【課題】カラーフィルターをアレイ基板に形成したＣＯＴ構造の液晶表示装置を製作する際、工程を単純化する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート配線とゲート電極上部のゲート絶縁膜と、ゲート電極上部のゲート絶縁膜上に形成されたアクティブ層と、アクティブ層上部のオーミックコンタクト層と、オーミックコンタクト層上部に形成されたソース電極とドレイン電極、及びゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と、ソース及びドレイン電極とデータ配線上部の第１保護膜と、アクティブ層上部の第１保護膜上に形成されたブラックマトリックスと、画素領域の第１保護膜上に形成されたカラーフィルター層と、ブラックマトリックス及びカラーフィルター層上部に形成されて、画素領域のカラーフィルター層を露出する第２保護膜と、画素領域の露出したカラーフィルター層上部に形成されてドレイン電極と連結された画素電極を含む。 （もっと読む）

トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層／ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第２の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
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アクティブマトリクスアレー装置は、行列状の装置素子の配列を有する。各行導体（10）は、細長い行ライン（10a）と、該行ラインから延伸する複数の突出部（10b）とを有し、各突出部（10b）は、それぞれの装置素子の薄膜トランジスタ（11）のゲート導体を定形する部分を有する。装置は、少なくとも前記行ライン（10a）と平行な軸の周囲で変形できるように適合され、各ゲート突出部の前記部分は、前記行ライン方向に対して非垂直な方向に延伸する。この非垂直な方向により、装置の変形によって生じるTFT特性の変化が抑制される。
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【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、データライン等による反射光の干渉を抑止し、ＬＣＤパネルに虹状のむらが生じるのを防止する。
【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示装置において、距離的に周期性を有して配置されている構成要素、例えば、データライン１０、ゲートライン２０、補助容量ライン３０、能動層６１については、これらの表面に入射する外光による反射による反射光の干渉が生じ、虹状の表示むらが発生する。これらの表面に、複数の凹部及び凸部が形成し、互いに隣接する凸部の間隔及び互いに隣接する凹部の間隔に距離的な周期性がないようにすることで、反射光の干渉をなくす。距離的に周期性を有して配置されている構成要素の全てにそのような複数の凹部及び凸部を形成することが好ましいが、少なくとも１つの構成要素にそのような複数の凹部及び凸部を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】高開口率かつ低消費電力の反射型および半透過型ＬＣＤを実現する。
【解決手段】第１基板４０は、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴを備える。ＴＦＴの能動層４２と共通層であるシリコン薄膜４３とゲート絶縁膜４４を介して積層された第１金属層４６をパターン化した補助容量ラインとにより補助容量ＣＳＣを構成する。補助容量ライン２６を覆うように層間絶縁膜４８および平坦化絶縁膜５４が順に積層される。平坦化絶縁膜５４の上に反射層５６および画素電極２８が設けられる。これにより、反射層５６の形成された反射型領域および反射層５６の形成されていない透過型領域において、補助容量ラインは画素の開口の妨げとならない。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間のギャップが均一である液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス基板２に柱状スペーサ１３ａ及び１３ｂを形成し、カラーフィルタ基板３に信号線と同じ工程で段差膜７を形成する。このとき、柱状スペーサはプロキシミティ方式の露光により形成し、段差膜７はレンズプロジェクション方式の露光により形成する。また、平面視で、段差膜７を柱状スペーサ１３の内側に位置させる。そして、柱状スペーサ１３ａをアクティブマトリクス基板２における段差膜７により保護膜８が盛り上がっている部分に当接させる。 （もっと読む）

【課題】 ソース／ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な，薄膜トランジスタ，その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは，基板１１０と，基板１１０上に形成されたゲート電極１２０と，ゲート電極１２０上に形成されるゲート絶縁層１３０と，ゲート電極１２０と絶縁されるようにゲート絶縁層１３０上に形成されるソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂと接するとともに，ゲート電極１２０と絶縁される有機半導体層１５０と，を含み，ソース／ドレイン電極１４０ａ，１４０ｂの少なくとも有機半導体層１５０と接する部分には酸化部１４０´ａ，１４０´ｂが設けられ，酸化部１４０´ａ，１４０´ｂを構成する物質は，有機半導体層１５０のＨＯＭＯエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 （もっと読む）

