施例と同じである。なお、この第四実施例は、上記第二実施例に限らず、上記第一実施例の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１７６】
［第五実施例］
図２６に示した第五実施例は、データ信号線８の延伸方向に隣り合う画素３２，３２のうちの一方の画素３２の第一容量電極２２と他方の画素３２の第二容量電極２３とを一体に繋がった形状に形成したものであり、他の構成は上記第二実施例と同じである。
【０１７７】
この第五実施例によれば、前記隣り合う画素３２，３２のうちの一方の画素３２の第一容量電極２２と他方の画素３２の第二容量電極２３への第一電圧Ｖ１の印加を一括して行うことができる。
【０１７８】
なお、この第五実施例は、上記第二実施例に限らず、上記第一実施例の液晶表示装置にも適用することができる。また、この第五実施例は、上記第三実施例のように走査信号線７の延伸方向に隣り合う各第二容量電極２３，２３の縦辺部同士を前記縦辺部の全長に亘って一体に繋がった形状に形成する場合にも適用することができる。
【０１７９】
［他の実施例］
なお、上述した各実施例の液晶表示装置は垂直配向型のものであるが、この発明は、垂直配向型に限らず、ＴＮ型、ＳＴＮ型、非ツイストのホモジニアス配向型等の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１８０】
その場合、第一及び第二容量電極２２，２３は、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの所定の部分に重なる形状に形成すればよく、また、これらの容量電極２２，２３を第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの外方に張り出させる必要もない。
【０１８１】
但し、垂直配向型以外の液晶表示装置においても、前記第一及び第二容量電極２２，２３を、上記各実施例と同様に、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの全周に亘って連続した形状に形成するのが望ましく、このようにすることにより、第一及び第二補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の容量値を充分大きくすることができる。
【符号の説明】
【０１８２】
１…液晶表示素子、２…液晶層、３，４…基板、５ａ…第一画素電極、５ｂ…第二画素電極、６…共通電極、７…走査信号線、８…データ信号線、９ａ…第一ＴＦＴ、９ｂ…第二ＴＦＴ、１０…ゲート電極、１１…ゲート絶縁膜、１２…半導体薄膜、１３…チャネル保護膜、１４…コンタクト層、１５…ソース電極、１６…ドレイン電極、１７…第一画素電極接続部、１８…第二画素電極接続部、１８ａ…容量形成部、２２…第一容量電極、２３…第二容量電極、２４…第三容量電極、Ｃｓ１…第一補償容量、Ｃｓ２…第二補償容量、Ｃｓ３…第三補償容量、１９…被覆絶縁膜、１９ａ…第一被覆絶縁膜、１９ｂ…第二被覆絶縁膜、２０，２０ａ，２１，２１ａ…コンタクト孔、３２…画素、３２ａ…第一領域、３２ｂ…第二領域、３５…駆動手段
【技術分野】
【０００１】
この発明は、広い視野角をもった液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示の視野角を広くすることが望まれている。そのために、画素を二つの領域に区分し、その一方の領域と他方の領域とで液晶に印加される電圧値を異ならせることにより、前記２つの領域の視野角特性を互いに異ならせ、その両方の視野角特性が相乗した広い視野角を得ることが考えられている。
【０００３】
この種の液晶表示装置としては、例えば、第一薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とを画素毎に形成したものがある。
【０００４】
この液晶表示装置において、第一薄膜トランジスタと第二薄膜トランジスタは、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続されている。また、走査信号線は、第一画素電極と第二画素電極との間を延伸するように配線されている。
【０００５】
そして、この液晶表示装置では、第一薄膜トランジスタの充電能力と、第二薄膜トランジスタの充電能力とを異ならせることにより、前記一方の領域の液晶と他方の領域の液晶とに、異なる値の電圧を印加するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１５２０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置は、各種の工程を経て製造されるため、同機種の液晶表示装置であっても、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきを生じることがある。そして、上記従来の液晶表示装置は、視野角のばらつきの補正が難しいため、所定の視野角の液晶表示装置を歩留まり良く得ることができない。
【０００８】
この発明は、視野角のばらつきを容易に補正することができる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、第一薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、前記第一薄膜トランジスタと前記第二薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二薄膜トランジスタと前記第二画素電極とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の液晶表示装置において、前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二画素電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の液晶表示装置において、前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二容量電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、前記請求項３に記載の液晶表示装置において、前記第三容量電極が所定の方向に延伸した形状に形成され、前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分が、前記第三容量電極の延伸方向に沿った長尺形状に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、前記請求項４に記載の液晶表示装置において、前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分は、前記第二画素電極の前記第三容量電極と隣接する辺と同じ長さに形成されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、前記請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように、前記第一画素電極の全周に亘って連続した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の全ての辺に重なるように、前記第二画素電極の全周に亘って連続した形状に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、前記請求項６に記載の液晶表示装置において、前記液晶層は、負の誘電異方性を有し、液晶分子が、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間に電圧が印加されていないときに垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により倒れ込み配向するネマティック液晶からなり、前記第一容量電極は、前記第一画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極の外方に張り出した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極の外方に張り出した形状に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項８に記載の発明は、前記請求項１から７の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一、第二、第三の各容量電極は、同一面上に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項９に記載の発明は、前記請求項８に記載の液晶表示装置において、前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記各容量電極は前記ゲート電極の形成面と同じ面上に形成され、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記ゲート絶縁膜と前記被覆絶縁膜との二層膜からなり、前記第三誘電層は、前記ゲート絶縁膜からなっていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１０に記載の発明は、前記請求項８に記載の液晶表示装置において、前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記各容量電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた第一被覆絶縁膜の上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記各容量電極を覆って設けられた第二被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記第二被覆絶縁膜からなり、前記第三誘電層は、前記第一被覆絶縁膜からなっていることを特徴とする。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置において、前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極とが一体に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、前記請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、一定レベルの直流電圧であることを特徴とする。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、前記請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置において、前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、電圧レベルが前記第一の電圧と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一の電圧の振幅よりも小さい矩形波交流電圧であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、前記第三容量電極に印加する第二電圧の値を制御するだけで視野角を微調整することができ、従って、視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の第一実施例を示す液晶表示装置の構成図。
【図２】第一実施例における液晶表示素子の平面図。
【図３】前記液晶表示素子の側面図。
【図４】前記液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【図５】図４の一つの画素部の拡大図。
【図６】図４のVI−VI矢視線に沿う拡大断面図。
【図７】図４のVII−VII矢視線に沿う拡大断面図。
【図８】図４のVIII−VIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図９】図４のIX−IX矢視線に沿う拡大断面図。
【図１０】前記液晶表示素子の液晶分子の初期配向状態を示す断面図。
【図１１】前記液晶表示素子の一つの画素の回路図。
【図１２】前記液晶表示素子を駆動する走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧の波形図。
【図１３】前記第一電圧と第二電圧の関係を示す図。
【図１４】前記画素の第一領域における第一画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１５】前記画素の第二領域における第二画素電極と共通電極との間に印加される電圧を示す図。
【図１６】前記第一領域と第二領域の液晶層での電圧−透過率特性図。
【図１７】第一実施例の液晶表示装置における電圧印加時の液晶分子の配向状態を模式的に示す平面図。