【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びＴＦＴ動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 （もっと読む）

【課題】簡便に製造することができ、しかも基板上のパターン膜上に形成された薄膜にクラックが入ることを抑制することができる素子配置基板を提供する。
【解決手段】基板上に１以上のパターン化された膜を備える素子配置基板であって、上記パターン膜の少なくとも一つは、断面形状が上部の半楕円形状部と下部の順又は略垂直テーパ形状部とにより構成され、上記順又は略垂直テーパ形状部は、平均厚さが５０Å以上、３０００Å以下である。 （もっと読む）

電気光学ディスプレイは、基板（１００）と、該基板（１００）の実質的に１つの面に配置された非線形デバイス（１０２）と、該非線形デバイス（１０２）と接続されている画素電極（１０６）と、電気光学媒体（１１０）と、該画素電極（１０６）に対して該電気光学媒体（１１０）の反対面上の共通電極（１１２）とを備える。該ディスプレイの様々なパーツの係数は、該ディスプレイが湾曲しているとき、中立軸または中立面が該非線形デバイス（１０２）の該平面に実質的に横たわっているように調製されている。
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アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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【課題】複数の線パターンの形成領域から一時的に溢れ出した機能液同士が接触しないように機能液を吐出することによって短絡を防止すると共に、線パターンと線パターンとをより近接させる。
【解決手段】線パターンの形成方法であって、隣合うバンク間３４から一時的に溢れ出した上記機能液Ｘ同士が接触しないように各上記バンク間３４の幅方向の中央Ａに対し当該幅方向に変位した位置を各々のバンク間３４の吐出位置として上記機能液Ｘを吐出することによって複数の上記バンク間３４に同時に機能液を配置する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値を低く抑えながら、オフリーク電流を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内のｐｏｌｙ−Ｓｉ層４にリンを注入することにより、ｎ^＋領域８を形成した後、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域にのみ開口部が存在するレジストマスク９を用いて、ボロンのイオン注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース・ドレイン領域となるｐ^＋領域１０を形成する。次に、レジストマスク９を残存させたまま、水素注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内において、チャネル領域（ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４）及びソース・ドレイン領域（ｐ^＋領域１０）の水素化処理を行う。このような方法によれば、Ｎチャネル型ＴＦＴに対する水素化処理が行われないため、Ｎチャネル型ＴＦＴにおける不要な閾値電圧の遷移が防止され、オフリーク電流の上昇を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、視認性に優れた多重ドメイン液晶表示装置及びそれに用いられるトランジスタ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板、絶縁基板上に第１方向に形成されている第１信号線、絶縁基板上に第２方向に形成されていて第１信号線と絶縁されて交差している第２信号線、第１信号線及び第２信号線に連結されている第１薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタが連結されている第１信号線及び第２信号線に連結されている第２薄膜トランジスタ、第１薄膜トランジスタに連結されている第１画素電極、第２薄膜トランジスタに連結されている第２画素電極を含み、第１薄膜トランジスタの第１ドレーン電極及びゲート電極の間に形成される第１静電容量、第２薄膜トランジスタの第２ドレーン電極及びゲート電極の間に形成される第２静電容量が互いに異なる薄膜トランジスタ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと凹部又は凸部を有する反射電極とを形成する方法であって、製造工程数及び製造コストの削減が図られた方法、及びこの方法が適用された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 金属膜７の上に感光性膜８を形成し、この感光性膜８から残部８１、８２及び８３を形成し、この残部８１、８２及び８３をマスクとして金属膜７をエッチングし、この残部８１、８２及び８３を剥離せずに感光性膜９及び反射電極膜１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 画素と画素の間隔が狭くなる高精細な液晶表示装置に対してディスクリネーションに起因する表示欠陥を生じないようにし、高コントラストでかつ明るい表示を可能とした液晶装置及び投射型表示装置と電子機器の提供を目的とする。
【解決手段】 第１基板と第２基板に挟持された液晶層と、前記第２基板の前記液晶層側の面に形成された第１電極、第２電極を備え、前記第１電極と前記第２電極は前記液晶層に対し実質的に基板面と平行な電界が印加できるように構成された液晶装置において、液晶分子の配列の変化する方向が異なる複数の領域を前記第１電極、第２電極とで形成される画素領域内に有することを特徴とする液晶装置。 （もっと読む）