【図１８】比較例の液晶表示装置を示す第一基板の一つの画素部の平面図。
【図１９】図１２の走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧のうちの第二電圧を矩形波交流電圧とした例を示す波形図。
【図２０】図１２の走査信号とデータ信号と第一及び第二電圧のうちの第二電圧を他の矩形波交流電圧とした例を示す波形図。
【図２１】この発明の第二実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一つの画素部の平面図。
【図２２】図２１のXXII−XXII矢視線に沿う拡大断面図。
【図２３】図２１のXXIII−XXIII矢視線に沿う拡大断面図。
【図２４】この発明の第三実施例を示す液晶表示素子の図２３に対応する部分の断面図。
【図２５】この発明の第四実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【図２６】この発明の第五実施例を示す液晶表示素子の第一基板の一部分の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
［第一実施例］
この発明の第一実施例の液晶表示装置は、図１のように、液晶表示素子１と前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３５とにより構成されている。
【００２５】
前記液晶表示素子１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）をスイッチング素子としたアクティブマトリックス型液晶表示素子であり、複数の画素３２が、図２のように、行方向（図において左右方向）及び列方向（図において上下方向）に配列させて形成されている。
【００２６】
この液晶表示素子１は、図２〜図１０のように、対向配置された透明な第一基板３と第二基板４を備えている。そして、前記第一基板（例えば表示面側とは反対側の基板）３の第二基板４と対向する面に、複数の透明な画素電極５が行方向及び列方向に配列させて設けられ、前記第二基板４の第一基板３と対向する面に、前記各画素電極５と対向する一枚膜状の透明な共通電極６が設けられている。
【００２７】
前記各画素電極５はそれぞれ、電気的に分離して形成された第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとからなっている。この実施例において、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、同じ横幅（行方向の幅）を有しており、第一画素電極５ａは、縦幅（列方向の幅）が前記横幅の約２倍である縦長矩形形状に形成され、第二画素電極５ｂは、縦幅と横幅が同程度の正方形形状に形成されている。
【００２８】
さらに、前記第一基板３には、各画素電極５の行毎に行方向に延伸させて配線された複数の走査信号線７と、各画素電極５の列毎に列方向に延伸させて配線された複数のデータ信号線８とが設けられている。
【００２９】
前記走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置されている。また、前記データ信号線８は、各列の画素電極５の一側の領域に、列方向に延伸するように配置されている。
【００３０】
また、前記第一基板３には、各画素電極５にそれぞれ対応させて、前記第一画素電極５ａに接続された第一ＴＦＴ９ａと、前記第二画素電極５ｂに接続された第二ＴＦＴ９ｂとが配置されている。この第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に、データ信号線８の延伸方向に並べて配置されている。
【００３１】
前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂはそれぞれ、図４、図５、図６及び図７のように、第一基板３上に形成されたゲート電極１０と、前記第一基板３上の全域に前記ゲート電極１０を覆って形成された透明なゲート絶縁膜１１と、このゲート絶縁膜１１上にゲート電極１０と対向させて形成された真正アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１２と、前記半導体薄膜１２の上面の中央部に設けられたチャネル保護膜１３と、前記半導体薄膜１２のチャネル領域を挟んで、その一方の側と他方の側との上にそれぞれｎ型アモルファスシリコンからなるコンタクト層１４を介して形成されたソース電極１５及びドレイン電極１６とからなっている。
【００３２】
なお、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、互いに逆向きの形状に形成されている。すなわち、第一ＴＦＴ９ａは、第一画素電極５ａと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。また、第二ＴＦＴ９ｂは、第二画素電極５ｂと対向する側にドレイン電極１６が設けられ、その反対側にソース電極１５が設けられた形状に形成されている。
【００３３】
そして、前記第一ＴＦＴ９ａのゲート電極１０と第二ＴＦＴ９ｂのゲート電極１０は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を延伸するように配置された走査信号線７に接続されている。
【００３４】
前記走査信号線７は、第一基板３上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０と同じ金属膜により前記ゲート電極１０と一体に形成されている。なお、この実施例において、走査信号線７は、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間を直線状に延伸するように形成され、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂは、前記走査信号線７の上に形成されており、各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０は、前記走査信号線７の第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂに対応する部分からなっている。
【００３５】
さらに、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５と第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５は、前記第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂの一側を延伸するように配置されたデータ信号線８に接続されている。
【００３６】
前記データ信号線８は、前記ゲート絶縁膜１１の上に、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６と同じ金属膜により、前記各ソース電極１５，１５と一体に形成されている。
【００３７】
前記データ信号線８には、各行の画素電極５の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の領域に向かって延びる複数の分岐線８ａが一体に形成されている。この分岐線８ａは、互いに逆向きの形状に形成された前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂのうちの前記データ信号線８に近い側に配置された第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５側を通り、さらに前記データ信号線８から遠い側に配置された第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５側に達するように屈曲させた形状に形成されている。そして、前記データ信号線８は、前記分岐線８ａを介して、前記第一ＴＦＴ９ａのソース電極１５及び第二ＴＦＴ９ｂのソース電極１５に一体的に接続されている。
【００３８】
この実施例において、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂと走査信号線７とデータ信号線８は、第一基板３上にゲート電極１０と走査信号線７を形成し、さらにゲート絶縁膜１１と半導体薄膜１２とチャネル保護膜１３とを順次成膜して前記チャネル保護膜１３を半導体薄膜１２の中央部を覆う形状にパターニングした後に、コンタクト層１４と金属膜とを順次成膜し、前記金属膜とコンタクト層１４及び半導体薄膜１２を一括してソース電極１５及びドレイン電極とデータ信号線８の形状にパターニングする工程で形成されている。そのため、前記データ信号線８は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００３９】
また、前記ゲート絶縁膜１１の上には、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６と第一画素電極５ａとを電気的に接続する第一画素電極接続部１７と、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６と第二画素電極５ｂとを電気的に接続する第二画素電極接続部１８が形成されている。
【００４０】
前記第一画素電極接続部１７は、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から第一画素電極５ａの方向に向けて、前記第一画素電極５ａの走査信号線７に隣接する辺に重なる長さに延長されている。また、第二画素電極接続部１８は、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から第二画素電極５ｂの方向に向けて、前記第二画素電極５ｂの走査信号線７に隣接する辺に重なる長さに延長されている。
【００４１】
なお、前記走査信号線７と第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂは、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間隔の中心よりも第一画素電極５ａ側に片寄った位置に配置されている。そのため、前記第二画素電極接続部１８は、前記第一画素電極接続部１７よりも長く延長されている。
【００４２】
また、前記第一画素電極接続部１７と第二画素電極接続部１８は、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのソース，ドレイン電極１５，１６の形成と同時に形成されている。従って、これらの画素電極接続部１７，１８は、前記半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【００４３】
さらに、前記ゲート絶縁膜１１の上には、前記各ＴＦＴ９ａ，９ｂと第一画素電極接続部１７及び第二画素電極接続部１８とデータ信号線８を覆って透明な被覆絶縁膜１９が設けられており、この被覆絶縁膜１９の上に、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂがＩＴＯ膜により形成されている。なお、図４及び図５では前記被覆絶縁膜１９を省略している。
【００４４】
前記被覆絶縁膜１９の上に形成された第一及び第二画素電極５ａ，５ｂのうち、第一画素電極５ａは、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６に前記第一画素電極接続部１７を介して接続され、第二画素電極５ｂは、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６に前記第二画素電極接続部１８を介して接続されている。
【００４５】
なお、前記被覆絶縁膜１９には、前記第一画素電極接続部１７の第一画素電極５ａと重なる部分に穿設された第一コンタクト孔２０と、前記第二画素電極接続部１８の第二画素電極５ｂと重なる部分に穿設された第二コンタクト孔２１が形成されている。
【００４６】
そして、第一画素電極５ａは、前記第一コンタクト孔２０において第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二コンタクト孔２１において第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８に接続されている。
【００４７】
このように、前記液晶表示素子１は、第一ＴＦＴ９ａに接続された第一画素電極５ａと第二ＴＦＴ９ｂに接続された第二画素電極５ｂとが画素３２毎に形成され、前記第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂとが、互いに同じデータ信号線８及び走査信号線７に接続されたものである。
【００４８】
そのため、各画素３２はそれぞれ、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の部分を境にして、第一画素電極５ａが設けられた第一領域３２ａと、第二画素電極５ｂが設けられた第二領域３２ｂとに区分されている。
【００４９】
そして、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、同じ走査信号線７からの走査信号によりオン，オフを制御され、同じデータ信号線８から供給されたデータ信号を第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂに同時に印加する。
【００５０】
また、前記第一基板３には、各画素３２毎に、第一画素電極５ａとの間に第一誘電層が介在されて第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二誘電層が介在されて第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３とが設けられている。
【００５１】
前記第一容量電極２２は、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、前記第一画素電極５ａ全周に亘って連続した矩形枠形状に形成されている。また、第二容量電極２３は、第二画素電極５ｂの全ての辺に重なるように、前記第二画素電極５ｂの全周に亘って連続した矩形枠形状に形成されている。以下、前記第一容量電極２２の第一画素電極５ａの各辺に重なる部分及び第二容量電極２３の第二画素電極５ｂの各辺に重なる部分のうち、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの走査信号線７の延伸方向に沿った二つの辺に重なる部分をそれぞれ横辺部という。また、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂのデータ信号線８の延伸方向に沿った二つの辺に重なる部分をそれぞれ縦辺部という。
【００５２】
さらに、第一容量電極２２は、第一画素電極５ａの各辺に重なる横辺部及び縦辺部の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極５ａの外方に張り出した形状に形成され、第二容量電極２３は、第二画素電極５ｂの各辺に重なる横辺部及び縦辺部の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極５ｂの外方に張り出した形状に形成されている。
【００５３】
そして、各画素３２の第一容量電極２２は、行毎に、隣り合う第一容量電極２２，２２一方の横辺部（図では走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺部）の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。また、各画素３２の第二容量電極２３は、行毎に、隣り合う第二容量電極２３，２３の一方の横辺部（図では走査信号線７に隣接する側とは反対側の横辺部）の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００５４】
さらに、前記第一基板３には、各画素３２毎に、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４が設けられている。
【００５５】
前記第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの接続部は、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８であり、前記第三容量電極２４は、走査信号線７と第二画素電極５ｂとの間に、前記走査信号線７及び第二画素電極５ｂとの間に間隔をあけて、前記第二画素電極接続部１８のうちの走査信号線７と第二画素電極５ｂとの間の領域に対応する部分に重なるように配置されている。
【００５６】
なお、前記第一容量電極２２及び第二容量電極２３の各辺部の外側縁は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの外方に張り出している。そのため、前記第三容量電極２４は、走査信号線７と第二容量電極２３との間に、前記走査信号線７及び第二容量電極２３との間に間隔をあけて、前記第二画素電極接続部１８のうちの走査信号線７と第二容量電極２３との間の領域に対応する部分に重なるように配置されている。
【００５７】
前記第三容量電極２４は、所定の方向に延伸した形状に形成されており、前記第二画素電極接続部１８の第三容量電極２３と重なる部分１８ａは、前記第三容量電極２３の延伸方向に沿った長尺形状に形成されている。以下、第二画素電極接続部１８の第三容量電極２３と重なる部分１８ａを容量形成部という。
【００５８】
この実施例において、第三容量電極２４は、走査信号線７の延伸方向と平行な方向に延伸させて形成されており、第二画素電極接続部１８の容量形成部１８ａは、第三容量電極２４の延伸方向に沿って、第二画素電極５ｂの第三容量電極２４と隣接する辺と同じ長さの横長形状に形成されている。そして、各画素３２の第三容量電極２４は、行毎に、隣り合う第三容量電極２４，２４の端部同士を連続させて形成することにより共通接続されている。
【００５９】
また、前記第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４は、同一面上に配置されている。この実施例において、前記各容量電極２２，２３，２４は、走査信号線７及び各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０の形成面と同じ面上、つまり第一基板３上に、前記走査信号線７及びゲート電極１０と同じ金属膜により形成され、前記ゲート絶縁膜１１により覆われている。
【００６０】
そして、前記第一容量電極２２は、第一画素電極５ａの全周の各辺に対して、ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第一誘電層を介して対向し、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成している。
【００６１】
また、前記第二容量電極２３は、第二画素電極５ｂの全周の各辺に対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第二誘電層を介して対向し、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成している。
【００６２】
さらに、前記第三容量電極２４は、前記第二画素電極接続部１８に形成された横長の容量形成部１８ａに対して、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第三誘電層を介して対向し、前記第二画素電極接続部１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成している。
【００６３】
一方、第二基板４には、図６〜図９のように、赤色フィルタ２５Ｒ、緑色フィルタ２５Ｇ及び青色フィルタ２５Ｂの三色のカラーフィルタが、各画素３２の列毎に交互に並べて形成されている。さらに、前記第二基板４には、各行及び各列の隣り合う画素３２，３２の間の領域及び各画素３２の第一領域３２ａと第二領域３２ｂとの間の領域に対応させて遮光膜２６が形成されている。
【００６４】
この実施例において、前記遮光膜２６は、例えば黒色系の顔料を添加した感光性樹脂により形成されており、前記三色のカラーフィルタ２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、第二基板４上の遮光膜２６の無い領域に形成されている。そして、前記共通電極６は、前記カラーフィルタ２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ及び遮光膜２６の上に、各画素３２の配列領域の全域に亘って形成されている。
【００６５】
さらに、前記第一基板３には、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂを覆って第一配向膜２７が設けられ、第二基板４には、共通電極６を覆って第二配向膜２８が設けられている。なお、図４及び図５では前記第一配向膜２７を省略している。
【００６６】
前記第一基板３と第二基板４は、図２及び図３のように、所定の間隙を設けて対向配置され、画面エリア１ａを囲む枠状のシール材２９を介して貼り合わされている。そして、第一画素電極５ａと共通電極６との間及び第二画素電極５ｂと前記共通電極６との間に液晶層２が設けられている。前記液晶層２は、第一基板３と第二基板４との間の間隙の前記シール材２９で囲まれた領域に液晶を封入して形成されている。
【００６７】
また、第一基板３の外面には、第一偏光板３０が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置され、第二基板４の外面には、第二偏光板３１が、その吸収軸を所定の方向に向けて配置されている。
【００６８】
この実施例の液晶表示素子１は、垂直配向型液晶表示素子であり、前記第一配向膜２７と第二配向膜２８は、垂直配向膜からなっている。また、液晶層２は、負の誘電異方性を有し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間に電圧が印加されていないときに、液晶分子２ａが図１０のように基板３，４面に対して垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間への電圧の印加により、液晶分子２ａが基板３，４面に対して倒れ込み配向するネマティック液晶からなっている。
【００６９】
そして、前記第一偏光板３０と第二偏光板３１は、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間への印加電圧が０Ｖのときの表示が最も暗いノーマリーブラックモードの液晶表示素子を構成するように、各偏光板３０，３１の吸収軸（図示せず）を互いに直交させて配置されている。
【００７０】
また、第一基板３には、図２及び図３のように、例えば画面エリア１ａの上下方向（列方向）の一端側に、第二基板４の外方に張出すドライバ搭載部３ａが形成されており、このドライバ搭載部３ａに、複数の入力端子と複数の走査信号出力端子及び複数のデータ信号出力端子（図示せず）が形成されたＬＳＩからなるドライバ素子３３が搭載されている。
【００７１】
そして、前記各走査信号線７は、画面エリア１ａの外側を迂回させて前記ドライバ素子３３の各走査信号出力端子にそれぞれ接続され、前記各データ信号線８は、前記ドライバ素子３３の各データ信号出力端子にそれぞれ接続されている。
【００７２】
さらに、前記ドライバ搭載部３ａには、第一電圧入力端子３４ａと第二電圧入力端子３４ｂが一つずつ形成されている。そして、前記共通電極６は、前記枠状のシール材２９による基板接合部に設けられたクロス接続部（図示せず）を介して、前記第一電圧入力端子３４ａに接続されている。
【００７３】
また、図では省略しているが、前記第一基板３には、前記画面エリア１ａの外側に、前記第一電圧入力端子３４ａに接続された一本の第一電圧供給線と、前記第二電圧入力端子３４ｂに接続された一本の第二電圧供給線が、データ信号線８と平行に配線されている。
【００７４】
そして、行毎に共通接続された全ての行の第一容量電極２２と、行毎に共通接続された全ての行の第二容量電極２３は、前記一本の第一電圧供給線に接続され、この第一電圧供給線を介して、前記共通電極６と共に前記第一電圧入力端子３４ａに接続されている。
【００７５】
また、行毎に共通接続された全ての行の第三容量電極２４は、前記一本の第二電圧供給線に接続され、この第二電圧供給線を介して前記第二電圧入力端子３４ｂに接続されている。
【００７６】
前記液晶表示素子１は、前記各画素３２の行（以下、画素行という）を一行ずつ順次選択し、各画素行毎にその行の各画素３２の第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加することにより駆動され、前記電圧の印加による液晶分子の配向状態の変化により、前記画素３２の第一領域３２ａと第二領域３２ｂの光の透過を制御して画像を表示する。なお、この液晶表示素子１の背後（表示面側とは反対側）には、画面エリア１ａの全域に向けて均一な照度の光を照射する面光源（図示せず）が配置されている。
【００７７】
次に、前記液晶表示素子１を駆動する駆動手段３５について説明する。この駆動手段３５は、図１のように、外部から入力される画像データを一時的に記憶する画像メモリ３６と、前記液晶表示素子１の各走査信号線７に走査信号を印加する走査信号線駆動回路３７と、前記液晶表示素子１の各データ信号線８にデータ信号を印加するデータ信号線駆動回路３４とを備えている。なお、前記走査信号線駆動回路３７とデータ信号線駆動回路３８は、前記液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに搭載されたドライバ素子３３に形成されている。
【００７８】
さらに、前記駆動手段３５は、第一電圧発生回路３９と、第二電圧発生回路４０と、前記走査信号線駆動回路３７及びデータ信号線駆動回路３８と第一電圧発生回路３９及び第二電圧発生回路４０を制御する制御部４１を備えている。
【００７９】
前記走査信号線駆動回路３７は、制御部４１からの同期用クロック信号等の制御信号に基づいて、各走査信号線７にそれぞれ、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオン，オフさせる走査信号を印加する。
【００８０】
図１２において、ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎは、一画面を表示する１フレーム（第一行から最終行までの各画素行を順次選択して全ての画素行の各画素３２に一画面分のデータ信号を印加する期間）を前記各画素の行数で分割した各画素行の選択期間であり、ｔ１は第一行の選択期間、ｔ２は第二行の選択期間、ｔ３は第三行の選択期間、ｔ４は第四行の選択期間、ｔ５は第五行の選択期間、ｔｎは最終行（ｎ行）の選択期間である。
【００８１】
また、図１２において、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，…Ｇｎは各走査信号線７にそれぞれ印加される走査信号であり、Ｇ１は第一行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ２は第二行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ３は第三行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ４は第四行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇ５は第五行の走査信号線７に印加される走査信号、Ｇｎは最終行（ｎ行）の走査信号線７に印加される走査信号である。
【００８２】
これらの走査信号は、該走査信号を印加する走査信号線７が対応する画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの開始時よりも所定時間遅れた書込み開始時に、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオンさせる所定値のオン電位になり、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎの終了時よりも所定時間早い書込み終了時に、前記第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂをオフさせるオフ電位になる波形の信号であり、他の期間は前記オフ電圧に保たれる。
【００８３】
前記データ信号線駆動回路３８は、制御部４１からの制御信号に基づいて、画像メモリ３６に一時的に記憶された画像データを一行の画素分ずつ前記制御部４１を介して取り込み、各画素行の選択期間毎に、一行の画素分の各画像データそれぞれの階調値に対応したデータ信号を各データ信号線８に印加する。
【００８４】
また、第一電圧発生回路３９は、制御部４１からの制御信号に基づいて、第一の電圧Ｖ１を発生する。この第一電圧Ｖ１は、液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された第一電圧入力端子３４ａを介して、前記共通電極６と、前記各行の第一容量電極２２及び第二容量電極２３とに印加される。
【００８５】
すなわち、各行の第一容量電極２２及び第二容量電極２３に印加される電圧Ｖ１は、共通電極６への印加電圧と同じ電圧である。以下、前記電圧Ｖ１のうちの共通電極６に印加する電圧をコモン信号Ｖｃｏｍという。
【００８６】
前記第一電圧発生回路３９から前記共通電極６と各行の第一容量電極２２及び第二容量電極２３に印加される第一電圧Ｖ１は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧である。
【００８７】
この実施例において、前記第一電圧Ｖ１は、図１２に示したように、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転し、さらに前記電圧レベルが１フレーム毎に反転する矩形波交流電圧である。
【００８８】
また、図１２に示したデータ信号Ｄは、各画素行のうちの一つの画素行の選択期間に、前記走査信号線駆動回路３７から各データ信号線８に印加される信号であり、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に各データ信号線８に印加される各データ信号Ｄはそれぞれ、前記選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍ（＝Ｖ１）との電位差が各画像データそれぞれの階調値に対応する値になるように電位が変化する矩形波信号である。
【００８９】
一方、第二電圧発生回路４０は、制御部４１からの制御信号に基づいて、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を発生する。この第二電圧Ｖ２は、図１２に示したように、一定レベルの直流電圧であり、液晶表示素子１のドライバ搭載部３ａに形成された第二電圧入力端子３４ｂを介して、各行の第三容量電極２４に印加される。
【００９０】
この実施例において、前記第二電圧Ｖ２は、図１３のように、前記第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧、例えば前記各レベル値Ｖ１Ｈ，Ｖ１Ｌの中間の値の電圧である。
【００９１】
このように、前記駆動手段３５は、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３とに、共通電極６への印加電圧（コモン信号Ｖｃｏｍ）と同じ第一の電圧Ｖ１を印加し、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４に、前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を印加する。
【００９２】
この液晶表示装置において、前記液晶表示素子１の各画素３２はそれぞれ、図１１のような回路で表すことができる。すなわち、一つの画素３２の第一領域３２ａは、第一画素電極５ａと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第一画素容量ＣＬＣ１と、前記第一画素電極５ａと第一容量電極２２及びその間の第一誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜）とからなる第一補償容量Ｃｓ１とが第一画素電極５ａにおいて接続され、前記第一画素電極５ａに第一ＴＦＴ９ａが接続された回路からなっている。
【００９３】
また、前記画素３２の第二領域３２ｂは、第二画素電極５ｂと共通電極６及びその間の液晶層２とからなる第二画素容量ＣＬＣ２と、前記第二画素電極５ｂと第二容量電極２３及びその間の第二誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜）とからなる第二補償容量Ｃｓ２とが第二画素電極５ｂにおいて接続され、前記第二画素電極５ｂに第二ＴＦＴ９ｂが接続されると共に、前記第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの間に、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部１８と第三容量電極２４及びその間の第三誘電層（ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜）とからなる第三補償容量Ｃｓ３が接続された回路からなっている。
【００９４】
そして、前記共通電極６には、各画素行の選択期間毎に電圧レベルがハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとに反転するコモン信号Ｖｃｏｍが印加され、前記第一容量電極２２と前記第二容量電極２３にはそれぞれ、前記コモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１が印加され、前記第三容量電極２４には、前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧（例えば、第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌの間の値の直流電圧）Ｖ２が印加される。
【００９５】
また、選択された画素行の各画素３２の第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂには、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのオンにより、データ信号線８から供給されたデータ信号Ｄがそれぞれ印加される。
【００９６】
前記第一画素電極５ａと共通電極６との間と、前記第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧（以下、書込み電圧という）はそれぞれ、前記第一電圧Ｖ１と前記データ信号Ｄとの電圧差に対応した値の電圧であり、その書込み電圧が第一画素容量ＣＬＣ１と第二画素容量ＣＬＣ２とにチャージされる。
【００９７】
また、前記第一容量電極２２と前記第二容量電極２３への印加電圧はそれぞれ前記共通電極６へ印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ第一電圧Ｖ１であるため、第一画素電極５ａと第一容量電極２２との間の第一補償容量Ｃｓ１と、第二画素電極５ｂと第二容量電極２３との間の第二補償容量Ｃｓ２にはそれぞれ、前記書込み電圧と同じ電圧がチャージされる。
【００９８】
一方、前記第三容量電極２４への印加電圧は前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２であるため、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部１８と第三容量電極２４との間の第三補償容量Ｃｓ３には、前記書込み電圧とは異なる電圧（書込み電圧に対して第一電圧Ｖ１と第二電圧Ｖ２との差に対応した電圧差をもった電圧）がチャージされる。
【００９９】
なお、第一画素電極５ａと走査信号線７及びデータ信号線８との間には、第一ＴＦＴ９ａのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第一寄生容量という）が存在する。また、第二画素電極５ｂと走査信号線７及び走査信号線７との間には、第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量及びドレイン−ソース間容量等の寄生容量（以下、第二寄生容量という）が存在する。
【０１００】
そのため、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂがオフし、書込みが終了すると、第一画素容量ＣＬＣ１及び第二補償容量Ｃｓ２にチャージされた電圧が、前記第一寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下し、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３にチャージされた電圧が、前記第二寄生容量への電圧の引込みによってある程度降下する。
【０１０１】
そして、画素３２の第一領域３２ａの液晶は、前記第一画素容量ＣＬＣ１のチャージ電圧（第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧）により駆動される。また、前記画素３２の第二領域３２ｂの液晶は、前記第二画素容量ＣＬＣ２のチャージ電圧（第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧）により駆動される。
【０１０２】
図１４は、第一行の各画素３２のうちの１つの画素３２の第一領域３２ａにおける第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加される電圧を示し、図１５は、前記画素３２の第二領域３２ｂにおける第二画素電極５ｂと共通電極６との間に印加される電圧を示している。図１４において、ＶＰ１は第一画素電極５ａの電位である。また、図１５において、ＶＰ２は第二画素電極５ｂの電位である。なお、図１４及び図１５では、前記第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂの電位ＶＰ１，ＶＰ２とコモン信号Ｖｃｏｍとを区別しやすいように、これらの立ち上がり及び立ち下がりを傾斜させている。
【０１０３】
図１４のように、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、前記第一行の選択期間ｔ１のうちの第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第一ＴＦＴ９ａを介して第一画素電極５ａに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。
【０１０４】
そして、第一ＴＦＴ９ａがオフすると、第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１分だけ降下した電圧Ｖａ１になる。以下、この電圧Ｖａ１を第一保持電圧という。
【０１０５】
また、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルは、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に反転するが、前記コモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極２２に印加される第一電圧Ｖ１は同じ電圧であるため、コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが反転しても、第一画素容量ＣＬＣ１及び第一補償容量Ｃｓ１のチャージ電圧は変化しない。そのため、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行の選択期間線ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎにおいても前記第一保持電圧Ｖａ１に保たれる。
【０１０６】
従って、第一画素電極５ａと共通電極６との間の第一保持電圧Ｖａ１は、コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベル反転にかかわらず、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一行の選択期間ｔ１における第一保持電圧Ｖａ１と実質的に同じ電圧に維持され、その電圧が、第一領域３２ａの液晶に１フレームの実効電圧として印加される。
【０１０７】
また、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、図１５のように、前記第一行の選択期間ｔ１のうちの第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのオン期間に、データ信号線８から第二ＴＦＴ９ｂを介して第二画素電極５ｂに印加されたデータ信号Ｄと、共通電極６に印加されたコモン信号Ｖｃｏｍとの電位差に対応した書込み電圧Ｖａになる。この書込み電圧Ｖａは、前記第一画素電極５ａと共通電極６との間に印加された書込み電圧Ｖａと同じ値の電圧である。
【０１０８】
そして、第二ＴＦＴ９ｂがオフすると、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧が、前記書込み電圧Ｖａに対して前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２分だけ降下した電圧Ｖａ２になる。以下、この電圧Ｖａ２を第二保持電圧という。なお、前記第二寄生容量による引込み電圧ΔＶ２は、前記第一寄生容量による引込み電圧ΔＶ１と同じであり、従って、前記第二保持電圧Ｖａ２は、前記第一保持電圧Ｖａ１と同じ値の電圧である。
【０１０９】
一方、第二容量電極２３への印加電圧である第一電圧Ｖ１は、共通電極６に印加されるコモン信号Ｖｃｏｍと同じ電圧（各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する電圧）であるが、第三容量電極２４への印加電圧である第二電圧Ｖ２は、前記第一電圧Ｖ１とは異なる一定レベルの直流電圧である。
【０１１０】
そのため、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転すると、共通電極６と第三容量電極２４との間の電圧値の低下に伴って、第二画素容量ＣＬＣ２と第二補償容量Ｃｓ２及び第三補償容量Ｃｓ３のそれぞれのチャージ電圧が、これらのＣＬＣ２，Ｃｓ２，Ｃｓ３の容量値に対応した比率で降圧する。
【０１１１】
また、前記コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになると、第二画素容量ＣＬＣ２及び第二補償容量Ｃｓ２のチャージ電圧と第三補償容量Ｃｓ３のチャージ電圧がそれぞれ前記第一画素行の選択期間ｔ１における書込み終了後の電圧（第二ＴＦＴ９ｂがオフした後の電圧）になる。
【０１１２】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧は、第二行以下の各画素行のうちの偶数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルに対して反転する選択期間）ｔ２，ｔ４，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３になり、奇数番の画素行の選択期間（コモン信号Ｖｃｏｍの電圧レベルが第一行の選択期間ｔ１の電圧レベルと同じになる選択期間）ｔ３，ｔ５，…に、前記第二保持電圧Ｖａ２と実質的に同じ電圧に戻る。
【０１１３】
従って、第二領域３２ｂの液晶には、各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，…ｔｎ毎に交互に印加される前記電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の電圧が、１フレームの実効電圧として印加される。
【０１１４】
なお、前記第二保持電圧Ｖａ２と、この第二保持電圧Ｖａ２に対して降圧した電圧Ｖａ３は、次の（１）式及び（２）式により求めることができる。
【０１１５】
Ｖａ２＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＬ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＨ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（１）
Ｖａ３＝(Ｃｉｃ＋Ｃ２)×(Ｖｐｉｘ−ＶｃｏｍＨ)＋Ｃ３×(Ｖｐｉｘ−Ｃ３)
＋Ｃｄｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｓｉｇＬ)＋Ｃｇｓ×(Ｖｐｉｘ−ＶｇＬ) …（２）
Ｃｌｃ；第二画素容量ＣＬＣ２の容量値
Ｃ２；第二補償容量Ｃｓ２の容量値
Ｃ３；第三補償容量Ｃｓ３の容量値
Ｃｇｓ；第二ＴＦＴ９ｂのゲート−ソース間容量
Ｃｄｓ；第二ＴＦＴ９ｂのドレイン−ソース間容量
ＶｓｉｇＨ；第一画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｓｉｇＬ；第二画素行の選択期間におけるデータ信号の電位
ＶｇＬ；走査信号のオフ電圧
Ｖｐｉｘ；第二画素電極５ｂの電位
ＶｃｏｍＬ；コモン信号Ｖｃｏｍのローレベル値値（Ｖ１Ｌ）
ＶｃｏｍＨ；コモン信号Ｖｃｏｍのハイレベル値値（Ｖ１Ｈ）
また、前記第二領域３２ｂの液晶に印加される１フレームの実効電圧は、次の（３）式により求めることができる。
【０１１６】
実効電圧＝｛（Ｖａ２２＋Ｖａ３２）／２｝１／２ …（３）
このように、各画素３２の第二領域３２ｂの１フレームの実効電圧は、同じ画素３２の第一領域３２ａの１フレームの実効電圧に対して降圧した電圧である。そして、第一領域３２ａの液晶分子２ａは、該第一領域３２ａの１フレームの実効電圧の強さに対応して倒れ込み配向し、第二領域３２ｂの液晶分子２ａは、該第二領域３２ａの１フレームの実効電圧の強さに対応して倒れ込み配向する。
【０１１７】
従って、同じ階調値のデータ信号に対する液晶分子２ａの倒れ込み角（基板３，４の法線方向に対する液晶分子２ａの分子長軸の角度）は、第一領域３２ａと第二領域３２ｂとで異なる。すなわち、前記第二領域３２ｂの液晶分子２ａは、前記第一領域３２ａの液晶分子２ａの倒れ込み角よりも小さい角度で倒れ込む。
【０１１８】
そのため、各画素３２の第二領域３２ｂの液晶層２での電圧−透過率特性は、前記第一領域３２ａの液晶層２での電圧−透過率特性とは異なる特性である。図１６は、前記ノーマリーブラックモードの液晶表示素子１における第一領域３２ａと第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を示している。図１６のように、第二領域３２ｂの電圧−透過率特性は、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性である。
【０１１９】
従って、液晶層２の層厚（第一基板１と第二基板２との間の間隙）等を、第一領域３２ａの電圧−透過率特性が所定の視野角が得られる特性になるように設計し、さらに、前記第二電圧Ｖ２の値を、第二領域３２ｂの電圧−透過率特性が前記第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して所定量だけシフトした特性、つまり第一領域３２ａの視野角とは異なる視野角が得られる特性になるように設定することにより、第一領域３２ａの視野角特性と第二領域３２ｂの視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１２０】
なお、第一領域３２ａの視野角特性と第二領域３２ｂの視野角特性とが相乗した視野角は、前記第一領域３２ａと第二領域３２ｂとの面積比（第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの面積比）に対応する。従って、前記第一領域３２ａと第二領域３２ｂとの面積比面積比を選択することにより、所定の広さの視野角を得ることができる。
【０１２１】
そして、上記実施例の液晶表示装置は、前記第三容量電極２４に印加する電圧値を制御するだけで視野角を微調整することができる。そのため、製造工程で生じた絶縁膜厚や基板間隙等の誤差により、表示装置相互間に視野角のばらつきが生じても、前記視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１２２】
すなわち、上記実施例の液晶表示装置は、前記第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加するようにしているため、前記第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２の値を制御することにより、前記第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を変化させることができる。
【０１２３】
前記第二領域３２ｂの電圧−透過率特性は、図１６に示したように、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して高電圧側にシフトした特性であり、そのシフト量は、第二容量電極２３に印加された第一電圧Ｖ１と、第三容量電極２４に印加された第二電圧Ｖ２との差に対応する。
【０１２４】
この実施例において、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対する第二領域３２ｂの電圧−透過率特性のシフト量は、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を小さくするのに伴って小さくなり、前記第一電圧Ｖ１に対する第二電圧Ｖ２の差を大きくするのに伴って大きくなる。
【０１２５】
このように、上記液晶表示装置は、前記第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を変化させることができるため、前記第二領域３２ｂの視野角特性を任意に調整することができる。従って、第一領域３２ａの視野角特性と第二領域３２ｂの視野角特性とを相乗させた視野角を所定の値になるように微調整し、表示装置相互間の視野角のばらつきを補正することができる。この視野角のばらつきの補正は、前記第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２を制御するだけで容易に行うことができる。
【０１２６】
また、上記実施例では、共通電極６に印加するコモン信号Ｖｃｏｍと第一容量電極２２に印加する第一電圧Ｖ１（Ｖｃｏｍ＝Ｖ１）を、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧、例えば１フレーム中の各画素行の選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に電圧レベルが反転する矩形波交流電圧としている。そのため、各画素３２の第一領域３２ａの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記第一保持電圧Ｖａ１に対応した一定値の実効電圧を印加することができる。
【０１２７】
さらに、上記実施例では、第二容量電極２３に、共通電極６及び第一容量電極２２への印加電圧と同じ第一電圧（矩形波交流電圧）Ｖ１を印加し、前記第三容量電極２４に、一定レベル、例えば前記第一電圧Ｖ１を形成するハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の直流電圧からなる第二電圧Ｖ２を印加している。
【０１２８】
そのため、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、図１５のように、第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧Ｖａ３とに交互に変化させ、各画素３２の第二領域３２ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、前記二つの電圧Ｖａ２，Ｖａ３を平均した値の実効電圧を印加することができる。
【０１２９】
また、上記液晶表示装置は、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、前記第一画素電極５ａの全周に亘って連続した形状に形成し、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３を、第二画素電極５ｂの全ての辺に重なるように、前記第二素電極５ｂの全周に亘って連続した形状に形成しているため、前記第一補償容量Ｃｓ１の容量値と、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値をそれぞれ充分大きくすることができる。
【０１３０】
さらに、上記液晶表示装置は、前記第三容量電極２４を所定の方向（上記実施例では走査信号線７の延伸方向と平行な方向）に延伸した形状に形成し、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８の第三容量電極２４と重なる容量形成部１８ａを、前記第三容量電極２４の延伸方向に沿った長尺形状に形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分に確保することができる。
【０１３１】
上記実施例では、前記容量形成部１８ａを、第二画素電極５ｂの第三容量電極２４と隣接する辺と同じ長さに形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分大きくすることができる。
【０１３２】
さらに、上記実施例では、前記第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４を同一面上に配置しているため、これらの容量電極２２，２３，２４を一括して同時に形成することができる。なお、上記実施例では、前記各容量電極２２，２３，２４を、走査信号線７及び各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０の形成面と同じ面（第一基板３上）に、前記走査信号線７及びゲート電極１０と同じ金属膜により形成しているため、前記走査信号線７及びゲート電極１０の形成と同時に各容量電極２２，２３，２４を形成することができる。
【０１３３】
しかも、上記実施例では、前記各容量電極２２，２３，２４を第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート電極１０の形成面と同じ面上（第一基板３上）に形成し、前記第二画素電極接続部１８を各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート絶縁膜１１上に形成し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂを各ＴＦＴ９ａ，９ｂと第二画素電極接続部１８を覆って設けられた被覆絶縁膜１９の上に形成することにより、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と第二補償容量Ｃｓ２の第二誘電層を、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜により形成し、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層を、前記ゲート絶縁膜１１により形成している。そのため、前記第一、第二、第三の各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を、各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び第一、第二画素電極５ａ，５ｂの形成工程を利用して形成することができる。
【０１３４】
また、上記液晶表示装置は、前記第一容量電極２２の第一画素電極５ａの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極５ａの外方に張り出しているため、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極２２の各辺部の外側縁との間に横電界が生じる。この横電界は、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの電界である。
【０１３５】
また、前記第二容量電極２３の第二画素電極５ｂの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極５ｂの外方に張り出しているため、第二画素電極５ｂの各辺と第二容量電極２３の各辺部の外側縁との間に横電界が生じる。この横電界は、第二画素電極５ｂの全周に亘って同じ強さの電界である。
【０１３６】
そのため、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加すると、図１７のように、第一領域３２ａの液晶分子２ａが第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込むように配向し、第二領域３２ｂの液晶分子２ａが、第二画素電極５ｂの各辺から前記第二画素電極５ｂの中心に向かって倒れ込むように配向する。
【０１３７】
一方、図１８に示した比較例の液晶表示装置は、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を異ならせるための第三補償容量Ｃｓ１３を、第二画素電極５ｂの所定の辺に重なるように設けられた第三容量電極１２４により形成したものである。なお、図１８において、上記実施例の液晶表示装置に対応するものには図に同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。この図１８でも被覆絶縁膜１９と第一配向膜２７を省略している。
【０１３８】
この比較例において、走査信号線７と第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂは、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂとの間の中間位置に配置されており、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７と、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８は、同じ長さに形成されている。また、前記第二画素電極接続部１８は、上記実施例のような容量形成部１８ａを有しない形状に形成されている。
【０１３９】
そして、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１１を形成する第一容量電極１２２は、上記実施例と同様に、第一画素電極５ａの全周に亘って連続した形状に形成され、ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第一誘電層を介して前記第一画素電極５ａと対向している。
【０１４０】
一方、前記第三補償容量Ｃｓ１３を形成する第三容量電極１２４は、第二画素電極５ｂの各辺のうちの所定の一辺、例えば走査信号線７に隣接する辺に重なるように形成され、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第三誘電層を介して前記第二画素電極５ｂと対向している。また、前記第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極１２３は、前記第三容量電極１２４との間に間隔をあけて、前記第二画素電極５ｂの他の三辺に重なるように形成され、前記ゲート絶縁膜１１と被覆絶縁膜１９との二層膜からなる第三誘電層を介して前記第二画素電極５ｂと対向している。
【０１４１】
また、前記第一容量電極１２２は、その各辺部の外側縁がそれぞれ第一画素電極５ａの外方に張り出した形状に形成され、第二容量電極１２３と第三容量電極１２４は、それぞれの外側縁が第二画素電極５ｂの外方に張り出した形状に形成されている。
【０１４２】
この比較例においても、前記第一容量電極１２２と第二容量電極１２３とに共通電極６（図６〜図９参照）への印加電圧と同じ第一の電圧Ｖ１を印加し、前記第三容量電極１２４に前記第一の電圧Ｖ１とは異なる第二の電圧Ｖ２を印加することにより、各画素３２の第一領域３２ａの液晶層２での電圧−透過率特性と、第二領域３２ｂの液晶層２での電圧−透過率特性とを異ならせ、その両方の視野角特性とが相乗した広い視野角を得ることができる。
【０１４３】
また、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極１２２の各辺部の外側縁との間に生じる横電界は、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの電界であるため、第一領域３２ａでは、上記実施例と同様に、液晶分子２ａが第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込むように配向する。
【０１４４】
しかし、第二領域３２ｂでは、第二容量電極１２３に印加される第一電圧Ｖ１と、第三容量電極１２４に印加される第二電圧Ｖ２とが異なるため、第二画素電極５ｂの三辺と前記第二容量電極１２３の各辺部の外側縁との間に生じる横電界と、前記第二画素電極５ｂの他の一辺と前記第三容量電極１２４の外側縁との間に生じる横電界は、異なる強さの電界である。
【０１４５】
そのため、前記比較例の液晶表示装置は、各画素３２の第二領域３２ｂにおける液晶分子２ａの倒れ込み方向に乱れが生じ、それに対応して前記第二領域３２ｂの各部の光の透過率に差が生じるため、表示品質が低下する。
【０１４６】
前記比較例に対して、上記実施例の液晶表示装置は、第一領域３２ａの電圧−透過率特性に対して第二領域３２ｂの電圧−透過率特性を異ならせるための第三補償容量Ｃｓ３を、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂの接続部１８に重なるように第三容量電極２４を配置することにより形成しているため、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３を、第二画素電極５ｂの全周に亘って連続した形状に形成することができる。
【０１４７】
従って、上記実施例の液晶表示装置は、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極２２の各辺部の外側縁との間に、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせると共に、第二画素電極５ｂの各辺と第二容量電極２３の各辺部の外側縁との間に、第二画素電極５ｂの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせることができる。
【０１４８】
そのため、上記実施例の液晶表示装置では、図１７に示したように、各画素３２の第一領域３２ａにおいて、液晶分子２ａが、第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込み配向すると共に、第二領域３２ｂにおいても、液晶分子２ａが、第二画素電極５ｂの各辺から前記第二画素電極５ｂの中心に向かって倒れ込み配向する。従って、前記比較例のような液晶分子２ａの倒れ込み配向の乱れによる表示品質の低下が無く、良好な品質の画像を表示することができる。
【０１４９】
なお、上記実施例の液晶表示装置において、第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２は、第一及び第二容量電極２２，２３に印加する第一電圧Ｖ１のハイレベル値Ｖ１Ｈとローレベル値Ｖ１Ｌとの間の値の電圧に限らず、任意の値の直流電圧でもよく、その場合も、第二領域３２ｂの液晶に、前記各選択期間ｔ１，ｔ２，ｔ３，ｔ４，…ｔｎ毎に交互に変化する２つの電圧値を平均した、前記第一領域３２ａの実効電圧とは異なる値の実効電圧を印加することができる。
【０１５０】
また、前記第三容量電極２４に印加する第二電圧Ｖ２は、一定レベルの直流電圧に限らず、電圧レベルが前記第一電圧Ｖ１と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧でもよい。
【０１５１】
図１９は、前記第二電圧Ｖ２を矩形波交流電圧とした例を示している。この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１と同位相で、且つ振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧である。
【０１５２】
また、図２０は、前記第二電圧Ｖ２を矩形波交流電圧とした他の例を示している。この第二電圧Ｖ２は、第一電圧Ｖ１とは逆位相で、且つ振幅が前記第一電圧Ｖ１の振幅よりも小さい矩形波交流電圧である。
【０１５３】
前記図１９または図２０の何れの波形の第二電圧Ｖ２を第三容量電極２４に印加しても、第二画素電極５ｂと共通電極６との間の電圧を、前記第二保持電圧Ｖａ２とそれよりも降圧した電圧とに交互に変化させることができる。従って、各画素３２の第二領域３２ｂの液晶に、第一行の選択期間ｔ１の書込み終了後から１フレームの終了時までの期間中、第一領域３２ａの実効電圧とは異なる値の実効電圧を印加することができる。
【０１５４】
［第二実施例］
次に、この発明の第二実施例を図２１〜図２３を参照して説明する。なお、この第二実施例において、上記第一実施例に対応するものには同符号を付し、同一のものについてはその説明を省略する。
【０１５５】
この第二実施例において、第一ＴＦＴ９ａと第二ＴＦＴ９ｂは、上記第一実施例と同じ積層膜により構成されている。また、走査信号線７は、第一基板３上に形成され、第一ＴＦＴ９ａ及び第二ＴＦＴ９ｂのゲート絶縁膜１１により覆われている。そして、データ信号線８は、ゲート絶縁膜１１の上に形成されている。なお、この第二実施例においても、データ信号線８は、第一及び第二ＴＦＴ９ａ，９ｂを構成する積層膜のうちの半導体薄膜１２とコンタクト層１４とからなる下地層の上に形成されている。
【０１５６】
一方、第一画素電極５ａとの間に第一補償容量Ｃｓ１を形成する第一容量電極２２と、第二画素電極５ｂとの間に第二補償容量Ｃｓ２を形成する第二容量電極２３と、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとを電気的に接続する接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８との間に第三補償容量Ｃｓ３を形成する第三容量電極２４は、ゲート絶縁膜１１上に各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及びデータ信号線８を覆って設けられた透明な第一被覆絶縁膜１９ａの上に、上記第一実施例と同じ形状に形成されている。
【０１５７】
また、第一画素電極５ａと第二画素電極５ｂは、前記第一被覆絶縁膜１９ａ上に各容量電極２２，２３，２４を覆って設けられた透明な第二被覆絶縁膜１９ｂの上に、上記第一実施例と同じ形状に形成されている。なお、図２１では前記第二被覆絶縁膜１９ｂを省略している。
【０１５８】
なお、前記第一被覆絶縁膜１９ａ及び第二被覆絶縁膜１９ｂには、第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７の第一画素電極５ａと重なる部分に穿設された第一コンタクト孔２０ａと、第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８の第二画素電極５ｂと重なる部分に穿設された第二コンタクト孔２１ａが形成されている。
【０１５９】
そして、第一画素電極５ａは、前記第一コンタクト孔２０ａにおいて第一ＴＦＴ９ａのドレイン電極１６から延長された第一画素電極接続部１７に接続され、第二画素電極５ｂは、前記第二コンタクト孔２１ａにおいて第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部１８に接続されている。
【０１６０】
すなわち、この第二実施例において、第一画素電極５ａと第一容量電極２２との間の第一誘電層と、第二画素電極５ｂと第二容量電極２３との間の第二誘電層は、前記第二被覆絶縁膜１９ｂからなっている。また、前記第二画素電極接続部１８と第三容量電極２４との間の第三誘電層は、前記第一被覆絶縁膜１９ａからなっている。
【０１６１】
また、この第二実施例では、第一画素電極５ａの第一コンタクト孔２０ａ内に入り込んだ部分（第一画素電極接続部１７との接続部）が第一容量電極２２と短絡することがないように、第一容量電極２２を、第一コンタクト孔２０ａを形成する部分を前記第一コンタクト孔２０ａの平面形状よりも大きく切欠した形状に形成している。また、第二画素電極５ｂの第二コンタクト孔２１ａ内に入り込んだ部分（第二画素電極接続部１８との接続部）が第二容量電極２３と短絡することがないように、前記第二容量電極２３を、第二コンタクト孔２１ａを形成する部分を前記第二コンタクト孔２１ａの平面形状よりも大きく切欠した形状に形成している。
【０１６２】
さらに、この第二実施例の液晶表示装置は、垂直配向型のものであり、第一配向膜２７と第二配向膜２８は垂直配向膜からなっている。なお、図２１では前記第一配向膜２７を省略している。また、液晶層２は、負の誘電異方性を有し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間に電圧が印加されていないときに、液晶分子２ａが基板３，４面に対して垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと共通電極６との間への電圧の印加により、液晶分子２ａが基板３，４面に対して倒れ込み配向するネマティック液晶からなっている。
【０１６３】
この第二実施例の液晶表示装置においても、第一容量電極２２と第二容量電極２３とに共通電極６への印加電圧と同じ第一電圧Ｖ１を印加し、第三容量電極２４に前記第一電圧Ｖ１とは異なる第二電圧Ｖ２を印加することにより、上記第一実施例と同様に、視野角のばらつきを容易に補正することができる。
【０１６４】
また、この第二実施例においても、第一容量電極２２を、第一画素電極５ａの全ての辺に重なるように、前記第一画素電極５ａの全周に亘って連続した形状に形成し、第二容量電極２３を、第二画素電極５ｂの全ての辺に重なるように、前記第二画素電極５ｂの全周に亘って連続した形状に形成しているため、前記第一償容量Ｃｓ１の容量値と、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値をそれぞれ充分大きくすることができる。
【０１６５】
さらに、前記第三容量電極２４を所定の方向（走査信号線７の延伸方向と平行な方向）に延伸した形状に形成し、第二ＴＦＴ９ｂと第二画素電極５ｂとの接続部（第二ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１６から延長された第二画素電極接続部）１８の第三容量電極２４と重なる容量形成部１８ａを、前記第三容量電極２４の延伸方向に沿った長尺形状に形成しているため、前記第三補償容量Ｃｓ３の容量値を充分に確保することができる。なお、この第二実施例においても、前記容量形成部１８ａを、第二画素電極５ｂの走査信号線７と隣接する辺と同じ長さに形成しているため、前記第二補償容量Ｃｓ２の容量値を充分大きくすることができる。
【０１６６】
また、上記第二実施例では、前記第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４を同一面上（第一被覆絶縁膜１９ａ上）に配置しているため、これらの容量電極２２，２３，２４を一括して同時に形成することができる。
【０１６７】
そして、上記第二実施例では、前記第二画素電極接続部１８を各ＴＦＴ９ａ，９ｂのゲート絶縁膜１１上に形成し、各容量電極２２，２３，２４と第二画素電極接続部１８を覆って設けられた第一被覆絶縁膜１９ａの上に形成し、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂを前記各容量電極２２，２３，２４を覆って設けられた第二被覆絶縁膜１９ｂの上に形成することにより、前記第一補償容量Ｃｓ１の第一誘電層と第二補償容量Ｃｓ２の第二誘電層を、前記第二被覆絶縁膜１９ｂにより形成し、前記第三補償容量Ｃｓ３の第三誘電層を、前記第一被覆絶縁膜１９ａにより形成している。そのため、前記第一、第二、第三の各補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２，Ｃｓ３を、各ＴＦＴ９ａ，９ｂ及び第一、第二画素電極５ａ，５ｂの形成工程を利用して形成することができる。
【０１６８】
さらに、上記第二実施例においても、前記第一容量電極２２の第一画素電極５ａの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極５ａの外方に張り出し、前記第二容量電極２３の第二画素電極５ｂの各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極５ｂの外方に張り出している。そのため、第一画素電極５ａの各辺と第一容量電極２２の各辺部の外側縁との間に、第一画素電極５ａの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせると共に、第二画素電極５ｂの各辺と第二容量電極２３の各辺部の外側縁との間に、第二画素電極５ｂの全周に亘って同じ強さの横電界を生じさせることができる。
【０１６９】
従って、第一画素電極５ａ及び第二画素電極５ｂと共通電極６との間に電圧を印加すると、第一領域３２ａの液晶層２の液晶分子２ａが、第一画素電極５ａの各辺から前記第一画素電極５ａの中心に向かって倒れ込むように配向し、第二領域３２ｂの液晶層２の液晶分子２ａが、第二画素電極５ｂの各辺から前記第二画素電極５ｂの中心に向かって倒れ込むように配向するため、液晶分子２ａの倒れ込み配向の乱れによる表示品質の低下が無く、良好な品質の画像を表示することができる。
【０１７０】
［第三実施例］
図２４に示した第三実施例は、上記第二実施例の液晶表示装置において、第一、第二、第三の各容量電極２２，２３，２４（第一容量電極２２と第三容量電極２４は図示せず）を、金属膜２０１と、この金属膜２０１の上に積層されたＩＴＯ膜等の透明導電膜膜２０２とにより形成したものである。
【０１７１】
この実施例において、第一及び第二容量電極２２，２３は、前記金属膜２０１を、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの各辺に重なり、且つ外側縁が第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの外方に張り出した形状に形成し、その上に透明導電膜膜２０２を、前記金属膜２０１上から第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの方向に張り出す幅に形成した積層膜からなっている。また、第三容量電極２４は、金属膜２０１と透明導電膜膜２０２とを同じ形状に形成した積層膜からなっている。
【０１７２】
この第三実施例によれば、前記第一及び第二容量電極２２，２３を形成する金属膜２０１と透明導電膜膜２０２とのうちの透明導電膜膜２０２を、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂと所定の幅で重ならせることにより、充分な容量値の第一及び第二補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２を形成することができるため、前記金属膜２０１の第一及び第二画素電極５ａ，５ｂとの重なり幅を小さくし、画素３２の開口率を高くすることができる。
【０１７３】
なお、図２４には、前記第二実施例の液晶表示装置における各容量電極２２，２３，２４を前記積層膜により形成した例を示したが、上記第一実施例の液晶表示装置における各容量電極２２，２３，２４を前記積層膜により形成してもよい。
【０１７４】
また、上記第三実施例では、第一、第二、第三容量電極２２，２３，２４の全てを前記積層膜により形成しているが、第一容量電極２２と第二容量電極２３とを前記積層膜により形成し、第三容量電極２４は金属膜のみので形成してもよい。
【０１７５】
［第四実施例］
図２５に示した第四実施例は、第一容量電極２２を、走査信号線７の延伸方向に隣り合う各第一容量電極２２，２２の縦辺部同士が前記縦辺部の全長に亘って一体に繋がった形状に形成し、第二容量電極２３を、走査信号線７の延伸方向に隣り合う各第二容量電極２３，２３の縦辺部同士が前記縦辺部の全長に亘って一体に繋がった形状に形成したものであり、他の構成は上記第二実施例と同じである。なお、この第四実施例は、上記第二実施例に限らず、上記第一実施例の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１７６】
［第五実施例］
図２６に示した第五実施例は、データ信号線８の延伸方向に隣り合う画素３２，３２のうちの一方の画素３２の第一容量電極２２と他方の画素３２の第二容量電極２３とを一体に繋がった形状に形成したものであり、他の構成は上記第二実施例と同じである。
【０１７７】
この第五実施例によれば、前記隣り合う画素３２，３２のうちの一方の画素３２の第一容量電極２２と他方の画素３２の第二容量電極２３への第一電圧Ｖ１の印加を一括して行うことができる。
【０１７８】
なお、この第五実施例は、上記第二実施例に限らず、上記第一実施例の液晶表示装置にも適用することができる。また、この第五実施例は、上記第三実施例のように走査信号線７の延伸方向に隣り合う各第二容量電極２３，２３の縦辺部同士を前記縦辺部の全長に亘って一体に繋がった形状に形成する場合にも適用することができる。
【０１７９】
［他の実施例］
なお、上述した各実施例の液晶表示装置は垂直配向型のものであるが、この発明は、垂直配向型に限らず、ＴＮ型、ＳＴＮ型、非ツイストのホモジニアス配向型等の液晶表示装置にも適用することができる。
【０１８０】
その場合、第一及び第二容量電極２２，２３は、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの所定の部分に重なる形状に形成すればよく、また、これらの容量電極２２，２３を第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの外方に張り出させる必要もない。
【０１８１】
但し、垂直配向型以外の液晶表示装置においても、前記第一及び第二容量電極２２，２３を、上記各実施例と同様に、第一及び第二画素電極５ａ，５ｂの全周に亘って連続した形状に形成するのが望ましく、このようにすることにより、第一及び第二補償容量Ｃｓ１，Ｃｓ２の容量値を充分大きくすることができる。
【符号の説明】
【０１８２】
１…液晶表示素子、２…液晶層、３，４…基板、５ａ…第一画素電極、５ｂ…第二画素電極、６…共通電極、７…走査信号線、８…データ信号線、９ａ…第一ＴＦＴ、９ｂ…第二ＴＦＴ、１０…ゲート電極、１１…ゲート絶縁膜、１２…半導体薄膜、１３…チャネル保護膜、１４…コンタクト層、１５…ソース電極、１６…ドレイン電極、１７…第一画素電極接続部、１８…第二画素電極接続部、１８ａ…容量形成部、２２…第一容量電極、２３…第二容量電極、２４…第三容量電極、Ｃｓ１…第一補償容量、Ｃｓ２…第二補償容量、Ｃｓ３…第三補償容量、１９…被覆絶縁膜、１９ａ…第一被覆絶縁膜、１９ｂ…第二被覆絶縁膜、２０，２０ａ，２１，２１ａ…コンタクト孔、３２…画素、３２ａ…第一領域、３２ｂ…第二領域、３５…駆動手段
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、
前記第一薄膜トランジスタと前記第二薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、
前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二薄膜トランジスタと前記第二画素電極とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二画素電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二容量電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第三容量電極が所定の方向に延伸した形状に形成され、前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分が、前記第三容量電極の延伸方向に沿った長尺形状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分は、前記第二画素電極の前記第三容量電極と隣接する辺と同じ長さに形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように、前記第一画素電極の全周に亘って連続した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の全ての辺に重なるように、前記第二画素電極の全周に亘って連続した形状に形成されていることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層は、負の誘電異方性を有し、液晶分子が、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間に電圧が印加されていないときに垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により倒れ込み配向するネマティック液晶からなり、
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極の外方に張り出した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極の外方に張り出した形状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第一、第二、第三の各容量電極は、同一面上に形成されていることを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記各容量電極は前記ゲート電極の形成面と同じ面上に形成され、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記ゲート絶縁膜と前記被覆絶縁膜との二層膜からなり、前記第三誘電層は、前記ゲート絶縁膜からなっていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記各容量電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた第一被覆絶縁膜の上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記各容量電極を覆って設けられた第二被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記第二被覆絶縁膜からなり、前記第三誘電層は、前記第一被覆絶縁膜からなっていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極とが一体に形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、一定レベルの直流電圧であることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、電圧レベルが前記第一の電圧と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一の電圧の振幅よりも小さい矩形波交流電圧であることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１】
第一薄膜トランジスタに接続された第一画素電極と第二薄膜トランジスタに接続された第二画素電極とが画素毎に形成され、
前記第一薄膜トランジスタと前記第二薄膜トランジスタとが、互いに同じデータ信号線及び走査信号線に接続され、
前記第一画素電極と共通電極との間及び前記第二画素電極と前記共通電極との間に液晶層が形成された液晶表示装置であって、
前記第一画素電極との間に第一誘電層が介在されて第一補償容量を形成する第一容量電極と、
前記第二画素電極との間に第二誘電層が介在されて第二補償容量を形成する第二容量電極と、
前記第二薄膜トランジスタと前記第二画素電極とを電気的に接続する接続部と、
前記接続部との間に第三誘電層が介在されて第三補償容量を形成する第三容量電極と、
前記第一容量電極と前記第二容量電極とに前記共通電極への印加電圧と同じ第一の電圧を印加し、前記第三容量電極に前記第一の電圧とは異なる第二の電圧を印加する手段と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二画素電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第三容量電極は、前記接続部のうちの前記走査信号線と前記第二容量電極との間の領域に対応する部分に重なるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第三容量電極が所定の方向に延伸した形状に形成され、前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分が、前記第三容量電極の延伸方向に沿った長尺形状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記接続部の前記第三容量電極と重なる部分は、前記第二画素電極の前記第三容量電極と隣接する辺と同じ長さに形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の全ての辺に重なるように、前記第一画素電極の全周に亘って連続した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の全ての辺に重なるように、前記第二画素電極の全周に亘って連続した形状に形成されていることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶層は、負の誘電異方性を有し、液晶分子が、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間に電圧が印加されていないときに垂直に配向し、前記第一及び第二画素電極と前記共通電極との間への電圧の印加により倒れ込み配向するネマティック液晶からなり、
前記第一容量電極は、前記第一画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第一画素電極の外方に張り出した形状に形成され、前記第二容量電極は、前記第二画素電極の各辺に重なる部分の外側縁がそれぞれ前記第二画素電極の外方に張り出した形状に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第一、第二、第三の各容量電極は、同一面上に形成されていることを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記各容量電極は前記ゲート電極の形成面と同じ面上に形成され、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記ゲート絶縁膜と前記被覆絶縁膜との二層膜からなり、前記第三誘電層は、前記ゲート絶縁膜からなっていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第一及び第二薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜の上に形成されたソース電極及びドレイン電極とからなり、前記接続部は前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記各容量電極は前記第一及び第二薄膜トランジスタと前記接続部を覆って設けられた第一被覆絶縁膜の上に形成され、前記第一及び第二画素電極は前記各容量電極を覆って設けられた第二被覆絶縁膜の上に形成されており、前記第一誘電層と前記第二誘電層は、前記第二被覆絶縁膜からなり、前記第三誘電層は、前記第一被覆絶縁膜からなっていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記走査信号線の延伸方向に対して交差する方向に隣接する画素のうちの一方の画素の前記第一画素電極と他方の画素の前記第二画素電極とが一体に形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、一定レベルの直流電圧であることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第一の電圧は、電圧レベルが所定の周期で反転する矩形波交流電圧であり、前記第二の電圧は、電圧レベルが前記第一の電圧と同じ周期で反転し、且つ、振幅が前記第一の電圧の振幅よりも小さい矩形波交流電圧であることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【公開番号】特開２０１１−２２７２６３（Ｐ２０１１−２２７２６３Ａ）
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９６３２７（Ｐ２０１０−９６３２７）
【出願日】平成２２年４月１９日（２０１０．４．１９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月１０日（２０１１．１１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１９日（２０１０．４．１９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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